‘차세대 메모리 반도체’ 검색결과
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삼성전자-AMD, 저전력·고성능 그래픽 분야 협력
삼성전자가 AMD(Advanced Micro Devices, Inc.)와 초저전력·고성능 그래픽 설계자산(IP)에 관한 전략적 파트너십을 맺었다고 밝혔습니다. 삼성전자는 AMD와의 라이선스 체결을 통해 그래픽 기술역량을 강화함으로써 스마트폰을 포함한 모바일 시장 전반에 혁신을...
2·3차 협력회사와의 소통과 화합을 위한 ‘상생협력 세미나’ 개최
지난 5월 15일 경기도 경제과학진흥원에서는 2·3차 협력회사에 대한 원활한 소통과 지원을 확대하기 위해 마련한 삼성전자 DS부문의 ‘상생협력 세미나’가 개최되었습니다. 그동안 매해 1차 협력회사를 대상으로 한 세미나가 진행됐지만, 2·3차 협력회사를 대상으로 한 세미나는...
삼성전자, 2019년 1분기 실적발표
삼성전자는 연결 기준으로 매출 52.4조원, 영업이익 6.2 조원의 2019년 1분기 실적을 발표했습니다. 1분기 매출 52.4조원, 영업이익 6.2조원 기록 1분기에는 메모리와 디스플레이 패널 사업 중심으로 수요 약세와 판가 하락 영향을 받아 매출은 전년 동기 대비 약 14%...
주목받는 차세대 메모리 ‘MRAM’ 개발자를 만나다
MRAM은 NAND Flash 와 같이 전원을 꺼도 데이터가 유지되는 메모리지만, DRAM 수준으로 속도가 빠른 특성을 가지는 메모리 반도체인데요. 1992 년 이후 DRAM 분야에서 세계시장 1위를 지키고 있는 삼성전자 DS부문은 지난 3월 6일 28나노 FD-SOI(완전공핍형...
삼성전자, 세계 최초 ‘3세대 10나노급(1z) D램’ 개발
삼성전자가 세계 최초로 ‘3세대 10나노급(1z) 8Gb(기가비트) DDR4(Double Data Rate 4) D램’을 개발했습니다. 미세공정 한계 극복, 세계 최고 미세 공정 기반 1z나노 8Gb DDR4 D램 개발 완료 삼성전자가 2세대 10나노급(1y) D램을...
삼성전자, ’28나노 FD-SOI 공정 기반 eMRAM’ 출하
삼성전자가 ’28나노 FD-SOI(완전공핍형 실리콘 온 인슐레이터) 공정 기반 eMRAM(embedded Magnetic Random Access Memory, 내장형 MRAM)’ 솔루션 제품을 출하했습니다. 저전력 특성 공정+차세대 내장 메모리 기술 접목…...
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