‘#TSV기술’ 에 대한 태그 검색결과
2건의 글이 있습니다
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보도자료 2024.02.27
삼성전자, 업계 최초 36GB HBM3E 12H D램 개발
삼성전자가 업계 최초로 36GB(기가바이트) HBM3E(5세대 HBM) 12H(High, 12단 적층) D램 개발에 성공하고 고용량 HBM 시장 선점에 나선다. 삼성전자는 24Gb(기가비트) D램 칩을 TSV(Through-Silicon Via, 실리콘 관통 전극) 기술로...
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보도자료 2015.11.27
삼성전자, 세계 최초 ‘128기가바이트 D램 모듈’ 양산
삼성전자가 세계 최초로 3차원 TSV 적층 기술을 적용해 최대 용량, 초절전 특성을 동시에 구현한 ‘128기가바이트(GB) 서버용(RDIMM) D램 모듈’을 본격 양산하기 시작했습니다. ※ TSV(Through Silicon Via, 실리콘관통전극) : D램 칩을 일반 종이...
