고대역폭 메모리 플래시볼트 개발의 주역! 52주차 IR52 장영실상 수상자를 만나다

지난 12월, 삼성전자 고대역폭 메모리 플래시볼트 ‘HBM2E Flashbolt’가 과학기술정보통신부에서 주관하는 2020년 52주차 IR52 장영실상에 선정되었습니다. ※ HBM(High Bandwidth Memory): 고대역폭 메모리로 최신 인공지능 서비스용 슈퍼컴퓨터,...

메모리카드의 한계를 뛰어넘다! 삼성전자 ‘UFS’ 한 눈에 보기

빠른 속도로 진화를 거듭하며 소비자들에게 보다 스마트한 라이프를 선사하고 있는 스마트폰에는 다양한 반도체가 탑재되어 있습니다. 그 중 우리의 스마트폰 속 소중한 사진과 영상과 같은 데이터가 어떤 반도체에 저장되어 있는지 알고 계시나요? 바로 UFS 규격의 낸드 플래시 메모리...

삼성전자, 세계 최초 ‘1TB eUFS’ 양산

삼성전자, 세계 최초 ‘1TB eUFS’ 양산 삼성전자가 세계 최초로 ‘테라바이트(TB) 모바일 메모리(eUFS, embedded Universal Flash Storage) 시장을 엽니다. 스마트폰 내장메모리 테라바이트 시대 열다 삼성전자는...

[반도체 용어 사전] 낸드플래시 메모리의 데이터 저장 방식

메모리카드, USB, SSD 등 스토리지는 낸드 플래시(NAND Flash) 메모리를 사용하여 데이터를 저장한다. 또한 낸드 플래시의 타입은 데이터를 저장하는 방식에 따라 SLC, MLC, TLC로 나뉜다. 디지털 데이터를 구분하는 최소 단위는 bit라고 부른다. 데이터를...

삼성전자, 세계 최초 ’10나노급 8기가비트 D램’ 양산

삼성전자가 반도체 기술의 한계를 돌파하고, 세계 최초로 ’10나노급 D램 시대’를 열었습니다. ■ 세계 최고 성능 ’10나노급 8Gb DDR4 D램’ 본격 양산 삼성전자는 2월부터 세계 최소 크기의 10나노급(1나노 : 10억분의...

삼성전자, 2015년 3분기 실적발표

삼성전자는 29일, 연결기준으로 매출 51.68조원, 영업이익 7.39조원의 2015년 3분기 실적을 발표했습니다. ■ 3분기 매출 51.68조원, 영업이익 7.39조원 매출은 전분기 48.54조원 대비 약 6% 증가했고, 영업이익은 전분기 6.9조원 대비 약 7% 증가했습니다....