삼성전자, ‘삼성 파운드리 포럼 2018’ 개최
삼성전자는 2018년 5월 22일 미국 Santa Clara 메리어트 호텔에서 ‘삼성 파운드리 포럼 2018(Samsung Foundry Forum 2018)’을 개최하고 파운드리 사업전략과 첨단 공정 로드맵, 응용처별 솔루션에 대해 발표했습니다.
‘삼성 파운드리 포럼 2018’은 팹리스 업계 고객사, 파트너사, 애널리스트 등 약 500명이 참석한 가운데 진행됐으며, 매년 확장되는 파운드리 시장 규모와 차별화된 기술력을 바탕으로 향후 파운드리 사업의 비전을 제시했습니다.
또한 주력 양산 공정인 14/10나노 공정, EUV를 활용한 7/5/4나노 공정에서 새롭게 3나노 공정까지의 로드맵을 공개하며, 향후 광범위한 첨단 공정 개발과 설계 인프라, SAFE™(Samsung Advanced Foundry Ecosystem)의 지속 확장에 대해 발표했습니다.
삼성전자 파운드리 사업부 전략마케팅팀장 배영창 부사장은 “지난 한 해, EUV 공정을 적용한 포트폴리오를 강화하는데 주력해왔다”, “향후 GAA(Gate-All-Around)구조를 차세대 공정에 적용함으로써 단순히 기술 리더십을 선도할 뿐 아니라 좀 더 스마트하며 기기 간의 연결성을 강화한 새로운 시대를 열어갈 수 있으리라 기대한다”고 말했습니다.
‘삼성 파운드리 포럼 2018’은 이번 미국 포럼을 시작으로 6월 중국 상하이, 7월 한국 서울, 9월 일본 도쿄, 10월 독일 뮌헨으로 이어질 예정입니다.
| ※ 참고 1.주요 첨단 공정 □ 7LPP (7나노 Low Power Plus) : EUV 장비를 적용한 최초 로직 공정. 2018년 하반기 시험생산, 2019년 상반기 생산 목표로 개발 중 □ 5LPE (5나노 Low Power Early) : Smart Scaling으로 7나노 대비 면적 및 소비전력 축소 □ 4LPE/LPP (4나노 Low Power Early/Plus) : FinFET 을 적용한 마지막 공정, 5nm에서 Easy migration 지원 □ 3GAAE/GAAP(3나노 Gate-All-Around Early / Plus) : 차세대 트랜지스터 구조인 MBCFETTM을 최초 적용, 게이트 컨트롤 개선으로 성능 대폭 향상 ※ MBCFET™ (Multi Bridge Channel FET)은 FinFET 구조의 크기 축소와 성능 향상의 한계를 극복한 GAAFET(Gate All Around FET) 기술의 삼성전자 독자 브랜드 2.주요 응용처별 솔루션 □ HPC(High-Performance Computing) Solutions : 최첨단 데이터센터ㆍAI/머신러닝向 플랫폼 솔루션 제공 □ Connected Device Solutions : MCUㆍ전장용 솔루션 등 다양한 턴키 플랫폼 |
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