삼성전자 초미세 20나노 D램, ‘2014 대한민국 기술대상’ 대통령상 수상 현장!

올 한해 국가기술 산업발전에 기여한 산업기술에 대해 격려하고 축하하는 자리가 마련되었습니다. 바로 산업통상자원부가 매년 개최하고 있는 ‘대한민국 기술대상 시상식’입니다.

2014 대한민국 기술대상 시상식은 올해 산업기술계 인사와 수상자 등 300여 명이 참석한 가운데, 산업기술인들의 화합과 발전을 도모하고자 진행되었습니다. 삼성전자도 대한민국 기술대상의 최고상인 대통령상을 수상하게 되어 함께 참석했는데요, 지난 11월 13일, 서울 양재동 엘타워에서 진행된 ‘2014 대한민국 기술대상 시상식’ 현장으로 여러분을 초대합니다.

■ 삼성전자 초미세 20나노 D램, 대통령상과 10대 신기술에 동시 선정!

‘2014 대한민국 기술대상 시상식’은 2013년 이후 개발을 완료해 상용화에 성공한 기술과 제품 가운데 기술적 성과가 큰 우수 기술에 대해 수상하는 자리입니다. 이와 더불어 세계 최초, 최고 수준의 10개 기술을 선정하여 ‘대한민국 10대 신기술’ 인증서를 함께 수여합니다.

시상식은 산업기술인들을 환영하는 미디어 퍼포먼스 공연으로 그 화려한 막을 올렸습니다. 이어서 황규연 산업통상자원부 산업기반실장은 축사를 통해 “올해도 산업현장을 묵묵히 지켜준 기술인들에게 감사의 말을 전한다”고 말하며, 한해 동안 기술 발전을 위해 노력한 산업기술인들의 노고를 치하했습니다.

이어 본격적인 시상이 진행되었습니다. 먼저 산업기술진흥 유공자 및 기술경영 우수기업 등에 대한 포상이 이뤄진 후, 대망의 최고 기술대상인 대통령상 수상작 발표 시간이 다가왔는데요. 그 영광의 주인공은 바로 독보적인 기술로 세계 최초 개발은 물론, 업계 유일하게 양산하고 있어 글로벌 IT기업으로부터 주목받고 있는 삼성전자 ‘초미세 20나노 D램’입니다!

삼성전자는 지난 3월 20나노 PC용 D램 양산에 성공한 이후 모바일 및 서버용 D램에도 20나노 공정을 적용해 세계 최초로 20나노 D램의 풀 라인업을 구축했습니다. 향후 글로벌 PC시장은 물론이고 프리미엄 D램 시장인 모바일과 서버 시장의 성장세를 지속 주도해 나갈 것으로 예상되는 삼성전자 20나노 D램이 ‘대한민국 기술대상’ ‘대통령상의 영광을 안은 것 인데요.

이로써 삼성전자는 지난 2012년 ‘갤럭시 노트2’를 시작으로, 2013년 ‘3차원 셀 구조 V낸드’에 이어 3년 연속 ‘대한민국 기술대상’ 대통령상을 수상하는 쾌거를 이루었습니다!

또한, 삼성전자 20나노 D램은 이 날 대통령상 수상과 함께 올해의 ‘대한민국 10대 신기술’에도 선정되는 영광을 차지했습니다. 이로서 세계 최고 수준의 기술력을 입증한 20나노 D램이 앞으로 산업 기술 전반에 미칠 새로운 시장 창출 효과를 인정받은 것 입니다.

■ 기존 D램의 미세화 한계를 극복한 ‘삼성전자 20나노 D램’

삼성전자가 업계 유일하게 생산하고 있는 20나노 D램은 기존 D램의 미세화 한계를 극복해 기존 대비 빠른 속도와 낮은 소비 전력은 물론, 더욱 작고 슬림한 디자인의 시스템을 만들 수 있도록 해주는 것이 장점입니다. 또한 차세대 10나노급 D램을 위한 혁신적인 기반 기술을 선행 확보했다는 점을 인정받아 올해의 대통령상을 수상하게 되었습니다.

그 기술력에 대한 관심을 표현하듯 많은 사람들이 ‘2014 대한민국 10대 신기술’ 코너에 전시된 ‘삼성전자 20나노 D램’을 주목했는데요. 특히 기존의 25나노 D램과 비교해 현저히 작아진 세계 최소 칩 사이즈에 대해 놀라움을 금치 못했답니다.

이렇게 업계의 관심을 한 몸에 받고 있는 삼성전자 초미세 20나노 D램은 삼성전자의 독자기술인 ‘개량형 이중 포토 노광 기술’과 ‘초미세 유전막 형성 기술’이 동시에 적용된 신기술의 집약체입니다.

D램은 정보 저장의 최소 단위인 셀이 초고속 동작에 적합하게 트랜지스터와 커패시터의 적층 구조로 구성되어, 더욱 미세화된 20나노 공정으로 개발하기에는 힘든 상황이었습니다. 또한 조금의 오차도 허용하지 않는 나노미터 단위의 초미세 공정을 거쳐 만든 4기가비트(Gb) D램의 40억개가 넘는 모든 셀들에 불량이 없어야 하고, 특히 DDR3의 최고 속도를 구현해야만 하는 조건 등으로 인해 기술적 난이도는 매우 높은 수준이었습니다.

하지만 삼성전자는 기존 장비에서도 안정적이고 정확하게 미세회로를 그릴 수 있도록 하는 ‘개량형 이중 포토 노광 기술’를 개발해 기존 장비의 한계를 극복했습니다.

또한, ‘초미세 유전막 형성 기술’을 통해 셀 커패시터의 전하가 빠져 나가지 않도록 하는 유전막 형성 물질을 기존 나노 단위(분자 단위)에서 옹스트롬(10분의 1나노) 단위(원자 단위)로 초미세 제어했는데요, 이를 통해 더욱 균일한 유전막을 만들어 20나노에서도 우수한 셀 특성을 확보한 것입니다.

20나노 D램은 향후 기존 DDR3 대비 2배 빠른 차세대 초고속 DDR4 시장 및 초절전 LPDDR4 모바일 D램 시장 등 프리미엄 메모리 시장을 지속 선점할 수 있는 초격차 기술력을 구현한 제품입니다. 과연 올해의 대한민국 10대 신기술에 선정될 만 하죠?

지금까지 2014 대한민국 기술대상의 시상식 현장을 소개해드렸습니다. 올 한 해를 빛낸 산업기술들의 화려한 향연 속에서 삼성전자의 반도체 기술은 단연 빛나고 있었는데요. 대한민국을 대표하는 신기술, 초미세 20나노 D램을 비롯한 삼성전자 반도체의 활약은 앞으로도 계속될 것입니다!

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