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2018 ‘CES혁신상’을 수상한 삼성전자의 프리미엄 반도체

2018 ‘CES혁신상’을 수상한 삼성전자의 프리미엄 반도체

세계 최대 전자 전시회로 손꼽히는 국제전자제품박람회 CES에서는 매년 소비자의 삶을 변화시킬 혁신 제품과 미래 기술을 만나볼 수 있는데요. CES를 주관하는 미국소비자기술협회(Consumer Technology Association, CTA)는 내년 1월 열리는 ‘CES 2018’을 앞두고 가장 혁신적인 제품과 기술에 수여하는 ‘CES 혁신상(CES Innovation Award)’을 발표했습니다. 이 중 많은 사람들의 관심을 받은 삼성전자의 프리미엄 반도체 제품을 함께 만나보겠습니다.

현존하는 최고의 그래픽 메모리, ‘16Gb GDDR6 Graphic DRAM’

현존하는 최고의 그래픽 메모리, ‘16Gb GDDR6 Graphic DRAM'

삼성전자의 16Gb(기가비트) GDDR6(Graphics Double Data Rate 6) D램은 가장 빠르고 전력소모량이 낮은 그래픽 D램입니다. 고해상도의 멀티미디어 콘텐츠가 끊김없이 자연스럽게 동작하기 위해서는 그래픽을 담당하는 메모리의 역할이 중요한데요. 이 제품은 대용량의 데이터를 보다 빠르게 처리하여 첨단 워크 스테이션, 게임 콘솔 및 기타 그래픽 장치에 고성능, 고해상도를 지원합니다.

16Gb GDDR6 D램은 CAD디자이너, 게이머, 영상제작자, 그래픽 제작자 등 고성능의 작업환경을 원하는 사용자들의 요구 사항을 충족시키기 위해 넓은 대역폭을 제공합니다. 특히 16Gb/s로 작동하는 두개의 칩으로 4GB의 그래픽 메모리를 구성하면, 각 칩이 32개의 정보출입구(Input/Output)를 통해 초당 128GB의 그래픽 이미지를 처리할 수 있는데요. 이는 1초당 Full-HD DVD(5GB 상당) 22개 상당의 데이터를 처리하는 것과 같습니다. 또한 기존 8Gb GDDR5 D램의 경우 8Gb/s의 속도로 1.5V의 전력을 사용한 데 반해, 이번 16Gb GDDR6 D램은 업계 최대 용량인 16Gb와 속도 16Gb/s를 구현하면서도 1.35V의 낮은 전력 소모량을 제공합니다.

그래픽 D램 시장의 성장을 주도하는 대용량, 고성능 16Gb GDDR6 D램! 2018 CES 혁신상을 수상한 제품다운 스펙이죠?

소형 폼펙터에 최대 용량 구현, 8TB NGSFF NVMe SSD ‘PM983’

소형 폼펙터에 최대 용량 구현, 8TB NGSFF NVMe SSD 'PM983'

8TB NGSFF(Next Generation Small Form Factor) NVMe SSD ‘PM983’는 크기가 30.5×110×4.38㎜에 불과해 서버 시스템 내 저장장치의 공간활용도를 극대화 할 수 있습니다. 예를 들어, 8TB NGSFF SSD 128개로 2U 랙 두께의 스토리지 시스템 구성시 기존 2.5인치 SAS SSD로 구성할 때(0.384PB, 페타바이트)보다 약 3배 많은 1PB를 구현할 수 있어 획기적인 공간 절감 솔루션을 제공합니다.

또한 임의 읽기/쓰기 속도는 최대 200,000/32,000 IOPS로 가장 높은 성능을 가진 SAS HDD의 약 1,000배에 달하며, 순차 읽기/쓰기 속도는 최대 1,200 MB/s로 일반 SATA SSD 대비 두배의 성능을 제공하는데요. 소형 폼팩터에 고용량과 탁월한 성능을 제공함으로써 IT 인프라의 투자 효율을 크게 향상시킬 수 있습니다.

※ SAS(Serial Attached SCSI) : 서버와 스토리지에 사용되는 인터페이스로, PC에 주로 사용되는 ‘SATA(Serial ATA)’ 인터페이스보다 2배 이상 빠른 SSD를 만들 수 있어 기업용 시장이 지속 확대되고 있다.

모바일 기기에 최적의 솔루션 제공, ‘256GB MicroSD Card EVO Plus’.

모바일 기기에 최적의 솔루션 제공, ‘256GB MicroSD Card EVO Plus’.

삼성전자의 ‘256GB 마이크로 SD 카드 EVO Plus’는 업계 최고수준의 성능, 안정성, 10년 사용 보증으로 고해상도 영상 촬영에 최적의 솔루션을 제공합니다.

삼성전자의 첨단 64단 256Gb V낸드 기술이 적용된 이 제품은 대용량 파일 전송 및 고화질 동영상 촬영에 최적화된 UHS-Ⅰ 규격으로 설계되었는데요. 읽기/쓰기 속도는 100/90 MB/s로 3GB 용량의 영상파일을 단 38초 만에 업로드할 수 있는 속도입니다.

사용자들은 ‘256GB 마이크로 SD 카드 EVO Plus’를 통해 스마트폰, DSLR, 액션카메라, 드론 등 모바일기기에서 초고해상도(4K UHD, 3840×2160) 영상을 약 12시간 연속 촬영하거나 Full HD급(5GB) 영화 47편을 저장할 수 있습니다. 또한 국제 방수 인증(IEC60529, IPX7) 획득과 X-레이와 같은 외부 자기장의 충격에도 데이터를 안전하게 지킬 수 있습니다.

※ UHS-I(Ultra High Speed-I) : SDA(SD Card Association)서 규정한 SD카드의 데이터 통신 규격. 초당 최대 104 MB의 데이터 전송(읽기/쓰기)이 가능함.

업계 최초 6CA 구현, ‘Exynos 9 series(9810)’

업계 최초 6CA 구현, ‘Exynos 9 series(9810)’

2018 CES 혁신상을 수상한 ‘엑시노스9 (9810)’은 업계 최초로 6CA(Carrier Aggregation) 기술을 구현한 고성능 LTE 모뎀을 내장해 Gb급 통신속도를 지원합니다. 10나노 2세대 공정 기술을 기반으로 한 ‘엑시노스9 (9810)’은 3세대 커스텀 중앙처리장치(CPU) 및 보다 향상된 그래픽처리장치(GPU)를 탑재해 모바일 기기에 최적의 솔루션을 제공합니다.

CA(Carrier Aggregation): 2개 이상의 주파수 대역을 하나로 묶어 광대역 폭을 실현하는 기술. 2CA는 2개의 주파수 대역, 6CA는 6개의 주파수 대역을 묶는다.

환경에 따라 최상의 화질 구현, ‘Samsung ISOCELL Slim 2X7’

환경에 따라 최상의 화질 구현, ‘Samsung ISOCELL Slim 2X7’

‘ISOCELL Slim 2X7’은 테트라셀(Tetracell) 등 삼성전자의 첨단 기술을 적용한 초소형, 고화질 이미지센서입니다. 이 제품은 고화질과 작은 면적을 동시에 구현한 것이 특징인데요.

업계 최초로 1.0㎛의 벽을 깨고 픽셀크기를 0.9㎛까지 줄인 초소형 픽셀 이미지센서입니다. 또한 촬영 환경에 따라 4-픽셀을 재배치하는 테트라셀(Tetracell) 기술을 적용해 어두운 곳에선 더 밝게(6백만 화소), 밝은 곳에서는 더욱 선명하게(2천4백만 화소) 이미지를 촬영 할 수 있는 획기적인 제품입니다.

한편 삼성전자 반도체는 2018 CES 혁신상을 포함해 8년 연속 CES 혁신상 수상했습니다. 수상 제품 수도 27개에 달해 삼성전자 반도체의 독보적인 기술력을 증명했는데요.

글로벌 기술을 혁신하는 제품들로 프리미엄 반도체 시장을 선도하는 삼성전자! 앞으로도 소비자들에게 놀라운 성능과 솔루션을 제공할 삼성 반도체의 활약을 응원해주세요!

[참고] 삼성전자 반도체, 역대 CES 혁신상 수상 내역

CES 2018 혁신상 (5개)
– 16Gb GDDR6 Graphic DRAM, 8TB NGSFF NVMe SSD ‘PM983’, 256GB MicroSD Card EVO Plus
– Exynos 9 series(9810), Samsung ISOCELL Slim 2X7’

CES 2017 혁신상 (3개)
– 512GB BGA NVMe SSD, 2TB M.2 NVMe SSD, 4TB 850 PRO SSD(2.5′)

CES 2016 혁신상 (5개)
– 512GB M.2 NVMe SSD, 2TB 850 PRO SSD(2.5″), 12Gb LPDDR4 Mobile DRAM (6GB),
V-NAND SSD ‘4TB 850 EVO’, Portable SSD 2TB ‘T3’

CES 2015 혁신상 (4개)
– 64GB 3D TSV DDR4 RDIMM, SSD 850 PRO(2.5″), 4GB LP4(25nm 8Gb), Portable SSD 1TB ‘T1’

CES 2014 혁신상 (1개)
– 3GB LPDDR3 모바일 D램

CES 2013 혁신상 (4개)
– 30nm 64GB RDIMM, 2GB LPDDR3 Mobile DRAM, 64GB microSD Card
– Exynos 5 Series Dual

CES 2012 혁신상 (1개)
– 512GB SSD (6Gbps)

□ CES 2011 혁신상 (2개)
– 40nm 32GB RDIMM, 512GB SSD (3Gbps)

CES 2009 혁신상 (1개)
– 128GB SSD (3Gbps)

CES 2008 혁신상 (1개)
– 64GB SSD (3Gbps)

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