삼성전자, ‘2017 대한민국 기술대상’서 역대 세 번째 대통령상 수상

지난 11월 16일, 산업통상자원부 주관으로 올 한해 대한민국을 빛낸 우수 기술을 시상하는 ‘2017 대한민국 기술대상’ 행사가 서울 코엑스에서 열렸습니다. 특히 삼성전자는 반도체 제품으로 세 번째 대통령상을 수상해 그 의미를 더했는데요. 한국 반도체가 역대 최대 수출액을 달성과 함께 최고의 기술을 만들기 위한 노력이 결실을 맺은 그 축제의 현장 속으로 함께 떠나볼까요?

산업 기술의 축제 한마당 ‘2017 대한민국 기술대상 시상식’

‘2017 대한민국 기술대상’은 ‘R&D, 상상에서 일상으로’라는 주제로 산업통상자원부가 주최한 ‘2017 대한민국 산업기술 R&D 대전’의 개막행사인데요. 올 한해 기술적 성과가 뛰어나고 대한민국 산업에 큰 파급효과를 창출한 우수 신기술 및 제품을 시상하는 자리로, 1992년부터 매년 실시하는 대한민국 최고 권위의 기술상입니다.

시상식에 앞서 박건수 산업통상자원부 산업정책실장은 축사를 통해 “대한민국 산업 R&D가 4차 산업혁명 시대를 선도하기 위해서는 정부, 기업, 민간의 협력이 필요하며, 이를 위해 정부 차원에서 적극 지원할 것”이라며 “상상했던 기술이 일상에서 조속히 실현될 수 있도록 힘을 모아달라”는 당부의 말을 함께 전했습니다.

3차원 메모리 기술의 새로운 장을 연 4세대(64단) 3차원 V낸드, 대한민국 기술대상 대통령상 수상!

드디어 2017 대한민국 기술대상 시상식이 시작됐습니다. 삼성전자는 대통령상, 국무총리상, 산업통상자원부 장관상 각 부문을 모두 수상하는 쾌거를 이루었는데요.

최고의 영예인 대통령 상을 수상한 삼성전자는 세계 최고의 기술력으로 ‘64단 3차원 V낸드’를 업계 최초로 양산하여, 차세대 모바일기기 및 데이터센터 엔터프라이즈 서버/스토리지에 ‘초고속·고용량·초절전·초소형·고신뢰성’ 메모리 솔루션을 제공했다는 점에서 높은 평가를 받았습니다.

V낸드는 데이터를 저장하는 셀을 만들 때 수십 개의 단을 쌓아 올리고, 위에서 아래까지 수십억 개의 미세한 홀(Hole)을 뚫어 수직으로 셀을 적층하는 ‘3차원(원통형) CTF 셀 구조’를 가집니다. 그러나 적층 단수가 높아질수록 성능과 특성이 급격하게 저하되는 물리적 한계가 있었는데요. 삼성전자는 64단 3차원 V낸드에 ‘9-Hole, 초고집적 셀 구조·공정’ 기술을 개발해 각 층마다 균일한 홀 패턴을 형성하고 전체 단의 하중을 분산해 한계를 혁신적으로 개선했습니다. 이를 통해 90단 이상의 수직 적층 한계를 극복해 반도체 칩 하나에 1조 개 이상의 정보를 저장하는 ‘1테라비트(Tb) V낸드’ 시대를 열 원천 기술을 확보한 것입니다.

또한 초당 10억 개 비트(Gb)의 데이터를 전송하는 ‘초고속 동작 회로 설계’를 통해 3세대(48단) V낸드보다 약 1.5배 빠르게 속도를 향상시켰습니다. 이뿐 아니라, ‘초고신뢰성 CTF 박막 형성’ 기술을 통해 셀 크기를 줄이면서도 쓰기·지우기 특성 수명 및 데이터 신뢰도를 높여 ‘3차원 메모리 기술 개발’의 새로운 장을 열었다는 평가를 받고 있습니다.

업계 최초 10나노 로직공정, 대한민국 기술대상 산업통상자원부 장관상 수상!

산업통상자원부 장관상에는 DS부문 Foundry사업부의 ‘10나노 로직 공정 기술’이 선정되었습니다.

삼성전자는 지난 2016년 10월 반도체 업계 최초로 10나노 로직 공정 양산에 성공했는데요. 이 1세대 10나노 핀펫공정(LPE, Low Power Early)은 기존 14나노 공정대비 성능은 27% 높이고 전력효율은 40% 올린 것이 특징입니다. 이어 금년 4월에는 성능과 저전력 특성을 더욱 강화한 2세대 핀펫 공정 개발을 완료했는데요, 1세대 10나노 공정대비 성능은 10%, 전력효율은 15% 끌어올렸습니다.

금년 11월에는 업계 최초의 10나노 공정기반 서버프로세서인 ‘Centriq 2400(퀄컴)’을 양산한다고 밝히는 등 첨단 파운드리 리더십으로 시장을 주도하고 있습니다.

역대 세 번째 메모리 반도체 분야 대통령상 수상 쾌거

이번 삼성전자의 대통령상 수상이 더욱 특별한 이유는 또 있습니다. 2013년 ‘10나노급 128기가비트(Gb) 3차원 V낸드플래시’, 2014년 기존 D램의 미세화 한계를 극복한 ‘20나노 D램’ 수상에 이어 2017년 ‘64단 3차원 V낸드플래시 기술’까지 메모리 분야에서만 역대 세 번째 대통령상 수상의 영광을 안았다는 점이죠.

특히 삼성전자는 2013년 세계 최초로 3차원 수직구조 낸드플래시(10나노급 128Gb 3D V낸드) 시장을 창출하며 대통령상을 수상한 이후 4년 만에 낸드플래시 기술로 또 한 번 대통령상을 수상했는데요. 이를 통해 삼성전자의 V낸드 기술의 독창성과 독보적인 제품 경쟁력을 다시 한 번 증명할 수 있었습니다.

이날 시상식에 참석한 송재혁 전무는 “2013년에 이어 다시 한 번 대한민국 기술대상 대통령상을 수상함으로써 삼성전자의 기술력을 인정받게 되어 기쁘다. 지난해 64단 3차원 V낸드플래시 출시 및 올해 세계 최대 규모의 평택 P1 라인 가동을 위해 노력해주신 임직원과 협력사 분들께 깊이 감사드린다”라고 수상 소감을 전했습니다. 또한 “세계 최초로 1Tb V낸드 양산의 원천 기술을 확보함으로써 앞으로도 최고의 솔루션을 제공해 글로벌 IT 시장의 지속적인 성장에 기여할 것”이라며 향후 목표를 밝혔습니다.

삼성전자는 메모리 반도체 분야에서 64단 512Gb V낸드를 업계 최초로 본격 양산하여 2.5인치 32TB SAS SSD, 8TB NGSFF NVMe SSD, 모바일향 512GB eUFS 등 다양한 폼팩터 별로 최소 2배에서 최대 4배 큰 용량의 차세대 라인업을 업계 최초로 출시할 예정입니다. 또한 Foundry 분야에서는 생산성과 경쟁력을 동시에 갖춘 차세대 공정 리더십으로, 글로벌 고객들에게 차별화된 솔루션을 제공해나갈 예정인데요. 혁신적인 기술개발과 독보적인 경쟁력으로 세계 반도체 시장을 선도해 나갈 삼성전자의 활약을 기대해주세요~!