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삼성전자, 125℃까지 견디는 자동차용 ’16Gb D램’ 양산

삼성전자가 업계 최고 수준의 고온 신뢰성과 초고속ㆍ초절전 특성을 동시에 구현한 자동차용 ’10나노급 16Gb LPDDR4X D램’을 본격 양산한다고 밝혔습니다.

▲ 최고수준의 고온 신뢰성을 구현한 삼성전자 차량용 '10나노급 16Gb LPDDR4X D램'
▲ 최고수준의 고온 신뢰성을 구현한 삼성전자 차량용 ’10나노급 16Gb LPDDR4X D램’

업계최고 수준 고온 신뢰성 구현 ’10나노급 16Gb LPDDR4X D램’ 양산

삼성전자는 이번 제품에 기존 자동차용 20나노급 D램의 ‘Autograde 2’ 보다 고온 영역이 20도(℃)가 높은 Autograde 1 (-40℃ ~ +125℃)을 만족해 10나노급 D램으로는 업계 유일하게 Autograde 1 적용 제품을 양산하게 됐습니다.

※ Autograde : 자동차용 반도체 업계에서 통용되는 온도 보증 구간

※ Autograde 0 : -40℃ ~ +150℃ / Autograde 1 : -40℃ ~ +125℃

※ Autograde 2 : -40℃ ~ +105℃ / Autograde 3 : -40℃ ~ +85℃

또한 이번 D램 제품은 글로벌 주요 자동차 제조업체들이 요구하는 시스템 탑재 상태에서 -40℃에서 125℃ 범위의 온도 사이클링 평가를 모두 만족시키는 등 업계 최고 수준의 신뢰성으로 차세대 자동차 시장에서 적용분야가 더욱 확대됐습니다.

2020년 자율주행차 시스템에 초고속ㆍ초절전 메모리 솔루션 제공

삼성전자는 이번 제품에 10나노급의 미세공정 적용으로 성능과 전력효율 측면에서도 업계 최고 수준을 구현해 자동차용 메모리 사업 경쟁력을 강화했습니다.

▲최고수준의 고온 신뢰성을 구현한 삼성전자 차량용 '10나노급 16Gb LPDDR4X D램'
▲최고수준의 고온 신뢰성을 구현한 삼성전자 차량용 ’10나노급 16Gb LPDDR4X D램’

이번 제품은 125℃의 고온에서도 업계 최고 속도인 4,266Mbps로 데이터를 처리해 기존 20나노 8Gb LPDDR4 D램 대비 속도는 14% 향상됐고, 소비전력 효율도 약 30% 높아져 글로벌 자동차 업체들의 차세대 자율주행 시스템 성능 향상에 기여할 전망입니다.

삼성전자는 올해 2월 105℃ 온도 알람 기능을 적용한 낸드플래시 기반의 자동차용 ‘256GB eUFS’를 양산한데 이어, 이번에 ‘Autograde 1’을 만족시키는 자동차용 10나노급 16Gb LPDDR4X D램까지 양산함으로써 최적의 차세대 자율주행 자동차용 메모리 솔루션을 확보했습니다.

글로벌 고객과 사업협력 강화 및 신규 시장 지속 확대 추진

삼성전자 메모리사업부 마케팅팀 전세원 전무는 “이번 16Gb LPDDR4X D램 양산으로 글로벌 자동차 고객들에게 역대 최고의 신뢰성·속도·용량·절전 특성을 모두 만족하는 메모리 솔루션을 제공하게 됐다”며, “향후 다양한 시스템을 개발하는 고객들과도 기술 협력을 확대해 새로운 프리미엄 시장을 지속 창출해 나갈 것”이라고 밝혔습니다.

한편 삼성전자는 업계 최대의 10나노급 D램 라인업(12Gb, 16Gb, 24Gb, 32Gb)의 공급을 지속 확대하고, 전후방 카메라와 같은 Vision ADAS(Advanced Driver Assistance Systems), 자율주행을 위한 중앙제어 시스템, 인포테인먼트, 게이트웨이 등 자동차 분야의 다양한 영역에서 글로벌 고객들과 기술 협력을 강화해 프리미엄 메모리 시장을 지속 확대해 나간다는 계획입니다.

▲최고수준의 고온 신뢰성을 구현한 삼성전자 차량용 '10나노급 16Gb LPDDR4X D램'
▲최고수준의 고온 신뢰성을 구현한 삼성전자 차량용 ’10나노급 16Gb LPDDR4X D램’

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