삼성전자, 세계 최초 ’12Gb LPDDR5 양산’

삼성전자가 5G 통신 시대에 맞춰 역대 최고 속도를 구현한 ’12Gb(기가비트) LPDDR5(Low Power Double Data Rate 5) 모바일 D램’을 세계 최초로 양산했습니다.

역대 최고 속도 LPDDR5 모바일 D램으로 5G 스마트폰 시장 선점

삼성전자는 이달 말부터 2세대 10나노급(1y) 12Gb 칩 8개를 탑재한 ’12GB LPDDR5 모바일 D램’ 패키지를 양산해 차세대 플래그십 스마트폰 메모리 시장을 선점하고, 고객들의 공급 확대 요구에 빠르게 대응해 나간다는 전략입니다.

삼성전자는 12GB(기가바이트) LPDDR4X 모바일 패키지 양산을 시작한 지 5개월 만에 ’12Gb LPDDR5 모바일 D램’을 양산하며 프리미엄 메모리 라인업을 대폭 강화했습니다.

’12Gb LPDDR5 모바일 D램’은 현재 하이엔드 스마트폰에 탑재된 기존 모바일 D램(LPDDR4X, 4,266Mb/s)보다 약 1.3배 빠른 5,500Mb/s의 속도로 동작합니다. 이 칩을 12GB 패키지로 구현했을 때 풀HD급 영화(3.7GB) 약 12편 용량인 44GB의 데이터를 1초 만에 처리할 수 있습니다.

또한 초고속 모드에서 저전력 동작 구현을 위해 새로운 회로 구조 (clocking, training, low power feature)를 도입했고, 기존 제품대비 소비전력을 최대 30% 줄였습니다.

삼성전자는 LPDDR5 양산으로 차세대 5G 플래그십 스마트폰에서 초고화질 영상 촬영, 인공지능(AI)과 머신러닝(ML)을 안정적으로 구현하면서도 배터리 사용시간을 더욱 늘릴 수 있는 ‘모바일 D램 솔루션’을 제공할 수 있게 되었습니다.

삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실 이정배 부사장은 “현재 주력 공정인 2세대 10나노급(1y)을 기반으로 차세대 LPDDR5 D램의 안정적인 공급 체제를 구축하게 되어, 글로벌 고객들이 플래그십 스마트폰을 적기에 출시하는데 기여하게 됐다.”라며, “향후에도 차세대 D램 공정 기반으로 속도와 용량을 더욱 높인 라인업을 한 발 앞서 출시하여 프리미엄 메모리 시장을 지속 성장시켜 나갈 것”이라고 강조했습니다.

플래그십 스마트폰 시장에 이어 프리미엄 모바일 시장까지 본격 공략

한편 삼성전자는 글로벌 고객들의 수요에 맞춰 내년부터 평택캠퍼스 최신 라인에서 차세대 LPDDR5 모바일 D램 본격 양산 체제 구축을 검토하고 있습니다.

삼성전자는 이번 12Gb LPDDR5 모바일 D램 양산에 이어 향후 용량과 성능을 더욱 높인 16Gb LPDDR5 D램도 선행 개발해 플래그십 스마트폰 시장은 물론 프리미엄 모바일 시장까지 본격 공략해 초격차 사업 경쟁력을 지속 강화해 나갈 계획입니다.

[참고자료]

□ LPDDR5(Low Power Double Data Rate 5)
-스마트폰, 태블릿과 같은 모바일 기기에 사용되는 저전력 특성을 갖는 D램의 규격을 말함. 

-모바일 D램은 모바일 기기의 두뇌인 AP(Application Processor)의 연산을 돕는 역할을 함.
  MDDR, LPDDR2, LPDDR3, LPDDR4, LPDDR4X, LPDDR5로 구분하며, 숫자가 높아질수록 데이터 처리 속도가 최대 2배 빠름

-금년은 5500Mbps 제품을 메인 공급하나, 내년에는 차세대 시스템에서 요구하는 6400Mbps 제품을 메인 공급할 예정임

□ 삼성전자 대용량 모바일 D램 양산 연혁
·2009년   256MB    (50나노급 1Gb MDDR, 400Mb/s)
·2010년   512MB    (40나노급 2Gb MDDR, 400Mb/s) 
·2011년   1GB/2GB  (30나노급 4Gb LPDDR2, 1066Mb/s)
·2012.08   2GB      (30나노급 4Gb LPDDR3, 1600Mb/s)
·2013.04   2GB      (20나노급 4Gb LPDDR3, 2133Mb/s)
·2013.07   3GB      (20나노급 4Gb LPDDR3, 2133Mb/s)
·2013.11   3GB      (20나노급 6Gb LPDDR3, 2133Mb/s) 
·2014.09   3GB      (20나노 6Gb LPDDR3, 2133Mb/s)
·2014.12   4GB      (20나노 8Gb LPDDR4, 3200Mb/s)
·2015.08   6GB      (20나노 12Gb LPDDR4, 4266Mb/s)
·2016.09   8GB      (10나노급 16Gb LPDDR4X, 4266Mb/s)
·2018.04   8GB 개발 (10나노급 8Gb LPDDR5, 6400Mb/s) 
·2019.02  12GB      (10나노급 16Gb LPDDR4X, 4266Mb/s)
·2019.06   6GB      (10나노급 12Gb LPDDR5, 5500Mb/s) 
·2019.07  12GB      (10나노급 12Gb LPDDR5, 5500Mb/s)