지난 12월 5일, 서울 코엑스(COEX)에서는 ‘2018 대한민국 산업기술 R&D대전’과 ‘2018 대한민국 기술대상’이 개최되었습니다. 이번 대한민국 기술대상에서 삼성전자는 ‘차세대 프리미엄 10나노급 (1y) D램 기술’로 대통령상을 수상했는데요. 반도체 제품으로만 역대 네 번째 대통령상을 수상해 더 의미가 깊었습니다.
대한민국 산업기술 진흥에 공헌한 산업기술인들이 한자리에 모인 특별한 현장으로 함께 가볼까요?
1994년 첫 제정된 대한민국 기술대상은 국내 최고 권위의 산업기술 분야 시상식으로, 지난 1년 동안 기술개발 및 상용화에 성공해 대한민국 산업기술 발전에 기여한 기술과 제품을 시상하는 자리인데요. 올해 행사는 ‘산업기술의 꿈, 당신의 미래’를 주제로 우리 산업기술의 중요성을 알리고, 국내 산업기술 진흥에 공헌한 기술인과 기술을 포상하기 위해 마련되었습니다.
성윤모 산업통상자원부 장관을 대신해 참석한 박건수 산업정책실장은 “오늘 이 자리에서 오랜 기술개발 노력과 성과를 통해 국가 경제발전에 이바지한 대한민국 산업기술 유공자들에게 수상할 수 있어 기쁘다”며, “’산업기술의 꿈, 당신의 미래’라는 슬로건처럼 세계 시장을 선도하며 더욱 발전적인 대한민국의 미래를 열어 나가기를 기대한다”고 축사했습니다.
축사에 이어 본격적인 시상이 시작됐습니다. 삼성전자는 반도체 기술로 지난해에 이어 또다시 대통령상을 수상했는데요.
이는 반도체 분야에서만 역대 네 번째 대통령상 수상이라는 전무후무한 기록을 달성한 것입니다. 삼성전자는 2013년 세계 최초로 3차원 V낸드 반도체 시대를 열며 대한민국 기술대상 대통령상을 수상한 이래 2014년 20나노 D램, 2017년 64단 3차원 V낸드를 양산하며 영예를 안았습니다.
올해 ‘2018 대한민국 기술대상’ 대통령상을 수상한 차세대 프리미엄 10나노급(1y 나노) D램은 반 도체 최고난이도 마(魔)의 장벽을 돌파한 기술입니다. 삼성전자는 세계 최초로 2세대 10나노급 D램의 본격 양산 기술을 확보해 슈퍼컴퓨터, 데이터센터, 자율주행차 등 차세대 시장의 트렌드를 대한민국이 주도할 수 있는 발판을 마련한 공로를 인정받았습니다.
삼성전자는 독자 개발한 소자/센서/회선 혁신 기술을 바탕으로 2세대 10나노급(1y) D램을 개발, 양산하며 초격차 제품 경쟁력을 확보했습니다. 이를 통해 차세대 DDR5, LPDDR5, GDDR6, HBM3 등 모든 D램 라인업을 업계 유일하게 양산하는 최첨단 기술을 보유하게 되었습니다.
삼성전자 DS부문 메모리사업부 김형섭 부사장은 수상 제품을 소개하며 “삼성전자는 반도체 최고 난이도의 장벽을 돌파하며, 종전 제품보다 속도는 1.5배, 생산량을 1.7배, 소비전력량을 1/2로 줄 인 2세대 10나노급 D램을 세계 최초로 양산했습니다. 이번 제품 개발로 피자 라지 사이즈(30cm) 의 12인치 웨이퍼 한 장으로 소형차 한대를 수출하는 경제적 효과를 만들 수 있게 되었다.”라고 밝혔습니다.
김형섭 부사장은 이어 “반도체 기술로 역대 네 번째 대한민국 기술대상 대통령상을 수상하게 되어 매우 기쁩니다. 앞으로도 삼성전자는 차세대 메모리를 한발 앞서 양산해 전 세계 IT시장을 발전시키는 것은 물론 국가 경제가 지속 발전하는 데 기여하겠습니다.”라며 수상소감을 밝혔습니다.
지금까지 대한민국 산업기술의 현재와 미래를 한눈에 볼 수 있었던 ‘2018 대한민국 산업기술 R&D대전’과 ‘2018 대한민국 기술대상’ 현장에 함께했는데요. 앞으로도 최첨단 기술의 선행 개발로 세계 반도체 시장을 이끌어 나갈 삼성전자의 앞날에 많은 기대 부탁드립니다.
기간 설정