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삼성전자·브로드컴, 2,000억 달러 규모 ‘전략적 협력’

삼성전자는 24일(현지시간) 미국 샌프란시스코 더 미드웨이(The Midway)에서 열린 ‘AI 서밋’ 행사에서 글로벌 AI 반도체 기업 브로드컴과 차세대 AI 핵심 인프라 구축을 위한 전략적 업무협약(MOU)을 체결했다.

‘AI 서밋’ 행사에는 한진만 삼성전자 Foundry사업부장 사장과 혹 탄(Hock Tan) 브로드컴 CEO를 비롯한 양사 경영진, 정부 관계자 등이 참석했다.

삼성전자는 메모리, 파운드리, 첨단 패키징을 아우르는 세계 유일의 ‘원스톱(One-Stop) 턴키 솔루션’을 기반으로 브로드컴과의 협력을 확대하고, 차세대 AI 반도체 시장에서 차별화된 고객 가치를 제공할 예정이다.

이번 협약에 따라 양사는 2030년까지 향후 5년간 메모리·파운드리 분야에서 2,000억 달러 이상 규모의 전략적 협력을 추진하며 AI 반도체 분야의 기술 협력을 한층 확대해 나갈 계획이다.

최근 글로벌 빅테크 기업들을 중심으로 자체 AI 가속기(ASIC) 도입이 빠르게 확대되는 가운데, 이번 협력은 커스텀 반도체 설계 분야를 선도하는 브로드컴과 메모리·제조·패키징 기술을 아우르는 삼성전자의 역량을 결합해 차세대 AI 반도체 경쟁력을 높인다는 점에서 의미가 크다.

삼성전자는 세계 최고 수준의 메모리 기술력과 초격차 경쟁력을 바탕으로 HBM을 비롯한 최첨단 메모리 솔루션을 공급해 브로드컴 AI 가속기의 성능과 경쟁력 강화에 기여한다.

업계 최초 1c D램과 4nm 베이스다이 기술을 적용한 HBM4를 지난 2월 전 세계 최초로 양산 출하한 데 이어, 5월에는 HBM4E 샘플도 업계 최초로 고객사에 공급하며 차세대 HBM 기술 리더십을 이어가고 있다.

삼성전자의 HBM은 업계를 선도하는 성능과 신뢰성, 전력 효율성을 기반으로 브로드컴 AI 가속기의 성능을 극대화하는 등 차세대 AI 인프라 경쟁력을 뒷받침하는 핵심 메모리 솔루션으로 활용될 예정이다.

파운드리 분야에서는 브로드컴의 차세대 고속 데이터 통신을 지원하는 통신용 반도체 솔루션 등 주요 제품 라인업에 2nm 이하 첨단 파운드리 공정을 적용해 제품 경쟁력을 한층 강화한다.

또한 삼성전자는 2nm 공정 기반 첨단 패키징 기술을 통해 고성능·고효율 AI 반도체 구현을 지원하며, 브로드컴에 차별화된 AI 반도체 솔루션을 제공한다.

아울러 삼성전자는 반도체 설계와 공정을 함께 최적화하는 단계부터 칩 설계, 첨단 패키징, 양산에 이르기까지 전 과정을 긴밀하게 연계해 제품 개발 기간을 단축하고 성능과 전력 효율을 극대화할 수 있도록 지원한다.

삼성전자는 이러한 기술 경쟁력을 바탕으로 브로드컴과 차세대 AI 반도체 분야의 협력을 지속 확대하고, 빠르게 성장하는 AI·고성능 컴퓨팅 시장에서 새로운 사업 기회를 적극 발굴해 나갈 계획이다.

이번 협약은 AI 시대 핵심 반도체 기술인 메모리, 파운드리, 첨단 패키징 전반에 걸친 양사의 협력을 한층 강화하고, 차세대 AI 반도체 생태계 경쟁력을 높이기 위한 전략적 파트너십으로 평가 받는다.

삼성전자 전영현 DS부문장은 “AI 시대에는 메모리, 로직, 첨단 패키징이 긴밀하게 통합된 반도체 솔루션이 중요하다”브로드컴과의 협력을 확대함으로써 미래 AI 인프라 발전을 가속화하고 고객에게 더 큰 가치를 제공하겠다”고 밝혔다.

찰리 카와스 브로드컴 반도체 솔루션 그룹 사장은 “AI 인프라가 빠르게 확장되면서 반도체 생태계 전반의 긴밀한 협력이 중요해지고 있다”며 “삼성전자와의 협력을 통해 다양해지는 시장의 요구에 최적화된 차세대 솔루션을 함께 만들어 가겠다”고 말했다.

삼성전자는 이번 협약을 통해 차세대 반도체 기술 리더십과 제조 역량을 격상시키고, 글로벌 AI 반도체 생태계의 혁신을 주도해 나갈 방침이다.

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