[반도체 용어 사전] TSV

TSV

[Through Silicon Via, 실리콘 관통전극]

기존 와이어를 이용해 칩을 연결하는 대신 칩에 미세한 구멍을 뚫어 상단 칩과 하단 칩을 전극으로 연결하는 패키징 기술.

‘TSV’란 Through Silicon Via의 약자로 ‘실리콘 관통전극’이라고도 부른다. D램 칩을 일반 종이 두께의 절반보다도 얇게 깎은 후, 미세한 구멍을 뚫어 칩 상하단의 구멍을 전극으로 연결하는 패키징 기술이다.

TSV는 메모리 칩을 적층해 대용량을 구현하는 기술로, 기존 금선(와이어)을 이용해 칩을 연결하는 와이어 본딩(Wire Bonding) 기술보다 속도와 소비전력을 크게 개선할 수 있는 것이 특징이다.

삼성전자는 2010년 세계 최초로 TSV 기반 D램 모듈을 개발한 데 이어, 2014년 8월 세계 최초로 3차원 TSV 적층 기술을 적용한 64GB 차세대 DDR4 서버용 D램 모듈 양산을 발표했다.

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