지난 7일과 8일, 삼성전자 메모리사업부가 미국 캘리포니아주 산호세(San Jose)시에서 최첨단의 플래시 메모리 제품과 기술을 공개했습니다. 삼성전자는 전 세계 메모리 시장에서 20년 넘게 1위를 지켜오며 메모리 업계 첨단 기술을 선도하고 있는데요. 그런 만큼 주요 고객인 글로벌 IT 업체들과 업계 관계자들의 이목이 집중되었습니다.
삼성전자는 특히 올해 두 가지 행사에 참여하며 더욱 주목을 받았는데요. 삼성전자 DS부문 미주총괄(Samsung Semiconductor Inc., 이하 SSI) 주관으로 주요 거래업체들을 초청한 ‘삼성테크데이(Samsung Tech Day, 8/7)’와 반도체/IT 업계들이 플래시 메모리와 관련한 선진 기술을 선보이는 ‘플래시메모리서밋(Flash Memory Summit, 8/8)’이 바로 그것입니다.
먼저 7일에는 DS부문 SSI 주관으로 제 1회 삼성테크데이가 개최됐습니다. ‘Samsung @ The Heart of Storage’라는 주제로 진행된 이번 행사에서는, 전 세계적으로 데이터 사용이 지속해서 급증하고 있는 가운데 플래시 메모리 산업의 중요성과 향후 기술 발전 방향을 설명했는데요. 메모리 주요 고객인 업계 유수의 IT업체들을 비롯하여 에코시스템 파트너와 언론, 애널리스트 등 약 290명이 참가했으며, 지난 2015년 준공된 SSI 신사옥에서 개최돼 참석자들에게 더욱 좋은 반응을 얻었습니다.
행사 시작을 연 SSI 메모리 마케팅 담당 짐 엘리엇(Jim Elliott) 상무는 향후 플래시 메모리와 스토리지 업계에 있어 ‘Size(용량), Speed(성능), Scale(확장성)’의 3가지 중요한 발전 방향을 제시하며, 삼성전자가 이들 모두를 만족하는 낸드플래시 메모리 제품과 솔루션을 제공할 것임을 알렸습니다.
이어진 플래시개발실장 경계현 부사장 발표에서는 이를 뒷받침하기 위해 당사가 내놓은 솔루션과 향후 개발 방향에 대한 보다 심도 있는 내용을 전달했습니다. 특히 2013년 삼성전자가 처음 소개한 후 업계를 선도하고 있는 V낸드 기술을 설명하며, 내년에는 한 개의 칩에 1Tb(128GB)를 탑재한 V낸드 제품을 선보일 계획이라고 발표했는데요.
1Tb V낸드 칩을 16개 적층하면, 한 개의 패키지로 2TB의 용량을 제공할 수 있고, 나아가 128TB SSD를 구현할 수 있어 차세대 메모리 스토리지 용량을 획기적으로 증가시킬 수 있는 제품입니다. 삼성전자는 내년에 1Tb V낸드를 적용한 SSD 제품을 시장에 선보일 예정입니다.
※ V낸드란? (3차원 수직구조 낸드, 3D Vertical NAND): 전원이 꺼져도 저장된 데이터가 지워지지 않는 비(非)휘발성을 갖는 플래시 메모리의 일종으로, 삼성전자가 세계 최초로 기존에 단층으로 배열된 셀을 3차원 수직으로 적층해 만든 낸드플래시 메모리. 기존 평면 낸드플래시에 비해 메모리의 속도와 수명 및 전력 효율성이 크게 개선됨. 삼성전자는 2013년 V낸드를 처음 소개한 이래 업계 최첨단 V낸드 제품을 시장에 지속적으로 선보이고 있음. |
미주 지역 메모리 R&D(연구개발)를 담당하고 있는 밥 브레넌(Bob Brennan) 전무도 무대에 등장해 최근 IT 시장 변화에 따른 삼성의 비전에 대해 설명했습니다. 그는 실시간 데이터 분석, 개인간(P2P) 서비스 등으로 데이터 사용량이 급증하고 있는 가운데, 삼성전자가 내놓은 첨단 메모리 기술과 솔루션이 고객과 사용자에게 차별화된 새로운 가치를 제공할 수 있다고 강조했는데요.
특히 이번에 삼성전자가 새로 선보인 플래시 메모리 기술인 Z-SSD, Key Value SSD 등이 업계에 적용되었을 때 더욱 빠른 데이터의 처리와 분석이 가능해지고 스토리지 시스템의 확장 가능성이 획기적으로 증가함을 설명했습니다. 또한 이를 더욱 앞당기기 위해서는 에코시스템 전반에 걸친 협력이 필요함을 언급하기도 했습니다.
이렇게 삼성테크데이에서는 플래시 메모리 기술과 미래 응용처에 대해 다양하고 심화된 정보를 가지고 참석자와 소통하는 시간을 가졌는데요. 행사의 마지막 순서에서는 삼성전자뿐만 아니라 고객사, 기술 파트너, 애널리스트 등 총 5명의 연사가 참여한 패널 토의가 이루어졌습니다. 메모리 기술의 발전 방향에 대해 다양한 각도에서 활발한 의견을 나눴으며, 청중들이 궁금해하는 부분에 대한 답변도 이루어져 보다 많은 참석자들이 함께 교류할 수 있는 뜻깊은 시간도 가졌습니다.
이번 행사와 관련해 SSI의 짐 엘리엇 상무는 “삼성테크데이를 통해 우리 회사의 앞선 낸드플래시, SSD 기술에 대해 고객과 업계 관계자들에게 더욱 상세하게 알릴 수 있는 기회가 되었다. 우리의 폭넓은 제품과 솔루션 라인업, 에코시스템 파트너들과의 협력 현황도 소개할 수 있어 뜻깊은 시간이었다.”라며, “실리콘 밸리의 중심에 있는 SSI를 선보이고자 첫 삼성테크데이를 이곳에서 개최하게 되었다. 참석자들이 이 행사를 통해 삼성이 스토리지 발전의 중심에 있음을 느낄 수 있었을 것이라고 확신한다”고 말했습니다.
한편, 이튿날인 8일 산타클라라 컨벤션센터에서 열린 ‘플래시메모리서밋(FMS)’에서 삼성전자 메모리사업부 정재헌 부사장이 기조연설에 참가해 업계 관계자의 이목을 집중시켰습니다.
플래시메모리서밋은 반도체/IT 업계 100여 개 업체, 약 5천여 명이 방문하는 행사로 각 업체가 플래시 기술과 관련한 발표와 패널 토론 등을 통해 선진 기술을 선보이고 원활한 기술 협력을 도모하는 자리입니다.
작년에 이어 올해도 기조연설자로 참가한 삼성전자 정재헌 부사장은, 천 명 이상의 업계 관계자들이 모인 가운데 1Tb V낸드, Z-SSD 등을 비롯한 삼성전자의 최신 플래시 메모리 기술에 대해 소개했습니다. 특히 삼성전자가 첨단 메모리 제품을 생산하기 위해 최근 가동을 시작한 평택캠퍼스와 관련된 내용을 소개할 때는 청중들이 더욱 큰 관심을 보이기도 했습니다.
실리콘 밸리의 중심에서 이틀에 걸쳐 첨단 플래시 메모리 기술의 현재와 미래를 선보인 삼성전자는 앞으로도 선진 기술과 차별화된 제조 경쟁력을 바탕으로 글로벌 메모리 시장을 이끌고 전 세계 IT 시장의 발전에 기여할 것입니다. 계속해서 삼성전자의 눈부신 활약을 기대해주세요.
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