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3D 메모리로 그린 AI의 미래…삼성전자 FMS 2026 참가 현장 스케치

본격적인 AI 시대를 맞아 세계 메모리 업계의 시선이 미국 산타클라라에 모였다. 8월 4일부터 6일까지 열린 ‘FMS(Future of Memory and Storage) 2026’에서 삼성전자는 AI 시대를 위한 새로운 메모리 아키텍처를 선보였다. 기조연설 무대부터 관람객들로 붐빈 전시 부스, 어워드 수상 현장까지 삼성전자 반도체의 FMS 2026의 주요 순간을 소개한다.

AI 시대, 메모리 기술의 미래를 제시한 기조연설

행사 첫날 기조연설에서 이진엽 Flash개발실 부사장과 김경륜 DRAM개발실 상무는 ‘Driving the Wave of AI Revolution: 3D Innovation in Memory & Storage Architecture’를 주제로 AI 시대를 이끌 메모리 기술의 방향성을 소개했다. 발표에서는 zHBM, zNAND-O와 함께 업계 최초의 V10 BV(Bonding Vertical)‑NAND가 공개되며 참석자들의 관심을 모았다.

삼성전자 반도체의FMS 2026 기조연설이 진행된 Mission City Ballroom 전경
기조연설에서 zHBM을 소개하고 있는 DRAM개발실 김경륜 상무
기조연설에서 zNAND-O를 비롯한 3D 메모리 아키텍쳐를 소개하는 이진엽 부사장

메모리의 미래가 눈 앞에 펼쳐지다, 이목이 집중된 삼성전자 전시관

삼성전자 부스는 행사 시작과 함께 관람객들의 발길이 이어졌다. 약 20평 규모의 전시 공간은 ▲하이라이트 ▲Cloud AI ▲Edge AI 존으로 구성됐으며, D램부터 낸드, 기업용 스토리지까지 약 30개의 메모리·스토리지 제품을 한자리에 선보였다.

AI 데이터센터를 컨셉으로 구성한 삼성전자 전시 부스 전경
전시 제품을 둘러보는 관람객들

차세대 3D 메모리 전격 공개, zHBM과 zNAND-O

전시 제품을 둘러보는 관람객들

하이라이트 존 에서는 업계 최초로 공개된 zHBM, zNAND-O 목업이 관람객들의 시선을 모았다. 각 전시 존에서 삼성전자 직원들은 제품의 구조와 적용 분야를 설명했고, 관람객과 업계 관계자들은 제품의 구조와 데이터 이동 방식, 향후 적용 가능성 등에 대한 질문을 이어갔다.

하이라이트 존에 전시된 zHBM 목업
하이라이트 존에 전시된 zNAND 목업

AI 데이터센터 핵심 기술, V10 BV-NAND부터 HBM5까지

Cloud AI 존에서는 역시 업계 최초로 공개된 ‘V10 BV-NAND’가 관람객들을 맞았다. BV-NAND의 셀, 주변 회로를 포함해, 400단 이상의 초고적층을 구현한 칩 내 구조를 보여주는 목업과 영상이 함께 마련되어 기술의 특징을 보다 직관적으로 확인할 수 있었다.

Cloud AI 존 전시 구성
V10 BV-NAND 목업 전시

또한, HBM4E가 적용된 차세대 AI 플랫폼과 웨이퍼도 전시됐다. 신규 열관리 기술 히트 패스 블록(HPB, Heat Path Block)이 적용된 HBM5 는 웨이퍼와 칩, 제품 구조를 한눈에 비교할 수 있도록 목업과 영상을 함께 구성해 관람객들의 이해를 높였다.

메모리 자체가 AI 엔진이 되다, LPDDR5X-PIM의 등장

Edge AI 존에서 가장 관심을 받은 제품은 LPDDR5X-PIM이었다. 메모리 내부에서 일부 연산을 수행하는 PIM(Processing-In-Memory) 기술을 적용해 AI 연산 효율을 높이는 제품으로, AI 데이터 이동을 줄이는 새로운 접근 방식이라는 점에서 업계 관계자들의 관심이 집중됐다.

LPDDR5X-PIM 이 전시된 모습

한 글로벌 AI 서버 기업 관계자는 “메모리 자체가 데이터를 저장하는 역할을 넘어 연산 효율까지 높이는 방향으로 진화하고 있다는 점이 인상적이었다.”고 말했다.

또 다른 관람객은 “zHBM과 LPDDR5X-PIM은 서로 다른 접근 방식이지만, 모두 AI 시스템의 병목 현상을 줄이기 위한 기술이라는 점이 흥미로웠다”며 전시를 둘러본 소감을 전했다.

FMS Best of Show Award 수상으로 확인한 기술 경쟁력

행사 첫날 저녁에 열린 FMS Award 시상식에서는 삼성전자의 기술력이 다시 한번 주목받았다. 삼성전자는 V10 BV‑NAND와 LPDDR5X‑PIM으로 FMS Best of Show Award를 수상했으며, 이진엽 Flash개발실 부사장과 김경륜 DRAM개발실 상무가 각각 대표로 수상했다. 시상식 이후, 수상 제품 전시 공간에는 관람객들의 발길이 이어졌고, 연구원들과의 질의응답도 활발하게 진행됐다.

FMS Best of Show Award 수상 모습과 기념 촬영

AI 시대 메모리 혁신을 향한 삼성전자의 여정

이번 FMS 2026에서 삼성전자는 신제품 공개를 넘어 AI 시대 메모리 기술이 나아갈 방향을 제시했다. 기조연설, 전시, 어워드 수상을 통해 AI 데이터센터 인프라부터 Edge AI까지 아우르는 차세대 메모리 전략을 공유했으며, 행사장은 고객과 업계 관계자가 미래 컴퓨팅 환경을 함께 논의하는 소통의 장이 됐다. 삼성전자는 앞으로도 메모리와 파운드리, 첨단 패키징 역량을 바탕으로 고객과 함께 AI 시대에 필요한 반도체 혁신을 이어나갈 계획이다.

관람객들로 붐빈 FMS 2026 행사장 로비

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