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		<title>초고속 D램 - 삼성전자 반도체 뉴스룸</title>
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		<description>What's New on Samsung Semiconductor Newsroom</description>
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				<title>삼성전자, AI•차세대 슈퍼컴퓨터용 초고속 D램 세계최초 출시</title>
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				<pubDate>Tue, 04 Feb 2020 09:00:00 +0000</pubDate>
				<dc:creator><![CDATA[삼성전자 반도체]]></dc:creator>
						<category><![CDATA[보도자료]]></category>
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									<description><![CDATA[<p>삼성전자가 차세대 슈퍼컴퓨터(HPC)와 인공지능(AI) 기반 초고속 데이터 분석에 활용될 수 있는 초고속 D램, &#8216;플래시볼트(Flashbolt)&#8217;를 출시했습니다. 10나노급(1y) 16기가비트(Gb) D램 8개 쌓아 최고용량(16GB) 구현...</p>
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																<content:encoded><![CDATA[<p>삼성전자가 차세대 슈퍼컴퓨터(HPC)와 인공지능(AI) 기반 초고속 데이터 분석에 활용될 수 있는 초고속 D램, &#8216;플래시볼트(Flashbolt)&#8217;를 출시했습니다.</p>



<div class="wp-block-image"><figure class="aligncenter size-full"><img fetchpriority="high" decoding="async" width="800" height="480" src="https://news.samsungsemiconductor.com/kr/wp-content/uploads/2021/06/AI_press_20200204_01.jpg" alt="삼성전자, AI•차세대 슈퍼컴퓨터용 초고속 D램 세계최초 출시" class="wp-image-3816" srcset="https://news.samsungsemiconductor.com/kr/wp-content/uploads/2021/06/AI_press_20200204_01.jpg 800w, https://news.samsungsemiconductor.com/kr/wp-content/uploads/2021/06/AI_press_20200204_01-300x180.jpg 300w, https://news.samsungsemiconductor.com/kr/wp-content/uploads/2021/06/AI_press_20200204_01-248x150.jpg 248w, https://news.samsungsemiconductor.com/kr/wp-content/uploads/2021/06/AI_press_20200204_01-768x461.jpg 768w" sizes="(max-width: 800px) 100vw, 800px" /><figcaption>▲삼성전자 3세대 16GB HBM2E D램 &#8216;플래시볼트&#8217;</figcaption></figure></div>



<h2 class="wp-block-heading">10나노급(1y) 16기가비트(Gb) D램 8개 쌓아 최고용량(16GB) 구현</h2>



<p>&#8216;플래시볼트&#8217;는 16기가바이트(GB) 용량의 3세대 HBM2E(고대역폭 메모리, High Bandwidth Memory 2 Extended) D램으로 기존 2세대 대비 속도와 용량이 각각 1.3배, 2.0배 향상됐습니다.</p>



<figure class="wp-block-table"><table><tbody><tr><td>※ HBM : 고대역폭 메모리로, TSV 기술을 적용해 기존의 금선을 이용한 일반 D램 패키지에 비해 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 제품</td></tr></tbody></table></figure>



<p>삼성전자는 2세대 8GB HBM2 D램 &#8216;아쿠아볼트(Aquabolt)&#8217;를 세계 최초로 개발해 업계에서 유일하게 양산한 지 2년만에 3세대 HBM2E D램 &#8216;플래시볼트&#8217;를 출시하며 차세대 프리미엄 메모리 시장 선점에 나섰습니다.</p>



<p>&#8216;플래시볼트&#8217;는 1개의 버퍼 칩 위에 16기가비트(Gb) D램 칩(10나노급) 8개를 쌓아 16GB 용량을 구현해 차세대 고객 시스템에서 최고용량, 최고속도, 초절전 등 최적의 솔루션을 제공합니다.</p>



<figure class="wp-block-table"><table><tbody><tr><td>※ 8Gb = 1GB, 16Gb = 2GB<br>※ 3세대 HBM2E: 16GB (16Gb D램 x 8개) / 2세대 HBM2: 8GB (8Gb D램 x 8개)</td></tr></tbody></table></figure>



<div class="wp-block-image"><figure class="aligncenter size-full"><img decoding="async" width="800" height="480" src="https://news.samsungsemiconductor.com/kr/wp-content/uploads/2021/06/AI_press_20200204_02.jpg" alt="▲삼성전자 3세대 16GB HBM2E D램 '플래시볼트'" class="wp-image-3817" srcset="https://news.samsungsemiconductor.com/kr/wp-content/uploads/2021/06/AI_press_20200204_02.jpg 800w, https://news.samsungsemiconductor.com/kr/wp-content/uploads/2021/06/AI_press_20200204_02-300x180.jpg 300w, https://news.samsungsemiconductor.com/kr/wp-content/uploads/2021/06/AI_press_20200204_02-248x150.jpg 248w, https://news.samsungsemiconductor.com/kr/wp-content/uploads/2021/06/AI_press_20200204_02-768x461.jpg 768w" sizes="(max-width: 800px) 100vw, 800px" /><figcaption>▲삼성전자 3세대 16GB HBM2E D램 &#8216;플래시볼트&#8217;</figcaption></figure></div>



<p>삼성전자는 16Gb D램 칩에 5,600개 이상의 미세한 구멍을 뚫고 총 4만개 이상의 TSV 접합볼로 8개 칩을 수직 연결한 &#8216;초고집적 TSV 설계 기술&#8217;을 이 제품에 적용했습니다.</p>



<p>특히 이 제품은 &#8216;신호전송 최적화 회로 설계&#8217;를 활용해 총 1,024개의 데이터 전달 통로에서 초당 3.2기가비트의 속도로 410기가바이트의 데이터를 처리합니다. 풀HD(5기가바이트) 영화 82편을 1초에 전달할 수 있는 수준입니다.</p>



<figure class="wp-block-table"><table><tbody><tr><td>※ 2세대 HBM2 = 초당 2.4Gb 속도로 307GB 전송 가능, 영화 61편 수준</td></tr></tbody></table></figure>



<h2 class="wp-block-heading">향후 차세대 HBM D램 선행 개발로 프리미엄 메모리시장 성장 견인</h2>



<div class="wp-block-image"><figure class="aligncenter size-full"><img decoding="async" width="800" height="480" src="https://news.samsungsemiconductor.com/kr/wp-content/uploads/2021/06/AI_press_20200204_03.jpg" alt="▲삼성전자 3세대 16GB HBM2E D램 '플래시볼트'" class="wp-image-3818" srcset="https://news.samsungsemiconductor.com/kr/wp-content/uploads/2021/06/AI_press_20200204_03.jpg 800w, https://news.samsungsemiconductor.com/kr/wp-content/uploads/2021/06/AI_press_20200204_03-300x180.jpg 300w, https://news.samsungsemiconductor.com/kr/wp-content/uploads/2021/06/AI_press_20200204_03-248x150.jpg 248w, https://news.samsungsemiconductor.com/kr/wp-content/uploads/2021/06/AI_press_20200204_03-768x461.jpg 768w" sizes="(max-width: 800px) 100vw, 800px" /><figcaption>▲삼성전자 3세대 16GB HBM2E D램 &#8216;플래시볼트&#8217;</figcaption></figure></div>



<p>삼성전자는 2020년 이 제품을 양산해 기존 인공지능 기반 초고속 데이터 분석과 고성능 그래픽 시스템을 개선하고 슈퍼컴퓨터의 성능 한계를 극복해 차세대 고성능 시스템 적기 개발에 기여할 계획입니다.</p>



<p>이 제품은 또 세계 최초로 초당 4.2기가비트까지 데이터 전달 속도 특성을 확보해 향후 특정 분야의 차세대 시스템에서는 538기가바이트를 1초에 처리할 수 있을 것으로 전망됩니다.</p>



<p>2세대 제품과 비교할 경우 초당 데이터 처리 속도가 1.75배 이상 향상되는 것입니다.</p>



<p>삼성전자 메모리사업부 전략마케팅실 최철 부사장은 &#8220;역대 최고 성능의 차세대 D램 패키지 출시로 빠르게 성장하는 프리미엄 시장에서 사업 경쟁력을 계속 유지할 수 있게 되었다&#8221;며, &#8220;향후 더욱 차별화된 솔루션을 제공해 독보적인 사업 역량을 강화시켜 나갈 것&#8221;이라고 강조했습니다.</p>



<p>삼성전자는 글로벌 IT 고객들에게 &#8216;아쿠아볼트&#8217;를 안정적으로 공급하는 한편, 차세대 시스템 개발 협력을 더욱 강화해 &#8216;플래시볼트&#8217; 시장을 확대함으로써 프리미엄 메모리 시장의 수요 확대를 적극 주도해 나갈 계획입니다.</p>



<h2 class="wp-block-heading">[참고]</h2>



<p><strong>□ HBM (High Bandwidth Memory)</strong></p>



<p>최신 인공지능 서비스용 슈퍼컴퓨터, 네트워크, 그래픽카드 등의 프리미엄 시장에 최적의 솔루션을 제공하는 고대역폭 메모리</p>



<p><strong>□ TSV(Through Silicon Via, 실리콘 관통 전극)</strong></p>



<p>D램 칩을 일반 종이(100μm)두께의 절반수준으로 깎은 후, 수천 개의 미세한 구멍을 뚫고, 상단 칩과 하단 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극으로 연결한 최첨단 패키징 기술</p>



<div class="wp-block-image"><figure class="aligncenter size-full"><img loading="lazy" decoding="async" width="800" height="480" src="https://news.samsungsemiconductor.com/kr/wp-content/uploads/2021/06/AI_press_20200204_04.jpg" alt="와이어 본딩 기술과 3D-TSV기술의 도식화" class="wp-image-3819" srcset="https://news.samsungsemiconductor.com/kr/wp-content/uploads/2021/06/AI_press_20200204_04.jpg 800w, https://news.samsungsemiconductor.com/kr/wp-content/uploads/2021/06/AI_press_20200204_04-300x180.jpg 300w, https://news.samsungsemiconductor.com/kr/wp-content/uploads/2021/06/AI_press_20200204_04-248x150.jpg 248w, https://news.samsungsemiconductor.com/kr/wp-content/uploads/2021/06/AI_press_20200204_04-768x461.jpg 768w" sizes="auto, (max-width: 800px) 100vw, 800px" /></figure></div>



<p><strong>□ 삼성전자 TSV기술 기반 D램 제품 개발/양산 연혁</strong></p>



<p>• 2010.12월: 40나노급 8GB 3D TSV DDR3 RDIMM 개발</p>



<p>• 2011.08월: 30나노급 32GB 3D TSV DDR3 RDIMM 개발</p>



<p>• 2014.08월: 20나노급 64GB 3D TSV DDR4 RDIMM 양산</p>



<pre class="wp-block-code"><code>          ※ CES 2015 ECO Tech부문 '혁신상' 수상 

          ※ 2015년 제25주차 IR52 장영실상 '장관상' 수상 </code></pre>



<p>• 2015.10월: 20나노 128GB 3D TSV DDR4 RDIMM 양산</p>



<p>• 2015.10월: 20나노 4GB HBM2 D램 개발</p>



<p>• 2015.12월: 20나노 128GB 3D TSV DDR4 LRDIMM 양산</p>



<p>• 2015.12월: 20나노 4GB HBM2 D램 양산</p>



<pre class="wp-block-code"><code>          ※ 2016년 멀티미디어 기술대상 '장관상' 수상</code></pre>



<p>• 2016.06월: 20나노 2.0Gbps 8GB HBM2 D램(Flarebolt) 양산</p>



<p>• 2017.12월: 20나노 2.4Gbps 8GB HBM2 D램(Aquabolt) 양산</p>



<p>• 2020.01월: 10나노급 3.2Gbps 16GB HBM2E D램(Flashbolt) 양산</p><p>The post <a href="https://news.samsungsemiconductor.com/kr/%ec%82%bc%ec%84%b1%ec%a0%84%ec%9e%90-ai%ec%b0%a8%ec%84%b8%eb%8c%80-%ec%8a%88%ed%8d%bc%ec%bb%b4%ed%93%a8%ed%84%b0%ec%9a%a9-%ec%b4%88%ea%b3%a0%ec%86%8d-d%eb%9e%a8-%ec%84%b8%ea%b3%84%ec%b5%9c/">삼성전자, AI•차세대 슈퍼컴퓨터용 초고속 D램 세계최초 출시</a> first appeared on <a href="https://news.samsungsemiconductor.com/kr">삼성전자 반도체 뉴스룸</a>.</p>]]></content:encoded>
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