지난 12월 6일, 우리나라 최고 권위의 산업기술인상인 ‘IR52 장영실상’ 30주년을 기념하는 행사가 열렸습니다.

‘IR52 장영실상’은 매일경제와 과학기술정보통신부·한국산업기술진흥협회가 1990년에 공동으로 제정해 우수한 신기술을 개발한 기업과 이에 앞장선 연구원에게 수여하는 상으로, 1991년 1월에 시상을 시작한 이래로 지금까지 1,600여 개의 제품, 약 6,100명의 연구원에게 상을 수여하며 우리나라의 산업 발전에 공헌해 왔습니다.

30주년을 맞은 올해 시상식에서는 과학기술진흥 유공 ‘IR52 장영실상 30주년 기념’ 정부 포상과 지난해 장영실상 최우수상, 올해 18~52주차 장영실상 수상 제품에 대한 시상식이 함께 진행되었는데요. 삼성전자 반도체는 System LSI사업부 박재홍 부사장을 비롯해 메모리사업부 D램개발실의 광대역폭 메모리 플래시볼트(HBM2E Flashbolt) 기술이 수상의 영광을 안았습니다.

삼성전자 System LSI사업부 박재홍 부사장 과학기술훈장 수상

박재홍 삼성전자 System LSI사업부 Custom SOC사업팀장 부사장은 세계 최고 수준의 AP 개발은 물론, 제품 개발용 환경 및 협력 생태계 구축을 통해 대한민국 시스템 반도체 산업의 경쟁력을 높였다는 공로를 인정받아 IR52 장영실상 30주년 기념 과학기술훈장(혁신장)을 수상했습니다. 박재홍 부사장은 앞으로도 대한민국 시스템 반도체 산업을 발전시키기 위해 노력하겠다는 소회를 밝혔습니다.

삼성전자 메모리사업부 D램개발실 광대역폭 메모리 플래시볼트(HBM2E Flashbolt) 최우수상 영예

한편, 차세대 D램 기술인 ‘광대역폭 메모리 플래시볼트(HBM2E Flashbolt)’는 IR52 장영실상에서 ‘최우수상’ 수상의 영예를 안았습니다.

HBM2E Flashbolt는 슈퍼컴퓨터 연산을 위한 고성능·대용량 D램으로, 기존 제품보다 더 많은 용량과 더 높은 속도를 원하는 고객사들의 요청을 충족시키기 위해 개발되었는데요. 인공지능(AI) 가속기가 필요로 하는 성능을 만족시킬 수 있는 유일한 메모리 제품이라는 점이 특징입니다.

HBM2E Flashbolt는 고성능 그래픽 D램(GDDR6)과 비교해도 더 뛰어난 성능을 보여줍니다. 면적은 GDDR6의 절반이지만, 용량은 4배 가량 크며 초당 2.8배 더 많은 데이터를 처리할 수 있습니다. 또한, 세계 최초로 개발한 12단 적층 기술을 적용해 소비 전력도 기존 대비 3분의 1가량 감소시켰는데요, 복수의 칩을 적층하기 위해 머리카락의 20분의 1 이하 수준의 굵기인 실리콘 관통 전극(TSV: Through Silicon Via) 6만 개를 연결하는 3D-TSV 첨단 패키징 기술을 적용했습니다.

HBM2E Flashbolt은 AI, 5G, 슈퍼컴퓨터 등에서 그 활용도가 무궁무진할 것으로 기대되며, 용량과 성능에 대한 시장의 기대도 점점 높아지고 있는데요. 삼성전자 메모리사업부 D램개발실은 앞으로 16단 적층 제품을 개발해 용량을 늘리고, 성능 측면에서도 6.4Gbps 이상의 제품을 개발하겠다는 포부를 밝혔습니다.

행사에 참석한 임혜숙 과학기술정보통신부 장관은 “30년 간 세계 최고·최초를 지향하는 혁신성으로 장영실상을 수상한 제품 하나하나가 우리 경제성장과 수출 강국의 크나큰 원동력이 되어왔다”며, “대한민국의 국제적 위상을 실감하고 있다”고 밝혔는데요. 대한민국은 물론, 세계적으로 반도체 산업의 미래를 밝혀 나갈 삼성전자 반도체의 혁신! 현재에 안주하지 않고 혁신에 도전하는 삼성전자 반도체의 행보를 기대해 주세요.

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지난 12월, 삼성전자 고대역폭 메모리 플래시볼트 ‘HBM2E Flashbolt’가 과학기술정보통신부에서 주관하는 2020년 52주차 IR52 장영실상에 선정되었습니다.

※ HBM(High Bandwidth Memory): 고대역폭 메모리로 최신 인공지능 서비스용 슈퍼컴퓨터, 네트워크, 그래픽카드 등의 프리미엄 시장에 최적의 솔루션을 제공

1초에 풀HD 영화 107편 전달! 고대역폭 메모리 플래시볼트 ‘HBM2E Flashbolt’

삼성전자가 2020년 2월 개발에 성공한 ‘HBM2E(High Bandwidth Memory 2 Extended, 고대역폭 메모리)’ 플래시볼트는 슈퍼컴퓨터의 연산을 위한 고성능, 고용량 D램인데요. HBM2E는 HBM D램의 최신 규격으로, 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 메모리를 뜻합니다.

실제로 16GB 용량의 플래시볼트는 기존 제품인 8GB HBM2 D램 ‘아쿠아볼트’ 대비 2배 많은 용량을 자랑합니다. 대역폭도 307GB/s에서 538GB/s로 약 1.75배 향상됐죠. 이 제품에는 16Gb D램 칩에 5,600개 이상의 미세한 구멍을 뚫고 4만개 이상의 TSV 접합볼로 8개 칩을 수직 연결한 3D구조의 TSV 설계 기술이 적용되었는데요.

속도와 용량의 한계를 돌파하기 위해 수많은 난관을 이겨내고, IR52주차 장영실상 수상의 영예를 안은 4명의 개발자들을 직접 만나 비하인드 스토리를 들어볼까요?

‘고대역폭 메모리 플래시볼트’ 개발 주역! 장영실상 수상자와의 만남

먼저, 고대역폭 메모리 플래시볼트의 핵심 기술은 무엇이며, 이 기술을 적용하는 과정에서 어떤 어려움을 겪었는지 궁금합니다.

최고 성능, 초고품질의 HBM2E를 위해 ‘신호 전송 최적화 회로 설계 기술’을 개발하고 최대 538GB/s의 초고속 성능을 달성했습니다. 이는 풀HD(5GB) 영화 107편을 1초에 전달할 수 있는 속도인데요.

8개의 칩이 적층 구조로 동작할 때 가장 구현하기 까다로운 부분이 메모리 셀의 품질입니다. 이를 해결하기 위해 시스템 ECC와 상호 보완 기능을 갖는 회로 기술을 개발했고, 최고 품질의 HBM2E 플래시볼트를 개발할 수 있었습니다.

고용량, 초고속 HBM2E 플래시볼트 제품을 개발하기 위해 프로세스 아키텍처 기술 개발 및 수율, 특성, 품질을 포함한 양산성 확보에 집중했던 당시, 예상치 못한 위기의 순간들이 있었습니다.

다행히 어려운 순간마다 전문가 그룹의 집단 지성을 이용해 문제의 근원을 찾았고, 개선 아이디어를 모아 어려운 난관을 헤쳐 나갔습니다. 자연스럽게 차세대 HBM 개발의 토대도 마련되었고요.

제 역할은 제품 개발 과정에서 범프 공정 이후 웨이퍼를 이용해 Post Fab 공정과 조립 공정을 거쳐 최종적으로 고객사에 출하되는 HBM 패키지 형태로 만드는 것이었습니다. 이번 제품의 핵심 기술은 초박형 웨이퍼 취급과 칩 스택 공정 기술이었는데요. 양산을 위한 성숙 수율 확보라는 목표를 달성해야 한다는 점이 가장 힘들었습니다.

PKG개발실과 TP센터가 한 팀이 되어 개발실장님과 센터장님 이하 담당 임원 및 실무자들이 모두 하나가 되어 문제 해결을 추진한 것이 큰 도움이 되었고, 마침내 목표를 달성할 수 있었습니다.

개발 과정에서 많은 어려움이 있었지만, TF가 역량을 총 집결해 성공적인 결과를 얻어낸 것 같은데요. 고대역폭 메모리 플래시볼트는 우리 일상 생활에 어떤 변화를 불러일으킬까요?

메모리사업부 CS팀 천기철 상무
고대역폭 메모리(HBM2E)는 글로벌 슈퍼컴퓨터(HPC)와 인공지능(AI) 업체들의 차세대 시스템을 위해 초고속, 초고온, 고신뢰성, 초절전 특성을 모두 만족하는 제품입니다. AI 서비스 구현을 위해 AI 트레이닝이나 인퍼런스 정밀도 향상에도 기여하기 때문에 코로나19로 인한 비대면 서비스 발전에 크게 기여할 것으로 기대됩니다.

HBM의 활용도는 다양하고 그 용량과 성능에 대한 요구사항은 계속 높아질 것 같습니다. 향후 선보일 HBM에 대해 간략하게 설명 부탁드립니다.

말씀하신 것처럼 AI의 발전뿐 아니라 5G를 위한 고속 네트워크 서버와 슈퍼컴퓨터에 이르기까지 HBM의 활용도는 무궁무진합니다. 그만큼 용량과 성능에 대한 요구사항은 계속 높아지고 있죠. 이러한 니즈를 충족하기위해 더 높은 성능을 더 낮은 전력으로 공급하는 ‘HBM3’를 개발하려고 합니다. 멈추지 않는 도전을 통해 미래를 선도해 나가는 삼성전자의 HBM을 만들어 나가겠습니다.

고대역폭 메모리는 4차 산업혁명의 핵심 산업이라고 볼 수 있는 슈퍼컴퓨터와 인공지능, 5G 네트워크 등에 주로 사용되는 만큼 향후 높은 성장 가능성을 지닌 제품인데요. 지금 이 순간에도 현존하는 최고 성능의 HBM보다 뛰어난 고용량, 고성능 제품을 개발하기 위해 힘쓰고 있는 장영실상 수상자들에게 응원의 박수를 보내주세요!

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최근에 출시된 스마트폰에서는 보다 좋은 화질의 영상을 관람하고자 하는 소비자들의 니즈를 충족시키기 위해 Full HD를 넘어 4K해상도의 영상을 감상할 수 있도록 기술이 발전했는데요. 고화질의 영상을 보다 보니 자연스레 소비하는 데이터 용량이 증가하게 됐고, AP에서 더 많은 데이터를 빠르게 저장하고 읽어오도록 도와주는 인터페이스 기술의 요구가 늘고 있습니다.

이번에 수상한 삼성전자 UFS3.0 인터페이스 기술은 바로 이러한 수요에 맞춰 개발된 모바일향 인터페이스 기술로 엑시노스9825모바일 AP에 최초로 적용되었습니다.

엑시노스9825는 지난해 8월 출시된 갤럭시 노트 10/10+에 탑재됐는데요, UFS3.0 인터페이스를 통해 기존 UFS2.1 대비 데이터 전송 속도를 2배나 향상시켰습니다. 첨단 기술의 집약체, UFS3.0 인터페이스 개발에는 과연 어떤 이야기가 숨어있을까요?

개발 주역들에게 듣는다! ‘UFS3.0 인터페이스’ 개발 스토리

IR52장영실상 시상식에는 ‘UFS3.0 인터페이스’ 개발의 주역인 삼성전자 DS부문 Foundry사업부 IP개발팀장 신종신 상무와 박재현 님이 참석했는데요. UFS3.0 인터페이스 개발과 관련된 비하인드 스토리를 함께 들어보겠습니다. 먼저, UFS3.0 인터페이스에 적용된 삼성전자의 핵심 기술은 무엇일까요?

엑시노스 9825에는 모바일 AP의 성능 향상을 위해 기존 UFS2.1 대비 두 배의 전송 속도를 갖는 UFS3.0이 적용됐는데요. 세계 최고 속도의 UFS 3.0 인터페이스를 세계 최초로 구현하기 위해 I/O의 대역폭을 확장하기 위한 이퀄라이저와 데이터 복원 등의 고속 아날로그 기술과 외부 환경 변화에도 일정 수준의 통신 상태를 유지하도록 하는 디지털 기술이 핵심입니다. 그리고 누구보다 먼저UFS3.0인터페이스를 삼성전자의 독자적인 기술력으로 완성한 것도 의미가 있고요.

Foundry사업부 IP개발팀 박재현 님

더욱이 엑시노스9825는 7nm EUV 공정으로 만들어진 최초의 모바일 AP라고 알고 있는데요. UFS3.0이 적용된 EUV 공정 AP가 갖는 의미에 대해 들어보겠습니다.

EUV공정은 최근 반도체 공정에서 가장 주목 받는 기술 중 하나입니다. EUV 파장은 기존 불화 아르곤의 14분의 1로 미세한 회로를 더욱 정확하게 찍어낼 수 있는데요. 모바일AP는 미세 공정으로 갈수록 동작 성능이 높아져 플래시 메모리와의 데이터 송수신을 담당하는 UFS 인터페이스 기술에 대한 필요도 높아지게 됩니다. 현재 EUV 기술은 전세계에서 삼성전자와 TSMC만 보유하고 있고, 삼성은 진화된 공정과 함께 필요한 IP를 제공하다는 점에서 특별한 의미가 있습니다.

Foundry사업부 IP개발팀 박재현 님

그렇다면, 제품 개발 당시 가장 어려웠던 점은 무엇일까요?

UFS3.0의 데이터 전송속도는11.648Gb/s로, 기가 인터넷이라고 하는 1Gb/s속도의 10배 이상이며 엑시노스 9825에 탑재된 인터페이스 IP 중 가장 빠른 속도로 작동합니다. UFS3.0은 개발부터 양산까지의 일정이 특히 짧았고 제가 속한 IP개발팀은 그 당시만 해도10Gb/s이상의 인터페이스 양산은 처음이라 심적인 부담이 상당했는데요 ‘이게 한 번에 잘 될까?’하는 두려움이 가장 큰 장벽이었고, 이를 극복한 것이 가장 큰 성과라 생각합니다. 현재는 UFS4.0 인터페이스 설계 기술을 개발하면서 다시 속도를 두 배로 올리고 있는데, 자신감이 생겨서인지 이전처럼 두렵지는 않습니다.
참고로 UFS4.0의 경우 데이터 전송 속도가 올라가면서, 이에 따른 전력 소모도 늘어나기 때문에 많은 것을 고려해야 하는데요. IP의 성능은 유지하되 전력 소모 증가를 최소화하는 것에 중점을 두고 있고, IP의 면적은 UFS3.0 보다 더 작게 만드는 것을 목표로 하고 있습니다.

Foundry사업부 IP개발팀 박재현 님

마지막으로 2020년 장영실상 수상 소감을 들어봤습니다.

최근에는 모바일 뿐 아니라 HPC/AI 영역에 많은 인터페이스 기술이 적용되고 있는데 고속으로 갈수록 공정/설계/시스템까지 더 다양한 영역의 지식과 협업이 필요합니다. 제가 대표로 상을 받았지만, S.LSI 사 SOC 설계팀과 Platform 개발팀, Foundry사 IP개발팀이 모두 함께 고생하며 이룬 성과입니다. 특히 IP 개발부터 호환성 검증까지, S.LSI 담당자들을 비롯한 모든 분들이 한 팀처럼 협업했기에 적기에 양산할 수 있었다고 생각합니다. 함께 고생한 모든 분들에게 감사 인사를 전하고 싶습니다.

Foundry사업부 IP개발팀장 신종신 상무

지금까지 삼성전자의 최첨단 기술이 집약된 UFS3.0 인터페이스의 개발 스토리를 만나보았습니다. 독자적인 자체 기술 개발로 시너지를 내고 있는 삼성전자! 다음 세대인 UFS4.0 인터페이스에서는 또 어떤 혁신을 보여줄지 기대됩니다.

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‘10나노급 16Gb D램’은 초고속·고용량·초소형·초절전 특성을 확보하여 차세대 모바일기기는 물론 자동차, AR, VR, IoT에 최적의 솔루션을 제공하는데요. 그 기술을 인정받아 지난 8월 30일, 대한민국 최고 권위의 산업 연구상 ‘IR52 장영실상’을 수상하는 영광을 안았습니다. 기술혁신을 통해 만들어 낸 제품과 영예의 수상자들을 만나 볼까요?

세계 최초 10나노급 ‘16Gb 모바일 D램’

삼성전자는 서버·PC·모바일용 D램을 생산하며 업계 리더로서 메모리 반도체 시장을 선도하고 있는데요. ‘10나노급 16Gb 모바일 D램’은 기존 20나노 제품 대비 동작속도, 소비전력효율, 생산성을 각각 30% 향상시켰습니다. 이는 미세공정 기술의 한계로 여겨졌던 10나노대 장벽을 돌파하고 세계최고의 경쟁력을 확보한 것인데요.

반도체 제조경쟁력을 ‘초고집적 설계 기술’로 극대화

삼성전자는 독자적으로 개발한 ‘초고집적 설계 기술’을 통해 20나노 12Gb LPDDR4 D램보다 생산성을 30% 이상 높였으며 기존보다 30% 이상 빠른 4,266Mbps의 동작속도를 구현했습니다. 특히 동작 상태에 따라 소비전력을 10~20% 절감할 수 있어 차세대 IT 산업에 최적의 솔루션을 제공합니다.

또한 차세대 LPDDR4X JEDEC 규격을 업계 최초로 제정해, 높은 속도와 낮은 소비전력을 제공하는 최소 크기, 최고 성능의 ’10나노급 16Gb LPDDR4X D램’을 올해 유일하게 공급했는데요. 이를 통해 최신 플래그십 스마트폰 출시에 큰 기여를 했습니다.

반도체 초미세공정을 ‘발상의 전환’으로 돌파하다

패터닝이란 반도체의 재료가 되는 웨이퍼 위에 회로를 만드는 과정을 말하는데요. 10나노급 공정 양산을 위해서는 지금까지 공정과는 차원이 다른 정교하고 미세한 회로를 그려 넣는 작업이 필요했습니다.

삼성전자는 10나노급 ‘16Gb 모바일 D램’에 한번의 포토공정으로 4개의 패턴을 새기는 ‘QPT(4중 패너닝 형성 기술)’을 적용했는데요. 이는 기존의 초미세화 패터닝 기술의 한계를 ‘발상의 전환’으로 돌파한 결과였습니다.

‘초균일 원자층 유전막 형성’ 기술

차세대 모바일기기의 고속 동작을 안정적으로 구현할 수 있는 ‘고신뢰성 셀’ 특성을 확보한 것이 이번 개발에 또 다른 주요 성과였는데요.

삼성전자의 ‘초균일 원자 유전막 형성 기술’은 셀의 막을 형성하는 초미세 캐패시터에 충분한 양의 전하를 저장하기 위한 것입니다. 삼성전자는 이 제품에서 캐패시터의 유전막을 옹스트롬(10분의 1나노) 단위의 초박형 원자 물질로 균일하게 형성해 기존보다 더 작은 셀 사이즈에도 불구하고 높은 속도에서도 안정적으로 동작하는 우수한 셀 특성을 확보했습니다.

“10나노대의 한계를 돌파했듯, 새로운 가능성을 향한 도전은 계속됩니다”

IR52 장영실상 시상식에서는 ‘10나노급 16Gb D램’을 개발한 주역들을 만날 수 있었는데요. 삼성전자를 대표해 반효동 상무가 수상 소감과 향후 목표를 말했습니다.

삼성전자 반효동 상무는 IR52 장영실상을 수상한 이유를 “차세대 모바일기기, 프리미엄 PC용 메모리에초고속, 초고용량, 초절전, 초소형 솔루션을 제공했기 때문”이라고 꼽았는데요.

“역대 최고 기술 개발 난이도를 극복하고 10나노급 ’16Gb 모바일 D램’ 메모리가 탄생하기까지 연구개발, 생산, 사업화에 참여했던 모든 임직원들에게 감사의 인사를 전합니다. 눈에 보이지 않는 기술의 한계를 돌파한 연구원들이 함께 이뤄낸 결과라 생각합니다. 앞으로도 독보적인 제품력을 갖춘 차세대 메모리를 개발해 모바일 시장을 지속 선점하고, 새로운 시장을 창출하며 메모리 시장의 성장을 이끌어 나가겠습니다”

메모리 시장의 큰 변화를 가져올 ‘10나노급 16Gb 모바일 D램’! 프리미엄 메모리 시장의 성장을 주도하는 삼성전자의 새로운 가능성을 향한 도전은 앞으로도 계속됩니다!

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삼성전자의 ‘듀얼픽셀 CMOS 이미지센서’는 지난 17일 대한민국 최고 권위의 산업 연구상 ‘IR52 장영실상’ 시상식에서 2017년 제13주차 수상의 영광을 안았는데요. 그 현장 속으로 함께 가보실까요?

전자기기의 ‘눈’ 역할을 하는 이미지센서

이미지센서란 영상신호를 저장, 전송해 디스플레이 장치로 촬영한 사진을 볼 수 있게 만들어주는 반도체인데요. 이 반도체는 카메라 렌즈를 통해 들어온 빛(영상 정보)을 전기적 디지털 신호로 변환해주는 역할을 합니다. 디지털카메라뿐만 아니라 스마트폰, 태블릿 등 촬영 기능을 가진 다양한 모바일 기기에 탑재되는 핵심 부품이죠.

• DSLR 수준으로 촬영이 가능한 듀얼픽셀 CMOS 이미지 센서

삼성전자의 듀얼픽셀 CMOS 이미지센서는 아이소셀 기술 기반 1.4㎛의 대형 화소에 ‘듀얼픽셀’ 기술을 적용했습니다. 일반적으로 화소(픽셀)에는 빛을 모으는 포토 다이오드가 한 개 있는데, ‘듀얼픽셀’에는 하나의 화소에 두 개의 포토다이오드가 집적되어 있습니다. 포토다이오드가 두 개면 어떤 점이 좋을까요? 사람이 양쪽 눈을 이용해 정확하고 빠르게 초점을 맞추는 것처럼, 하나의 화소 안에 들어있는 두 개의 포토다이오드가 각각 인식한 빛을 비교해 위상차를 검출, 두 빛 간 거리가 맞도록 조절해 초점을 맞출 수 있습니다.

기존 모바일 이미지센서는 전체 화소 중 일부(5% 이하)만 위상차 인식 AF(Auto Focus, 자동 초점) 화소를 갖췄으나, ‘듀얼픽셀 CMOS 이미지 센서’는 모든 화소(1200만 개)가 위상차 검출을 지원해 고속으로 초점을 맞출 수 있습니다. 이는 모바일에서도 DSLR 카메라 수준의 자동초점 기능을 구현해 스마트폰 사용자들이 어두운 환경에서도 빠르게 움직이는 피사체를 흔들림 없이 포착, 선명한 이미지를 촬영할 수 있게 합니다.

또한 두 개의 포토다이오드 사이에 빛 간섭 현상을 최소화하기 위해 ‘아이소셀(ISOCELL)’ 기술을 적용했는데요. 아이소셀 기술은 화소와 화소 사이에 물리적인 벽을 형성해 인접한 화소를 서로 격리시키는 구조입니다. 따라서 다른 화소의 색이 침입함으로써 생기는 컬러 노이즈를 줄여 보다 깨끗한 이미지를 얻을 수 있습니다.

“기존과 다른 개념의 듀얼 센서, 개발 과정 힘들었지만 차별화된 기술 경쟁력 갖추게 됐죠.” 

IR52 장영실상 시상식에는 ‘듀얼픽셀 CMOS 이미지센서’ 개발을 맡은 주역들이 한자리에 모였습니다. 이른바 ‘듀얼픽셀 CMOS 이미지센서’ 개발 어벤저스인데요. 이들은 이번 IR52 장영실상 수상이 “고생했던 날들을 위로해 주는 것 같다”라며 개발 과정의 에피소드를 전했습니다.

“’듀얼픽셀’은 기존 센서와 다른 개념이다 보니 벤치마킹할 기술도 충분치 않았습니다. 듀얼픽셀 기술을 개발하는 과정에서 예상치 못한 문제점들도 있었고 이를 단기간에 해결하는 과정이 매우 힘들었습니다. 하지만 지속적인 노력을 기울인 끝에 노하우를 축적해 이상적인 구조를 만들었고, 삼성 고유의 듀얼픽셀 기술 경쟁력을 갖추게 되었습니다”

“사람의 ‘눈’에 더욱 가까운 디지털 ‘눈’을 개발하겠습니다”

삼성전자 문창록 상무는 IR52 장영실상을 수상한 이유를 “이미지 센서를 사람의 ‘눈’에 가깝게 구현한 것에 대한 성과를 인정받았기 때문”이라고 꼽았는데요.

“길지 않은 시간에 새로운 개념의 픽셀 공정을 성공적으로 개발, 양산하는 데까지 업무에 매진한 모든 임직원에게 감사의 말씀을 드립니다. 앞으로도 듀얼픽셀 미세화를 통해 고화소 센서를 개발해 나가겠습니다. 삼성 고유의 듀얼픽셀 기술과 첨단 반도체 공정 기술이 이를 가능하게 할 것입니다. 지속적인 개발로 사람의 ‘눈’에 더욱 가까운 디지털 ‘눈’을 개발하겠습니다.”

사람들의 소중한 순간을 생생하게 담을 수 있는 이미지센서를 개발하기 위해 노력하는 삼성전자 반도체인의 활약은 계속됩니다!

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지난해 3월 삼성전자는 세계 최초로 15.36TB SAS SSD를 출시하며, 스토리지 시장의 새로운 지평을 열었습니다. 미국 TIME지에서 10대 IT 기기로 선정하기도 한 이 제품이 2016년 대한민국에서 가장 빛났던 기술로 꼽혔다고 하는데요. 그 축하의 자리에 함께 가보실까요?

지난 17일, 미래창조과학부가 주최하는 IR52 장영실상 시상식에서 삼성전자의 15.36TB SAS SSD가 2016년 최우수 대통령상 수상의 영예를 안았습니다.

■ 프리미엄 메모리 시장의 성장을 이끌다, 삼성전자 15.36TB SAS

15.36TB SAS SSD는 HDD를 포함한 단일 폼팩터(메인보드 규격) 저장장치 중 세계 최대 용량의 저장장치입니다. 차세대 데이터센터와 엔터프라이즈 스토리지 시스템 개발에 적합한 ‘초고용량 · 초고속 · 초소형 · 고신뢰성’ 솔루션을 제공한다는 점이 가장 큰 특징입니다.

■ 대용량 분산시스템: 초고속 다중 코어 채널 제어 기술로 최고 성능 구현

또한 세계 최초로 1,000TB(=1PB)까지도 용량 확대가 가능한 ‘분산형(Scale-Out) SSD 컨트롤러’, 다중코어 제어 및 분산형 소프트웨어로 최고 성능을 구현한 ‘대용량 분산 시스템’, ‘초소형·초절전 패키지’ 등 핵심기술을 적용하여 스토리지 역사의 새로운 장을 열었다는 평가를 받고 있습니다.

■ 세계 최고 용량 SSD 구현 기술: 2.5인치 SSD에 고성능 PC 7대분 메모리 및 CPU 탑재

15.36TB SAS SSD는 총 553개의 반도체로 구성되었는데요. 이는 프리미엄 노트북(2TB SSD, 8GB D램 기준) 7대 분의 메모리(개수 기준)를 하나의 2.5인치 폼팩터 SSD에 탑재한 것이라고 합니다.

이렇게 혁신적인 기술이 압축된 제품을 개발하기까지는 많은 어려움이 뒤따랐는데요.

SSD의 용량을 늘리는 과정에서 속도 저하, 소비전력량 증가, 부품 수 상승에 따른 노이즈 및 불량률 증가 등 많은 난관이 있었습니다. 하지만 이 부분은 분산형(Scale-Out) 컨트롤러 기술로 기존 스토리지의 기술 한계를 극복할 수 있었죠.

■ “32TB SAS SSD를 개발해 초고용량 스토리지 시장의 혁신을 일으키겠습니다”

2016년 장영실상을 수상한 52개의 기술 중 최고의 기술에 수여되는 대통령상의 영예를 안은 삼성전자의 15.36TB SAS SSD. 삼성전자 메모리사업부를 대표해 정재헌 부사장이 수상 소감과 향후 목표를 전했는데요.

“최고 권위의 IR52 장영실상 수상은 15.36TB SAS SSD 기술이 프리미엄 SSD 시장을 창출한 공로를 인정받아 가능했다고 생각합니다. 하나의 제품이 나오기까지 상품기획, 개발, 품질, 마케팅, 영업 등 모든 분야에서 고생한 임직원과 수상의 영예를 함께 하고 싶습니다.”

정재헌 부사장은 이어 “한 발 앞선 4세대(64단) 512Gb V낸드 플래시 메모리를 기반으로 32TB SAS SSD 등 차세대 SAS SSD를 선행 출시하여 글로벌 IT 시장의 트렌드를 주도하고 프리미엄 메모리 시장의 성장을 이끌어 나가겠다”는 향후 목표를 밝혔습니다.

앞으로도 한국 반도체 산업뿐만 아니라 글로벌 IT 시장의 성장을 이끌며 기술 혁신을 거듭해 나갈 삼성전자 반도체의 활약을 기대해주세요!

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지난 16일 양재 엘타워에서 조선시대 과학자 장영실의 이름을 딴 ‘IR52 장영실상 시상식’이 열렸습니다. IR52 장영실상은 미래창조과학부가 국가 산업기술을 선도하며 세계 산업 전반에 큰 파급효과를 가져다 준 과학기술을 선정하여 시상하는 제도이며, 1년 52주 동안 52개의 신기술 제품 개발에 힘쓴 연구원들에게 영예를 상을 수여하고 있습니다.

특히 이번 시상식은 더욱 뜻 깊은 장영실상 25주년 기념행사로 화려한 볼거리를 제공했는데요. 과연 어떤 제품이 2016년을 빛낸 과학기술로 선정되는 영예를 안았을까요?

■ 기업용 스토리지 시장에 혁신을 불러오다, 삼성전자 15.36TB SAS SSD

과학기술의 발전은 우리의 일상을 변화시켜 왔습니다. 작은 일상부터 삶 전체를 바꿔줄 큰 변화까지, 끊임없는 혁신과 발전을 통해 과학기술은 인류의 삶의 질 향상에 기여하고 있습니다. 이번 시상식에서 IR52 장영실상을 수상한 삼성전자의 15.36TB SAS SSD는 그런 의미에서 좋은 성과를 나타내고 있는데요.

빅데이터 분석?클라우드 서비스 확대 등 기업 스토리지가 처리해야 할 데이터가 기하급수적으로 늘어나면서 초고용량화 기술에 대한 요구가 커지고 있습니다. 오랜 기간 동안 스토리지 시장에서 주류로 여겨졌던 하드디스크(HDD)가 기술적 한계에 다다르며, SSD가 주목 받고 있는데요. 기업 스토리지 시장에서 SSD가 부각될 수 있었던 이유는 HDD 대비 우수한 퍼포먼스와 높은 전력 효율성을 보유하고 있기 때문입니다.

삼성전자는 시장의 요구에 맞춰 ‘초고용량?초고속?초소형?고신뢰성’을 만족시키는 솔루션 15.36TB SAS SSD 기술을 개발했습니다. 지금까지 누구도 범접할 수 없었던 용량의 한계를 넘어 기업 스토리지 시스템에 최적화된 프리미엄급 SSD 시장을 창출한 것입니다.

■ 초고용량 SSD 시대를 연 15.36TB SAS SSD, 장영실상 수상의 의미

15.36TB SAS SSD는 사상 최초의 10TB 이상 고용량 SSD로 기업 스토리지 시장에 큰 변화를 불러왔습니다. 고객들이 기존 3.5인치 HDD를 삼성전자의 15.36TB SAS SSD로 교체할 경우 더욱 향상된 시스템 성능과 용량을 확보할 뿐 아니라 시스템내 스토리지 탑재 공간을 70% 이상 줄여 IT 인프라의 효율적인 투자가 가능해졌습니다.

SSD는 용량이 커질수록 낸드 칩과 D램 수가 많아져 높은 성능과 안정성을 달성하는데 어려움이 있었습니다. 삼성전자는 세계 최대 용량을 구현하기 위해 최초로 분산형(Scale-Out) 컨트롤러 기술을 개발해 기존 스토리지의 고용량화 기술 한계를 극복했는데요. 이번 기술 개발로 16TB에서 1000TB(1PB)까지 메모리 용량을 확장할 수 있는 원천 기술을 확보한 겁니다.

IR52 장영실상 시상식에서 삼성전자 15.36TB SAS SSD 기술은 기업 스토리지 시장에 큰 혁신을 가져온 공로를 인정받았습니다. 제품 개발에 힘쓴 모든 임직원들을 대표해 삼성전자 조상연 상무, 정다운 수석, 윤찬호 수석, 박종규 수석이 이번 시상식에 참석했습니다.

시상식이 끝나고 삼성전자 조상연 상무의 소감을 들어 봤습니다.

오늘 삼성전자 15.36TB SAS SSD 기술이 IR52 장영실상을 수상한 것은 스토리지 역사상 최초로SSD가 초고용량화 기술 한계를 돌파하며 초격차 제품 경쟁력을 확보한 성과를 인정받은 것입니다. 글로벌 고객의 요구 수준을 만족하고 세계 SSD 시장을 선도하는 신제품 개발과 시장 창출을 위해 노력한 모든 임직원들께 감사의 말씀을 드리며 이번 수상의 영광을 돌립니다.

삼성전자 조상연 상무

■ 스토리지 역사상 세계 최초! 글로벌 시장의 주목을 받다

삼성전자는 단일 폼팩터 최초로 10TB 이상의 데이터를 저장하는 15.36TB SAS SSD를 시장에 선보이며 스토리지 역사를 새로 썼습니다.

15.36TB SAS SSD 기술은 독보적인 하드웨어 및 소프트웨어 솔루션 역량을 인정받아 글로벌 스토리지 업체들의 차세대 시스템에 탑재되고 있습니다. 또한 2015년에는 미국 타임(TIME)지로부터 10대 IT 기기로 선정되며 전 세계적으로 제품의 우수성과 기술력을 인정받아 왔습니다.

현재 삼성전자는 세계 서버/스토리지 시장에서 점유율 1위를 기록하고 있습니다. 15.36TB SAS SSD는 삼성 메모리 제품 중 최고 판매가를 기록한 제품을 한국반도체 수출 전망에 긍정적인 신호를 보내고 있습니다.

삼성전자 15.36TB SAS SSD 기술의 가능성은 여기서 끝이 아닙니다. 보다 뛰어난 퍼포먼스와 안정된 신뢰성을 바탕으로 차세대 초고속 초고용량 SSD를 적기에 출시하기 위한 노력이 지속되고 있기 때문입니다.

기업 스토리지 시장에서 SSD의 성장세는 지금도 현재진행형입니다. 국내를 넘어 세계적으로 그 가치를 인정받고 있는 삼성 반도체 기술의 우수성! 한국 반도체 산업의 글로벌 경쟁력을 강화하기 위한 삼성전자 반도체인의 활약은 앞으로도 계속됩니다.

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