해가 어둑어둑 지기 시작하고, 하나둘씩 가로등에 불이 켜지는 저녁 시간에도 선명하게 사진을 찍을 수 있는 시대가 왔다. 바로 저조도와 고조도 환경 모두에서 밝고 선명한 이미지를 구현할 수 있는 이미지센서, ‘아이소셀 GNJ’가 있기 때문! 아이소셀 GNJ가 이처럼 뛰어난 고감도 기술을 선보일 수 있는 비법은 무엇일까?

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MAP 1. 변화하는 이미지센서 시장

최근 모바일 이미지센서는 다양한 환경에서 고품질 이미지를 제공하기 위해 우수한 저조도 성능과 높은 다이내믹 레인지(Dynamic Range/명암비)를 동시에 만족하는 기술 구현을 요구받고 있다.

일반적으로는 이미지센서의 픽셀 크기가 클수록 빛을 받아들이는 면적이 넓어진다. 즉 감도가 높아지고 넓은 다이내믹 레인지를 제공하여 화질 향상에 유리하다. 그러나 갈수록 작아지는 모바일 기기의 특성으로, 제한된 공간에 픽셀 크기를 작게 만들어야 하는 어려움이 있었다. 픽셀 수가 많아지면 해상도는 높아지지만, 개별 픽셀의 크기가 작기 때문에 감도가 낮아지는 문제도 발생했다.  

이에 따라 이미지센서는 초미세 픽셀로 고화소를 구현하면서도 작은 픽셀 크기의 물리적 한계점인 감도 저하를 극복하는 방향으로 발전해 왔다.

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MAP 2. 초미세 픽셀의 한계를 해결할 새로운 돌파구

삼성전자 반도체는 기존과는 차원이 다른 고감도 기술을 구현하고자 다양한 픽셀 기술을 개발해 왔으며, 이를 집약한 이미지센서 제품도 선보였다. 바로 ‘아이소셀 GNJ’다.

아이소셀 GNJ는 1/1.57인치 옵티컬 포맷에 1.0μm(마이크로미터) 픽셀 5천만 개를 구현한 듀얼 픽셀 이미지센서다. 최첨단 아이소셀* 기술이 탑재된 제품으로, 색 재현성 개선과 감도 향상으로 어두운 환경에서도 피사체 본연의 색상을 선명하게 구현할 수 있는 점이 특징이다. 

쉽게 말해, 감도, 오토포커스, 화질에 이르기까지 이미지센서의 여러 성능을 대폭 향상한 제품이라고 할 수 있다.

*아이소셀: 픽셀마다 미세한 장벽을 세워서 빛이 인접 픽셀로 넘어가지 않게 함으로써 빛을 정확하게 구분하는 기술

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MAP 3. 아이소셀 GNJ의 남다른 포착력

선명한 사진과 영상을 얻기 위해서는 정확한 초점이 필수다. 아이소셀 GNJ는 이를 위해 ‘듀얼 픽셀(Dual Pixel)’을 활용한다. 듀얼 픽셀은 센서를 이루는 모든 픽셀이 각각 하나가 아닌 두 개의 포토다이오드로 구성되어 있다. 왼쪽과 오른쪽으로 나뉜 포토다이오드가 각각 빛 신호를 받아 좌우의 위상차를 비교하고 초점을 맞추는 방식이다.

듀얼 픽셀은 이렇듯 피사체의 색 정보를 받아들이는 본래의 픽셀 역할, 사람의 눈처럼 피사체와의 위상을 정확히 측정해 초점을 맞추는 PDAF(Phase Detection Auto Focus, 위상차 검출 자동 초점)* 픽셀 역할을 동시에 한다. 센서의 모든 픽셀이 초점을 맞추고 동시에 색 정보를 받아들일 수 있기에 화질 손상 없이 빠르고 정확한 자동 초점 기능을 구현할 수 있다.

* PDAF(Phase Detection Auto Focus): 자동 초점 방식 중 하나. 두 개의 지점에서 인식된 위상 차이를 비교하고, 두 위상이 일치하는 위치로 렌즈를 옮겨 초점을 맞추는 기술

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MAP 4. 초고감도 구현을 이끈 신규 픽셀 기술 3

먼저 이미지센서가 작동하는 방식을 살펴보자. 센서 표면에는 각 픽셀로 신호를 잘 전달하기 위한 마이크로 렌즈가 존재한다. 이 마이크로 렌즈를 통과한 빛은 색을 구현하는 RGB(Red/Blue/Green) 컬러 필터와 ARL(Anti-Reflective Layer)를 거쳐 신호를 담는 포토다이오드에 도달한다. 카메라 렌즈를 통과한 정보가 이러한 과정을 거치며 손실 없이 처리되어야 좋은 센서라고 할 수 있다.

아이소셀 GNJ에는 위 과정에서 신호 손실을 최소화함으로써 고감도를 구현하기 위한, 세 가지 신규 픽셀 기술이 적용되었다. 일명 ‘High P/T/S’라고 칭한다.

첫 번째로, 신소재를 적용해 간섭 현상을 개선한 ‘고정밀 마이크로 렌즈’다. 일반적으로 빛은 굴절률이 높은 물질을 통과할 때 더 큰 각도로 굴절하게 된다. 고정밀 마이크로 렌즈는 기존 마이크로 렌즈 대비 굴절률이 높은 신규 소재를 사용해 이웃하는 픽셀로 가는 신호를 최소화하고, 포토다이오드에 빛을 잘 모아서 전달하는 기술이다.

두 번째로, 두 물질의 굴절률 차이를 최소화하도록 개선한 ‘고투과 ARL(Anti-Reflective Layer)’이다. 고투과 ARL기술은 마이크로 렌즈를 통과한 빛이 RGB 컬러 필터를 지나 포토다이오드 표면에 도달할 때 RGB 컬러 필터와 포토다이오드 사이의 반사를 방지하는 막질로, 신물질을 적용해 투과율을 높인 기술이다.

마지막으로, 내부의 손실을 유발하는 물질을 제거해 신호 손실을 최소화한 ‘고감도 DTI(Deep Trench Isolation)*’ 기술이다. 픽셀과 픽셀 사이 격벽 DTI 물질을 고분자(Poly)에서 산화물(Oxide)로 변경해 암 전류(Dark Current)* 제어 능력은 그대로 유지하면서 광손실을 최소화하는 공정이다.

이렇듯 신소재 적용 및 공정 개선을 진행한 결과, 해당 High P/T/S 기술 적용 시 간섭현상(crosstalk)은 22%, SNR10*은 21% 향상되는 효과가 있다. 해당 기술은 스몰 픽셀 제품뿐만 아니라 픽셀 사이즈에 제한 없이 적용 가능하다. 이러한 특성 덕분에 아이소셀 GNJ뿐만 아니라 기존 이미지센서 공정에도 횡전개 하여 기존 제품의 성능을 높이거나, 이 기술을 활용한 새로운 제품 개발로도 확장할 수 있다.

*고투과 ARL(Anti-Reflective Layer): 컬러 필터를 투과한 입사광을 최대화하기 위해 반사 또는 산란되는 광량을 줄이고 투과율을 높이는 기술
*DTI(Deep Trench Isolation): 픽셀과 픽셀 사이에 절연부를 형성해 인접한 화소들을 서로 격리시켜 픽셀 간 간섭 현상을 줄이는 기술
*암 전류(Dark Current): 빛이 닿지 않았는데도 전류가 흐르는 현상 *SNR10(Signal to Noise Ratio): 신호 대 잡음비(SNR) 10을 달성하는 데 필요한 조도

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MAP 5. 아이소셀 GNJ가 선보이는 생생한 디테일

삼성전자의 신규 픽셀 기술을 집약한 아이소셀 GNJ가 모바일 기기에 적용된다면, 우리가 실제로 체감할 수 있는 변화는 무엇일까? 예쁜 노을이 지는 저녁 풍경을 예로 들어보자. 일반적으로 어두운 환경에서는 센서가 흡수하는 빛의 양이 적어 선명한 사진을 얻기 어렵다. 게다가 해가 지는 상황에서는 강한 조도의 태양과 피사체의 얼굴에 그늘이 지는 상황이 동시에 존재한다.

이런 환경에서 다이내믹 레인지 향상과 고감도 구현 기술을 갖춘 아이소셀 GNJ는 노을이 지는 태양을 잘 표현하면서 동시에 피사체의 얼굴도 선명하게 담아낼 수 있게 한다. 이렇듯 저조도, 고조도 환경 모두에서 맑고 선명한 이미지를 얻을 수 있게 돕는다.

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MAP 6. 기술적 진보로 또 한 번 변화하는 이미지센서

모바일 카메라에 대한 소비자의 기대는 점점 높아지고 있다. 이를 충족하기 위해 모든 화각에서 고도화된 성능과 뛰어난 촬영 경험을 제공해야 하며, 이를 위해서는 메인 카메라와 서브 카메라의 성능 격차를 줄여야 한다. 또한, 가까운 미래에는 AI와 딥러닝 기술을 활용하여 사용자 환경에 최적화된 이미지센서가 필요할 것이다. 따라서 이미지센서의 기본 성능을 높이는 것은 물론, 차세대 기술 개발을 위해 기존 광학 기술을 초월하는 새로운 광학 기술도 필요하다.

삼성전자는 이러한 동향에 맞춰 아이소셀 GNJ를 포함, 최신 기술이 집약된 새로운 모바일 이미지센서 라인업을 선보이고 있으며, 수년간 신기술 개발에 앞장서고 있다.

변화를 거듭하는 모바일 이미지센서 시장. 삼성전자 반도체는 이에 맞춰 기존 기술의 한계점을 지속 돌파하며 뛰어난 사용자 경험을 선보일 예정이다.

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스마트폰, 노트북, 컴퓨터 등의 전자 기기를 구매할 때 중요한 요소 중 하나는 용량이다. 128GB, 512GB, 1TB 등의 숫자는 메모리의 용량을 의미한다.

최근 전자 기기가 고성능화, 경량화됨에 따라 메모리 반도체 역시 고용량은 물론이고 소형화, 저전력 기술을 요구받고 있다. 이번 에피소드에서는 이러한 메모리 트렌드를 대표하는 솔루션, ‘UFS’를 소개한다.

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MAP 1. 전자 기기에서 필수 불가결한 존재

UFS를 자세히 이해하려면 먼저 플래시 메모리에 대해 알아야 한다. 플래시 메모리란, 비휘발성 메모리로, 전원이 꺼지면 정보를 모두 잃어버리는 D램이나 S램과 달리 전원이 끊겨도 데이터를 전기적으로 보존하는 것이 특징이다. 플래시 메모리는 반도체 칩 내부의 전자회로 형태에 따라 직렬로 연결된 낸드(NAND) 플래시와 병렬로 연결된 노어(NOR) 플래시로 구분된다.

낸드 플래시와 노어 플래시는 각 특성에 따라 다양한 반도체와 결합되어 서버, 모바일 기기, PC, 자동차 등에서 고성능 스토리지(저장 장치)로 활용된다.

그렇다면 플래시 메모리를 활용한 스토리지(저장 장치) 솔루션에는 어떤 것이 있을까? 먼저, 모터와 같은 기계적인 장치 없이 낸드 플래시에 데이터를 저장하는 SSD(Solid State Drive)가 있다. SSD는 빠른 데이터 접근 속도와 내구성으로 서버, 데이터센터, PC, 자동차 등에서 활용된다. 또한 고속 컨트롤러와 고성능 낸드 플래시를 결합해 작은 크기와 저전력을 갖춘 UFS(Universal Flash Storage)와 eMMC(embedded Multi Media Card)는 모바일, 웨어러블, 자동차 등에서 주로 사용된다. 더불어 스마트폰, 카메라, PC 등 여러 장치에서 고사양 콘텐츠의 원활한 작업을 돕는 SD카드와 마이크로 SD카드도 있다.

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MAP 2. eMMC와 UFS, 무엇이 다를까?

eMMC와 UFS 모두 고속 컨트롤러와 낸드 플래시를 결합한 솔루션이지만, 작동 원리에 차이가 있다. eMMC는 두 장치 간 데이터를 교대로 교환하는 ‘병렬식 통신’을 사용한다. 데이터를 한 번에 하나씩 읽거나 쓰는 방식이다. 반면, UFS는 데이터를 동시에 읽고 쓰면서 양방향으로 소통할 수 있는 ‘직렬식 통신’을 사용한다. eMMC는 단방향 도로, UFS는 양방향 도로에 비유할 수 있다.

eMMC는 병렬식 인터페이스로 만약 많은 양의 데이터를 더 빠르게 보내야 한다면 선 개수를 늘려야 하고, 선 하나라도 문제가 생기면 신호 노이즈가 생겨 전체 데이터를 주고받는 데 영향을 미칠 수 있다. 반면, UFS는 읽기와 쓰기 작업에 별도의 전용 경로가 있는 LVDS(Low-Voltage Differential Signaling) 직렬 인터페이스를 사용하기에, 동시에 읽고 쓰는 멀티태스킹이 가능하다. 이에 따라 eMMC보다 더 빠른 데이터 전송 속도를 제공한다.

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MAP 3. 점점 작고 강력해지는 UFS 세상

2015년, 삼성전자는 세계 최초로 스마트폰용 128GB UFS를 양산하며 초고속 UFS 시대를 열었다. 뒤이어, 2017년에는 업계 최초로 512GB UFS를 출시했다. 256GB UFS보다 용량을 2배 늘리면서, 손톱만 한 패키지의 크기(11.5 X 13 X 1.0mm)는 그대로 유지한 것이 특징이다. 이에 더하여 2022년에는 무려 1TB의 용량을 지닌 UFS 4.0 구현에 이르렀다.

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MAP 4. 모바일 경험을 확장하는 차세대 스토리지! UFS 4.0

UFS 4.0 메모리는 차세대 UFS 4.0 규격에 맞춰 더욱 대역폭이 향상된 솔루션이다. 가장 큰 장점은 연속 읽기/쓰기 속도다. 업계 최고 수준의 연속 읽기 속도 4,200MB/s, 연속 쓰기 속도 2,800MB/s를 제공하며, 데이터 전송 대역폭은 이전 세대(모바일용 UFS 3.1)의 2배인 23.2Gbps에 달한다.

이를 통해 대량의 고화질 사진을 한 번에 빠르게 확인하거나, 초고해상도 디스플레이에서 다양하고 복잡한 작업을 동시에 실행하더라도 빠르고 원활하게 처리할 수 있다. 이 모든 기능을 11 x 13 x 1.0mm의 작은 크기에 담았으며, 무려 1TB에 달하는 대용량을 지원한다. 또한 이전 세대 대비 약 45% 이상 개선된 전력 효율로 제공한다. 여기에 삼성전자는 세계 최초로 ‘UFS 4.0용 인터페이스 IP’ 기술을 개발해 UFS 4.0 규격을 지원하는 컨트롤러 칩에 적용했다. 해당 기술을 통해 고속 데이터 전송 시에도 오류가 발생하지 않는 에러 프리(error-free) 전송을 보장해 사용자의 모바일 경험을 더욱 향상시켰다.

* 인터페이스 IP: 효율적인 고속 네트워크 통신을 통해 원활한 데이터 이동을 돕는 기술

모바일 기기에선 보안 기능 역시 무척 중요하다. 많은 사용자들이 편리한 일상을 위해 모바일 기기에 은행 정보나 생체 인증 정보를 저장하여 사용하기 때문이다.

이에 따라 삼성전자 UFS에는 사용자 개인 정보와 중요 데이터를 보호하는 보안 기술이 포함되어 있다. 바로, RPMB(Replay Protected Memory Block)이다. RPMB는 중요한 데이터를 메모리의 특정 블록에 안전하게 저장하여 보호한다. UFS 4.0에는 Advanced RPMB 기술이 적용되어 이전 세대 대비 보안 데이터에 대해 약 1.8배 빠른 읽기, 쓰기가 가능하다.

이렇게 초소형, 저전력, 대용량, 높은 보안 기능까지 고루 갖춘 UFS 4.0은 스마트폰 등 모바일 기기뿐 아니라 AR·VR 기기, 자동차 등 광범위하게 확산될 것으로 예상된다.

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MAP 5. 인포테인먼트(IVI) 최적의 솔루션! 차량용 UFS 3.1

플래시 메모리는 모바일뿐 아니라 자동차에서도 필수적이다. 음악, 비디오, 내비게이션 등의 인포테인먼트 데이터를 저장하고, 차량 제어 시스템의 효율적인 운영 등에 사용되기 때문이다. 따라서 자동차에서 사용자 경험이 향상될수록 차량용 UFS의 성능 역시 중요해진다.

삼성전자는 2017년 업계 최초로 차량용 128GB UFS를 선보였으며, 2023년에는 업계 최저 소비 전력을 자랑하는 차량 인포테인먼트용 UFS 3.1 메모리를 양산했다. 해당 솔루션은 128GB, 256GB, 512GB 등의 다양한 제품군을 갖추었다. 특히 256GB 제품은 이전 세대보다 소비전력이 약 33% 개선되었으며, 연속 읽기 속도 2,000MB/s, 연속 쓰기 속도 700MB/s를 자랑한다. 이를 통해 자동차 배터리 전력을 효율적으로 운용할 수 있다.

차량용 반도체 시장에서는 제품의 성능뿐 아니라 안정성과 신뢰성도 중요하다. 삼성전자의 차량용 UFS 3.1은 영하 40℃에서 영상 105℃까지 폭넓은 온도 범위에서 안정적인 성능을 보장함으로써 차량용 반도체 품질 기준인 *AEC-Q100 Grade2를 달성한 바 있다. UFS 3.1은 차세대 자동차 시장 트렌드에 걸맞은 최적의 솔루션으로 기대를 모으고 있다.

* AEC-Q100(Automotive Electronic Council): 자동차 부품 협회에서 자동차 전자 부품에 대한 신뢰성 평가 절차 및 기준을 규정한 것으로, 전 세계에서 통용되는 기준. Auto Grade는 온도 기준에 따라 0~3단계로 나뉜다

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MAP 6. 삼성전자 메모리 기술로 나아갈 미래

ChatGPT와 같은 생성형 AI는 사용자의 요구에 따라 텍스트, 이미지, 동영상, 음악 등의 콘텐츠를 생성하는 데 많은 데이터를 필요로 한다. AI의 급격한 성장은 급진적인 메모리 발전을 요구하고 있으며, 이를 위해서는 DDR6, HBM4, GDDR7, UFS 5.0 등의 차세대 고대역폭, 저전력 메모리와 새로운 인터페이스, 첨단 패키지 등의 기술이 필요하다.

삼성전자는 이러한 요구를 반영하기 위해 미래 솔루션과 신사업 발굴을 지속 진행하고 있으며, 이를 통해 우리 일상 속 다양한 기기에서 더욱 편리하고 풍부한 사용자 경험을 제공할 예정이다.

모바일, 자동차 어디든 OK! 손바닥만 한 전자 기기에도 쏙 들어가는 작은 몸집으로 초고성능, 대용량을 지원하는 UFS에 대해 더 알아보고 싶다면 삼교시 탐구생활 ‘UFS’ 편을 참고해 보자.

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‘더 얇게, 더 가볍게’가 당연시되는 요즘이다. 대부분의 제품이 그러하지만, 특히나 PC나 노트북과 같은 IT 기기 시장에서는 이러한 요소가 큰 경쟁력 중 하나다. 이를 위한 솔루션으로 등장한 것이 바로 차세대 D램, ‘LPCAMM2(Low Power Compression Attached Memory Module)’다.

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MAP 1. 차세대 메모리를 위한 진전의 기록

얇고 가벼운 노트북을 만들기 위해 그동안 많은 시도가 이루어졌고, 온보드형 메모리와 SO-DIMM(Small Outline Dual In-line Memory Module) 메모리를 사용해 왔다.

SO-DIMM은 노트북이나 태블릿 PC에서 사용하는 메모리다. 탈부착이 가능하기 때문에 손쉽게 D램 용량을 늘릴 수 있지만, 공간을 많이 차지하고 열 관리가 어렵다는 단점이 있다.

반면, 온보드형 메모리는 메인보드에 붙어 있는 제품으로, SO-DIMM보다 전력과 공간 효율 면에서 우수하다는 특징이 있다. 다만, SO-DIMM과는 다르게 탈부착이 불가하고, 고장이 나면 메인보드를 통째로 교체해야 하여 SO-DIMM보다 많은 교체 비용이 든다. 이처럼 SO-DIMM과 온보드형 메모리는 각자의 장·단점이 뚜렷하다.

SO-DIMM과 온보드형 메모리의 단점을 보완하고 고성능·고용량 메모리 개발이 필요한 상황 속에서 게임 체인저로 등장한 것이 바로 LPCAMM2다.

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MAP 2. 모바일 D램의 새로운 역사, LPDDR

LPCAMM2를 알기 위해선 ‘LPDDR(Low Power Double Data Rate)’에 대한 이해가 우선이다. LPCAMM2 자체가 LPDDR 패키지 기반의 모듈 제품이기 때문이다. LPDDR은 저전력 특화 D램으로 스마트폰, 태블릿 PC 등 모바일 기기에 사용되는 메모리다.

삼성전자 반도체는 우수한 소비전력이 돋보이는 LPDDR을 개발하고, 세대에 따라 LPDDR2, LPDDR3, LPDDR4, LPDDR5, LPDDR5X 등을 연이어 양산했다. 그리고 지난해 9월, 삼성전자 반도체는 업계 최초로 LPDDR5X 기반 LPCAMM2를 개발하며, 새로운 폼팩터 시장을 개척했다.

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MAP 3. LPCAMM2으로 D램의 패러다임을 바꾸다

LPCAMM2는 LPDDR 패키지를 여러 개 묶은 차세대 고용량 모듈로, 뛰어난 성능과 공간 절약, 효율적인 전력 관리를 자랑한다.

앞서 언급한 SO-DIMM과 비교해 보면, LPCAMM2의 장점이 더 확연히 드러난다. LPCAMM2에 비해 금속 커넥터가 차지하는 비중이 적은 SO-DIMM은 커넥터에 소켓이 있어야 보드에 연결이 가능하며, 소켓을 거칠 때마다 데이터 손실이 발생할 수 있어 블루스크린과 같은 현상이 나타날 수 있다. 반면에, LPCAMM2의 경우, 커넥터가 바로 밑에 위치해 있어 소켓을 통하지 않고 바로 꽂기만 하면 데이터 전송이 가능하다. 즉, 데이터 손실은 감소하고 속도는 증가하는 격이다.

현재 다양한 분야에서 고성능, 저전력, 제조 유연성에 대한 요구가 증가함에 따라 LPCAMM2가 기존 제품들을 대체할 차세대 폼팩터로 자리하고 있다.

삼성전자 반도체의 LPCAMM2는 작고 얇은 폼팩터에 강력한 성능을 담음으로써 제조사에게는 제조의 유연성을, 사용자에게는 교체나 업그레이드 등의 편의성을 증대시켰다.

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MAP 4. LPCAMM2, 디지털 노마드 시대의 해법

공간의 제약 없이 자유롭게 디지털 기기를 이용하는 ‘디지털 노마드(Digital nomad) 시대’인 지금, LPCAMM2는 PC·노트북 D램 시장의 판도를 바꿀 솔루션으로 각광받고 있다.

삼성전자 반도체는 현재 인공지능(AI)·고성능 컴퓨팅(HPC)·서버·데이터센터 등 LPCAMM2의 응용처 확대를 위해 주요 고객과 논의 중에 있으며, LPCAMM2의 성능은 7.5Gbps로 인텔 플랫폼에서 동작 검증을 마쳤고, 2024년 상반기에 양산할 예정이다.

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MAP 5. 온디바이스 AI의 미래를 바꾸다

한편 LPCAMM2는 초거대 AI 시장에 대응하는 최첨단 메모리 솔루션으로도 활약한다. 단말기 내부에서 정보를 수집하고 연산하는 온디바이스 AI(On-device AI)에 있어 가장 중요한 것은 속도·전력 효율이다. 특히 컴퓨팅 시스템에서 D램의 전력 소모량을 줄이는 것이 핵심이라고 할 수 있다.

삼성전자의 LPCAMM2는 온디바이스 AI 시대에 최적화된 메모리 제품으로 각광받고 있다. 기존 D램 모듈(SO-DIMM) 대비 탑재 면적이 최대 60% 이상 줄어, 내부 공간을 보다 효율적으로 사용할 수 있고, 성능은 최대 50%, 전력효율은 최대 70%까지 개선되었다.

메모리 산업의 혁신적인 미래를 선도할 LPCAMM2의 무궁무진한 가능성은 어디까지일까? 보다 자세하게 알고 싶다면, 삼교시 탐구생활 ‘LPCAMM’ 편을 참고하길 바란다.

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반도체 성능은 한정된 공간에 얼마나 많은 트랜지스터를 넣을 수 있느냐에 따라 결정된다. 이에 대해 ‘반도체 집적도는 24개월마다 두 배로 늘어날 것이다’라고 예측한, 일명 ‘무어의 법칙(Moore’s Law)’도 존재한다.

그러나 현재 빅데이터 기반 기술, 네트워크 등이 빠르게 성장하면서 컴퓨팅 성능은 점점 증가하는 데에 반해, 반도체의 성능 발전 속도는 이를 따라가지 못하고 있다. 이른바 Beyond Moore를 이끌 새로운 대안이 필요한 상황. 반도Chat 일곱 번째 에피소드의 주제는, 이러한 한계점을 뛰어넘는 첨단 패키지 기술 ‘Advanced Package’다.

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MAP 1. 반도체 미세화의 한계를 극복할 키

기존의 반도체들은 고유의 성능을 각자 가지고, 세트(완제품)를 통해 결합되어 각종 응용처에서 활용되어 왔다. 그러나 반도체의 핵심인 미세화 기술의 난이도가 급격히 증가하고 있으며, 이에 따른 개발 비용도 기하급수적으로 증가하고 있다.

또한 모바일, 웨어러블, 클라우드, 인공지능, 자동차 등 다양한 응용처에서 각종 반도체 칩들이 고밀도로 실장되어 고성능을 구현하기 위해서는 기존의 미세화 기술로는 요구되는 성능을 만족하기 어렵게 되었다.

이에 따라 서로 다른 종류의 반도체를 미세한 배선으로 수직 또는 수평으로 연결해 하나의 반도체를 만들어 내는 첨단 패키지 기술 ‘Advanced Package’가 핵심 경쟁력이 되고 있다.

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MAP 2. 서로 다른 기능의 반도체를 효율적으로 연결하는 이종 집적화

첨단 패키지의 핵심은 ‘이종 집적화(Heterogeneous Integration)’ 기술이다. 이종 집적화란 메모리, 시스템 반도체 등 서로 다른 기능을 하는 반도체를 효율적으로 배치해 하나의 칩으로 동작하게 하는 기술이다. 독립된 여러 개의 반도체 칩을 수평 혹은 수직으로 연결함으로써 더 작은 반도체(패키지) 안에 더 많은 트랜지스터를 집적할 수 있고, 각각의 성능을 뛰어넘는 솔루션을 제공할 수 있다.

이종 집적 기술은 메모리 반도체와 시스템 반도체를 인터포저를 활용해 수평으로 배열하는 2.5차원 패키지와 수직으로 적층하는 3차원 패키지 등으로 나뉘는데, 삼성전자는 2.5차원 패키지 ‘I-Cube’, 3차원 패키지 ‘X-Cube’ 등 첨단 솔루션을 제공하고 있다. 해당 솔루션들은 어떤 특성을 지니고 있는지 자세히 알아보자.

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MAP 3. 무어의 법칙을 넘어서는 혁신 솔루션

우선 2.5차원 패키지는 로직과 메모리 반도체를 수평으로 기판 위에 집적한 패키지를 말하고, 3차원 패키지는 여러 개의 로직과 메모리 반도체를 수직으로 집적한 패키지를 뜻한다.

먼저, 2.5차원 패키지 솔루션으로는 ‘I-Cube’와 ‘H-Cube’가 있는데, ‘I-Cube(Interposer-Cube)’는 로직과 고대역폭 메모리(HBM)를 수평으로 집적해 빠른 속도로 데이터를 주고 받을 수 있도록 하는 솔루션이다. I-Cube의 I는 인터포저(Interposer)를 뜻하는데, 칩과 PCB(인쇄회로 기판)를 인터포저를 통해 물리적으로 연결하고, 인터포저 위에 로직과 HBM을 배치해 하나의 반도체처럼 동작하도록 지원한다.

2021년에는 HBM을 6개 이상 탑재 가능한 패키지 솔루션 ‘H-Cube(Hybrid substrate-Cube)’도 개발했다. H-Cube는 메인 기판 아래에 대면적 구현이 가능한 보조 기판을 추가해 시스템 보드와의 연결성을 확보한 것이 특징이다. 이로써 다수의 로직과 HBM을 적층하면서도 높은 안정성을 지닐 수 있다.

뿐만 아니라, 메인 기판과 보조 기판을 전기적으로 연결하는 솔더볼(Solder ball)의 간격도 기존 대비 35% 좁혀 기판의 크기를 최소화했다. 이는 데이터센터, 인공지능, 네트워크 등의 분야에서 다방면으로 활용될 수 있다.

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MAP 4. ‘초’연결까지 가능케 한 비법은?

삼성전자는 2020년에 ‘X-Cube(eXtended-Cube)’라는 3차원 적층 패키지 솔루션도 선보였다. ‘X’는 칩 간 연결과 기능의 확장을 의미하며, ‘X-Cube’는 로직 그리고 캐시메모리 역할을 하는 SRAM(Static Random Access Memory) 등의 개별 칩을 수직으로 적층해 연결성을 확장한 제품이다. 이로써 전체 칩 면적을 줄이면서 고용량 메모리를 장착해 속도와 전력 효율을 높였고, 지연 시간을 최소화해 고객의 설계 자유도도 높였다.

올해는 ‘u-Bump(micro Bump)형 X-Cube’의 양산을 앞두고 있다. TSV 공정에서 칩과 칩을 연결할 때 사용하는 범프는, 크기와 간격이 작을수록 작은 공간에서 반도체 패키지의 밀도와 연결성을 높이는 데 기여한다. u-Bump(micro Bump)형 X-Cube는 30마이크로미터보다 작은 범프 간의 간격을 활용해 연결성을 획기적으로 높인 제품으로, 모바일과 웨어러블, 증강현실(AR)·가상현실(VR), 슈퍼컴퓨터와 인공지능 등 초연결이 필수적인 분야에서 높은 활용성을 갖는다.

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MAP 5. AVP로 강화할 삼성 파운드리 경쟁력

삼성전자 반도체는 이러한 첨단 패키지 기술을 강화하기 위해 2022년 12월, AVP(Advanced Package) 사업팀을 출범해 차세대 기술 개발에 앞장서고 있다. 차세대 접합 기술 ‘HCB(Hybrid Copper Bonding)’가 대표적인 예다. HCB는 칩과 칩을 별도의 범프 없이 연결하는 기술로, 각 칩 표면에 드러난 구리를 직접 연결해 데이터 전송 속도를 더욱 향상할 수 있다. 2026년에는 HCB를 활용한 3차원 패키지, ‘Bump-less형 X-Cube’도 선보일 예정이다.

이외에도 ‘CoW(Chip on Wafer)’ 등 다양한 차세대 패키지 기술의 결합으로 성능과 효율성을 지속 향상함으로써 기술의 한계를 계속해서 뛰어넘고 있다. 최종적으로 패키지의 구조, 성능, 설계에 이르기까지, 응용처별 맞춤형 반도체를 다양한 형태의 패키지 솔루션으로 제공하며 AI 시대에서 파운드리 경쟁력을 강화해 나갈 계획이다.

차세대 패키지 기술의 결합으로, 기존 반도체의 한계를 넘어서는 첨단 패키지 솔루션 ‘Advanced Package’에 대해 보다 자세하게 알고 싶다면 반썰어 ‘AVP’ 편을 참고하길 바란다.

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매년 1월이 되면 최첨단 기술과 혁신 제품들이 한데 모인 세계 최대의 가전·IT 박람회, ‘CES(The International Consumer Electronics Show)’가 개최된다. CES 행사에 앞서 전미소비자기술협회(CTA)는 업계 내 혁신 기술력을 선보인 제품을 선정해 혁신상을 수여하는데, 오늘의 반도Chat 주인공 역시 CES 2024 혁신상을 수상했다는 사실! 바로 초연결 사회를 이끌어 갈 새로운 반도체로 이름을 알린 ‘엑시노스 커넥트 U100’이다.

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MAP 1. 상상만 했던 것이 현실로 이루어지는 순간

스마트폰 하나로 에어컨, 스마트 TV 등 각종 전자 기기를 간편하게 작동시킬 수 있는 시대다. 이러한 일상이 익숙해지면, 우리는 더욱더 편리하고 스마트한 일상을 꿈꾸기 마련이다. 걸음에 따라 조명이 자동으로 켜지며, 기계를 활용해 집 안에서 잃어버린 물건도 단번에 찾을 수 있는 그런 일상. 우리의 이러한 상상은 ‘엑시노스 커넥트 U100’이라는 새로운 반도체 칩을 활용한다면 현실로 구현될 수 있다. 

엑시노스 커넥트 U100을 탑재한 스마트 기기가 있다면 사물은 물론이고, 실내에서 움직이는 사람이나 반려동물의 위치와 방향까지 센티미터(cm) 단위로 정확하게 측정해 파악할 수 있다. 이는 엑시노스 커넥트 U100이 정밀 위치 측정을 가능하게 하는 반도체 칩이기 때문이다. 그렇다면 이러한 엑시노스 커넥트 U100만의 특성은 어떻게 탄생하게 되었을까?

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MAP 2. 초연결 사회를 이끌어갈 통신 기술

기존 위치 추적 시스템에 많이 활용되는 GPS 통신 방식은 장애물로 인해 실내에서는 정확도가 떨어진다. 그렇다면 엑시노스 커넥트 U100은 어떻게 정확한 실내 거리 측정이 가능한 것일까? 심지어 센티미터 단위로 말이다. 해답은 바로 ‘UWB(초광대역, Ultra Wideband)’에 있다.

엑시노스 커넥트 U100은 ‘UWB(초광대역, Ultra Wideband)’라는 단거리 무선통신 프로토콜을 활용한다. UWB는 일반적으로 3.1GHz에서 10.6GHz까지의 주파수 대역폭을 이용하는 초광대역 통신으로, 매우 짧은 시간 동안 매우 넓은 주파수 스펙트럼을 사용하여 데이터를 전송한다. 넓은 대역폭을 쓰는 만큼, 다른 통신 시스템과 간섭 없이 데이터 전송이 가능한 점이 특징!

더불어 UWB는 매우 좁은 펄스(Pulse, 전압 또는 전류의 단기적인 변동)를 활용한다. 펄스폭이 좁아질수록 해상도가 높아지며, 이는 곧 높은 정확도로 이어진다. UWB는 이를 활용해 기기 간 거리와 위치를 정확하게 측정하는 것이다. 정교한 위치 측정이 가능한 만큼, 실내 위치 추적 시스템이나 무선 센서 네트워크, 가상현실(AR)·증강현실(VR) 기기 등에 적합하다.

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MAP 3. UWB의 핵심 기술

조금 더 면밀히 살펴보자. UWB 기반의 엑시노스 커넥트 U100은 수 센티미터 이내, 5도 이하의 정밀 측위가 가능하다. 이러한 정확도는 두 가지 핵심 기술에 기반한다. 첫 번째로, 거리를 측정하는 기술인 ‘ToA(무선 전파 도달 시간, Time of Arrival)’다. ToA는 기기 간 전파 도달 시간을 계산하여 센티미터 단위로 거리를 측정하는 기술로, 지연을 최소화하고 실시간으로 정확한 위치 측정을 가능케 한다.

두 번째로 사용된 기술은 ‘AoA(3D 도래각, Angle of Arrival)’다. AoA는 수신된 신호가 어떤 각도로 도착하는지를 측정하여 송신기나 수신기의 위치를 판단하는 기술이다. 더 자세히 설명하면, AoA는 신호가 수신기에 도착하는 각도를 수평 및 수직 차원에서 정밀하게 측정하여, 이를 통해 송신기나 수신기의 공간적인 위치를 추정한다. 즉, 3차원 신호 도래 각을 정확히 측정하여 실내외 모든 환경에서 5도 미만의 오차 범위로 기기의 위치를 정확하게 파악하는 것이다.

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MAP 4. 엑시노스 커넥트 U100의 능력은 어디까지?

엑시노스 커넥트 U100은 UWB를 비롯해 무선 통신 및 라디오 주파수 회로에서 사용되는 전자 신호를 다루는 기술인 ‘RF(Radio Frequency)’, 전력이 차단되어도 데이터를 보존할 수 있는 비휘발성 메모리 기술인 ‘eFlash(Embedded Flash)’, 모바일 디바이스와 다른 전자 기기에서 전원 공급 및 소비를 효율적으로 관리하는 IC(집적회로)인 ‘PMIC’ 등의 다양한 기술이 내장되어 있다. 다시 말해, 여러 기술을 효율적으로 통합하여 하나의 칩에 적용한 원-칩 솔루션이라 할 수 있다.

이러한 특성 덕분에 소형 기기에 쉽게 적용 가능하며, 상대적으로 통합 디자인 과정이 간단해 다양한 기기에서 효율적인 비용으로 솔루션을 구현할 수 있다. 또한, 엑시노스 커넥트 U100은 초저전력 아키텍처로 설계되어 배터리 작동을 최적화한다. 이로써 저용량 배터리로 장시간 작동이 필요한 모바일, 자동차 그리고 반려동물이나 열쇠 등 통신 기능이 없는 것에 부착해 위치를 파악하는 ‘태그(Tag)’ 등의 IoT 기기에도 적합하다.

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MAP 5. 엑시노스 커넥트 U100이 선물할 새로운 일상

삼성전자는 초연결 사회에 대비해 무선 통신용 반도체 사업 경쟁력을 강화하고자, 엑시노스 커넥트 U100과 함께 기존의 와이파이, 블루투스, UWB를 포괄하는 브랜드 ‘엑시노스 커넥트’를 새로 선보였다. 그렇다면 이러한 엑시노스 커넥트 U100과 같은 무선 통신용 반도체기술이 우리 생활에 도입된다면 어떤 일상이 펼쳐질까?

엑시노스 커넥트 U100이 탑재된 스마트폰을 휴대한다면 이동 중에 주변의 스마트 기기를 자동으로 조작할 수 있다.  게다가 엑시노스 커넥트 U100을 탑재한 스마트 키까지 지니고 있다면, 차량에 가까이만 가도 차량 잠금을 해제할 수 있다.

또한, 엑시노스 커넥트 U100은 ‘CCC(Car Connectivity Consortium)’의 ‘디지털 키 릴리즈(Digital Key Release) 3’ 표준을 지원하여, 차량의 디지털 키값을 저장하고 사용자 인증을 가능하게 한다. 이로써 차량과 키가 서로 인식되는 거리에서는 차량에 탑승하지 않고도 미리 시동을 걸어두거나 경적 울리기 등도 가능해진다. 이뿐만 아니라, 통신 중 외부의 해킹을 막아주는 STS(Scrambled Timestamp Sequence) 기능과 보안 HW 암호화 엔진을 탑재한 만큼, 높은 안정성도 제공한다.

정확한 거리와 방향 측정으로 사람과 사물, 사물과 사물 사이의 초연결성을 제공하는 새로운 반도체 칩 ‘엑시노스 커넥트 U100’에 대해 보다 자세하게 알고 싶다면 반썰어 ‘엑시노스 커넥트 U100’ 편을 참고하길 바란다.

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최근 빅데이터 기반의 서비스가 확장되면서 메모리 성능에 대한 요구가 끝없이 늘어나고 있다. ‘반도Chat’ 시리즈 다섯 번째 이야기의 주제는 기존 메모리의 한계를 극복하고, 미래 메모리 기술 개발에 핵심이 될 새로운 인터페이스, ‘CXL’이다.

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MAP 1. 빅데이터 시대 속 데이터 처리의 새로운 길

인공 지능, 머신 러닝 등의 기술 발전으로 처리해야 할 데이터양이 폭증하면서, 고성능 CPU는 빠른 데이터 처리를 위해 단일 칩에 점점 더 많은 코어(Core)를 통합하고 있다. 특히 AI 서비스를 위한 고성능 CPU에는 100개가 넘는 코어가 존재한다. 코어 수가 증가할수록 각 코어를 담당할 충분한 메모리가 필요한데, 현재 위와 같은 상황으로 인해 고속 인터페이스를 사용하고 용량 확장이 용이한 메모리 제품에 대한 수요가 급증하고 있다.

그러나 기존에 사용되어 온 DDR 인터페이스 기반의 D램은 한정된 범위 내에서만 용량을 확장할 수 있어 AI 서비스에 필요한 성능을 충족시키지 못했다.

이로 인해 기존 메모리 성능과 고성능 CPU 간에 격차가 생기면서 병목 현상이 발생하게 되었고, 이 한계를 넘어서기 위해서는 완전히 새로운 인터페이스가 필요했다. 그렇게 삼성전자 반도체는 ‘CXL’이라는 차세대 인터페이스를 메모리 설계에 도입하기 시작했다.

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MAP 2. CXL이란 무엇인가?

빠르게 연결해서 연산한다’는 의미를 지닌 CXL(Compute Express Link)은 CPU, GPU, 스토리지 등의 다양한 장치를 효율적으로 묶어, 보다 빠른 연산 처리를 가능하게 하는 차세대 인터페이스다.

기존에는 각 장치마다 별도의 인터페이스가 존재해 서로 다른 인터페이스 간의 효율적인 연결이 어려웠으며, 각 장치 간 통신 시 다수의 인터페이스를 통과하는 과정에서 지연 현상이 발생했다.

반면 CXL은 다수의 장치를 하나의 인터페이스로 통합해 여러 장치가 한 번에 연결되게 함으로써 데이터 처리 속도를 높이고, 시스템 용량과 대역폭을 확장할 수 있는 기반을 제공한다. 이러한 획기적인 기술은 무수히 많은 양의 데이터가 막힘없이 효율적으로 오갈 수 있는 고속도로가 되어주고 있다.

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MAP 3. CXL 기반 D램의 탄생

2021년, 삼성전자 반도체는 업계 최초로 CXL 기반 D램인 CMM-D를 개발했다. CMM-D에는 여러 가지 특성이 있는데, 가장 괄목할 특징 중 하나는 유연한 확장성이다. 기존의 데이터센터나 서버에서 외장형 저장 장치인 SSD(Solid State Drive)를 꽂던 자리에 그대로 꽂아 사용 가능하며, 이때 시스템 내 D램 용량을 TB급까지 확장할 수 있다. 서버를 교체하거나 서버 구조를 변경하지 않고도 용량을 손쉽게 확장할 수 있는 것이다.

또한, CMM-D는 다양한 대역폭에 대응할 수 있어 고속 데이터 처리가 가능하다. 이는 CXL이 PCIe(Peripheral Component Interconnect Express)를 기반으로 하는 인터페이스이기 때문이다. PCIe는 주로 컴퓨터의 다양한 하드웨어와 디바이스 간에 데이터를 전송하기 위한 연결 표준으로, 여러 개의 데이터 비트를 한 번에 전송하는 병렬 통신(Parallel Communication) 대신 한 번에 하나의 비트씩 데이터를 순차적으로 전송하는 직렬 통신(Serial Communication)을 사용한다.

한 번에 하나의 데이터 비트만 전송하지만, 높은 주파수의 신호를 사용하기 때문에 빠른 전송 속도를 자랑하며, 다양한 대역폭에도 효율적으로 대응한다. 또한 적은 수의 선으로 데이터를 전송하므로 신호 간 간섭이 적어 비교적 데이터 처리 과정이 매끄러우며 이로써 지연 현상도 최소화할 수 있다. 새로운 장치를 추가할 때 하나의 선만 연결하면 되기에 상대적으로 시스템을 확장하거나 변경하기에도 용이하다. CMM-D는 이러한 특성을 통해 메모리 관리의 유연성을 제공한다.

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MAP 4. 유연성을 한층 더 높인 차세대 메모리 CMM-D

삼성전자 반도체는 CXL 기반 메모리 기술 개발의 첫 결과물인 CXL 1.1에 이어 2023년 5월에는 CXL 2.0을 지원하는 CMM-D를 선보였다. CXL 2.0은 이전 버전인 CXL 1.1에서 메모리 관리의 유연성을 획기적으로 향상한 것으로, 필요에 따라 메모리를 효과적으로 공유하고 확장할 수 있는 기능을 제공한다. 더불어 강력한 보안 기능까지 갖춘 D램으로, 이를 데이터센터에 적용하면 보다 효율적인 메모리 사용이 가능해져 결과적으로 서버 운영비 절감에도 기여할 수 있다.

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MAP 5. 메모리 용량 확장에 숨은 기술

CXL 2.0만의 특성 구현에는 여러 기술이 기반이 되었는데, 특히 두 가지 기술이 용량 확장의 직접적인 토대가 되었다. 바로 메모리 풀링과 스위칭이다. CXL 2.0은 특히 메모리 풀링 기능을 세계 최초로 지원한다.

‘메모리 풀링(Pooling)’은 서버 플랫폼에서 여러 개의 CXL 메모리를 묶어 풀(Pool)을 만들고, 여러 호스트가 풀(Pool)을 공유하며 필요에 따라 메모리를 효과적으로 할당하고 해제하는 기술이다. 이를 통해 프로그램이나 작업에 필요한 메모리양에 따라 리소스를 효율적으로 관리할 수 있다.

예를 들면, 5명의 인원이 각각 1L의 물을 갖는 대신, 5명의 인원이 5L의 물을 공유함으로써 누군가 1L 이상의 물이 필요하더라도 옆 사람에게 별도로 요청하지 않고 바로 물을 사용할 수 있게 되는 것이다. 이로써 CXL 메모리의 전 용량을 유휴 영역 없이 사용할 수 있게 한다. 더불어 CXL 2.0은 스위칭 기능을 통해 프로세서, 가속기, 스토리지 등의 다양한 디바이스 간에 데이터를 효율적으로 전송하고 공유함으로써 메모리 리소스를 확장할 수 있다.

또한, CXL 2.0은 메모리 풀링과 스위칭 기능 외에도, 전원이 켜진 상태에서 장치를 연결하거나 분리할 수 있는 핫플러그 기능을 지원한다. 해당 기술 적용으로, 시스템을 재부팅 하지 않아도 디바이스를 추가하거나 교체할 수 있게 함으로써 편리성을 더했다.

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MAP 6. CXL과 함께 만들어 갈 메모리의 미래

삼성전자 반도체는 CMM-D, CMM-DC, CMM-H, CMM-HC 등 CXL 인터페이스를 기반으로 한 다양한 메모리 제품군을 연이어 공개하며 CXL 기반 메모리 제품의 범용성을 높여가고 있다. 여기에서 한 걸음 더 나아가 고성능 컴퓨팅 플랫폼용 신규 인터페이스인 CXL을 적극 활용해, 메모리 대역폭과 용량을 원하는 만큼 확장하는 미래를 꿈꾸고 있다.

이러한 꿈을 실현하기 위해 CXL 기반 메모리 기술의 생태계 구축에도 앞장서 왔다. CXL 기반 메모리 개발 초기 단계부터 글로벌 주요 데이터센터, 서버, 칩셋(Chipset) 업체들과의 개발 협력을 진행해 왔으며, CXL 소프트웨어 도구인 SMDK(Scalable Memory Development Kit)를 오픈 소스로 공개했다. 이로써 메모리 업계뿐 아니라 대학교, 연구기관 등을 대상으로 차세대 메모리 기술 연구·개발에 대한 관심도를 높임으로써 차세대 메모리 기술의 탄생을 가속화하고 있다.

빅데이터 시대에서, 메모리의 한계점을 없앨 새로운 인터페이스 ‘CXL’에 대해 보다 자세하게 알고 싶다면 반썰어 ‘CXL’편을 참고하길 바란다.

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어려운 반도체 용어를 알기 쉽게 소개해 주는 반도Chat의 네 번째 이야기! 오늘은 기나긴 디지털 여정을 획기적으로 단축해 주는 SSD에 대해 알아볼 시간이다.

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Map 1. HDD에서 SSD로! 저장매체 패러다임의 변화

‘HDD(Hard Disk Drive)’는 비휘발성 데이터 저장소 중 가장 오랜 시간 대중의 사랑을 받았다. 1950년대에 출시된 이후 지속적인 개발을 거쳐, 1990년대에는 개인용 컴퓨터의 핵심 부품으로 자리 잡기도 했다. 그러나 오늘날 컴퓨터, 스마트폰, 태블릿 등 대부분의 전자기기에는 ‘SSD(Solid State Drive)’가 사용되고 있다. 이렇듯 시대별 보조 기억장치의 대표 주자로 자리했던 HDD와 SSD의 차이점은 과연 무엇일까?

1990년대 이후 대부분의 PC는 HDD라는 저장장치를 활용했다. HDD는 금속이나 유리로 만들어진 원형 판 ‘플래터(Platter)’와 바늘 모양의 ‘헤드(Head)’로 구성된 기계식 저장장치다.

HDD의 데이터 처리 방식은 LP판에 비유해 볼 수 있다. 턴테이블에 올려 회전시킨 LP판이 바늘로 홈을 읽어 음악을 재생하는 것처럼, HDD는 회전하는 플래터의 데이터를 ‘헤드’라는 바늘을 통해 읽고 쓸 수 있다. 이때 플래터의 회전 속도(RPM)가 빠를수록 데이터를 읽고 쓰는 속도가 함께 빨라져 HDD의 성능은 향상된다.

하지만 이는 곧 HDD의 성능 한계로 이어졌다. 물리적으로 돌아가는 모터 방식은 전력 소비와 발열, 소음 문제를 수반했고, 플래터 회전 속도의 한계 때문에 SSD 대비 데이터 처리 성능이 느렸다.

이 문제를 해결한 것이 바로 SSD다. SSD는 데이터를 반도체에 저장한다. HDD처럼 모터 방식의 구동 장치가 필요하지 않아 작동 시 열과 소음이 발생하지 않고 외부 충격으로부터 안전한 동시에 데이터 처리 속도가 획기적이다. 이러한 이유에서 스토리지 트렌드는 HDD에서 SSD로 변화했다.

HDD에서 SSD로 전환하는 데는 오랜 시간과 연구가 필요했다. SSD 기술 개발은 1970년대부터 시작되었지만, 높은 비용과 커다란 사이즈 문제 때문에 수년간 상용화에 어려움이 있었다.

이에 삼성전자는 2006년 32GB SSD를 장착한 PC를 선보였다. 그 당시 업계는 비용 및 개발 난항 등의 문제로 인해 일반 PC에도 플래시 메모리를 적용하지 못했다. 때문에 삼성전자가 출시한 노트 PC(SENS Q30 PLUS)와 울트라 모바일 PC(SENS Q1) 제품은 HDD가 없는 디지털 PC라는 새로운 시장을 여는 신호탄이 되었다.

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Map 2. SSD로 확장된 초고속 세상

SSD를 좀 더 이해하기 위해서는 플래시 메모리에 대한 이해가 필요하다. 플래시 메모리는 셀(cell)이라는 작은 단위로 데이터를 저장하는 기억장치이다. 이러한 플래시 메모리는 크게 낸드(NAND) 타입과 노어(NOR) 타입으로 구분된다.

노어 타입은 셀을 병렬로 배열하여 한 번에 여러 개의 비트를 읽을 수 있다. 각 셀의 주소를 반드시 기억하는 과정을 거쳐야 하기에 쓰기 속도가 느리지만, 데이터를 빨리 찾을 수 있어 읽기 속도가 빠르다.

반면 낸드 타입은 데이터 저장 단위인 셀을 직렬로 배열하여 한 번에 하나의 비트만 읽거나 쓸 수 있다. 한 블록 전체를 기록하기 때문에 쓰기 속도가 빠르지만, 직렬로 배열되어 읽기 속도가 느리다.

낸드 타입은 노어 타입과 비교했을 때 쓰기 속도가 빠르고 비용 측면에서 합리적이라는 장점이 있다. 더불어 기술 발달에 따라 낸드 타입의 읽기와 쓰기 속도 격차가 가파르게 좁혀졌다. SSD는 바로 이 낸드 타입 플래시 메모리를 사용한 디지털 방식의 데이터 저장장치다.

SSD는 어떻게 이런 성능을 갖출 수 있었을까? 쉽게 이해하기 위해 SSD의 구조를 면밀히 살펴보자. PC가 CPU, 메모리, 기억장치로 이루어진 것처럼, SSD 역시 CPU처럼 외부에서 들어온 명령어를 해석하고 처리하는 역할을 수행하는 컨트롤러, 데이터 저장을 위한 낸드플래시, 캐시메모리 역할을 하는 D램으로 구성되어 있다.

이때 낸드플래시는 데이터 집적도를 높여 용량을 늘려 주고, 컨트롤러는 인터페이스와 메모리 사이에서 데이터 이동을 제어하며 읽고 쓰는 순서를 정해 성능을 향상시킨다.

다시 말해, 하나의 PC 안에서 또 다른 컴퓨팅 시스템이 동작하여, 메모리를 더욱 빠르고 효율적으로 처리하는 셈이다.

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Map 3. SSD 초격차, 그 비결은?

이러한 초고속 고용량 SSD가 탄생하기 위해서는 낸드플래시에 수많은 데이터를 촘촘하게 담는 것이 핵심이다. 즉 동일한 공간에서 얼마나 조밀하게 많은 데이터를 저장할 수 있는지가 중요한데, 그 척도를 ‘집적도’라고 한다. 집적도는 용량과 직결되는 문제이기에 V낸드의 집적도를 높이기 위한 반도체 업계의 노력은 꾸준히 진행되었다.

플로팅 게이트(Floating Gate)와 CTF(Charged Trap Flash) 기술은 낸드플래시의 집적도를 높이기 위한 방향으로 활용되어 왔다. 그중 도체에 전하를 저장하는 플로팅 게이트는 2D 낸드플래시에 적용되었는데, 전기 회로가 미세화될수록 셀간 간섭이 심해지는 한계가 있었다. 이런 이유로 3D 낸드플래시에는 도체가 아닌 부도체에 전하를 저장하는 방식인 ‘CTF 기술’을 적용하고 있다.

삼성전자 반도체에서 개발한 ‘V낸드(Vertical Nand)’는 2D(평면) 낸드플래시의 한계에 봉착한 업계를 확장적 세계로 이끈 3D(수직) 낸드플래시 기술이다. V낸드에 대해서는 데이터를 ‘인구’, 데이터 저장소인 셀을 ‘집’으로 생각하면 쉽게 이해할 수 있다.

예를 들어 단독 주택이더라도 근방에 집과 인구가 많지 않다면 이웃과의 충돌이 거의 발생하지 않는다. 하지만 인구 밀도가 늘어나게 되면, 집들 간의 간격이 좁아지고 소음 등의 간섭 현상이 발생하게 된다.

3D V낸드는 이러한 간섭을 극복하고자 개발한 기술이다. 단독 주택을 아파트와 같이 수직으로 쌓아 올림으로써, 더 많은 인구가 상호 간에 간섭을 일으키지 않고 머무를 수 있게 되는 것이다.

여기서 데이터 간섭 현상을 대폭 감소하기 위해 삼성전자 반도체는 수직으로 쌓아 올린 층에 고속 엘리베이터 역할을 하는 통로, ‘채널 홀’을 뚫어 데이터 용량을 확보하면서도 처리 속도를 향상시키는 기술적 발전을 이뤄 냈다.

삼성전자의 V낸드 기술은 2013년 1세대(24단) V낸드를 시작으로 2014년 2세대(32단), 2015년 3세대(48단), 2016년 4세대(64단), 2018년 5세대(9x단), 2019년 6세대(1xx단), 2021년 7세대(176단), 2022년 8세대(200단 이상) 등 끊임없이 성장하며 대용량 초고속 SSD 시대를 여는 발판이 되었다.

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Map 4. 다양한 분야에서 활용되는 SSD

V낸드 기술이 적용된 SSD는 필요한 상황이나 기능에 따라 다양한 종류로 분류된다.

우선 사용처에 따라 보안 및 외부 충격을 대비한 ‘포터블 SSD’와 작고 가볍고 빠른 성능의 ‘PC&랩탑용 SSD’, 대용량의 데이터와 보안을 요하는 ‘기업용 SSD’로 나뉜다.

최근 삼성전자는 한 뼘 크기에 8TB 용량을 담은 포터블 SSD, ‘T5 EVO’를 출시했다. 이 제품은 외장 HDD 대비 3.8배 빠른 데이터 전송 속도와 최대 460MB/s 연속 읽기∙쓰기 성능을 제공한다. 특히 3.5MB 크기 사진 약 2백만 장 또는 50GB 크기 4K UHD 영화 160 편 이상을 저장할 수 있는 큰 용량은 대용량 파일, 고해상도 동영상, 사진, 게임 등 다양한 라이프 스타일에 맞게 자유자재로 활용 가능하다.

이외에도 풀HD급 4GB(기가바이트) 영화 1 편을 2초 만에 저장할 수 있는 초고속 포터블 SSD(Solid State Drive) ‘T9’을 출시하여 소비자용 SSD 시장을 선도해 나가고 있다.

SSD의 기능 측면에서는, 저장은 물론 연산까지 가능한 ‘Smart SSD’와 연속 쓰기가 많은 응용에 최적화된 ‘ZNS SSD’, 응답 속도가 10배 이상 빠른 ‘Z-SSD’로 나눌 수 있다.

다양한 종류처럼, 자유자재로 활용되는 SSD! SSD는 모바일 기기, 랩톱 컴퓨터&PC, 자율주행 자동차, 데이터 센터 외에도 게임, 영상 편집, 컴퓨터 그래픽 등 빠른 속도와 고용량을 요구하는 상황에서 사용되고 있다.

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Map 5. 내일을 향한 혁신, 삼성전자 반도체가 여는 메모리의 미래

지난 10월, 삼성전자 반도체는 ‘삼성 메모리 테크 데이 2023’에서 ‘Detachable AutoSSD(탈부착 가능한 차량용 SSD)’를 공개했다. 이 제품은 스토리지 가상화로 하나의 SSD를 분할해 여러 개의 SoC(System on Chip)가 사용할 수 있는데, 최대 6,500MB/s의 연속 읽기 속도와 4TB 용량을 제공한다. 탈부착이 가능한 차량용 폼팩터로 구현돼 성능도 손쉽게 업그레이드할 수 있다.

또한 서버 스토리지에서도 응용처에 따라 용량을 변화시키고, 페타바이트(Petabyte)급으로 확장할 수 있는 SSD를 곧 선보일 예정이다.

2020년 출하 기준 전 세계 서버용 HDD를 삼성전자의 최신 SSD로 바꾸면, 3TWh의 전력을 절감할 수 있다. 이는 21년 기준 서울 송파구 구민이 1년간 사용한 전력 사용량(약 2.85TWh)보다 많은 양이다.

최고 성능의 SSD를 개발하는 것에서 더 나아가, 지속가능한 미래를 위해 노력하고 있는 삼성전자 반도체! SSD 초고용량 경신을 통한 낸드 활로 개척 등 삼성전자가 주도한 스토리지 패러다임의 변화는 지금까지도 계속되고 있다.

우리 생활에 또 다른 가치를 부여하는 차세대 저장장치, SSD에 대해 보다 자세하게 알고 싶다면 인생맛칩 ‘SSD’ 편을 참고하길 바란다.

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어떤 질문이든 척척 답을 내어주는 ‘챗GPT’처럼, 삼성전자 반도체 뉴스룸은 ‘반도Chat’ 시리즈를 통해 어려운 반도체 용어도 단번에 쏙쏙 알기 쉽게 전하고 있다. 반도Chat 시리즈 세 번째 이야기 주제는 초거대 AI 기술 발전의 핵심인 메모리 반도체, ‘HBM’이다.

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MAP 1. 메모리, 초거대 AI를 마주하다

초거대 AI란 딥러닝으로 대용량 데이터를 스스로 학습해 인간처럼 종합적 추론이 가능한 차세대 AI를 말한다. 챗GPT가 인간과 유사한 수준으로 질문에 적절하게 응답하는 것도 파라미터(parameter, 매개 변수)가 1,750억 개에 달하는 수많은 데이터를 학습한 언어모델이기 때문이다.

‘챗GPT’, ‘DALL·E’, ‘Bard’의 등장과 같이 AI 서비스 종류가 다양해지고 고도화될수록, 메모리 반도체가 수행해야 할 역할도 더욱 확장되고 있다. AI 서비스를 원활하게 구현하려면 대량의 데이터를 기반으로 여러 연산을 동시에 빠르게 수행하는 능력이 필요하기 때문이다.

이러한 상황에서 반도체 업계는 ‘AI 서비스와 함께 폭발적으로 증가하는 데이터를 어떻게 효율적이고, 빠르게 처리할 것인가’에 대한 해답을 찾게 된다. 차원이 다른 고성능 기술을 제공하는 AI 시대의 핵심 반도체, ‘HBM’이 바로 그것이다.

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MAP 2. HBM이란 무엇인가

HBM(High Bandwidth Memory)은 이름 그대로 넓은 대역폭을 지닌 메모리를 뜻한다. 여기서 ‘대역폭’이란 주어진 시간 내에 데이터를 전송하는 속도나 처리량, 즉 데이터 운반 능력을 의미한다. HBM은 현재 메모리 시장에서 가장 넓은 대역폭을 지닌 메모리 반도체인데, 간단히 이야기하면 메모리 중 데이터를 가장 빠르게 처리하고 전송할 수 있다는 것이다. 이로써 HBM은 응용처의 성능과 전력 효율 향상에 기여할 수 있게 된다.

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MAP 3. 처리 속도, 전력 효율 모두 잡은 HBM 속 숨은 기술

주로 게임이나 그래픽 작업과 같은 고성능 그래픽 분야에 활용되는 GDDR은 비교적 낮은 비용으로 높은 성능과 용량을 제공할 수 있다. 한편, HBM은 GDDR 대비 상대적으로 제조 과정이 복잡하고 비용이 높을 수 있지만, 더 높은 에너지 효율을 기반으로 HPC·AI 응용 수준의 높은 대역폭을 제공할 수 있다.

이는 HBM에 TSV(Through Silicon Via)라는 기술이 적용됐기 때문이다. TSV는 메모리 칩을 수직으로 쌓고, 적층된 칩 사이에 얇은 금속 터널을 만들어 전기적 신호가 칩 간 직접 전달되게 하는 패키징 기술이다. 이로써 데이터 전송 속도의 지연을 최소화하고, 적은 전력으로 많은 양의 데이터를 처리할 수 있게 된다. 한편, HBM에는 CoW(Chip on Wafer)  기술과 TCB(Thermal Compression Bonding) 기술도 적용되었다. CoW는 이름 그대로 웨이퍼 위에 칩을 붙이는 기술을 의미하며, TCB는 TSV가 적용된 얇은 칩이 전기적으로 연결될 수 있게 정밀하게 쌓아 올리는 패키징 기술을 말한다.

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MAP 4. 초거대 AI 시대 속, 기술 발전의 씨앗이 될 메모리 반도체

삼성전자 반도체는 2016년에 업계 최초로 HPC 향 HBM 사업화를 시작하며, AI 메모리 시장을 개척해 왔다. 이를 이어, 2017년 업계 최초로 8단 적층 HBM2를 상용화하며, 당시 가장 빠른 메모리인 GDDR5 대비 8배 빠른 속도를 제공했다. 이후 HBM2E, HBM3를 개발했고, 2023년 10월에는 ‘HBM3E 샤인볼트’를 공개하기에 이르렀다.

HBM3E D램 ‘샤인볼트’는 데이터 입출력 핀 1개당 최대 9.8Gbps의 고성능을 제공하는데, 이는 현재 존재하는 메모리 반도체 중 가장 빠른 수준이다. 1초에 최대 1.2TB(테라바이트) 이상의 데이터를 처리할 수 있음을 의미하며, 더 쉽게 예를 들면 30GB 용량의 UHD 영화 40편을 1초 만에 처리하는 것과 같다.

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MAP 5. 메모리의 무한한 가능성을 위한 차세대 기술

삼성전자 반도체는 웨이퍼를 제조하고 회로를 만드는 전공정뿐 아니라, 완성된 칩에 데이터 이동과 전기 전달을 가능하게 하고, 외부 환경으로부터 보호하는 패키징 공정도 지속 개발 중이다. 현세대 제품에서 칩 적층 시 적용 중인 NCF(Non-conductive Film, 비전도성 접착 필름)와 차세대 제품 적용을 목표로 개발 중인 HCB(Hybrid Copper Bonding, 하이브리드 접합) 기술이 바로 그것이다.

NCF는 적층된 칩 사이를 절연시키고 충격으로부터 연결 부위를 보호하기 위해 사용하는 고분자 물질이다. NCF를 활용하면 열전도를 극대화하고 열 특성을 개선할 수 있다. 한편 HCB 기술은 칩을 접합할 때 ‘범프’라는 매개체를 없애고, 각 칩 표면에 드러난 구리를 직접 연결한다. 이로써 범프를 사용할 때보다 칩 적층 시 안정성을 향상하고, 열성능을 최적화할 수 있을 것으로 기대된다.

머지않은 미래에는 AI에 특화된 기술과 제품이 시장을 주도할 중요한 역할을 할 것이다. 최근 HBM3E D램 ‘샤인볼트’를 공개한 삼성전자 반도체는 앞으로도 최고 성능의 HBM을 제공하고, 고객 맞춤형 HBM 제품까지 확장하여 AI 시대에 최상의 솔루션을 제공할 계획이다.

AI 서비스의 가능성을 확장할 메모리 반도체, ‘HBM’에 대해 보다 자세하게 알고 싶다면 삼반뉴스 ‘AI 반도체’ 편을 참고하길 바란다.

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반도체는 이미 우리 생활 곳곳에 스며들어 있지만, 반도체와 관련된 용어들은 여전히 낯설고 어렵게만 느껴진다. 어려운 반도체 용어를 쉽고 간단하게 알아보기 위해 시작한 ‘반도Chat’ 시리즈, 두 번째 이야기의 주제는 ‘이미지센서’다.

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MAP 1. 알고 보면 친숙한 반도체

‘이미지센서’는 Image와 Sensing을 합친 말로, ‘피사체를 감지한다’는 뜻이다. 스마트폰과 카메라뿐 아니라 AR(Augmented Reality, 증강현실)·VR(Virtual Reality, 가상현실) 기기, 자동차 전후방 센서 등 카메라 기능이 있는 모든 기기에 이미지센서가 들어있는데, 여기서 이미지센서는 사람의 눈과 비슷한 역할을 한다.

우리가 사진을 찍는 순간 렌즈를 통해 빛이 모이면 이미지센서는 수많은 픽셀에 모인 빛을 전기 신호로 바꿔 이미지를 생성한다. 이때 이미지센서는 다양한 색감을 표현하기 위해 각 픽셀에서 빨강(R), 초록(G), 파랑(B) 중 하나의 색상만을 감지할 수 있는 컬러 필터를 활용한다. 이 RGB 컬러 필터를 통해 색상 정보를 수집하고, 이후 픽셀마다 주변 픽셀의 색상 값을 참고해 보완하는 방식으로 우리가 볼 수 있는 거의 모든 색상을 만들어 내는 것이다.

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MAP 2. 선명한 이미지를 얻기 위한 필수 기술

고품질 이미지를 얻으려면 기본적으로 렌즈를 통과한 빛을 이미지센서가 정확하게 처리해야 한다. 이미지센서가 이 작업을 완벽하게 수행하지 못하면 사진이나 영상의 품질이 낮아질 수 있다.

‘아이소셀(ISOCELL)’은 이러한 문제를 개선하기 위해 개발된 기술 중 하나다. 아이소셀은 기존의 이미지센서 구조와는 다르게 픽셀마다 미세한 장벽을 세워서 빛이 인접 픽셀로 넘어가지 않게 한다. 이를 통해 더 정확하게 빛을 분리해 고해상도 이미지를 생성할 수 있게 돕는 동시에 노이즈도 낮춘다.

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MAP 3. 초미세 픽셀 기술, 왜 중요할까?

이미지센서라는 용어는 생소하더라도 픽셀과 해상도는 자주 들어보았을 것이다. 픽셀(화소)은 디지털 사진이나 영상을 구성하는 최소 단위이다. 그리고 해상도는 이미지의 정밀도를 나타내는 지표로, 픽셀 수와 관련이 있다. 즉 이미지센서를 구현하는 픽셀 수가 많아질수록 사진의 해상도와 선명도가 향상된다.

사람 눈의 최대 유효 화소 수는 대략 5억 7,600만으로 알려져 있다. 고화소 기술의 발전으로 1억 화소, 2억 화소, 더 높은 화소 수의 카메라가 개발될수록, 마치 눈으로 보는 것처럼 생생하고 선명한 이미지와 영상을 얻을 수 있게 되는 것이다.

앞서 이야기한 것처럼, 이미지의 품질을 향상하려면 더 많은 픽셀을 사용해야 한다. 그런데 카메라를 위한 공간은 제한되어 있고, 이 공간에서 고화소를 구현하기 위해서는 개별 픽셀의 크기를 줄여야 한다. 작고 세밀한 픽셀을 만들어서 같은 센서 영역에서 더 많은 정보를 수집하고 표현하게 되면 고품질 이미지를 생성할 수 있기 때문이다. 바로 이 점이 반도체 업계에서 고화소 기술과 함께 ‘초미세 픽셀’ 기술을 개발하는 이유다. 이 두 기술을 효과적으로 결합하는 것 역시 지금의 반도체 업계에 주어진 주요 미션이다.

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MAP 4. Beyond Human Eye! 초미세 픽셀의 한계에 도전하다

픽셀 크기가 작아질수록 개별 픽셀이 받아들이는 빛에 대한 감도가 낮아지게 된다. 그로 인해 어두운 환경에서의 촬영 품질에 영향을 미칠 수 있다. 삼성전자 반도체는 이러한 초미세 픽셀의 한계를 극복하기 위한 이미지센서로, 0.6㎛(마이크로미터) 크기의 픽셀 2억 개를 탑재한 ‘아이소셀(ISOCELL) HP2’를 출시했다. 아이소셀 HP2는 초미세 픽셀을 구현하면서도 각 픽셀의 성능은 높이고 간섭 현상은 최소화한 제품으로, 이를 위해 다양한 이미지센서 기술이 개발되었다.

특히 ‘픽셀 비닝’은 초미세 픽셀의 저조도 문제를 해결하고자 개발되었다. 인접한 여러 개의 픽셀을 하나의 큰 픽셀로 병합해 더 많은 빛을 받아들이게 함으로써, 어두운 곳에서도 노이즈 없이 촬영할 수 있게 한다. 테트라 픽셀은 4개, 노나 픽셀은 9개의 픽셀을 하나로 결합하며, 테트라 스퀘어드 픽셀은 어두운 환경에서는 16개의 픽셀을 하나의 큰 픽셀로 결합해 노이즈를 줄여 깨끗한 사진을, 밝은 환경에서는 픽셀 배열을 재배치하는 리모자익 알고리즘을 활용해 최대 2억 화소로 디테일이 풍부한 사진을 얻을 수 있게 한다. 뿐만 아니라 8K 동영상 촬영 시에도 테트라 스퀘어드 픽셀 기능을 활용하므로 노이즈가 적고 보다 선명한 영상 촬영이 가능하다.

또한, 아이소셀 HP2는 ‘슈퍼 QPD(Quad Phase Detection)’ 기능을 탑재해 2억 개의 픽셀이 모두 Auto Focus 기능에 활용되게 함으로써 초점을 빠르고 정확하게 잡을 수 있게 했다. 마지막으로, 픽셀 당 전자 용량을 높여 HDR 성능도 향상했는데, 이를 위해 개발한 기술이 ‘D-VTG(Dual Vertical Transfer Gate, 듀얼 버티컬 트랜스퍼 게이트)’다. 이는 포토다이오드에 축적한 많은 양의 전하를 두 개의 게이트를 통해 회로에 효율적으로 전달하는 기술로, 잔상을 줄인 이미지와 높은 다이나믹 레인지(Dynamic Range, 밝기의 범위) 구현을 돕는다.

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MAP 5. 이미지센서, 이렇게도 활용된다고?

이러한 이미지센서 기술은 모바일뿐 아니라 오토모티브, AR·VR 등 다양하게 활용된다. 오토모티브에서 ‘코너픽셀’이라는 픽셀 기술을 사용하면 어두운 환경에서도 120dB의 넓은 다이내믹 래인지로 주변 환경을 정교하게 감지하고, 영상에 잔상이 남지 않아 정확한 정보로 도로 주행을 보조할 수 있다. 또한 사물에 쏜 적외선 빛이 반사되어 돌아오는 시간을 측정해 거리를 계산하는 기술인 ToF 센서는 얼굴 인식부터 AR·VR에서 사물의 3차원 입체 정보를 빠르고 정확하게 측정한다.

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MAP 6. 사용자 경험을 확장하는 차세대 기술

삼성전자 반도체는 현재 더 높은 이미지센서 성능을 위한 차세대 기술을 지속 개발하고 있다. 그중에서도 ‘줌 애니플레이스(Zoom Anyplace)’는 동영상에서 화질 저하 없이 전체 화면과 클로즈업 촬영을 동시에 가능하게 하는 초고해상도 특수 줌 기술이다. 기존에는 움직이는 대상을 촬영할 때 사용자가 수동으로 초점을 조절했다면, 줌 애니플레이스는 자동으로 멀리 있는 물체를 추적하기 때문이다. 또한, 테트라 스퀘어드 픽셀을 적용한 2억 화소 카메라 환경에서는 화질 저하 없이 4배의 클로즈업 촬영이 가능해, 넓은 공간에서 원하는 장면을 4K로 촬영할 수 있게 된다.

삼성전자 반도체는 줌 애니플레이스 외에도 고감도, 저감도 모드에서 각각의 이미지 정보를 만들고 두 정보를 합성해 하나의 HDR 사진을 만드는 기술인 ‘스마트 ISO 프로’ 등 다양한 차세대 기술을 개발함으로써 사용자 경험을 지속 확장하고 있다.

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사람의 눈, 그 이상의 기능을 실현해 가는 이미지센서에 대해 보다 자세하게 알고 싶다면 인생맛칩 ‘이미지센서’편을 참고하길 바란다.

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반도체 기술의 발전은 우리의 삶을 더욱 풍부하게 만들어 준다. 하지만 도대체 어떤 기술 덕분에 우리가 편해질 수 있는지 알아보는 길은 쉽지만은 않다.

삼성전자 반도체 뉴스룸이 이러한 어려움을 해결하기 위해 새로운 시리즈를 준비했다. 이름하여, ‘반도 Chat’! 오늘의 반도체 용어에 대해 가볍게 수다를 떠는 느낌으로 차근차근 배워 보자.

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MAP 1. 트랜지스터가 최초의 반도체라고?

첫 번째 키워드는 ‘트랜지스터’다. 트랜지스터는 반도체를 구성하는 주요 소자로 게이트를 통해 전류의 흐름을 조절하는 역할을 한다. 전자기기는 대부분 전류의 흐름을 조절하는 방식으로 정보를 저장하기에 트랜지스터는 ‘최초의 반도체’라 불린다.

위 그림에서 볼 수 있듯이 트랜지스터가 작아지면 더 빠른 연산이 가능하고, 더 적은 전력으로 동작할 수 있다. 즉, 트랜지스터를 작게 만들어 웨이퍼 하나에 얼마나 많은 트랜지스터를 넣느냐는 반도체의 성능과도 직결되는 문제다.

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MAP 2. 초미세 공정의 한계에 부딪히다

반도체를 작게 만드는, ‘초미세 공정’은 반도체 기술력의 상징으로 불린다. 반도체 크기가 작아질수록, 반도체 칩을 구성하고 있는 트랜지스터도 점점 작아져야 하는데, 이 과정에서 한가지 문제가 발생하게 된다. 바로 ‘단채널 현상(Short Channel Effect)’이다.

트랜지스터의 구조를 살펴보면 단채널 현상을 더 빠르게 이해할 수 있다. 게이트(Gate)에 전압이 가해지면 트랜지스터는 채널(Channel)을 통해 소스(Source)에서 드레인(Drain)으로 전자가 흐르면서 동작하게 된다. 하지만 트랜지스터가 점점 작아지면, 소스와 드레인 간 거리가 가까워지게 되어 누설 전류가 발생하고, 결국 너무 짧아진 게이트는 제 역할을 하지 못하게 된다.

이처럼 단채널 현상은 단어의 이름처럼 전류의 흐름을 조절하는 게이트의 길이가 너무 짧아짐에 따라 발생하는 모든 현상들을 일컫는다.

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MAP 3. 그것이 궁금하다, GAA

단채널 현상을 극복하기 위해 1차원 Planar FET부터 3차원 FinFET까지 트랜지스터 구조도 함께 발전해 왔다. GAA(Gate-All-Around)는 전류를 더 확실하게 제어할 구조를 고민한 결과 탄생한 구조이다. 4개의 채널을 4개의 게이트로 둘러싼 형태로 기존보다 더 정교한 전류 조절과, 더 확실한 전류 제어가 가능하기 때문에 성능과 특성 측면에서 훨씬 좋은 이득을 얻을 수 있다.

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MAP 4. 삼성전자 반도체만의 GAA, 궁극의 MBCFET

‘MBCFET(Multi-Bridge Channel Field Effect Transistor)’은 삼성전자 반도체만의 독자적 GAA 구조이다. 초기 GAA 구조의 채널(Channel)을 보다 넓게 만들어서, 기존 대비 통로가 넓어지기 때문에 저항이 줄어들고, 그로 인해 전류가 더 많이 흐르게 되어 누설 전류를 더욱 효과적으로 제어할 수 있다.

이러한 MBCFET은 기존의 트랜지스터보다 전력 소모를 줄이면서도 성능을 향상할 수 있는 차세대 반도체 기술로 평가된다. 기존 Nanowire보다 넓은 Nanosheet 형태로 통로가 넓어졌기 때문에 전류가 더 많이 흐를 수 있고, 원하는 수준까지 소비 전력을 줄일 수 있는 장점이 있다.

그리고 사용자가 요구하는 다양한 성능에 따라 다양한 시트를 제공한다는 점이 MBCFET 의 가장 큰 장점이다. 연산을 많이 해야 하는 CPU 같은 곳에서는 전류가 많이 흘러야 하기 때문에 넓은 시트를 사용하고, 저전력을 요구하는 곳에서는 좁은 나노시트를 써서 그 성능을 맞추게 된다.

GAA에 대한 보다 자세한 설명이 궁금하다면 반썰어 ‘GAA’편을 참고하길 바란다.

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삼성전자 반도체 인근에 위치한 오산천의 경우도 예외일 수 없습니다. 수량이 부족하여 동물들이 살아가기 힘들었던 이곳은, 삼성전자 반도체를 비롯한 많은 이들의 노력으로 건강한 수생태계를 회복했습니다. 멸종 위기 동물인 수달은 물론 그동안 거의 볼 수 없었던 다양한 동식물이 오산천을 다시 찾았다고 하는데요. 어떠한 노력을 통해 가능했는지 함께 살펴볼까요?

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인체의 각 기관으로 필요한 혈액을 보내주는 심장처럼 전자기기의 부속품에 전력을 공급해 주는 반도체가 있습니다. 바로 ‘전력관리반도체(PMIC: Power Management Integrated Circuit)’입니다. 전자장치 속 부품들은 필요한 전력이 모두 다르기 때문에 PMIC는 각 부품에 알맞게 전력을 변환하고 분배하고 제어하는 역할을 하는데요. 이를 통해 전력을 안정적이면서도 가장 효율적으로 사용할 수 있도록 합니다. 사물인터넷(IoT)과 자율주행 기술의 발전이 가속화됨에 따라 수요가 더욱 증가할 PMIC에 대한 정보를 영상을 통해 확인해 보세요!

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여러 생물들이 서로 영향을 끼치며 살아가는 지구 생태계처럼 반도체 분야 역시 다양한 회사들이 밀접하게 연결되어 있습니다. 설계부터 생산, 조립, 검사, 유통까지 각각 전문성을 갖추고 유기적으로 협력해, 진입장벽이 높은 반도체 시장의 한계를 극복하고 있는 것인데요. 생동감 넘치는 ‘반도체 생태계’의 모든 것을 <반도체 백과사전> 다섯 번째 영상을 통해 확인해 보세요!

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반도체 생태계의 기본적인 용어에 대해 알아봤던 지난 시간에 이어, 이번엔 ‘전문 용어’ 차례입니다. 반도체는 뇌나 눈처럼 사람의 신체 부위와 같은 역할을 하기도 하는데요. 전자기기의 ‘두뇌’ 역할을 하는 반도체는 무엇일까요? <반도체 백과사전> 네 번째 영상에서 정답을 확인해 보세요!

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삼성반도체이야기는 지난 2013년부터 다양한 반도체 용어를 소개해 왔습니다. 많은 양의 콘텐츠가 쌓인 만큼 그 동안 알려드린 반도체 용어를 총정리할 수 있는 콘텐츠를 준비했는데요. 반도체 분야에 관심이 많거나 공부를 하고 있는 분이라면 주목해주세요!

광도 [Luminous Intensity]
빛의 단위 중 하나. 단위는 cd(칸델라, Candela).

광속 [Luminous Flux]
빛의 단위 중 하나. 단위는 lm(루멘, Lumen).

광효율 [Luminance Efficiency]
단위전력(1W 인가시) 당 방출되는 광량(Lumen).

규소 [Silicon]
반도체적 성질을 가지고 있어 웨이퍼의 주재료가 되는 원소.

나노(nano)
반도체 회로 선폭에 사용되는 단위로 1나노미터는 10억분의 1미터에 해당.

낸드 플래시 메모리 [NAND Flash Memory]
반도체의 셀이 직렬로 배열되어 있는 플래시 메모리의 한 종류.

낸드플래시 메모리의 데이터 저장 방식
메모리카드, USB, SSD 등의 스토리지는 낸드 플래시(NAND Flash) 메모리를 사용하여 데이터를 저장. 낸드 플래시의 타입은 데이터를 저장하는 방식에 따라 SLC, MLC, TLC, QLC 등으로 나뉨.

노광 [Stepper Exposure]
마스크에 빛을 통과시켜 웨이퍼에 회로를 그려 넣는 공정.

노어 플래시 메모리 [NOR Flash Memory]
반도체의 셀이 병렬로 배열되어 있는 플래시 메모리의 한 종류.

다이오드 [Diode]
저마늄이나 규소로 만들며 정류, 발광 특성 등을 지닌 반도체 소자.

도광판 [LGP, Light Guide Plate]
BLU(Back Light Unit)의 휘도와 균일한 조명 기능을 수행하는 부품.

도체 [Conductor]
전기 혹은 열이 잘 흐르는 물질로 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al)등이 있음.

램(RAM) [Random Access Memory]
정보를 기록하고 기록해 둔 정보를 읽거나 수정할 수 있는 메모리.

롬(ROM) [Read Only Memory]
한 번 기록된 정보를 읽을 수만 있고 수정할 수 없는 메모리.

리드 프레임 [lead frame]
반도체 칩과 외부 회로를 연결하는 전선(lead)과 반도체 패키지를 기판에 고정시키는 버팀대(frame) 역할을 하는 금속기

마스크 [Mask]
반도체 집적회로의 제조공정 중 포토공정에서 사용하는 미세한 전자회로가 그려진 유리판.

머신러닝 [Machine Learning]
기계 스스로 경험적 데이터를 수집, 분석하고 학습해 스스로 성능을 향상시키는 기술.

메모리 반도체 [Memory Semiconductor]
정보(Data)를 저장하는 용도로 사용되는 반도체.

모바일 AP [Mobile Application Processor]
스마트폰, 태블릿PC와 같은 전자기기에 탑재되어 명령해석, 연산, 제어 등의 두뇌 역할을 하는 시스템 반도체.

모바일 D램 [Mobile DRAM]
모바일 기기를 작동하는 데 쓰이는 메모리 반도체.

미들•하이파워 LED 패키지 [Mid·High-Power LED Package]
일반적으로 소비전력이 1W(와트)를 넘는 제품을 하이파워, 그 미만을 미들파워 LED 패키지라고 부름.

반도체 [Semiconductor]
전기전도가 도체와 부도체의 중간정도 되는 물질.

부도체 [Insulator]
전기 혹은 열이 잘 흐르지 않는 물질.

빛의 단위
광도(cd), 광속(lm), 조도(lux), 휘도(nit), 광효율(lm/W).

산화막 [Oxide Film]
공정에서 발생하는 불순물로부터 실리콘 표면을 보호하는 막.

색온도 [Color Temperature]
광원 빛을 표시하는 방법 중 하나. 단위는 K(켈빈).

색재현율 [Color Gamut]
디스플레이에서 색을 표현할 수 있는 능력을 수치로 표현한 것.

세정공정 [Cleaning]
화학물질처리, 가스, 물리적 방법을 통해 웨이퍼 표면에 있는 불순물을 제거하는 공정.

수율 [Yield]
반도체에서 수율은 결함이 없는 합격품의 비율.

스마트카드 [Smart Card]
다양한 기능이 들어있는 반도체 집적회로(IC)가 플라스틱 카드에 삽입된 형태.

스택 공법 [Stack method]
반도체 칩 평면에 셀을 복층으로 쌓아 올려 집적도를 높이는 기술.

시스템 반도체 [System Semiconductor]
논리와 연산, 제어 기능 등을 수행하는 반도체.

식각 [Etching, 에칭]
웨이퍼에서 필요한 회로 패턴을 제외한 나머지 부분을 제거하는 공정.

신경망처리장치(NPU) [Neural Processing Unit]
우리의 뇌처럼 정보를 학습하고 처리하는 프로세서.

아이소셀 [ISOCELL]
CMOS 이미지센서의 화소(픽셀)가 미세해짐에 따라 화소간 격벽구조를 통해 빛의 간섭 현상을 억제, 성능 한계를 극복한 신기술.

양자 효율 [Quantum Efficiency]
물질 중에서 광자 또는 전자가 다른 에너지의 광자 또는 전자로 변환되는 비율.

연색지수 [Color Rendering Index]
광원의 성질 중 하나. 단위는 CRI.

웨이퍼 [Wafer]
반도체 집적회로를 만드는데 사용하는 주요 재료로, 주로 실리콘(규소, Si), 갈륨 아세나이드(GaAs) 등을 성장시켜 얻은 단결정 기둥(Ingot)을 적당한 지름으로 얇게 썬 얇은 원판모양의 판.

이미지센서 [Image Sensor]
피사체 정보를 읽어 전기적인 영상신호로 변화해주는 소자.

임베디드 플래시 로직 공정 [embedded Flash (eFlash) Logic Process]
시스템 반도체 회로 안에 플래시메모리 회로를 구현한 것.

잉곳 [Ingot]
고온에서 녹인 실리콘으로 만든 실리콘 기둥.

저항 [Resistance]
전류의 흐름을 방해하는 정도를 나타내는 성질.

전력 반도체 소자 [Power IC]
전력을 시스템에 맞게 변환, 제어하는 반도체 소자.

조도 [Illumination]
빛의 단위 중 하나. 단위는 lux(룩스).

종합 반도체 업체(IDM) [Integrated Device Manufacturer]
반도체 설계부터 완제품 생산까지 모든 분야를 자체 운영하는 업체.

증착 [Deposition]
웨이퍼 표면에 얇은 막을 씌워 전기적 특성을 갖도록 만드는 공정.

집적회로(IC) [Integrated Circuit
많은 전자회로 소자가 하나의 기판 위 또는 기판 자체에 분리 불가능한 상태로 결합되어 있는 초소형 구조의 복합적 전자소자 또는 시스템.

차량용 인포테인먼트(IVI) [In-Vehicle Infotainment]
차 안에 설치된 장비들이 차량 상태와 길 안내 등 운행과 관련된 정보는 물론, 사용자를 위한 엔터테인먼트적인 요소를 함께 제공하는 서비스.

추출효율 [Extraction Efficiency]
LED에 주입된 전자와 LED 밖으로 방출되는 광자의 비.

커패시터 [Capacitor]
전자회로에서 전기를 일시적으로 저장하는 장치로, 콘덴서(Condenser) 혹은 축전기라고도 부름.

커패시턴스 [Capacitance]
커패시터가 전하를 충전할 수 있는 능력으로 정전용량 혹은 커패시턴스(Capacitance)라고 함.

컬러빈 [Color Bin]
빈(Bin)이란 LED 패키지를 특성에 따라 나누는 것을 의미하는 것으로 컬러빈은 빛의 색상에 따라 패키지를 구분하는 것.

클래스 [Class]
반도체 클린룸의 청정도를 나타내는 단위.

트랜지스터 [Transistor]
규소나 저마늄으로 만들어진 반도체를 세 겹으로 접합하여 만든 전자회로 구성요소로, 증폭 작용과 스위칭 역할을 하는 반도체소자.

트렌치 공법 [Trench method]
반도체 칩 평면을 아래로 파내서 만든 공간에 셀을 배치해 집적도를 높이는 기술.

파운드리 [Foundry]
반도체 생산을 전담하는 위탁 생산업체.

파장 [Wavelength]
음파나 전자파 같은 주기적인 진동(Wave)이 1주기 동안 진행되는 길이.

패키징 [Packaging]
반도체 칩을 탑재될 전자기기에 적합한 형태로 만드는 공정.

팹리스 [Fabless]
생산 라인을 가지지 않고, 반도체 설계를 전문으로 하는 업체.

플래시 메모리 [Flash Memory]
전원이 끊겨도 데이터를 보존하는 특성을 가진 반도체의 한 종류.

플립칩 [Flip Chip]
LED 발광효율을 개선시키기 위한 기술 중 하나.

핀펫 공정 [FinFET, Fin Field Effect Transistor]
기존 평면(2D) 구조의 한계를 극복하기 위해 도입된 입체(3D) 구조의 공정 기술.

형광체 [Phosphor]
LED칩에서 나온 빛의 색깔을 변화시키는 데에 사용되는 물질.

휘도 [Luminance]
빛의 단위 중 하나. 단위는 nit(니트) 혹은 cd/㎡(칸델라/제곱미터).

ASIC [Application Specific Integrated Circuit, 주문형 반도체]
특정 응용 분야 및 기기의 특수한 기능 하나하나에 맞춰 만들어진 집적회로.

BLU [Back Light Unit]
액정 디스플레이(LCD)의 광원으로 사용되는 부품.

CCD 이미지센서 [CCD image sensor]
전하결합소자(CCD, Charge Coupled Device) 구조를 가진 이미지센서.

CMOS [Complementary Metal Oxide Semiconductor, 상보형 금속 산화 반도체]
마이크로프로세서나 S램 등 디지털 회로를 구성하는데 사용되는 집적회로의 한 종류.

CMOS 이미지센서(CIS) [CMOS Image Sensor, CIS]
상보형 금속산화 반도체(CMOS, Complementary Metal Oxide Semiconductor) 구조를 가진 저전력 촬상 소자.

DDI [Display Driver IC, 디스플레이 구동칩]
TFT LCD(초박막 액정표시 장치), PDP(플라즈마 디스플레이 패널) 등 디스플레이를 구동하는 IC 칩.

DSP [Digital Signal Processor, 디지털신호처리장치]
디지털 연산으로 신호를 처리하는 집적회로(IC)로 된 마이크로프로세서.

D램 [Dynamic Random Access Memory, 동적 메모리]
용량이 크고 속도가 빠르기 때문에 컴퓨터의 주력 메모리로 사용되는 램.

EDS 공정 [Electrical Die Sorting]
웨이퍼에 형성된 집적회로 칩들의 전기적 동작 여부를 선별하는 공정.

eMMC [embedded Multi Media Card]
데이터 고속처리를 위해 모바일 기기에 내장하는 저장용 메모리 반도체.

5G
최대 속도가 20Gbps에 달하는 이동통신 기술로, ‘초고속•저지연•초연결성’이 가장 큰 특징.

‘GAA 구조’ 트랜지스터
3나노 이하 초미세 회로에 도입될 GAA구조의 트랜지스터는 전류가 흐르는 채널 4면을 게이트가 둘러싸고 있어 전류의 흐름을 보다 세밀하게 제어하는 등 채널 조정 능력 극대화.

HDD [하드디스크드라이브, Hard Disk Drive]
자성체로 코팅된 원판형 기판에 데이터를 저장하는 대용량 저장장치.

LED [Light Emitting Diode, 발광 다이오드]
화합물 반도체의 일종으로 Ga(갈륨), P(인), As(비소)를 재료로 하여 만든 전기 구동형 발광 다이오드 소자.

MCP [Multi Chip Package, 다중 칩 패키지]
여러 개의 반도체 칩을 하나의 패키지로 묶은 반도체.

MCU [Micro Controller Unit]
기기 등의 조작이나 특정 시스템을 제어하는 역할을 수행하는 집적회로(IC).

NFC [Near Field communication]
10cm 이내의 근거리에서 데이터를 교환할 수 있는 무선통신기술의 하나.

NVMe [Non-Volatile Memory express]
SSD를 탑재한 서버, PC의 성능 향상과 설계 유연성을 높일 수 있도록 만든 PCIe 인터페이스 기반의 프로토콜.

N-type Semiconductor [n형 반도체]
순수한 반도체에 특정 불순물(5족 원소)을 첨가하여 전자(electron)의 수를 증가시킨 반도체.

PCI Express(PCIe) [Peripheral Component Interconnect-Express]
기존 SATA 인터페이스의 초당 데이터 전송 속도의 성능 한계를 극복한 인터페이스 규격.

P-type Semiconductor [p형 반도체]
순수한 반도체에 특정 불순물(3족 원소)을 첨가하여 정공(hole)의 수를 증가시킨 반도체.

SATA[Serial ATA, Serial Advanced Technology Attachment]
직렬 전송 방식을 사용하는 인터페이스 규격

SoC [System on Chip, 시스템 온 칩]
전체 시스템을 칩 하나에 담은 기술집약적 반도체

SSD [Solid State Drive]
메모리 반도체를 저장매체로 사용하는 차세대 대용량 저장장치.

S램 [Static Random Access Memory, 정적 메모리]
전원을 공급하는 한 저장된 데이터가 보존되는 램.

TSV [Through Silicon Via, 실리콘 관통전극]
기존 와이어를 이용해 칩을 연결하는 대신 칩에 미세한 구멍을 뚫어 상단 칩과 하단 칩을 전극으로 연결하는 패키징 기술.

3D V낸드플래시 메모리 [3D Vertical NAND, 3차원 수직구조 낸드플래시 메모리]
기존에 단층으로 배열된 셀을 3차원 수직으로 적층한 낸드플래시 메모리.

UFS [Universal Flash Storage]
국제 반도체 표준화 기구 ‘제덱(JEDEC)’의 최신 내장 메모리 규격인 ‘UFS 2.0’ 인터페이스를 적용한 차세대 초고속 플래시 메모리.

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텍스트 위주였던 과거와 달리 이미지와 영상이 범람하는 요즘. 다양한 형태의 대용량 데이터를 수집하고 실시간 처리 하는데 기존 방식의 기술은 한계가 있는데요. 향상된 연산능력과 효율성으로 새로운 데이터 시대를 이끌 차세대 반도체, ‘NPU’에 대해 알아보겠습니다.

AI를 위한 딥러닝 기술을 구현하는 NPU

사람의 몸에서 자극을 받아들여 전달하고, 이에 대해 적절한 판단을 통해 반응 신호를 보내는 체계를 신경계라고 합니다. 그 중 뇌는 감각 기관에서 받아들인 자극을 종합·판단해 명령을 내리는데요. 이렇게 우리의 뇌처럼 정보를 학습하고 처리하는 프로세서를 신경망처리장치(Neural Processing Unit), 일명 NPU라고 합니다. NPU는 셀 수없이 많은 신경세포와 시냅스로 연결되어 신호를 주고받으며 동시에 작업을 진행하는 인간의 뇌 신경세포와 유사한 작업을 진행합니다. 스스로 학습하고 판단할 수 있는 인공지능 (AI) 등이 접목되어 일명 AI 칩이라고 불리기도 하죠.

기존에는 컴퓨터의 경우 중앙처리장치(Central Processing Unit, CPU)가 이와 같은 기능을 수행하며 데이터를 처리했습니다. CPU 또한 모든 데이터를 처리하는 연산 능력을 갖고 있지만 NPU는 동시다발적인 행렬연산에 최적화된 프로세서로 여러 개의 연산을 실시간으로 처리 합니다. 그뿐 아니라 축적된 데이터를 기반으로 스스로 학습하여 최적의 값을 도출해냅니다. 이러한 특성 덕분에 NPU는 컴퓨터가 사람처럼 생각하고 배울 수 있는 기계 학습 기술을 뜻하는 딥러닝에 최적화된 기술로 평가 받고 있습니다.

인간의 뇌를 닮아 빠르고 스마트한 NPU

삼성전자는 지난 11월 프리미엄 모바일 애플리케이션 프로세서(AP, Application Processor) ‘엑시노스 9(9820)’을 공개했습니다. 인공지능 역할을 하는 NPU를 탑재해 인공지능 연산 능력이 기존 제품(9810) 대비 약 7배 향상되었는데요.
이러한 빠른 연산 속도는 증강현실(AR), 가상현실(VR)과 같이 인물과 사물의 특징을 빠르고 정확하게 파악해 역동적이면서도 재미있는 사용자 경험 (User Experience)을 제공하는 기술에서 크게 발휘됩니다. 또한, 서버와 연결을 통해 수행하던 인공지능 연산 작업이 모바일 기기 자체적으로도 가능해져 보안적인 측면도 향상되었습니다.
인공지능을 위해 필수적인 프로세서 NPU는 모바일을 넘어 자율주행차 등 4차 산업 시장에서 더욱 빛을 발할 예정인데요. 인공지능(AI) 시대에서의 NPU의 무궁무진한 발전이 더욱 기대됩니다!

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5G 시대의 도래

2018년 12월, 국내 이동통신 3사는 동시에 5G 전파 송출에 성공했습니다. 전 세계 최초로 이뤄낸 성과라 더욱 의미가 있는데요. 이로써 인공지능(AI), 클라우드, 사물인터넷(IoT), VR·AR 등의 기술을 보다 손쉽게 구현할 수 있는 5G 시대가 도래했습니다.

이 기술들은 5G 통신망이 뒷받침되어야 하는 4차 산업혁명의 핵심기술이라는 공통점이 있는데요. 세계 각국에서 5G 시장을 선점하기 위한 각축전이 벌어지고 있는 것도 4차 산업의 기술과 5G 통신망의 밀접한 상호관계 때문입니다.

5G 기술의 특징

5G 기술의 가장 큰 특징은 ‘초고속·저지연·초연결성’입니다. ‘초고속성’은 현재 4세대 이동통신기술 인 LTE(Long Term Evolution)와 비교했을 때 가장 큰 차별점이기도 한데요. 5G는 이론상 LTE보다 최대 20배 빠른 20Gbps의 속도가 될 것으로 예상됩니다. 앞으로 구현될 AR, VR과 같은 콘텐츠를 즐기기 위해서는 더욱 빠른 속도로 더 많은 데이터를 전송할 필요가 있는 것이죠.

‘초저지연’은 끊김이 없는 서비스를 의미합니다. 현재 단말기에서 기지국까지 걸리는 시간을 대폭 줄여 실시간 서비스에 더욱 가까워지는데요. 그렇기 때문에 초저지연성은 안전한 자율주행을 가능하게 하는 핵심요건입니다.

‘초연결성’은 동시에 접속할 수 있는 기기의 수가 많아지는 것을 뜻합니다. 5G 시대에는 1㎢ 이내 사물인터넷과 스마트 기기를 동시에 연결할 수 있는 양이 100만 개로, 4G의 10만 개 보다 10배 정도 늘어날 것이라 예상됩니다. 이는 선이 없는(Wireless) 스마트시티가 가능해지는 것을 의미합니다.

5G 시대의 핵심 기술

삼성전자는 국제 표준을 만족하는 5G 모뎀을 개발하며 5G 이동통신 시장에서 핵심적인 역할을 하고 있습니다. 삼성전자는 지난 7월 3.5GHz 5G NR 기지국을 공개한 데 이어, 8월 업계 최초로 5 세대 이동통신 표준(5G NR 릴리즈-15)을 적용한 멀티모드 통신 칩 ‘엑시노스 모뎀 5100’을 공개 했습니다. 이로써 사물인터넷, 오토모티브 등 산업 전분야로 확장될 5G 시장의 기술 리더십을 확보했습니다.

또 다른 5G 시대의 핵심기술로 ‘네트워크 슬라이싱(Network Slicing)’이 주목받고 있습니다. 말 그대로 네트워크를 쪼개는 것, 즉 하나의 네트워크를 분리해 각 서비스 특성에 맞춘 전용 네트워크를 제공하는 기술인데요. 4G 이동통신까지는 셀 안에서 트래픽 용량을 넓히는 것에 주력한 반면, 5G 이동통신에서는 셀 안에 얼마나 많은 장치를 수용할 수 있느냐가 중요해지면서 등장한 개념입니다. 5G 시대에도 ‘초고속·저지연·초연결’ 수준의 품질을 필요로 하지 않는 서비스가 여전히 존재하기 때문에 앞으로 이 같은 기술이 활용될 전망입니다.

코앞으로 다가온 새로운 이동통신 시대. 우리나라는 5G 기술의 연내 전국 상용화를 위해 바쁘게 달려가고 있는데요. 삼성전자 DS부문은 5G 시장을 이끌어갈 다양한 반도체 솔루션을 제공하기 위해 더욱 노력하겠습니다.

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NVMe
[Non-Volatile Memory express]

SSD를 탑재한 서버, PC의 성능 향상과 설계 유연성을 높일 수 있도록 만든 PCIe 인터페이스 기반의 프로토콜.

NVMe는 SSD의 성능을 최대한 활용할 수 있도록 개발되었으며, HDD(Hard Disk Drive)에 최적화된 기존의 SATA(Serial Advanced Technology Attachment) 인터페이스보다 6배 이상 빠른 속도를 자랑한다.

SATA 환경에서는 SSD 성능을 극대화하더라도 인터페이스의 성능 때문에 속도 한계가 생길 수 있는 반면, NVMe는 SSD가 인터페이스의 한계를 극복하고 고성능을 낼 수 있도록 도와준다. 예를 들어, 상점에서 물건을 살 때 모든 고객이 한 줄로 줄을 길게 선 상황을 SATA라고 가정하면, NVMe는 이를 여러 줄로 나누어 효율적인 처리를 가능하게 한 것이다. 따라서 NVMe는 데이터 처리를 위한 대기 시간을 크게 단축시킬 수 있다.

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아이소셀
[ISOCELL]

기존 CMOS 이미지센서의 구조를 혁신적으로 변화시켜 성능 한계를 극복한 신기술.

아이소셀은 CMOS 이미지센서를 구성하는 각 화소에 모이는 빛을 최대한 활용할 수 있도록 센서의 구조를 변화시킨 차세대 신기술이다.

‘격리하다(isolate)’와 ‘세포(cell)’의 뜻이 합쳐진 어원으로, 이미지센서를 구성하는 픽셀과 픽셀 사이에 절연부를 형성해 픽셀로 들어온 빛이 밖으로 나가지 않도록 하는 첨단 기술이다.

이로 인해 각 픽셀에 들어온 빛이 주변 픽셀에 영향을 주는 간섭현상을 최소화하여 이미지의 색상 재현성을 높이게 된다. 또한 아이소셀을 적용한 이미지센서는 어두운 환경에서도 보다 선명한 이미지를 구현하고 깨끗한 이미지를 얻을 수 있다.

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패키징

[Packaging]

반도체 칩을 탑재될 전자기기에 적합한 형태로 만드는 공정.

반도체 패키징(Packaging)은 칩을 외부 환경으로부터 보호하고, 단자 간 연결을 위해 전기적으로 포장하는 공정이다.

집적회로(IC)는 기판이나 전자기기의 구성품으로, 필요한 위치에 장착하기 위해서는 그에 맞는 모양으로 전기적인 포장을 해야 한다. 즉 상호배선, 전력 공급, 방열과 같은 역할을 한다.

또한 패키징은 반도체 칩을 보호하는 역할도 하는데, 고온이나 불순물 및 물리적 충격과 같은 다양한 외부 환경으로부터 안전하게 집적회로를 보호한다.

패키징 공정이 완료된 후 칩이 정상적으로 작동하는지 확인하는데 이를 패키지 테스트(Package Test)라고 한다. 패키지 테스트는 완제품 형태에서 진행되는데, 검사 장비에 칩을 넣고 다양한 조건에서 특성을 측정해 불량 유무를 구별한다.

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