이러한 혁신을 이루어낸 주역들, 브랜드제품비즈팀의 제품개발기획 정상진, 제품 디자인 심형섭, Future Design & Innovations팀(CDO) 김민혁, 브랜드제품마케팅그룹 몬달짓, 조유리, 허소연님을 만나보았다.

Q. T7 Resurrected가 CES 2026혁신상을 수상했는데요, 먼저 간략히 소개해 주세요.

정상진 님: T7 Resurrected는 삼성의 대표 포터블 SSD인 T7에서 파생된 제품으로, 자원 선순환을 고려해 개발한 모델입니다. 스마트폰 생산 과정에서 발생하는 알루미늄 스크랩을 활용한 첫 시도가 T7 Shield였다면, 이번에는 재생 알루미늄 100%로 외장 케이스를 제작하고, 환경 부담을 낮출 수 있는 재생 종이를 포장재에 적용했습니다.

그러면서도 T7이 가진 속도와 내구성 등 우수한 성능을 그대로 계승한 제품으로, 감히 ‘기술의 완성도와 책임 있는 디자인의 공존 가능성을 보여준 제품’이라고 말씀드릴 수 있습니다.

Q. 기존 삼성 메모리 제품과 다른 접근으로 보이는데요, T7 Resurrected를 개발하게 된 배경을 설명해주실 수 있을까요?

몬달짓 님: 삼성이 오랜 시간 고민해 온 주제 중 하나일 텐데요, 제품 개발 과정에서 사회적∙환경적으로 지속가능한 가치를 어떻게 구현할 수 있을지에서 시작된 프로젝트입니다. 그리고 이러한 원칙을 제품 개발의 각 단계에 일관되게 적용해 이끌어낸 결과물이라고 말씀드릴 수 있을 것 같습니다.

조유리 님: 맞습니다. 지속가능한 가치 소비의 중요성은 소비자의 구매 행동 변화에서도 나타나고 있는데요, 최근 특히 Gen. Z를 중심으로 환경을 고려한 가치 소비 선호가 확산되는 추세입니다. 지금까지는 포터블 SSD 소비가 주로 성능과 가격 중심으로 이루어졌다면, 앞으로는 같은 성능이라면 환경 영향도를 고려한 가치 소비가 중요한 축이 될 것입니다. 이러한 트렌드 센싱을 바탕으로 재생 소재 활용을 극대화하는 것을 제품 기획의 출발점으로 삼았고, 이 콘셉트를 구체화하는 과정에서 ‘100% 재생 알루미늄 외장 케이스의 포터블 SSD’, T7 Resurrected를 선보이게 되었습니다.

Q. 100% 재생 알루미늄 외장 케이스가 제품 디자인 관점에서도 쉽지 않은 시도였을 것 같습니다. 

심형섭 님: 맞습니다. 재생 알루미늄의 표면 품질 편차를 최소화하면서 동시에 프리미엄한 피니시를 유지하는 것이 제 디자인 커리어를 통틀어 가장 어려웠던 도전이었는데요, T7 Resurrected는 케이스에 별도 착색 공정 없이 소재 본연의 색만으로 아름다움과 고급스러운 표면을 표현하기 위해 샌드블라스트¹⁾ 질감 설계와 아노다이징²⁾ 조건을 수십 차례 반복 조정하고 검증하는 과정을 거쳐 완성할 수 있었습니다.

김민혁 님: 저는 부문 간 협력 관점에서 말씀드리고 싶은데요, T7 Resurrected 가 스마트폰 생산과정에서 발생하는 알루미늄 폐기물을 활용하는 것이기 때문에 DS/DX 부문을 넘나드는 의사 결정을 이끌어내는 과정이 쉽지만은 않았습니다. 그렇지만 CDO가 T7 Shield의 개발부터 각 부문과 장기간 논의하며 이해관계와 역할을 정리를 해왔고, 결국 이러한 협업의 기반 하에 T7 Resurrected가 출시될 수 있었던 것 같습니다.  

Q. 자원 선순환 제품이라는 특성 상 출시 준비에도 세심한 검토가 필요했을 것 같습니다. 어떤 점에 가장 집중했나요?

조유리 님: T7 Resurrected는 지금까지 출시된 삼성의 소비자 메모리 제품과는 달리, 친환경 가치를 전면에 내세운 제품인데요. 환경에 대한 사회적 관심과 소비자 인식이 높아진 만큼, 소비자에게 커뮤니케이션되는 모든 내용에서 그린워싱(Greenwashing) 우려가 없도록 사실 기반으로 표현하는 것이 무엇보다 중요했습니다.

몬달짓 님: 돌아보면, 네이밍부터 홍보 문구까지 T7 Resurrected가 추구하는 친환경 메시지와 그린워싱 위험성 사이에서 전례 없는 조율 과정이 많았습니다. 제품명, 친환경 관련 인증, 홍보 문구, 각종 제작물 등을 위해 광범위한 법무 및 컴플라이언스 리뷰가 필요했고, 그 과정에서 컴플라이언스팀·법무팀·지속가능경영사무국·탄소전략그룹 등 다양한 유관부서와 치열하게 논의하며 긴밀히 협업했습니다. 이러한 과정 덕분에 팩트 기반의 친환경 스토리텔링을 완성할 수 있었습니다.

Q. 설명을 듣고 나니 ‘T7 Resurrected’라는 제품명이 좀 새롭게 다가오네요, 제품명을 통해서 전달하고자 했던 가치는 무엇이었을지 향후 소비자의 일상이나 경험에 어떤 가치를 더하게 될지 알고 싶습니다.

허소연 님: 올해는 삼성 소비자 메모리의 브랜드 체계를 새롭게 정비하며, 고객 중심의 제품 라인업과 네이밍 원칙을 새롭게 설계한 한 해였다고 볼 수 있습니다. 그 첫 사례인 T7 Resurrected는 T7의 성능적 우수성은 유지하면서도 버려지는 알루미늄을 재가공해 제품으로 ‘새롭게 태어났다’는 정체성을 제품명에 그대로 담았습니다. 이는 단순히 제품을 지칭하는 이름에 그치는 것이 아니라, 재정비된 브랜드 체계를 기반으로 앞으로 출시될 제품들도 각 제품의 정체성에 맞는 유저 페르소나와 감성적 스토리텔링을 통해 소비자와 더 깊은 공감대를 형성해 나갈 계획이니 많은 기대 부탁드립니다.

조유리 님: 저는 T7 Resurrected가 단순히 친환경 제품 중 한 가지가 아니라, 환경 영향성을 고려하는 소비자에게 새로운 선택지를 제공하고 지속가능성의 가치를 확대·연결하는 매개체 역할을 하는 제품이라고 생각합니다. 그래서 이 제품이 하나의 변화의 씨앗이 되었으면 합니다. 다소 추상적이고 거창하게 들릴 수도 있지만, 환경 문제에 대한 책임 있는 움직임이 제품을 만드는 기업과 그 제품을 선택하는 소비자는 물론 업계 전반으로 확산되어, 우리 일상에 실질적인 변화로 이어지기를 바랍니다.

Q. 이제부터는 좀 더 미래 이야기를 해보고 싶은데요, 자원선순환 디자인의 관점에서 앞으로의 삼성전자 메모리 제품은 어떻게 달라질까요?

심형섭 님: T7 Resurrected가 전하는 메시지는 분명합니다. 지속가능성은 기능적 개선을 넘어, 소비자가 직접 보고 느끼고 선택하는 디자인 언어가 되어야 한다는 것입니다. 이 제품은 메모리 제품군에서 재활용 소재 적용을 본격화한 첫 사례로, 앞으로 메모리 제품 포트폴리오 전반에서 ‘지속가능성’을 하나의 핵심 축으로 삼을 수 있는 기반을 마련했습니다.

이 기반 위에서, 우리는 알루미늄뿐 아니라 플라스틱·글라스·바이오 기반 소재 등 적용 가능한 재생 소재를 보다 폭넓게 확대해 자원순환형 메모리 제품의 스케일을 키워갈 계획입니다. 삼성 메모리는 성능 안정성과 데이터 신뢰성을 최우선으로 확보하면서, 그 안에서 친환경적 가치를 담은 디자인 혁신을 지속해 나가겠습니다.

김민혁 님: 앞서 말씀드린 것처럼, 이번 프로젝트는 삼성전자 내 CDO·DX·DS가 함께 만들어낸 대표적인 협업 사례입니다. T7 Resurrected를 시작으로 삼성의 자원선순환 디자인 전략도 본격화될 것으로 기대합니다. 앞으로 스마트폰·생활가전·컴퓨터 등 다양한 제품군에서 발생하는 폐자원의 사용을 확대해 나갈 계획이며, 앞서 언급된 것과 같이 다양한 재생 소재 발굴을 기반으로 기술·디자인·환경이 통합된 지속가능한 디자인 언어를 구축해 나가겠습니다.

Q. 마지막으로 삼성 메모리가 준비 중인 혁신 방향성에 대해 간단히 공유해주실 수 있을까요?

몬달짓 님: T7 Resurrected에 적용한 지속가능한 설계 원칙은 포터블 SSD에서의 확장에 그치지 않고, 인터널 SSD, 메모리 카드, USB 플래시 등 더 넓은 제품군으로 확대 적용할 예정입니다. 또한 알루미늄뿐 아니라 재생 글라스, 바이오 기반 소재 등 다양한 자원순환 소재를 바탕으로 소재·공정·패키징 전반에서 화학물질 사용을 최소화해 나갈 계획입니다.

정상진 님: 자원 선순환과 동시에 다양한 기술적·기능적 혁신을 준비하고 있습니다. 더 빠른 속도를 지원하는 인터페이스가 적용된 SSD 제품뿐 아니라, 카메라 촬영에 특화된 파생 제품 등 다양한 소비자 사용 환경에 맞춘 라인업을 강화해 나갈 예정입니다. 너무 많이 말씀드린 것 같아 이제는 마무리해야 할 것 같네요. 앞으로도 많은 기대 부탁드립니다!

* 표시된 이미지는 예시용으로만 제공되며, 제품 자체 또는 해당 제품과 함께 촬영된 이미지를 정확하게 재현하지 않을 수 있습니다. 모든 이미지는 디지털 방식으로 편집, 수정 또는 보정되었습니다.
* 모든 제품 사양은 내부 테스트 결과를 반영하며 사용자의 시스템 구성에 따라 변동이 있을 수 있습니다. 실제 성능은 사용 조건과 환경에 따라 다를 수 있습니다.

_{¹⁾ 샌드블라스트: 미세 입자를 고압 분사해 표면을 고르게 깎아내는 공정으로, 불규칙한 표면 정리 및 은은한 무광 질감 표현 가능
²⁾ 아노다이징: 알루미늄 표면에 인위적으로 산화피막을 형성해 내구성을 높이고, 표면 색과 질감을 안정적으로 유지할 수 있게 하는 전기화학적 처리 공정}

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이러한 혁신을 이루어낸 주역들, 상품기획팀의 김정욱 TL, 김규동 님, 솔루션개발팀의 유수프 TL, 오영근 TL을 만나보았다.

Q. CES 2026 혁신상을 수상한 Detachable AutoSSD 제품에 대해 간략히 소개해 주세요.

김정욱 TL: Detachable AutoSSD는 까다로운 자동차 환경을 위해 특별히 설계된 업계에서 가장 빠른 속도의 차량용 고용량 스토리지 제품입니다. 임베디드 스토리지와 달리 컨트롤러와 낸드를 분리한 모듈식 E1.A 폼 팩터를 특징으로 하여 교체 및 업그레이드가 용이한 것이 장점입니다. 또한 이러한 모듈식 설계 덕분에 방열 성능과 제품 수명 역시 획기적으로 개선된 솔루션입니다.

Q. 모듈식 설계를 기존의 임베디드 스토리지와 비교한다면, 구체적으로 어떠한 장점이 있을까요?

오영근 TL: 시스템 보드 위에 장착되는 임베디드 스토리지의 경우 하나의 패키지 내에 주요 컴포넌트인 컨트롤러와 NAND가 동시에 실장되는 형태입니다. 이 경우 작은 공간에 두 개의 주요 발열 소자들이 모여있다 보니 각 소자들의 온도가 빠르게 상승한다는 단점이 있습니다. 또한, 통상 패키지 내 여러 층의 NAND 칩을 쌓아서 용량을 늘리곤 하는데, 임베디드 스토리지의 경우 패키지 공간이 국제 규격으로 정해져 있기 때문에 대용량의 스토리지를 구현하는 데에 어려움이 있습니다. 스토리지의 볼맵 역시 국제 규격으로 정의되어 있기 때문에 저희가 임의로 볼맵을 최적화 할 수 없다는 한계점이 있습니다.

반면, Detachable AutoSSD의 경우 이러한 문제들에 대응하기 위해 모듈식 설계를 채택하였습니다. 까다로운 Automotive향 신뢰성 기준에 부합하도록 개발된 컨트롤러와 NAND를 각각 분리하여 하나의 모듈에 분산 배치함으로써 소자 간 발열에 의한 성능 저하 문제를 해소하였습니다. 컨트롤러 볼맵 역시 최적화하여 신호 무결성을 확보하고, 모듈 내에 다수의 NAND 패키지를 실장함으로써 고용량을 수월하게 구현할 수 있었습니다.

가장 큰 차별점으로, 시스템 보드에 솔더링하여 실장된 임베디드 스토리지는 불량이나 성능 저하 시, 시스템 전체를 교체해야하기 때문에 비용적인 부담이 크지만, Detachable AutoSSD의 경우 모듈 단의 탈부착이 용이하기 때문에 언제든지 교체나 업그레이드가 용이하다는 장점이 있습니다.

Q. 이러한 혁신적인 제품을 개발하시게 된 배경은 무엇일까요?

김정욱 TL: Automotive 시장의 까다로운 특성을 만족하면서 탈착이 가능한 모듈 타입의 스토리지는 아직 존재하지 않았습니다. Detachable AutoSSD는 자율 주행이라는 새 시장에서 요구되는 기술적, 법제화적 과제를 고려하여 기획한 제품입니다.

기술적으로 자율 주행 시스템은 하드웨어와 소프트웨어가 통합되는 추세이며, 다양한 기능에서 발생하는 방대한 데이터를 처리하기 위해서는 성능·용량·기능을 모두 갖춘 스토리지가 필수적입니다. 또한 차량의 전체 생애 주기에 걸쳐 발생하는 센서 데이터는 3~18 페타바이트(PB) 규모에 이를 것으로 예상되는 반면, 기존의 BGA 타입 스토리지는 총 쓰기 바이트(TBW) 한계 때문에, 이러한 대용량 데이터를 법적 기준만큼 장기적으로 저장하기에는 부족합니다. 따라서 규제와 실제 운용 요구를 동시에 만족시키기 위해 교체 가능한 형태의 스토리지 도입이 필요하다고 판단하였습니다.

사실 전 세계 어떠한 전장 표준에도 Detachable 스토리지에 대한 품질, 신뢰성, 기능 등 구체적인 표준은 없었습니다. 표준 부재로 인한 시행착오와 혼란에도 불구하고 다수의 고객사와 지속적으로 논의하고 개발실과 품질실 등 모두의 노력과 협력으로 한 땀, 한 땀, 구축해 간 제품이 이 Detachable AutoSSD입니다.

Q. 차량용 고용량 스토리지라고 하셨는데, 이러한 고용량의 스토리지가 차량 내에서 어떠한 역할을 수행하나요?

김규동 님: 차량용 고용량 스토리지는 특히 로봇 택시와 같은 완전 자율 주행 차량이나 커넥티드 카에서 무엇보다 중요한 역할을 수행합니다. 특히, 완전 자율 주행 차량은 카메라, LiDAR, 레이더, 초음파 센서 등 다양한 센서를 통해 방대한 데이터를 수집합니다. 수집된 데이터는 주행 환경을 인식하고, 객체를 탐지하며, 고해상도 맵을 기반으로 경로를 계획하기 위해 활용이 되는데, 이러한 데이터를 저장하고, 실시간으로 빠르게 읽고 쓰기 위해서는 고용량 스토리지가 필수적입니다. 또한 저장된 데이터를 분석하여 중요한 데이터들은 클라우드에 저장함으로써 차세대 자율 주행 차량의 알고리즘을 지속적으로 개선하고 성능을 향상시키는 데에도 필수적인 역할을 수행합니다.

앞으로의 자동차는 단순 이동 수단이 아닌, 사용자의 제3의 생활 공간으로 역할을 할 것입니다. 커넥티드 카 기술의 발전으로 차량 내에서 음악을 듣거나, 영상을 보고, 고사양 게임을 하기도 할 것입니다. 때로는 자동차 안에서 화상 회의가 이루어지는 등 움직이는 사무실로도 변화할 것으로 기대가 됩니다.

따라서, 더 많은 데이터와 콘텐츠를 저장하고 처리할 수 있는 고성능·고용량의 스토리지는 미래 자동차 사용자의 다양한 경험을 향상시키는데 크게 기여할 것으로 기대합니다. 

Q. 이러한 고용량 스토리지를 구현하기 위해서는 어떠한 기술이 적용되었을까요? 그리고 고용량 제품이 실제 차량 사용자에게 주는 이점은 무엇이 있을까요?

오영근 TL: Detachable AutoSSD는 E1.A의 소형 폼팩터에 4TB의 고용량을 구현하기 위해서 V8 세대 1TB NAND 칩을 전장용으로 개발, 모듈에 탑재한 방식으로 현존하는 자동차용 SSD 중 최대 용량을 달성한 제품입니다. 자율 주행 차량은 LiDAR, RADAR, 카메라 등 수십 개의 센서에서 초당 수 기가바이트 이상의 데이터를 실시간으로 생성하는데 이 데이터는 사고 분석, AI 학습, 소프트웨어 업데이트 등을 위해 장시간 저장되어야 합니다.

일반적인 NAND 스토리지 제품은 일정 시간 읽기와 쓰기가 반복되면 성능이 저하되고 필연적으로 교체가 필요한데요, 고용량 제품일수록 동일한 NAND 수명 안에서 더 많은 데이터를 저장할 수 있기 때문에 SSD 교체 빈도를 2~3배 정도 줄일 수 있습니다. 또한 용량이 커짐에 따라 더 많은 데이터를 병렬 처리하게 되면 읽기 및 쓰기 성능도 자연스럽게 향상되고 따라서 저용량 제품 대비 사용자가 체감하는 속도 차이 역시 크게 나타날 것입니다.

Q. 최근에는 차량이 데이터를 생성하고 공유하는 초연결 플랫폼으로 진화하면서 데이터를 안전하게 보호하는 보안이 중요해지고 있는데, 이러한 측면에서 Detachable AutoSSD는 어떠한 강점이 있을까요? 

김규동 님: 오늘날 자동차 산업은 전기화(Electrification)와 소프트웨어 중심화라는 두 흐름에 따라 빠르게 재편되고 있습니다. 차량은 이제 단순한 이동수단을 넘어서, 데이터를 생성하고 공유하는 초연결 플랫폼으로 진화하고 있습니다. 이에 따라 주행 중 발생하는 방대한 데이터를 안전하게 보호하기 위한 보안 기술의 중요성 역시 더욱 커지고 있습니다.

Detachable AutoSSD는 모듈 타입의 스토리지로 물리적으로 분리가 가능한 구조이기 때문에 보안 기술이 특히나 중요합니다. 때문에, 스토리지 자체에 SED(Self Encrypting Drive) 기능을 적용하여 데이터를 암호화하여 저장함으로써 해커들이 SSD에 접근하더라도 내용을 해독할 수 없도록 하였습니다. 또한, SPDM(Security Protocol and Data Model) 기능을 통해 플랫폼과 SSD 간 기밀성과 무결성을 보장하는 보안 통신 세션을 설정하여 데이터 전송 과정에서의 위변조 위험을 낮추었습니다.

뿐만 아니라, 삼성전자 메모리 사업부는 자동차 산업 전반에 적용되는 보안 관리 체계 표준인 CSMS(Cybersecurity Management System) 인증을 통해 제품 개발부터 운영, 유지 보수의 전 과정을 아우르는 보안 프로세스를 갖추었음을 증명하였습니다. 즉, 개별 제품의 보안성뿐 아니라 해당 제품을 제조하는 조직 전체가 보안 체계를 어떻게 내재화하였는지에 대해 지속적인 외부 인증을 받는 등, 보안을 기업 운영의 핵심 문화로 구현하고 있습니다.

Q. 차량용 솔루션이다보니 안정성 역시 빼놓을 수 없는 중요한 요소였을 것 같습니다. 

유수프 TL: Detachable AutoSSD는 E1.A 폼팩터를 기반으로 하지만 데이터센터에서 주로 사용되는 E1.S 표준을 기반으로 설계되었습니다. 원래 E1.S 폼팩터는 자동차 환경을 고려하여 표준화 된 규격은 아니지만, 컴팩트한 사이즈와 고용량, 표준화된 인터페이스 등의 장점을 채용하는 동시에 자동차 부품에 대한 엄격한 요구사항을 충족하여 E1.A 폼팩터의 Detachable AutoSSD를 개발하였습니다.

자율 주행 차량이 주변을 정확히 인식하고 안전하게 주행하기 위해서는 안정적인 전기 연결이 필수적인데요, 연결이 끊기면 치명적인 오류와 인명 피해가 발생할 수 있기 때문입니다. 따라서 자동차용 SSD는 데이터센터의 30배 수준의 진동 및 극한의 온도, 충격, 습기 등 데이터센터보다 훨씬 가혹한 조건을 견뎌야만 합니다.

저희는 2019년 개발 초기부터 Connection 신뢰성을 핵심으로, 해당 솔루션의 개발을 최우선 목표로 하였습니다.

Detachable AutoSSD는 자동차 환경 표준에 대한 엄격한 검증을 거치고 기존 E1.S 대비 강화된 인클로저를 적용, 두 개의 나사 고정 지점으로 호스트 시스템에 견고히 장착됩니다. 또한, USCAR¹⁾ 지침을 만족하는 커넥터와 어댑터를 개발하였고, CPA²⁾를 적용하여 이중 잠금 기능을 구현하여 진동·충격·온도 변화 등으로 인한 우발적인 분리를 방지하였습니다. 이러한 통합적인 구조로 Detachable AutoSSD는 안정적인 연결과 뛰어난 신뢰성을 제공하며, 현장 설치 및 유지 보수를 용이하게 합니다. 이처럼 삼성의 Detachable AutoSSD는 개별 부품뿐 아니라 설계, 검증, 생산 기준 등 전반에 걸쳐 USCAR 지침을 준수하여 개발되었습니다.

또한 우리는 자동차 산업에서 깊은 전문성을 가진 여러 파트너와 협력하여 자동차용으로 특화된 이 혁신적인 솔루션을 완성했습니다. 앞으로 Detachable AutoSSD에 대한 사양은 엔지니어링 커뮤니티에 공개되고 가까운 시일 내에 SNIA³⁾을 통해 표준화 될 예정입니다.

Q. 마지막으로, 이러한 혁신성을 인정받은 삼성의 Detachable AutoSSD가 앞으로의 차량용 스토리지 업계를 어떻게 이끌어 갈 것으로 기대하시는지 한 말씀 부탁드립니다.

김정욱 TL: 5년 전 자동차 시장을 떠올려 보면 전기 자동차나 자율 주행의 미래에 대해 부정적인 시각이 참 많았습니다. 하지만 지금은 어떤가요? 대중화 관점에서는 조금 이르다는 생각들도 있지만 그래도 많은 개선이 있었고 심지어 중국에선 전기차의 판매 비중이 내연기관차를 넘어섰다고 합니다. 그럼 5년 후의 시장은 어떠할까요? 2030년의 도로에서는 내연 기관 자동차 보다는 자율 주행을 기반으로 하는 Lv3/Lv4 차량이 그려지지 않으신가요? 그리고 자율 주행 플랫폼과 결을 같이 하고 있는, 요즘 가장 핫이슈로 떠오르고 있는 휴머노이드 시장은 또 얼마나 발전해 있을까요? Detachable AutoSSD가 목표로 하는 시장은 현재가 아닌 5년 후의 자율 주행 차량과 휴머노이드 분야입니다. 삼성의 Detachable 스토리지가 ‘New normal’로 자리 잡아 차세대 이동 및 로봇 플랫폼의 표준 솔루션이 되는 것을 기대하고 있습니다.

김규동 님: Detachable AutoSSD는 전장 분야에 최적화된 최초의 모듈 타입, 고용량·고성능 스토리지입니다. 나아가 향후에는 Physical AI를 통해 완전 자율 주행뿐 아니라 다양한 휴머노이드 로봇 응용 시장까지도 아우를 수 있을 것으로 기대합니다. 

CES 혁신상으로 그 우수성을 입증한 삼성전자의 Detachable AutoSSD는 자동차용 부품을 넘어, 미래 자율주행 및 로봇 시장의 ‘뉴 노멀’이 될 것이다.

* 표시된 이미지는 예시용으로만 제공되며, 제품 자체 또는 해당 제품과 함께 촬영된 이미지를 정확하게 재현하지 않을 수 있습니다. 모든 이미지는 디지털 방식으로 편집, 수정 또는 보정되었습니다.
* 모든 제품 사양은 내부 테스트 결과를 반영하며 사용자의 시스템 구성에 따라 변동이 있을 수 있습니다. 실제 성능은 사용 조건과 환경에 따라 다를 수 있습니다.

_{¹⁾ USCAR(United States Council for Automotive Research): 미국 자동차 기술 연구를 위한 산업 협의체
²⁾ CPA(Connector Position Assurance): 커넥터가 완전하고 올바르게 결합된 경우에만 작동하도록 하는 보조 잠금 장치
³⁾ SNIA(Solid State Storage Industry Association): 전 세계 SSD·플래시 저장 매체 산업을 대표하는 비영리 협회}

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이러한 혁신을 이루어낸 주역들, 상품기획팀의 선창우 PL, 최승호 님, 솔루션개발팀의 윤선기 TL과 김기중 PTL을 만나보았다.

Q. CES 2026 혁신상을 수상한 PM9E1 M.2 22×42 제품에 대해 간략한 소개 부탁드립니다.

선창우 PL: 삼성전자의 PM9E1 M.2 22×42는 세계 최초로 AI에 최적화된 초소형 M.2 폼팩터 기반의 PCIe Gen5 NVMe SSD로, 획기적인 성능과 공간 효율성을 자랑하는 스토리지입니다. 프리미엄 게임, 차세대 온디바이스 AI 및 고급 컴퓨팅을 위해 설계된 PM9E1은 최대 14.5GB/s 및 12.6GB/s의 업계 최고 수준의 순차 읽기/쓰기 속도를 제공합니다. 또한 이 크기에서는 전례 없는 최대 4TB의 용량을 제공하여 공간 제약이 있는 컴퓨팅 시스템에서도 성능에 대한 타협 없이 적용될 수 있습니다.

Q. 수많은 경쟁 SSD 제품들 가운데, PM9E1 M.2 22×42 제품이 가장 우수하다고 인정 받을 수 있었던 기술적인 차별점이나 혁신 포인트는 무엇이 있을까요?

최승호 님: 이번에 수상한 PM9E1 제품은 SSD 중 최초로 컴팩트한 M.2 22x42mm 폼팩터에 양면 SSD 설계를 적용하였습니다. 드라이브의 양쪽 면에 V8 NAND와 DRAM 메모리를 전략적으로 배치하여 최대 4TB의 고용량을 달성할 수 있었습니다. 삼성전자의 혁신적인 설계 기술로, 이 정도 초소형 크기에서는 구현이 어려운 수준의 고용량을 달성하였기 때문에 이러한 점을 높이 평가 받은 것 같습니다.

또한 PM9E1 제품은 용량뿐 아니라, 속도 역시 타협 없이 획기적인 성능을 제공하면서도 50% 가량 향상된 전력 효율성까지 확보함으로써 공간 제약이 까다로운 AI PC나 고성능 랩탑 등에 최적화되었습니다. 이러한 점에서 PM9E1 제품은 기술적 우수성과 실용성을 모두 입증하며 수상작으로 선정될 수 있었던 것 같습니다.

Q. 혁신적인 제품인 만큼, 개발 중에는 많은 어려움을 겪으셨을 것으로 생각됩니다. 기억에 남는 점이 있을까요?

윤선기 TL: Client PC Performance향 고용량 SSD의 경우 NAND 패키지 외 DRAM 등의 소자가 추가적으로 필요합니다. 이 때 M.2 폼팩터의 22×42 규격은 공간이 매우 협소하기 때문에 일반적으로는 M.2 폼팩터, 22×80 규격의 단면 제품으로만 대응할 수 있었습니다. 그럼에도 불구하고, Solution 개발팀장님, 상무님 이하의 실무자들은 고객의 디바이스 설계 자유도를 높일 수 있는 초소형 폼팩터 기반의 AI PC용 고용량 PCIe Gen5 제품을 제공하고자 하는 강한 의지를 가지고 있었습니다. 이에, NAND V9부터 적용 예정이었던 소형 NAND 패키지를 V8에도 적용하는 것으로 방향성을 잡았고, 패키지 개발팀과의 적극적인 협업을 통해 개발에 착수할 수 있었습니다.

소형 폼팩터의 공간 제약으로 인해 NAND, DRAM, 컨트롤러까지 많은 부품을 작은 PCB의 양면에 배치해야 했습니다. 이로 인해 PCB 설계 제약은 물론, BOM¹⁾ 축소, 발열 관리, 기계환경신뢰성 관리 등의 까다로운 문제가 이어졌습니다. 촉박한 개발 일정에 맞추어 이러한 어려움을 해결하고 최고의 제품으로 대응하기 위하여 설 연휴도 반납하고 팀 전체가 하나 되어 개발에 몰두했던 때가 기억에 남습니다.

Q. 목표를 달성하기 위해 여러 문제를 해결해야 했던 만큼 여러 부서의 긴밀한 협력이 이루어졌을 것 같습니다.

김기중 PTL: 윤 TL님께서 설 연휴도 마다하지 않고 원 팀으로 대응한 부분을 말씀해주셨는데요, PM9E1은 기존 개발기간 대비 약 2.5개월이나 단축했기 때문에 그 과정은 매우 힘들었지만, 그만큼 과제에 참여하신 모든 분들에게는 기억에 남고 애착이 많이 가는 제품일 것 같습니다. 까다로웠던 개발 과정뿐 아니라, AI PC 분야에서도 삼성의 SSD 기술 리더십을 확고히 해보자는 모두의 강한 의지로 탄생한 제품이기에 더욱 그런 것 같습니다.

개발 당시 Project TL(PTL)로 참여하였는데요, 여러 기술적 난제가 있었지만 당초 목표를 달성하기 위해 패키지 개발, 기획, 품질, 생산 등 다양한 유관 부서가 마치 하나의 조직처럼 긴밀히 협력했습니다. 팀장님들의 빠른 의사결정과 실무자들의 즉각적인 대응 등 각 분야의 전문가들이 문제 해결을 위해 신속히 의견을 공유했던 덕분에 프로젝트 전체가 유기적으로 움직일 수 있었습니다. 특히 솔루션 개발실은 실장님의 아낌없는 지원 덕분에 업무에 더욱 몰입할 수 있었습니다. 이러한 적극적인 리더십과 조직 간 협업 덕분에 세계 최초의 초소형·고용량 SSD 구조를 구현하고 AI 워크로드에 최적화된 설계를 단기간 내 완성할 수 있었다고 생각합니다.

그 결과, 고객은 대규모 AI 모델의 빠른 로딩, 안정적인 데이터 처리 그리고 보다 쾌적한 사용자 경험이라는 실질적 가치를 얻을 수 있게 되었습니다. 무엇보다 초소형 크기의 고용량 SSD라는 점은 고객사의 PC 플랫폼 설계 자유도를 크게 높였습니다.

이처럼 이번 프로젝트는 기술력뿐 아니라 조직 간 소통과 협업 그리고 빠른 의사 결정이 이루어낸 성과라 생각합니다.

Q. 집약적으로 설계된 만큼 방열이나 내구성을 강화하기 위한 설계 역시 까다로웠을 것 같은데요.

김기중 PTL: 네 맞습니다. PM9E1의 경우 초소형 크기에 NAND, DRAM, PMIC 등과 같이 많은 컴포넌트들이 배치되다 보니, 방열 설계가 무엇보다 중요하였습니다.

아무래도 요즘에는 기업과 개개인들이 많은 데이터를 다루다 보니, 메모리가 처리해야하는 데이터량 역시 압도적이고, 발열 역시 많을 수 밖에 없는데요. PM9E1 은 이러한 대량의 데이터를 처리하는 과정에서 발생하는 발열을 극복하고 안정성을 유지하기 위해, 먼저 모사 샘플을 제작 후 열 분포도를 세밀하게 예측하였습니다. 예측된 열 분포를 바탕으로, 발열이 영향이 미칠 수 있는 BOM 구성 요소와 각 컴포넌트의 Power Rail²⁾ 등을 고려한 최적의 하드웨어 구조를 설계하였습니다. 

또한 발열 시 각 컴포넌트의 성능 저하뿐 아니라 TC(Temperature Cycle) 같은 기계적인 신뢰성 측면도 고려해야 합니다. 특히 양면 PCB 기판에 이종 패키지가 실장 될 경우 발열로 인해 TC 신뢰성이 약해지게 되는데요. 이를 위해 PCB에 낮은 열팽창 계수(CTE, Coefficient of Thermal Expansion)의 소재를 적용하여 발열로 인해 기판이 수축하거나 팽창 하는 것을 방지하였고, 추가적으로 Side-Fill 기술을 적용함으로써 발열로 인한 물리적 변형을 방지, TC 신뢰성을 강화했습니다.

뿐만 아니라 촉박한 개발 기간 내에 지연을 최소화하기 위해서는 고객사에게 제품의 특성을 당사 주도적으로 이해시킬 필요가 있었습니다. 이를 위해서 Thermal Simulation 모델 및 3D 모델을 고객에게 선제적으로 제공함으로써 고객과 눈높이를 맞추며 발열로 인한 Risk 차단에 노력을 기울였습니다.

이러한 노력들 덕분에 PM9E1은 장기간의 AI 업무 진행 중 성능 저하 없이 높은 작업 처리량을 제공함으로써 소비자들이 보다 안정적인 업무 처리가 가능하도록 할 수 있었습니다.

Q.  PM9E1이 AI에 최적화된 SSD로 설계되었다고 들었습니다. AI 애플리케이션의 요구 사항을 충족하기 위해 SSD에 요구되는 주요 특성은 무엇이며, PM9E1은 이러한 요구에 어떻게 부응하고 있는지 알고 싶습니다.

최승호 님: AI 업무 중 가장 대표적인 과정인 LLM 구동 시에는 로딩이나 학습과 같은 동작들을 다루게 되는데요. 특히 데이터 학습 시에는 모델의 상태를 저장하는 check point 작업이 많이 발생하는데, 이는 높은 순차적 쓰기 성능을 요구합니다. PM9E1은 peformance향 SSD로서 최대 12.6GB/s의 순차 쓰기 성능을 제공하여 해당 작업이 원활하게 수행될 수 있도록 도움을 줍니다. 또한 학습 모델을 로딩하는데 중요한 역할을 하게 되는 순차적 읽기 기능에서 역시 최대 14.5GB/s의 속도를 지원하며 원활한 로딩 작업이 이루어지도록 합니다.

이러한 성능으로 인해 PM9E1은 AI 애플리케이션에 최적화된 이상적인 SSD라고 볼 수 있습니다.

Q. 이번 CES 혁신상 수상을 계기로, PM9E1 제품이 향후 SSD 시장 내에서 어떠한 역할을 담당하게 될 것이라고 생각하시나요?

선창우 PL: PM9E1은 양면 설계 기술을 통해 초소형 폼팩터와 고용량을 동시에 구현한 스토리지 제품 입니다. 특히, 모바일 기기부터 울트라 슬림 노트북, 엣지 서버까지 다양한 응용 분야에서 ‘고성능·저전력’ 스토리지의 핵심 역할을 수행할 것입니다. 또한 이번 제품을 통해 당사가 추구하는 고효율·고집적 스토리지 생태계를 확장함으로써, 차세대 데이터 인프라 구축의 기반을 마련했다고 평가하고 있습니다.

김기중 PTL: PM9E1은 AI Workload 에 최적화된 SSD로 대규모 AI 모델 로딩과 온디바이스 추론, 고해상도 콘텐츠 처리 등에서 탁월한 성능을 발휘합니다. 이 제품은 방대한 데이터를 지능적으로 처리하며 컴퓨팅 효율을 극대화함으로써, AI 시대의 새로운 퍼포먼스 기준을 제시하고 있습니다. 이처럼 향후 AI PC와 고성능 플랫폼 시장에서 스토리지 혁신을 선도하는 핵심 역할을 담당할 것이라 기대합니다.

최승호 님: PM9E1 제품은 기존 Client 시장의 1-2TB 용량의 한계를 확장하며, AI 슈퍼컴퓨터와 같은 고성능 컴퓨팅 환경에 적합한 초소형·고용량 솔루션으로 자리매김하는 중입니다. 이는 시장이 요구하는 니즈를 충족하면서 회사의 기술력과 시장 경쟁력을 강화할 수 있는 혁신적인 제품으로 평가받고 있습니다. 이를 통해 삼성전자는 Client 시장에서 확고한 입지를 다지며, 미래 수요를 선점할 것으로 기대됩니다.

PM9E1은 단순한 PC용 SSD를 넘어 AI 및 고성능 컴퓨팅이 일상화되는 우리의 삶에 새로운 가능성을 제시했다.

* 표시된 이미지는 예시용으로만 제공되며, 제품 자체 또는 해당 제품과 함께 촬영된 이미지를 정확하게 재현하지 않을 수 있습니다. 모든 이미지는 디지털 방식으로 편집, 수정 또는 보정되었습니다.
* 모든 제품 사양은 내부 테스트 결과를 반영하며 사용자의 시스템 구성에 따라 변동이 있을 수 있습니다. 실제 성능은 사용 조건과 환경에 따라 다를 수 있습니다.

_{¹⁾ BOM (Bill of Materials): 제품의 설계, 제조, 조립에 필요한 모든 부품, 원자재 등의 목록
²⁾ Power Rail: 전자 회로·시스템에서 전원을 공급하는 경로}

PM9E1 SSD

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이러한 혁신을 이루어낸 주역들, 메모리 상품기획팀의 오종민 PL, 문승현 님, DRAM 선행개발팀의 최진용 PL, 개발품질팀의 김우섭 님을 만나보았다.

Q. CES 2026 혁신상을 수상한 LPDDR6 제품에 대해 간략히 소개해 주세요.

오종민 PL: AI, 엣지컴퓨팅, 모바일 기기 등이 계속해서 발전하면서 더 빠르고, 효율적이고, 안전한 저전력 메모리에 대한 요구가 커지고 있습니다. 이번에 CES에서 혁신상을 수상한 LPDDR6 제품은 이러한 요구에 발 맞추어 삼성이 세계 최초로 개발 한 차세대 저전력 DRAM 메모리 솔루션입니다.

문승현 님: LPDDR6는 10.7Gbps 이상의 빠른 속도와 함께 증가된 I/O 덕분에 대역폭 역시 큰 폭으로 확장시킴으로써 데이터 집약적인 모바일 기기나 엣지 컴퓨팅, AI 관련 업무에 최적화되어 있습니다. 뿐만 아니라, 전력 소모량 역시 획기적으로 효율화하여 성능과 에너지 효율, 안정성 간의 밸런스를 맞춘, 고성능의 온디바이스 AI 기기를 위한 필수적인 메모리 솔루션입니다.

Q. 세계 최초의 차세대 저전력 메모리 솔루션이라고 하셨는데요, 이러한 혁신을 가능하게 한 기술적인 차별점은 무엇이었을까요?

최진용 PL: 제품 이름에서 알 수 있듯이, LPDDR6는 단순 미세 공정을 통해 전세대 제품인 LPDDR5나 LPDDR5X 대비 전력 소모량을 낮춘 제품이 아니라, 회로·전력 관리 단계에서부터 AI 시대의 요구에 맞게 모두 새롭게 설계된 저전력 메모리입니다. 

LPDDR6에는 기존의 DRAM 공급 전압을 전압 특성에 따라 완벽하게 분리하여 설계할 뿐 아니라, 시스템의 요구 조건에 따라 전력을 가변적으로 활용하는 강화된 DVFS¹⁾, Dynamic Efficiency mode²⁾ 등 여러 새로운 기능이 탑재되었습니다. 이를 통해 사용자의 환경에 꼭 맞추어 전력 소모량을 효율화하는데 집중하거나, AI 작업에 필요한 메모리 성능을 순간적으로 극대화 할 수 있습니다.

또한 반도체 소자의 내·외부 전원 공급을 지능적으로 제어·관리하는 삼성만의 스마트 전력 관리 소자(Smart PMIC)와 저전력 동작 구간 확장을 위한 신규 회로 설계 기술을 적용하여, 실제 구동 환경에서 AI 연산 부하에 따른 전력을 동적으로 제어할 수 있도록 하였습니다.

이러한 설계 덕분에 LPDDR6는 전세대 대비 약 21% 향상된 에너지 효율을 달성하면서도 안정적인 고속 동작을 구현할 수 있었습니다.

Q. 쉽지 않은 과정이었을것 같은데, 이 제품을 처음 기획하실 때는 어떠한 목표에서 출발하셨을까요? 개발 중 까다로웠던 점은 무엇인지 궁금합니다.

오종민 PL: 기업 뿐 아니라, 개개인 역시 PC나 랩탑은 물론 스마트폰에서도 AI를 활용하고 있어요. 데이터는 폭발적으로 많아지는 만큼, 빠른 속도로 그리고 안정적으로 많은 대역폭의 데이터를 처리하면서도 전력 소모량은 줄여야 하는 요구에 부응 하기 위해 LPDDR6의 제품을 기획 하였습니다. 주요 SoC 업체들과의 조기 검증과 피드백을 통해 제품을 최적화하여 소비자에게 삼성의 LPDDR6를 가장 먼저 내놓기 위한 일정 경쟁력 또한 놓칠 수 없었습니다. 외부적으로는 앞서 말씀드린 여러 신규 기능이 다양한 시스템 환경에서 최대의 효율을 발휘할 수 있도록 SoC 업체 및 다수의 고객사와 함께 적극적인 기술 교류와 제품 홍보를 사전에 이루어 놓았었구요.

최진용 PL:  상품기획팀에서 LPDDR6 제품 특성 타겟과 일정을 다소 공격적으로 제시하여 개발 실무 담당자인 저로서는 당시 제법 당황했었던 기억이 이제야 다시 나네요 (웃음).

일반적으로 메모리는 동작 속도가 올라가면 전력 소모가 증가하는데요, 전력효율을 유지하면서 안정적인 고속 동작을 구현하기 위해서 사실 고민을 많이 하였습니다. LPDDR6는 저전력 확보가 제 1목표이고 이전 세대 제품인 LPDDR5 제품과는 확연히 달라진 혁신적인 목표를 가지고 있었던 만큼, 내부적으로는 신규 소자 개발부터, 공정 최적화, 제품 평가, 품질 최적화를 담당하는 유관부서 실무자 분들과도 수시로 소통하면서 시행착오를 최소화 하며 제품을 개발하였습니다.

김우섭 님: 삼성의 LPDDR6가 세계 최초로 개발되는 신제품이다보니 SoC사나 고객사 보드 실장 환경을 구축 할 수 없는 상황이었는데요, 이 까다로운 제약을 극복하기 위한 제품 자체 즉, 단품 자체에 대한 평가 진행을 위해 기존에 하지 않았던 다양한 방법론과 평가 기법 등을 진행 하였습니다.

Q. 삼성의 LPDDR 제품은 작년도 LPDDR5X 수상에 이어 올해 LPDDR6까지 수상하는 쾌거를 이루었습니다. 저전력 솔루션이 점점 더 중요한 화두가 되고 있는 것으로 보이는데요, 해당 특성이 더 이상 모바일 기기에만 요구되는 사항은 아닐 것 같습니다.

오종민 PL: 그렇습니다. 작년 LPDDR5x 10.7Gbps 제품에 이어 올해에도 삼성의 LPDDR6가 CES에서 혁신상을 연속으로 수상하게 되어 삼성의 LPDDR DRAM 제품이 혁신의 아이콘으로 자리매김 하고있는것 같아서 감회가 새롭습니다. 말씀하신대로 모바일로 대표되는 휴대용 기기에서 시작된 저전력 기술에 대한 요구는 이제 다양한 산업 분야에서 중요한 요소로 자리 잡고 있습니다. LPDDR6는 확장된 응용 호환성을 바탕으로 AI 시스템용 엣지 컴퓨팅·데이터 센터는 물론 Automotive 분야·AI PC·차세대 AI 서버 등 다양한 플랫폼에 적용돼 고성능·저전력을 자랑하는 차세대 메모리 솔루션으로서의 경쟁력을 입증하고 있습니다.

문승현 님: 최근에는 ESG나 TCO 측면에서의 고려 또한 중요한데요, LPDDR6는 에너지 사용과 공간 사용을 모두 최적화함으로써 이전에는 크기나 전력, 보안 등에 있어 타협점이 필요했던 엣지 장치 및 고밀도, 고성능 컴퓨팅 환경에서도 이상적인 솔루션이 될 수 있습니다. 이러한 점에서 저전력 솔루션이 모바일 기기를 넘어 다양한 분야에서 그 중요성이 커지고 있음을 알 수 있으며, LPDDR6가 이러한 요구 사항에 부합하는 최적의 솔루션임을 확인할 수 있습니다.

Q. 그러한 Automotive, AI 시스템 등의 환경에서 놓칠 수 없는 것이 보안 문제일 것 같습니다. 

김우섭 님: LPDDR6는 다양한 산업 분야 요구에 발맞추어 데이터 무결성, 인증, 장치 수준뿐만 아니라 시스템 수준에서의 보호를 강화하는 새로운 특성과 보안 기능을 도입하였습니다. 이러한 혁신을 통해 LPDDR6는 데이터 신뢰성과 안전성이 중요한 Automotive 시장뿐만 아니라 엔터프라이즈향 AI 서버의 엄격한 요구 사항 역시 충족할 수 있습니다. 더 광범위한 보안 애플리케이션을 가능하게 함으로써, LPDDR6는 단순한 메모리 컴포넌트가 아닌 더 안전하고 강력한 지능형 시스템을 지원하는 기본 기술이 될 것입니다.

Q. 마지막으로, 다양한 혁신 기술을 바탕으로 그 우수성을 인정 받은 삼성의 LPDDR6 제품이 현재, 그리고 향후에 시장에서 어떠한 역할을 수행할 것으로 기대하시는지 궁금합니다.

문승현 님: 삼성의 LPDDR6 제품은 차세대 인터페이스 규격 기반의 최초 제품으로, 표준화 과정에서도 삼성전자가 핵심적인 역할을 했습니다. 고객사와의 긴밀한 협의를 통해 시장 요구를 선제적으로 반영했고, 그 결과 JEDEC의 LPDDR6 표준화 시점을 앞당기는 데 주도적인 역할을 수행했습니다. 특히 최근 JEDEC 커미티의 LPDDR6 표준 발표 보도자료에 당사가 언급될 정도로, 업계 전반에서 삼성의 기술 리더십이 인정받고 있습니다. 이러한 기술력을 바탕으로 삼성전자는 모바일 및 AI 시장에서의 요구에 선제적으로 대응하고, 차세대 메모리 기술의 발전을 선도해 나갈 계획입니다.

최진용 PL: 또한 앞서 언급된 LPDDR6의 기반 기술을 활용한 AI향 모듈 솔루션인 SOCAMM, DRAM 내 연산 기능을 더한 LPDDR6-PIM 등의 여러 고성능-저전력 DRAM 기술 개발을 상품기획팀을 통하여 준비하고 있습니다. 이처럼, 모바일 기기를 넘어서 Automotive, AI 서버 등 많은 응용처로 확대되고 있는 AI 시대의 맞춤형 솔루션, 삼성의 LPDDR6 제품에 많은 기대와 응원 부탁드립니다.

LPDDR6는 모바일용 솔루션을 넘어 AI 및 고성능 컴퓨팅이 일상화되는 우리의 삶에 새로운 가능성을 제시했다.

* 표시된 이미지는 예시용으로만 제공되며, 제품 자체 또는 해당 제품과 함께 촬영된 이미지를 정확하게 재현하지 않을 수 있습니다. 모든 이미지는 디지털 방식으로 편집, 수정 또는 보정되었습니다.
* 모든 제품 사양은 내부 테스트 결과를 반영하며 사용자의 시스템 구성에 따라 변동이 있을 수 있습니다. 실제 성능은 사용 조건과 환경에 따라 다를 수 있습니다.

_{¹⁾ DVFS(Dynamic Voltage and Frequency Scaling): 동적 전압 스케일링. 시스템의 부하나 성능 요구에 따라 전압 또는 주파수를 동적으로 조절하여 에너지 효율을 극대화하는 전력 관리 기술.
²⁾ Dynamic Efficiency Mode: 메모리 사용량이 낮을 때 활성 서브채널 수와 회로 동작을 줄여 전력 소비를 최소화하는 저전력 동작 기술.}

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글로벌 반도체 학회 ‘MemCon 2024’는 AI 시대에 걸맞은 미래 메모리 솔루션에 대해 깊이 있게 다루는 장으로 다양한 글로벌 IT 기업들이 참여했다.

삼성전자는 이번 ‘MemCon 2024’에서 미래 컴퓨팅 패러다임의 초석, HBM과 CXL 솔루션에 대해 발표하고 업계 리더로서의 비전을 공유했다. HBM은 AI에 필요한 필수적인 속도와 극한의 대역폭을 제공하며, CXL은 여러 개의 인터페이스를 하나로 통합해 용량과 대역폭을 확장시킨다.

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☐ 메모리 기술 혁신 없이는 인공지능 발전이 계속될 수 없다

삼성전자는 1992년부터 30년 이상 메모리 제품 기술 분야에서의 리더십을 바탕으로 선제적인 투자를 했으며, 이를 바탕으로 적시에 최고 품질의 제품을 공급해왔다.

최근 몇 년 메모리 시장 침체에도 불구하고 삼성전자는 기술 개발과 시설 투자에 자원을 아끼지 않았으며, 작년 D램 41%, 낸드플래시 32%의 시장 점유율을 기록하는 등 메모리 시장에서 굳건한 리더십을 이어가고 있다.

AI 기술 성장에는 메모리 반도체의 발전이 필수적이다. 시스템 고성능화를 위한 고대역폭, 저전력 메모리는 물론 새로운 인터페이스와 적층 기술도 요구되고 있다.

삼성전자는 D램 기술 초격차 유지를 위해 10nm 이하 D램에 수직 채널 트랜지스터(VCT, Vertical Channel Transistor)를 활용하는 새로운 구조에 대한 선제적인 연구 개발을 진행하고 있으며, 2030년 3D D램 상용화에 나설 계획이다.

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☐ 삼성전자, AI 시대의 메모리 솔루션 준비 현황

2024년 하반기는 HBM 공급 개선으로 AI 서버 확산이 가속화될 뿐만 아니라, Conventional 서버와 스토리지 수요도 증가하는 선순환이 뚜렷하게 나타날 것으로 예상된다.

삼성전자는 2016년 업계 최초로 고성능 컴퓨팅(HPC)용 HBM 사업화를 시작하며, AI용 메모리 시장을 본격적으로 개척했고, 2016년부터 2024년까지 예상되는 총 HBM 매출은 100억 불이 넘을 것으로 전망된다.

삼성전자는 HBM3E 8단 제품에 대해 지난달부터 양산에 들어갔으며, 업계 내 고용량 제품에 대한 고객 니즈 증가세에 발맞추어 업계 최초로 개발한 12단 제품도 2분기 내 양산할 예정으로 Ramp-up 또한 가속화할 계획이다.

앞으로 삼성전자는 성장하는 생성형 AI용 수요 대응을 위해 HBM 캐파 확대와 함께 공급을 지속 늘려나갈 것이다.

한편 온디바이스 AI(On-Device AI) 관련 제품 또한 확대 중이다. PC·노트북 D램 시장의 판도를 바꿀 LPCAMM2를 2023년 9월 업계 최초로 개발했고, 기존 LPDDR 대비 고대역폭을 가지고 있어 기기에서 생성되는 데이터를 실시간으로 처리할 수 있는 LLW(Low Latency Wide I/O)를 개발 중에 있다.

또한 기존 D램과 공존하며 시스템 내 대역폭과 용량을 확장할 수 있는 CMM-D는 거대 데이터 처리가 요구되는 차세대 컴퓨팅 시장에서 주목받을 것으로 예상되며, 삼성전자는 CXL 메모리 생태계 구축을 위해 제품 개발 및 사업 협력을 선도하고 있다.

이 밖에도 미래 AI 시대를 대비하기 위해 컴퓨테이셔널 메모리(Computational Memory), 첨단 패키지(Advanced Package) 기술 등을 통해 새로운 솔루션 발굴을 추진하고 있다.

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☐ 고객 맞춤형으로 진화하는 차세대 HBM

최근 HBM에는 맞춤형(Custom) HBM이라는 표현이 붙기 시작했다. 이는 AI 반도체 시장에서 메모리 반도체가 더 이상 범용 제품이 아니라는 것을 의미한다고 볼 수 있다.

삼성전자는 고객별로 최적화된 ‘맞춤형 HBM’ 제품으로 주요 고객사들의 수요를 충족시킬 계획이다. HBM 제품은 D램 셀을 사용하여 만든 코어 다이와 SoC와의 인터페이스를 위한 버퍼 다이로 구성되는데, 고객들은 버퍼 다이 영역에 대해 맞춤형 IP 설계를 요청할 수 있다.

이는 HBM 개발 및 공급을 위한 비즈니스 계획에서부터 D램 셀 개발, 로직 설계, 패키징 및 품질 검증에 이르기까지 모든 분야에서 차별화 및 최적화가 주요 경쟁 요인이 될 것임을 의미한다.

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☐ 차세대 HBM 초격차를 위해 종합 반도체 역량 활용

변화무쌍한 AI 시대에서 고객들이 원하는 시스템 디자인을 완벽히 이해하고, 미래 기술 환경까지 고려해 시스템의 발전을 예측하고 주도하기 위해서는 종합 반도체 역량을 십분 활용해야 한다.

삼성전자는 차세대 HBM 초격차 달성을 위해 메모리뿐만 아니라 파운드리, 시스템LSI, AVP의 차별화된 사업부 역량과 리소스를 총 집결해 경계를 뛰어넘는 차세대 혁신을 주도해 나갈 계획이다.

이를 위해 삼성전자는 올 초부터 각 사업부의 우수 엔지니어들을 한데 모아 차세대 HBM 전담팀을 구성해 맞춤형 HBM 최적화를 위한 연구 및 개발에 박차를 가하고 있다.

삼성전자는 업계에서 단시간에 따라올 수 없는 종합 반도체 역량을 바탕으로 AI 시대에 걸맞은 최적의 솔루션을 지속적으로 선보일 예정이다.

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인생맛칩이 새로운 시리즈로 돌아왔습니다. 어렵고 익숙하지 않은 반도체 용어를 쉽고 재미있게 소개하는 ‘반도체어 썰어드립니다(반썰어)’ 시리즈인데요. 오늘 처음으로 파헤쳐 볼 용어는 무엇일까요? 바로 AI의 성능을 획기적으로 높여 줄 지능형 반도체, ‘PIM(Processing In Memory)’입니다.

요즘 어떤 질문에도 척척 대답하는 챗GPT가 연일 화제죠. 질문에 대한 간단한 대답은 물론, 생각을 요하는 광고 문구나 소설까지 작성할 수 있어 4차 산업혁명 시대가 왔다는 것을 실감할 수 있습니다. 그런데, 이 챗GPT에 대해 알아가다 보면, PIM이라는 용어가 종종 함께 등장한다는 사실을 아시나요?

PIM은 메모리 안에 연산장치를 포함한 지능형 반도체로, 메모리와 CPU 간의 데이터 이동을 줄여주는 장치인데요. 지연 현상으로 대답이 단어 단위로 뚝뚝 끊기는 AI에 HBM-PIM*을 더하면 끊김이 없는 대답을 엿볼 수 있다고 합니다. 미래 AI 반도체 산업의 핵심, PIM의 놀라운 잠재력을 더 알고 싶다면, 지금 바로 영상을 시청해보세요.

*HBM-PIM: 삼성전자가 세계 최초로 개발한 기술로 메모리 영역에서 연산 처리가 가능해 CPU와 메모리 간 데이터 이동을 줄여 시스템 성능은 올리고, 에너지 소비는 감소시키는 것이 특징

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지난 1월 5일, 미국 라스베이거스 컨벤션 센터에서 막을 올린 세계 최대의 가전·IT 박람회 ‘CES 2023’! CES를 주관하는 전미소비자기술협회(CTA)는 매년 CES 행사에 앞서 업계 내 혁신적인 기술을 선보인 제품들을 선정해 ‘CES 혁신상(CES Innovation Award)’을 수여합니다. 30여 개의 카테고리에서 500개 제품이 ‘CES 혁신상(honoree)’을 받으며, 그 중 기술, 디자인, 혁신성에서 가장 높은 평가를 받은 20개의 제품만이 ‘최고혁신상(Best of Innovation)’을 받습니다.

올해도 첨단 기술을 뽐낸 다채로운 제품들이 최고혁신상을 수상했는데요. 자랑스럽게도 지문 인식 센서와 보안 프로세서, 소프트웨어 등을 통합해 하나의 칩으로 만든 삼성전자 반도체의 ‘지문인증 IC’가 당당히 한 자리를 차지했습니다. 이외에도 물건을 들어올리는 작업을 할 때 착용하면 최대 30kg의 무게를 지지해주는 웨어러블 수트 △ Cray X exoskeleton, 운전자가 없이도 GPS와 스테레오 카메라, 센서, 인공지능을 이용해 농장 일을 수행하는 자율주행 트랙터 △ John Deere autonomous tractor, 메타버스 안에서 음악 스트리밍을 할 수 있는 서비스 △ Meta Music System, 생분해성 캡슐에 부착된 RFID를 통해 원두별로 분쇄와 조리법을 인식해 알아서 커피를 내려주는 △ xBloom whole-bean capsule system, 그리고 자동차에 탔을 때 인포테인먼트와 내비게이션 등의 서비스를 창문에 있는 디스플레이에서 즐길 수 있도록 하는 ‘Flexible cover window’ 등의 제품들이 이목을 집중시켰습니다.

삼성전자는 총 43개 제품이 혁신상을 받았던 작년에 이어, 올해는 총 46개의 혁신상을 수상하며 2020년과 동일하게 역대 최다 수상의 기록을 세웠습니다. 그 중에서도 삼성전자 DS 부문(삼성전자 반도체)은 가장 높은 상격인 ‘최고혁신상(Best of Innovation)’ 수상 1개를 포함해 총 7개 제품이 CES 혁신상(Honoree)에 선정되는 쾌거를 이뤘다는 점! 수상한 제품들은 최고혁신상을 받은 ▲ 지문인증IC S3B512C를 비롯해, ▲ 엑시노스 W920와 엑시노스 RF 6550 ▲ 아이소셀 HP3 ▲ AutoSSD AM991 ▲ 512GB 메모리 익스팬더 ▲ LPDDR5X uMCP ▲ 990 PRO with Heatsink입니다.

CES 2023에서 혁신상을 수상한 삼성전자 반도체 제품들은 총 두 군데에서 만나볼 수 있었는데요. 앙코르 앳 윈 호텔(Encore At Wynn Hotel)에서 삼성전자 반도체가 개최한 ‘Samsung Semiconductor Showcase’와 더불어 CES 주최측에서 더 베네시안 리조트(The Venetian Resort Hotel)에 혁신상 수상작을 모아 전시한 ‘Innovation Awards Showcase’가 바로 그곳!

특히 ‘Innovation Awards Showcase’의 경우, 혁신상을 수상한 모든 제품들을 한데 모아 선보이는 전시관이기에 더욱 의미가 깊었습니다. 많은 수상작들 사이에서 당당하게 전 세계인들을 만난 삼성전자 반도체의 혁신 제품들, 상상되시나요? 과연 어떤 제품들인지 지금 바로 삼성전자 반도체 뉴스룸이 자세히 안내해 드리겠습니다!

혁신에 혁신을 더하다! 미래 첨단 라이프스타일을 앞당길 시스템 반도체 수상작

인간의 두뇌 및 감각과 같은 기능을 하는 시스템 반도체. 우리의 삶을 안전하고 편리하게 해주는 기술이 등장할 때마다, 시스템 반도체의 역할도 계속해서 커진다는 사실, 알고 계셨나요? 삼성전자 반도체는 연일 쏟아져 나오는 미래 첨단 기술에 대응할 수 있는 시스템 반도체 제품들을 지속적으로 연구하고 개발하고 있는데요. 이러한 노력이 결실을 거둬, 이번 CES 2023에서 여러 시스템 반도체 제품이 CES 혁신상을 수상하게 되었습니다. 어떤 제품들이 수상의 영광을 안았는지 함께 살펴볼까요?

디지털 기술이 발전됨에 따라 우리 생활은 편리해졌지만, 사이버 범죄나 보안에 대한 불안도 나날이 커져가는 것이 현실인데요. 이러한 문제를 해결하는 데 획기적인 도움을 줄 제품 ‘지문인증IC S3B512C’가 CES 2023 사이버 보안 및 개인 정보 보호 부문에서 최고혁신상을 수상했습니다. 지문인증 카드는 사용자의 지문 정보를 읽고, 인증할 수 있는 IC가 내장되어 차세대 결제 수단으로 각광받고 있는데요. 지문인증 카드의 대중화를 위해서는 카드 제조사들이 더 쉽고 낮은 가격으로 카드를 제작할 수 있어야겠죠?

삼성전자의 지문인증 IC는 카드 제작에 필요한 지문 센서, 보안칩, 보안 프로세서는 물론 위조 지문을 인식하는 알고리즘 등을 모두 통합한 업계 최초의 올인원 솔루션 입니다. 지문 센서에 손가락을 올린 상태에서 카드를 단말기에 삽입하거나 터치하면 결제가 진행되도록 해, 사용자에게 높은 편의성과 보안성을 제공합니다. 오직 자신의 지문만을 이용해 결제하는 지문인증 카드가 대중화될 수 있는 길을 연 제품으로, 보안 카드 시장에 새로운 패러다임을 제시할 것으로 전망됩니다.

이제는 라이프스타일의 일부가 된 웨어러블 기기들도 시스템 반도체가 없이는 동작할 수 없습니다. CES 혁신상 웨어러블 기술 부문에서 수상한 ‘엑시노스 W920’ 웨어러블 프로세서와 ‘엑시노스 RF 6550’ 커넥티비티 솔루션은 웨어러블 기기들이 새로운 세대로 나아갈 발판을 마련해주었습니다. 엑시노스 W920은 웨어러블 기기의 화려한 사용자 인터페이스와 최신 애플리케이션들이 빠르게 작동시킬 수 있는 다양한 기능들을 작은 칩 안에 통합했고, 엑시노스 RF 6550은 웨어러블 기기의 와이파이나 블루투스를 통한 무선 연결은 물론 GNSS (글로벌위성항법시스템) 기능을 통합해 위치 기반의 서비스를 가능하게 합니다. 이들 제품은 특히 전력 소모를 최소화하도록 설계되어 사용자들은 배터리 걱정 없이 더 오랜 시간동안 웨어러블 경험을 즐길 수 있습니다.

디지털 이미징 및 사진 부문에서 혁신상을 수상한 ‘아이소셀 HP3 이미지센서’. 이 제품에 탑재된 픽셀의 개수는 얼마일까요? 정답은 무려 2억 개! 그리고 각 픽셀은 업계 최소 크기인 0.56㎛로 이루어져 있는 등, 아이소셀 HP3은 최첨단, 초고화소의 모바일용 이미지센서입니다. 또한 모든 픽셀을 활용한 자동 초점 기능과 함께, 초당 30 프레임의 8K 초고해상도 비디오 촬영 기능도 제공합니다. 아이소셀 HP3을 적용한 기기에서는 마음껏 이미지를 확대하고 편집하더라도 사진의 품질이 저해되지 않기 때문에 더욱 즐겁고 편리한 사용자 경험을 선사할 수 있습니다.

4차 산업혁명의 중심! CES 2023을 빛낸 메모리 반도체 수상작

4차 산업혁명 시대를 앞당길 첨단 기술들, 5G, 인공지능, 자율주행, 메타버스… 이들 기술의 발전에는 첨단 메모리 반도체 기술력이 필수적인 요건입니다. 전 세계 메모리 반도체 시장에서 무려 30년간이나 선두를 유지하며, 기술 혁신을 이끌어 가고 있는 삼성전자 반도체. 이를 증명하듯 CES 혁신상을 수상한 삼성전자의 메모리 반도체 제품들을 소개합니다.

차량 엔터테인먼트 및 안전 부문에서 혁신상을 수상한 ‘1TB NVMe BGA AutoSSD AM991’은 나날이 발전하고 있는 자율주행(Autonomous Driving) 기술과 차량 내 인포테인먼트(In-Vehicle Infortainment) 요구에 발맞춰 개발된 SSD 솔루션입니다. 가로 2cm, 세로 1.6cm의 작은 패키지 안에 업계 최고 용량인 1TB의 대용량 메모리를 제공합니다. 또한, PCIe 3.0 인터페이스에 기반해, 연속 쓰기 속도 최대 1,150MB/s를 지원하기에 안정적이고 빠른 데이터 저장이 가능하며, 삼성전자가 독자 개발한 컨트롤러와 전용 펌웨어 설계를 갖추고 있어, 앞으로 더욱 고도화될 첨단 운전자 보조 시스템(ADAS), 자율주행(AD), 인포테인먼트(IVI) 시스템에 맞는 최적의 솔루션을 제공합니다.

‘512GB 메모리 익스팬더(Memory Expander)’는 빠르게 진화하고 있는 데이터 기반 기술 발전에 대응할 솔루션으로, 데이터 처리량 폭증에 대응해 서버의 메모리 용량을 획기적으로 확장할 수 있게 합니다. 특히, 기존 하드웨어의 구조적인 한계를 극복할 수 있는 장점을 인정받아 혁신상 수상작으로 선정되었는데요. 기존 서버의 구조를 통째로 바꾸거나 CPU를 교체하지 않고도, CXL 인터페이스 적용만으로 서버 시스템의 D램 용량을 쉽게 늘릴 수 있도록 고안해 차세대 IT 시장에서 AI와 머신러닝 응용에 특히 주목받을 것으로 기대되는 제품입니다. 최대 512GB 용량의 DDR5 DRAM을 제공해 서버 시스템의 메모리 용량을 손쉽게 테라바이트 스케일로 확장할 수 있으며, 대역폭 또한 초당 테라바이트대로 증가시킬 수 있는 점이 특장점입니다.

스마트폰을 포함한 모바일 기기는 우리 생활에 필수품으로 자리잡은지 오래인데요. 모바일 기기가 점점 스마트해지고 각종 기능이 추가되고 있는 가운데, 사용자들은 고해상도와 대용량 콘텐츠의 끊김 없는 빠른 구동을 원하고 있습니다. 삼성전자는 이러한 시장의 요구를 만족시키기 위해, 업계 최초로 16GB LPDDR5X 모바일 D램과 1TB의 UFS 3.1 낸드플래시를 탑재해 하나의 고용량 멀티칩 패키지로 만든 ‘LPDDR5X uMCP’를 선보였습니다.

LPDDR5X는 이전 세대 LPDDR5에 비해 약 1.2배의 향상된 동작 속도를 안정적으로 지원하며, 7세대 V낸드를 적용한 UFS 3.1는 고용량 데이터를 최대한 빨리 다운로드 할 수 있게 합니다. 이번 uMCP 제품은 기존 플래그십 모바일 기기에서만 구현할 수 있었던 고대역, 고용량 기반 AI, 5G, 4K/6K 고해상도 멀티미디어, AR/VR 등의 기술을 하이엔드, 미드엔드급 기기에서도 안정적이고 원활하게 경험할 수 있도록 지원할 것입니다.

게이밍에 최적화된 고성능 SSD, ‘NVMe SSD 990 PRO with Heatsink’ 역시 혁신상 수상을 놓치지 않았는데요. 컴퓨터 주변기기 및 액세서리 부문에서 혁신상을 수상한 이 제품은 향상된 속도와 높은 전력 효율로 고성능 그래픽 게임, 4K/8K 고화질 비디오, 3D 렌더링, 빅데이터 분석 등 초고속 데이터 처리 작업이 요구되는 사용 환경에서 최고의 성능을 제공합니다. 제품의 앞뒤에 히트싱크(Heatsink)를 부착해, 사용 도중 발생할 수 있는 과열로 인한 성능 저하를 방지하는 동시에 RGB 조명 기능을 활용해 PC에 나만의 스타일을 더할 수 있습니다.

한편, SystemLSI사업부 LSI개발실 Security&Power제품개발팀의 구관본 상무와 메모리사업부 상품기획팀 Automotive그룹 김택수 님은 CES 2023 혁신상 수상에 대해 다음과 같은 소회를 밝혔습니다.

“CES 2023에서 지문인증IC가 최고혁신상을 수상하게 되어 굉장히 영광스럽습니다. 그동안 제품을 개발하던 임직원들의 노력이 성과가 되어 값진 결과로 이어진 것 같아 기분이 좋습니다. 이번 지문인증 IC를 통해 지문인증 카드가 보다 대중화되고, 보안을 걱정하던 대중들이 좀 더 마음 놓고 편하게 카드를 사용할 수 있는 환경이 될 수 있기를 기대합니다”

-SystemLSI사업부 LSI개발실 Security&Power제품개발팀 구관본 상무

“1TB NVMe BGA AutoSSD는 제품의 초기 기획 단계부터 양산까지 함께 했던 저에게는 자식 같은 제품입니다. 이번에 혁신상을 수상하게 되면서, 그동안 거쳐갔던 수많은 사람들의 노력이 헛되지 않았던 것 같아 많은 보람을 느꼈고, 마치 자식이 해외에서 상을 받은 것만큼 뿌듯합니다”

– 메모리사업부 상품기획팀 Automotive그룹 김택수 님

지금까지 CES 2023 혁신상을 수상한 삼성전자 반도체 제품들을 살펴보았습니다. 무궁무진한 가능성과 첨단 기술력으로 미래 디지털 환경을 변화시킬 삼성전자 반도체에 앞으로도 많은 관심과 응원 부탁드립니다!

영상으로 만나보는 삼성전자 반도체의 CES 2023 혁신상 수상작

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미래를 이끌 글로벌 기술 트렌드를 엿볼 수 있는 ‘CES 2023’이 1월 5일(현지시각 기준) 미국 라스베이거스에서 개최되었습니다. CES(The International Consumer Electronics Show)는 미국소비자기술협회가 1967년부터 매년 진행하고 있는 세계 최대의 가전·IT 박람회로, 수많은 기업들이 참가해 최신 제품과 혁신 기술을 선보이는 자리입니다.

이번 CES 2023에서 삼성전자 반도체는 앙코르 앳 윈 호텔(Encore At Wynn Hotel, 이하 앙코르) 내 ‘Samsung Semiconductor Showcase’라는 별도의 전시 공간을 마련해 초청한 고객들을 대상으로 혁신적인 기술력을 집약한 반도체 제품들을 선보였습니다. 기술이 발달하고, 일상이 편리해질수록 그 기술력을 뒷받침해주는 반도체의 역할은 점점 더 중요해지고 있습니다. 특히 메모리 반도체는 스마트폰, TV, 컴퓨터, 스마트워치 등 우리의 일상 곳곳에 녹아 들어 있는데요. 우리의 일상을 한층 편리하게 해주는 첨단 메모리 제품들을 Samsung Semiconductor Showcase 현장에서 만나보았습니다.

미래를 선도할 메모리 제품들이 한자리에

삼성전자 반도체는 그동안 독보적인 기술력으로 세계 메모리 반도체 시장을 이끌어왔는데요. 앙코르 호텔 내부에 꾸려진 전시 공간에는 업계를 리딩할 차세대 PC, 서버, 모바일용 메모리 제품들로 가득했습니다. 전시 공간은 오전 8시부터 입장이 시작되었는데요. 비교적 이른 시간임에도 많은 고객들의 발걸음이 쉴 새 없이 이어졌습니다. 이번 전시에서 삼성전자 반도체는 고성능은 물론 높은 에너지 효율에 중점을 둔 탁월한 메모리 제품 라인업을 선보였는데요. 과연 어떤 제품들이 비즈니스 파트너들의 눈길을 사로잡았을까요?

성능의 한계는 어디까지? DDR5 모듈 & 모바일용 UFS 4.0 메모리

고속, 대용량의 데이터 처리가 필요한 고성능 컴퓨팅, AI 등에 사용되는 최신 D램인 DDR5. 이번 Samsung Semiconductor Showcase에서는 14나노 공정 기반의 24Gb DDR5 칩으로 만든 모듈인 PC용 ‘UDIMM’과 서버용 ‘RDIMM’을 만나볼 수 있습니다. PC용 DDR5 UDIMM은 현존하는 PC용 DDR5 모듈 중 최고 용량인 48GB를 자랑하는 제품으로 높은 성능을 갖추고 있어, 빠른 데이터 처리, 3D 모델링이나 고해상도의 게이밍을 즐기기 원하는 PC 사용자들에게 적합한 D램 모듈입니다. 또한 워크스테이션이나 entry level의 서버에도 사용할 수 있습니다.

업계 최초의 512GB 용량 서버용 모듈인 DDR5 RDIMM은 이전 모듈 대비 성능과 용량은 2배로 늘어나고 전력 효율은 30% 향상된 제품인데요. 성능은 물론, 전력 효율의 향상을 통해 서버와 데이터센터의 에너지 소비를 줄임으로써, 환경을 위한 지속 가능한 발전에도 기여할 것으로 많은 기대감을 모으고 있습니다.

모바일용 차세대 규격인 UFS 4.0에 맞춰 플래시 메모리를 더욱 콤팩트한 패키지로 구현한 고성능 임베디드 칩인 삼성전자 ‘UFS 4.0’. 연속 읽기 4200MB/s, 연속 쓰기 2800MB/s를 제공하며, 데이터 전송 대역폭(bandwidth)이 기존 UFS 3.1 규격의 2배인 23.3Gbps에 달해, 더욱 빠르게 데이터를 저장하고 읽을 수 있는 것이 특징인 제품입니다. 최신 스마트폰을 비롯한 모바일 기기에 탑재될 예정이며, 앞으로는 차량용 반도체와 메타버스 기기 등에도 광범위하게 확산될 것으로 기대됩니다.

빠른 데이터 처리 성능을 자랑하는 최신 SSD 제품들

메모리 반도체 전시에 SSD가 빠질 수 없죠? 지난 해 ‘삼성 테크 데이 2022’에서 공개됐던 삼성전자 반도체의 최신 고성능 SSD 제품들을 이번 현장에서도 엿볼 수 있었습니다.

메타버스나 인공지능 등 데이터 처리량이 많은 분야에 사용되는 서버용 ‘PM1743’ 제품이 그중 하나였는데요. 기존 PCIe 4.0 대비 대역폭이 2배로 커진 최신 PCIe 5.0 규격을 기반으로 최대 15.36TB의 큰 저장 용량과 14000MB/s의 빠른 연속 읽기 속도를 자랑합니다. 이전 세대에 비해 약 40% 향상된 전력 효율을 바탕으로 서버와 데이터센터에서 운영 효율을 크게 높일 수 있어 탄소 배출과 에너지 사용을 줄이는데 큰 기여를 하는 제품이기도 합니다.

폭증하는 데이터 처리를 위한 최첨단 메모리 솔루션

초거대 AI 모델을 지원하기 위한 최첨단 솔루션, PIM(Processing-in-Memory)과 PNM(Processing-near-Memory) 기술도 이번 CES에서 만날 수 있었습니다. PIM(Processing-in-Memory)은 프로세서가 수행하는 데이터 연산 기능을 메모리 내부에 구현한 기술로, PIM 기술을 활용한 ‘HBM-PIM’ 솔루션을 활용한다면, 기존의 PIM 기술을 적용하지 않은 GPU 가속기와 비교해, 평균적으로 약 2배 증가한 성능과 약 50%의 에너지 소모를 아낄 수 있을 걸로 기대됩니다.

PNM(Processing-near-Memory) 역시 PIM처럼 메모리를 데이터 연산 기능에 활용해 CPU와 메모리 간 데이터 이동을 줄여주는 기술인데요. 삼성전자 반도체가 최근 개발한 ‘CXL-PNM’ 기술은 메모리의 효율적인 사용과 용량 확장을 용이하게 해주는 CXL 인터페이스를 활용합니다. 높은 메모리 대역폭을 요구하는 추천 시스템이나 인-메모리 데이터베이스 등의 응용에서 약 2배 이상의 성능 향상을 기대할 수 있습니다.

한편, CXL 인터페이스를 활용한 ‘512GB Memory Expander’ 제품도 많은 관심을 모았는데요. 이 솔루션을 활용하면, 서버 시스템에서 별도의 CPU를 추가하지 않고도 메모리 용량을 테라바이트(TB) 레벨까지 손쉽게 늘릴 수 있고 대역폭도 획기적으로 증가시킬 수 있어, 데이터 처리량이 날로 폭증하고 있는 가운데 고객들에게 이상적인 해결방안을 제시하는 제품입니다.

제품을 담당하고 있는 메모리사업부 신사업기획팀 김준 님은 “Memory Expander는 최근의 트렌드인 AI나 빅데이터와 같은 응용처에서 폭증하는 데이터 처리 수요를 충족할 수 있는 제품이다”는 설명과 함께 “전세계 최초로 512GB의 용량을 제공하고 있으면서도 하드웨어와 소프트웨어 솔루션까지 제공하는 통합 솔루션 프로바이더로서 차세대 메모리 생태계를 구축하고 있다”며 제품에 대한 자부심을 드러냈습니다.

미래 기술과 지속 가능한 환경을 위한 노력

한편, 이번 CES에는 처음으로 Sustainability zone도 마련되어 방문한 고객들에게 삼성전자 반도체의 친환경 비전도 선보였습니다. 이 공간에서는 “기술을 지속가능하게 하는 기술”이라는 친환경 비전에 따라 삼성전자 반도체의 4대 환경 목표를 소개하고, 이를 실현하기 위한 주요 기술인 업계 유일의 온실가스 통합 처리 시설 ‘RCS (Regenerative Catalytic System)’도 소개하였습니다. RCS는 처리 효율이 95%로 내구성이 뛰어난 촉매를 활용하여 온실가스 처리율을 더욱 높인 삼성전자 반도체만의 독자적인 기술로서, 이러한 혁신적인 기술을 바탕으로 삼성전자 반도체가 꿈꾸는 지속가능한 미래를 CES를 방문한 고객들과 공유했습니다.

또한 원료 추출부터 제품 개발, 생산 및 폐기에 이르는 전 과정에서 자연에 미치는 영향을 최소화하고자 진행하고 있는 ’LCA (Life Cycle Assessment’ 프로세스를 소개했으며, 이러한 노력을 인정받아 업계 최초로 받은 탄소 발자국 인증과 “탄소 저감 인증 등의 성과도 함께 전시했습니다.

미래 메모리 반도체 기술의 혁신 방향을 제시하고, 반도체 업계의 지속가능한 발전 청사진까지도 제시한 ‘Samsung Semiconductor Showcase’ 현장! 내일은 시스템 반도체 전시 제품 소식을 들고 다시 찾아올 테니 지켜봐 주세요!

영상으로 만나보는 ‘Samsung Semiconductor Showcase 속 주요 전시 제품’

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모두가 함께 쌓아온 30년, ‘메모리’ 사진전 <Memory 人 Memory>에 담기다

Memory 人 Memory는 메모리사업부 초창기부터 현재까지의 역사를 담고 있는 사진 전시회입니다. 메모리사업부에 근무한 사람들(人)의 기억과 메모리사업부 ‘속’(IN)의 추억 이라는 두 가지 의미를 내포하고 있죠.

이번 Memory 人 Memory 사진전은 지난 9월 초부터 화성캠퍼스 MR1동과 17라인, 평택캠퍼스 사무1동 등에서 진행되었고, 이후 DSR 1층 로비에서도 개최됐습니다. Memory 人 Memory 속 사진에 담긴 임직원들의 소중한 사연을 삼성전자 반도체가 담아보았습니다.

훈훈함이 배가 되는 추억의 공간

DSR A타워 1층에 마련된 Memory 人 Memory에는 라인 준공 기념식부터 신입사원들의 단체사진까지 다양한 추억이 담긴 순간들로 가득했는데요.

출품된 사진과 함께 거기에 담긴 사연도 전시해 관람한 임직원들의 흐뭇한 미소를 자아냈습니다. 그럼, 이번 Memory 人 Memory 사진전 속에는 담긴 소중한 순간들을 함께 만나볼까요?

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2002년 메모리 人, 기흥에서 화성으로 터전을 옮기다

2002년 3월 13일. DRAM 개발의 산실인 DRAM설계실이 기흥 RS동(현 SR1동)을 떠나는 날, 이삿짐을 꾸린 후 촬영한 사진입니다. 기흥 DRAM 시대에서 화성 DRAM 시대로 무대가 변경되는 시기이기도 하죠. 사진을 통해, 현재 삼성전자 반도체를 이끌고 있는 많은 임직원들의 얼굴을 확인할 수 있는데요. 핵심 멤버들이 모두 거쳐간 DRAM설계실(현 DRAM개발실)의 위상을 새삼 느끼게 되는 사진입니다.

– DRAM개발실 이시열 님

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2009년 Flash개발실, 동료들과 함께한 봄 산행

2009년 3월 21일의 이른 봄, Flash개발실에서 청계산으로 산행을 떠나기 전 찍은 단체 사진입니다. Flash 메모리 1등의 굳건한 자리를 지키기 위해 아직도 열심히 일하는 임직원들의 모습도 보이고, 지금은 퇴직한 임직원들도 사진 속에 담겨있습니다. 20여 년 전 하드디스크를 Flash로 바꾸겠다는 꿈을 위해 열심히 일하던 동료들이 보고 싶어집니다.

– Flash PA2팀 이준희 님

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2013년 중국 시안, 불모지에 라인을 셋업하다

2013년 중국 시안에서 성공적으로 X1 라인을 셋업했습니다. 라인과 사무실이 채 지어지기 전 셋업을 했기에 아직까지도 기억이 생생하고 애정이 많은 곳이죠. 사진은 안전모를 쓰고 임시 사무실에서 라인 현장까지 20분을 걸어서 갈 때 찍은 건데요. 당시 황량했던 그 곳에 지금은 X2 라인까지 지어져 많은 분들이 출장으로 찾는 곳이 되었죠. 힘든 과정을 거쳤기에 지금의 성공이 있는 것 같아 감회가 새롭고 자랑스러운 마음이 듭니다.

– 메모리Diffusion기술팀 이국희 님

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2016년 화성캠퍼스 연못 GWP, 막간의 점심시간을 이용한 힐링타임

겨울이 다가오면 H1의 산책로 연못이 썰매장으로 깜짝 변신하던 시절이 있었습니다. 회의실 예약하기보다 썰매장 예약하기가 더 힘들었지만, 운 좋게 예약이 되어 즐거운 점심시간을 보낼 수 있었죠. 당시 윤태양 Etch기술팀장 포함 모든 팀원이 동심으로 돌아가 추억을 함께 나눴던 순간을 공유합니다!

– 메모리FAB5팀 김경애 님

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동기사랑 DS사랑! 2017년 입사 동기들을 소개합니다

저희는 2017년 10월의 입사 동기입니다. 매년 입사 주년에 8명이 꼭 모여서 입사 기념 파티를 하고 사진을 찍는데요. 이 사진은 3주년 기념일에 행궁동 셀프 사진관에서 함께 남긴 추억입니다! FAB1팀부터 FAB4팀, ETCH 기술팀, CVD 기술팀, DIFF 기술팀, DRAM PA1팀, 8인치FAB1 그룹까지 각자의 위치에서 열심히 일하지만, 함께 만날 땐 누구보다 잘 즐기는 우리 동기들. 올해는 어떤 사진을 남겨야 할지 벌써 고민이 되네요. 사진 속 3이 1등 30주년을 미리 축하했던 걸지도 모르겠네요. (웃음) 메모리 1등 30주년 축하합니다!

– 메모리FAB1팀 박원희 님

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2017년 평택캠퍼스, 1등을 향한 P1-2PJT 발대식 현장

평택캠퍼스 P1-2PJT(현재 메모리 FAB3팀) 발대식 사진입니다. 2022년 현재는 P3-2PJT를 하고 있는데, 사진 속 배경인 2017년 당시만 해도 P1 이후 두 번째 프로젝트를 수행하고 있었죠. 그때는 임직원 수도 적었고, 시설도 부족했는데, 지금은 평택캠퍼스가 메모리 제조의 중요한 축이 되어 뿌듯합니다. P3부터 P4, P5까지 영원한 1등을 위한 도전의 발걸음을 응원합니다!

– 메모리IMP기술팀 박정근 님

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이외에도 다채로운 사연이 담긴 추억의 사진들이 많았는데요. 사진전을 관람한 임직원들의 반응은 어땠을까요? 

선배들의 모습이 담긴 사진들을 보면서 우리도 열심히 해서 ‘세계 1위’ 자리를 지켜 나가야겠다는 책임감이 들었어요. 저희도 10년, 20년 뒤에 후배들과 함께 우리가 만든 추억을 이야기할 수 있는 순간이 오면 좋겠습니다.

– DRAM개발실(메모리) 장준일, 이태경, 김승빈 님

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누군가에게는 힐링의 순간을, 누군가에게는 자긍심을 느끼게 해준 ‘Memory 人 Memory’. 이번 프로젝트를 기획한 Memory 3.0 T/F 이정택 님은 “DS 임직원 모두가 1등 30년 역사의 주인공이라고 생각한다”며, “소중한 ‘메모리’를 공유할 수 있도록 사진전에 참여해 준 임직원들과, 사진전을 관람하고 공감해 주신 모든 분들께 진심으로 감사하다”는 소감을 전했습니다.

지난 30년에 이어, 앞으로도 세계 최고를 이끄는 삼성전자 메모리가 되길 바라며, 그들이 만들어 갈 특별한 ‘메모리’를 삼성전자 반도체가 응원하겠습니다.

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삼성전자가 업계 최초로 고용량 512GB CXL D램을 개발하고, 차세대 메모리 상용화를 앞당겼습니다.

* CXL(Compute Express Link) : 고성능 컴퓨팅 시스템에서 CPU와 함께 사용되는 가속기, 메모리, 저장장치 등을 보다 효율적으로 활용하기 위해 새롭게 제안된 인터페이스

삼성전자는 지난해 5월 세계 최초로 CXL 기반 D램 기술을 개발하고 데이터센터, 서버, 칩셋 업체들과 평가를 해왔으며, 이번에 기존 대비 메모리 용량을 4배 향상시킨 512GB CXL D램을 개발했습니다. 또한 ASIC(주문형 반도체) 기반의 컨트롤러를 탑재해 데이터 지연 시간을 기존 제품 대비 1/5로 줄였습니다.

이번 제품은 PCIe 5.0을 지원하며, 대용량 SSD에 적용되는 EDSFF(Enterprise & Data Center Standard Form Factor) 폼팩터가 적용되어, 기존 컴퓨팅 시스템의 D램 용량을 획기적으로 확장할 수 있습니다.

최근 메타버스, 인공지능, 빅데이터 등 폭발적으로 증가하는 데이터 양에 비해 기존의 DDR 인터페이스는 시스템에 탑재할 수 있는 D램 용량에 한계가 있어, CXL D램과 같은 차세대 메모리 솔루션에 대한 요구가 지속되고 있습니다.

삼성전자가 이번에 고용량 CXL D램을 개발함에 따라 메인 D램과 더불어 서버 한 대당 메모리 용량을 수십 테라바이트 이상으로 확장할 수 있게 됐습니다.

삼성전자는 이달 중 ‘스케일러블 메모리 개발 키트(Scalable Memory Development Kit, SMDK)’의 업데이트 버전을 오픈소스로 추가 공개해, 개발자들이 다양한 응용 환경에서 CXL D램 기술을 활용하는 프로그램을 빠르고 쉽게 개발할 수 있게 할 계획입니다.

* SMDK: 차세대 이종 메모리 시스템 환경에서 기존에 탑재된 메인 메모리와 CXL 메모리가 최적으로 동작하도록 도와주는 소프트웨어 개발 도구로 API, 라이브러리 등으로 구성됨

삼성전자 메모리사업부 신사업기획팀 박철민 상무는 “CXL D램은 인공지능, 빅데이터 등의 서비스를 혁신적으로 향상시키고, 향후 소프트웨어 정의 메모리(Software-Defined Memory)를 포함한 차세대 메모리로 확장될 것”이라며, “삼성전자는 CXL 메모리 생태계가 빠르게 확장해 갈 수 있도록 고객, 파트너들과 함께 기술 표준화를 적극 추진하고, CXL 메모리 솔루션을 확대해 차세대 메모리 시장을 주도해 나가겠다”라고 밝혔습니다.

레노버 인프라스트럭쳐 솔루션그룹(Lenovo Infrastructure Solutions Group) 최고기술책임자(CTO) 그렉 허프(Greg Huff)는 “CXL 컨소시엄의 멤버인 레노버는 기술 표준 개발과 함께 CXL 중심의 생태계 구축에 기여하고 있다”라며, “혁신적인 CXL 제품들을 레노버 시스템에 적용을 확대하는 데 삼성전자와 협력해 나가겠다”라고 말했습니다.

몬타지 테크놀로지(Montage Technology) 전략기술 담당 부사장 크리스토퍼 콕스(Christopher Cox)는 “CXL은 메모리 확장과 공유를 최적화하는 핵심 기술이며, 차세대 서버 플랫폼에서 중요한 역할을 할 것”이라며, “몬타지는 삼성과 함께 CXL 메모리 생태계가 빠르게 확장될 수 있도록 협력해 나갈 것”이라고 말했습니다.

삼성전자는 CXL 컨소시엄 이사회에 참여해 글로벌 주요 데이터센터, 서버, 칩셋 업체들과 차세대 인터페이스 기술 개발을 위한 협력을 확대해 가고 있으며, 3분기부터 주요 고객과 파트너들에게 512GB CXL D램 샘플을 제공할 예정입니다.

삼성전자는 테라바이트급 이상의 차세대 메모리 인터페이스 제품을 지속 개발하며 대용량 메모리가 요구되는 컴퓨팅 시장에 맞춰 적기에 상용화할 계획입니다.

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삼성전자는 4일 차세대 UFS 4.0 규격의 고성능 임베디드 플래시 메모리를 업계 최초로 개발했다고 밝혔습니다.

*UFS : Universal Flash Storage

국제 반도체 표준화 기구 JEDEC®은 미국 현지시간 5월 3일 UFS 4.0 규격을 승인했습니다. UFS 4.0은 데이터 전송 대역폭이 기존 UFS 3.1 대비 2배인 23.2Gbps로 커져 더욱 빠르게 데이터를 저장하고 읽을 수 있습니다.

*JEDEC : Joint Electron Device Engineering Council

UFS 4.0은 고해상도 컨텐츠와 대용량 모바일 게임 등 처리할 데이터가 늘어나는 최신 스마트폰 등 모바일 기기를 비롯해 향후 차량용(Automotive) 반도체, 메타버스(Metaverse) 등을 포함한 기기들에 광범위하게 확산될 것으로 예상됩니다.  

삼성전자는 자체 개발한 UFS 4.0 컨트롤러와 7세대 V낸드를 탑재해 업계 최고 수준의 성능을 구현했습니다.

삼성전자 UFS 4.0 메모리는 연속읽기와 연속쓰기 속도는 이전 세대(UFS 3.1) 대비 각각 2배, 1.6배로 빨라졌습니다. 이 제품의 연속읽기 속도는 4,200MB/s, 연속쓰기 속도는 2,800MB/s입니다.  

에너지 효율도 크게 증가했습니다. 삼성전자 UFS 4.0은 1mA당 6.0MB/s의 연속읽기 성능을 제공해 전력 효율이 기존 UFS 3.1 제품 대비 약 45% 이상 향상됐습니다.

삼성전자 UFS 4.0 메모리가 탑재된 모바일 기기는 같은 배터리 용량으로도 더 많은 데이터를 처리할 수 있습니다.

삼성전자는 사용자의 개인 정보 등 중요한 데이터를 안전하게 보호하기 위해 성능이 1.8배 향상된 Advanced RPMB 기술을 적용했습니다.

*RPMB : Replay Protected Memory Block

삼성전자는 UFS 4.0 메모리를 가로 11mm, 세로 13mm, 높이 1.0mm의 콤팩트한 패키지로 구현해 모바일 기기 디자인 편의성과 공간 활용성을 높였으며, 최대 1TB 용량까지 제공할 계획입니다.

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삼성전자가 업계 최초로 ‘하이케이 메탈 게이트 (High-K Metal Gate, 이하 HKMG)’ 공정을 적용한 업계 최대 용량의 512GB DDR5 메모리 모듈을 개발했습니다.

저전압에서 고성능 구현이 가능한 고유전율 물질을 DDR5 최초 적용

DDR5는 차세대 D램 규격으로 기존의 DDR4 대비 2배 이상의 성능이며, 향후 데이터 전송속도가 7200Mbps로도 확장될 전망입니다. 이는 1초에 30GB 용량의 UHD 영화 2편 정도를 처리할 수 있는 속도입니다.

삼성전자가 이번에 개발한 고용량 DDR5 모듈은 업계 최고 수준의 고용량ㆍ고성능ㆍ저전력을 구현해, 차세대 컴퓨팅, 대용량 데이터센터, 인공지능 등 첨단산업 발전의 핵심 솔루션 역할을 할 것으로 기대됩니다.

이번에 개발된 DDR5 메모리는 메모리 반도체 공정의 미세화에 따른 누설 전류를 막기 위해 유전율 상수(K)가 높은 물질을 공정에 적용해 고성능과 저전력을 동시에 구현한 것이 특징입니다.

HKMG가 적용된 삼성전자 DDR5 메모리 모듈은 기존 공정 대비 전력 소모가 약 13% 감소해, 데이터센터와 같이 전력효율이 중요한 응용처에서 최적의 솔루션이 될 것으로 기대됩니다.

8단 TSV 기술 적용, 고용량 512GB DDR5 제품 개발

또한 이번 제품에는 범용 D램 제품으로는 처음으로 8단 TSV(Through Silicon Via, 실리콘 관통 전극) 기술이 적용됐습니다.

삼성전자는 고용량 메모리 시장의 확대와 데이터 기반 응용처의 확산에 따라 16Gb(기가비트) 기반으로 8단 TSV 기술을 적용해 DDR5 512GB 모듈을 개발했습니다.

삼성전자는 2014년 세계최초로 범용 D램인 DDR4 메모리에 4단 TSV 공정을 적용해 64GB에서 256GB까지 고용량 모듈 제품을 서버 시장에 선보인 바 있습니다.

삼성전자 메모리사업부 상품기획팀 손영수 상무는 “삼성전자는 메모리 반도체와 시스템 반도체 기술 경쟁력을 바탕으로 업계 최초로 HKMG 공정을 메모리 반도체에 적용했다”며, “이러한 공정 혁신을 통해 개발된 DDR5 메모리는 뛰어난 성능과 높은 에너지 효율로 자율주행, 스마트시티, 의료산업 등으로 활용 분야가 확대될 고성능 컴퓨터의 발전을 더욱 가속화시킬 것으로 기대된다”고 밝혔습니다.

인텔 메모리 & IO 테크놀로지 총괄 VP 캐롤린 듀란(Carolyn Duran)은 “처리해야할 데이터 양이 기하급수적으로 늘어나는 클라우드 데이터센터, 네트워크, 엣지 컴퓨팅 등에서 차세대 DDR5 메모리의 중요성이 대두되고 있다”며, “인텔은 인텔 제온 스케일러블 (Intel® Xeon® Scalable) 프로세서인 사파이어 래피즈(Sapphire Rapids)와 호환되는 DDR5 메모리를 선보이기 위해 삼성전자와 긴밀하게 협력하고 있다”고 밝혔습니다.

삼성전자는 HKMG 공정과 8단 TSV 기술이 적용된 고용량 DDR5 메모리를 차세대 컴퓨팅 시장의 고객 수요에 따라 적기에 상용화할 계획입니다.

[인포그래픽]

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지난 12월, 삼성전자 고대역폭 메모리 플래시볼트 ‘HBM2E Flashbolt’가 과학기술정보통신부에서 주관하는 2020년 52주차 IR52 장영실상에 선정되었습니다.

※ HBM(High Bandwidth Memory): 고대역폭 메모리로 최신 인공지능 서비스용 슈퍼컴퓨터, 네트워크, 그래픽카드 등의 프리미엄 시장에 최적의 솔루션을 제공

1초에 풀HD 영화 107편 전달! 고대역폭 메모리 플래시볼트 ‘HBM2E Flashbolt’

삼성전자가 2020년 2월 개발에 성공한 ‘HBM2E(High Bandwidth Memory 2 Extended, 고대역폭 메모리)’ 플래시볼트는 슈퍼컴퓨터의 연산을 위한 고성능, 고용량 D램인데요. HBM2E는 HBM D램의 최신 규격으로, 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 메모리를 뜻합니다.

실제로 16GB 용량의 플래시볼트는 기존 제품인 8GB HBM2 D램 ‘아쿠아볼트’ 대비 2배 많은 용량을 자랑합니다. 대역폭도 307GB/s에서 538GB/s로 약 1.75배 향상됐죠. 이 제품에는 16Gb D램 칩에 5,600개 이상의 미세한 구멍을 뚫고 4만개 이상의 TSV 접합볼로 8개 칩을 수직 연결한 3D구조의 TSV 설계 기술이 적용되었는데요.

속도와 용량의 한계를 돌파하기 위해 수많은 난관을 이겨내고, IR52주차 장영실상 수상의 영예를 안은 4명의 개발자들을 직접 만나 비하인드 스토리를 들어볼까요?

‘고대역폭 메모리 플래시볼트’ 개발 주역! 장영실상 수상자와의 만남

먼저, 고대역폭 메모리 플래시볼트의 핵심 기술은 무엇이며, 이 기술을 적용하는 과정에서 어떤 어려움을 겪었는지 궁금합니다.

최고 성능, 초고품질의 HBM2E를 위해 ‘신호 전송 최적화 회로 설계 기술’을 개발하고 최대 538GB/s의 초고속 성능을 달성했습니다. 이는 풀HD(5GB) 영화 107편을 1초에 전달할 수 있는 속도인데요.

8개의 칩이 적층 구조로 동작할 때 가장 구현하기 까다로운 부분이 메모리 셀의 품질입니다. 이를 해결하기 위해 시스템 ECC와 상호 보완 기능을 갖는 회로 기술을 개발했고, 최고 품질의 HBM2E 플래시볼트를 개발할 수 있었습니다.

고용량, 초고속 HBM2E 플래시볼트 제품을 개발하기 위해 프로세스 아키텍처 기술 개발 및 수율, 특성, 품질을 포함한 양산성 확보에 집중했던 당시, 예상치 못한 위기의 순간들이 있었습니다.

다행히 어려운 순간마다 전문가 그룹의 집단 지성을 이용해 문제의 근원을 찾았고, 개선 아이디어를 모아 어려운 난관을 헤쳐 나갔습니다. 자연스럽게 차세대 HBM 개발의 토대도 마련되었고요.

제 역할은 제품 개발 과정에서 범프 공정 이후 웨이퍼를 이용해 Post Fab 공정과 조립 공정을 거쳐 최종적으로 고객사에 출하되는 HBM 패키지 형태로 만드는 것이었습니다. 이번 제품의 핵심 기술은 초박형 웨이퍼 취급과 칩 스택 공정 기술이었는데요. 양산을 위한 성숙 수율 확보라는 목표를 달성해야 한다는 점이 가장 힘들었습니다.

PKG개발실과 TP센터가 한 팀이 되어 개발실장님과 센터장님 이하 담당 임원 및 실무자들이 모두 하나가 되어 문제 해결을 추진한 것이 큰 도움이 되었고, 마침내 목표를 달성할 수 있었습니다.

개발 과정에서 많은 어려움이 있었지만, TF가 역량을 총 집결해 성공적인 결과를 얻어낸 것 같은데요. 고대역폭 메모리 플래시볼트는 우리 일상 생활에 어떤 변화를 불러일으킬까요?

메모리사업부 CS팀 천기철 상무
고대역폭 메모리(HBM2E)는 글로벌 슈퍼컴퓨터(HPC)와 인공지능(AI) 업체들의 차세대 시스템을 위해 초고속, 초고온, 고신뢰성, 초절전 특성을 모두 만족하는 제품입니다. AI 서비스 구현을 위해 AI 트레이닝이나 인퍼런스 정밀도 향상에도 기여하기 때문에 코로나19로 인한 비대면 서비스 발전에 크게 기여할 것으로 기대됩니다.

HBM의 활용도는 다양하고 그 용량과 성능에 대한 요구사항은 계속 높아질 것 같습니다. 향후 선보일 HBM에 대해 간략하게 설명 부탁드립니다.

말씀하신 것처럼 AI의 발전뿐 아니라 5G를 위한 고속 네트워크 서버와 슈퍼컴퓨터에 이르기까지 HBM의 활용도는 무궁무진합니다. 그만큼 용량과 성능에 대한 요구사항은 계속 높아지고 있죠. 이러한 니즈를 충족하기위해 더 높은 성능을 더 낮은 전력으로 공급하는 ‘HBM3’를 개발하려고 합니다. 멈추지 않는 도전을 통해 미래를 선도해 나가는 삼성전자의 HBM을 만들어 나가겠습니다.

고대역폭 메모리는 4차 산업혁명의 핵심 산업이라고 볼 수 있는 슈퍼컴퓨터와 인공지능, 5G 네트워크 등에 주로 사용되는 만큼 향후 높은 성장 가능성을 지닌 제품인데요. 지금 이 순간에도 현존하는 최고 성능의 HBM보다 뛰어난 고용량, 고성능 제품을 개발하기 위해 힘쓰고 있는 장영실상 수상자들에게 응원의 박수를 보내주세요!

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eUFS는 저전력과 고성능을 동시에 추구하는 메모리로, 모바일 기기에 내장하는 저장용 메모리 반도체인 eMMC(embedded Multi Media Card) 보다 읽기/쓰기 속도가 빨라 eMMC를 대체하는 스마트폰용 차세대 메모리로 꼽히고 있습니다.

유니버설 플래시 스토리지(UFS), 메모리 카드 성능의 한계를 뛰어넘다!

UFS는 국제 반도체 표준화 기구 ‘제덱(JEDEC)’의 내장 메모리 규격인 ‘UFS 인터페이스’를 적용한 차세대 초고속 플래시 메모리입니다. 2013년 UFS 2.0 표준이 제정된 이후, 최근 2020년 UFS 3.1 버전까지 발표됐습니다.

UFS는 스마트폰과 태블릿PC 등의 전자제품을 위한 플래시 스토리지 규격인데요. 오래 전부터 모바일 제품에 사용됐던 스토리지 솔루션인 eMMC와 SD카드보다 빠른 속도와 저전력, 높은 신뢰성이 장점으로 부각되며 각광받고 있습니다.

UFS와 eMMC의 가장 큰 차이점은 데이터 전송 방식의 차이입니다. 데이터를 읽고 쓰는 방식이 병렬에서 직렬로 바뀌었으며, 쌍방향 소통이 가능해진 것이죠. UFS는 LVDS(Low-Voltage Differential Signaling) 직렬 인터페이스를 통해 동시에 읽고 쓰기가 가능한 반면, eMMC는 라인 숫자가 많아도 한 번에 읽기 또는 쓰기의 한 작업만 할 수 있어 동시에 두가지 작업이 불가능합니다.

플래시 메모리 NO.1
삼성전자의 세계 최초 UFS 양산 히스토리

플래시 메모리는 우리에게 익숙한 USB부터 손톱만한 크기에 많은 데이터를 담을 수 있어 모바일 전자기기에 두루 사용되는 (마이크로)SD 카드, 빠른 속도로 HDD를 대체하고 있는 차세대 저장장치 SSD, 모바일 및 태블릿의 저장용량을 실질적으로 규정했던 eMMC에 이르기까지 많은 발전을 거듭했습니다. 삼성전자는 UFS 솔루션이 기존 널리 쓰이던 eMMC를 대체할 차세대 초고속 플래시 메모리로써 업계에 거센 변화의 바람을 몰고 올 것을 예상해, 업계 최초로 UFS 양산 체계를 갖추고, 2015년 1월 128GB UFS를 세계 최초로 양산했습니다.

그리고 2016년 기존 고성능 마이크로 SD카드보다 5배 이상 빠른 초고속 256GB UFS 카드를 세계 최초로 양산하기도 했습니다. UFS는 보통 내장 메모리로서 스마트폰 등 전자제품 내부에 고정됐지만, 탈착이 가능한 메모리 카드 형태로 출시돼 SD카드를 대체할 차세대 외장 스토리지로도 주목 받았는데요. 이 제품은 외장형 메모리카드 중 최대 용량과 최고 속도를 구현한 것으로, 당시 2.5인치 SSD와 동일한 속도(530MB/s, 연속 읽기속도)를 달성하기도 했습니다. 내장 메모리는 물론 외장형 메모리까지 개발해 초고속 외장 메모리 카드 시장을 개척한 것이죠.

삼성전자는 2017년 9월에 차세대 자동차용 128GB eUFS를 세계 최초로 선보이며 모바일 기기를 넘어 차량용 메모리까지 이르는 프리미엄 메모리 시장 확대에도 힘을 쏟았습니다.

삼성전자의 세계 최초 UFS 양산은 용량에서도 단연 돋보였습니다. 2015년 128GB eUFS를 선보인 후 1년만인 2016년 256GB eUFS를 양산, 2017년 512GB eUFS를 출시한데 이어 2019년 1월에는 1TB eUFS를 양산하며 세계 최초로 테라바이트 모바일 메모리 시장을 개척했습니다. 이로 인해 소비자들은 스마트폰에 외장 메모리를 추가하지 않고도 프리미엄 노트북 수준의 용량을 사용할 수 있게 된 것입니다.

역대 최고 속도! FHD 영화 4초 만에 저장하는 ‘eUFS 3.1’

삼성전자가 지난달 세계 최초로 양산한 ‘512GB eUFS 3.1’은 기존 512GB eUFS 3.0 보다 약 3배 빠른 연속 쓰기 속도(1,200MB/s)로 FHD(5.0GB 기준) 영화 1편을 약 4초만에 저장할 수 있는데요. 스마트폰에 ‘512GB eUFS 3.1’ 메모리를 탑재하면 8K 초고화질 영상이나 수 백장의 고용량 사진을 빠르게 저장할 수 있어 더욱 편리한 스마트 라이프를 즐길 수 있습니다.

삼성전자는 2015년 플래그십 스마트폰에 UFS 솔루션을 적용한 이후 현재까지 그 시장을 확대하며 스마트폰의 놀라운 기술 혁신을 이뤄내고 있는데요. 컴퓨터보다 빠른 스마트폰의 기반에 이 UFS 솔루션이 있는 것입니다.

이처럼 스토리지계에 혜성처럼 등장한 UFS 솔루션은 내장형부터 외장형 스토리지까지 무한한 가능성을 지니고 있습니다. 앞으로도 삼성전자는 모바일 기기의 신세계를 열기 위해 UFS 솔루션에 대한 꾸준한 연구를 이어나갈 것인데요. 또 어떤 고성능, 고용량을 갖춘 제품으로 세계를 놀라게 할지 기다려집니다.

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삼성전자가 세계 최초로 ‘테라바이트(TB) 모바일 메모리(eUFS, embedded Universal Flash Storage) 시장을 엽니다.

스마트폰 내장메모리 테라바이트 시대 열다

삼성전자는 이달부터 업계에서 유일하게 1TB eUFS 2.1을 양산합니다. 삼성전자는 2015년 1월 모바일용 ‘128GB(기가바이트) eUFS 2.0’ 양산으로 UFS 시장을 창출한 후 2016년 2월 ‘256GB eUFS 2.0’, 2017년 11월 ‘512GB eUFS 2.1’을 발표했고, 불과 1년만에 저장용량을 두배 늘려 테라바이트 시대를 열었습니다.

이 제품으로 소비자들은 스마트폰에 외장 메모리 카드를 추가하지 않아도 프리미엄 노트북 수준의 용량을 사용할 수 있게 되었습니다.

차세대 모바일에 최적화된 ‘최대 용량·최고 성능’ 솔루션 제공

‘1TB eUFS’는 업계 최고 속도의 5세대 512Gb(기가비트) V낸드를 16단 적층하고 고성능 컨트롤러를 탑재해 기존 제품과 동일한 크기에서 2배 많은 용량을 구현했습니다.

1TB는 플래그십 스마트폰에서 UHD(3840×2160) 설정 모드로 10분동안 촬영한 동영상을 260개나 저장 가능한 대용량 메모리입니다.

속도 측면에서도 SATA SSD, 마이크로SD 대비는 물론 기존 512GB 제품보다 더 빨라졌습니다.

‘1TB eUFS’의 임의 읽기·쓰기 속도는 기존 512GB eUFS 보다도 최대 38% 빠른 58,000·50,000 IOPS(Input/Output Operations Per Second) 를 구현했습니다.

SATA SSD 대비 연속 읽기 속도는 약 2배 빠른 초당 1,000메가바이트(MB/s)입니다.

소비자들이 스마트폰 용량 확대를 위해 주로 사용하는 마이크로SD보다는 10배 이상 빨라졌습니다. 스마트폰에 저장된 5GB FHD 영상을 NVMe SSD로 전송할 때 5초 정도밖에 걸리지 않습니다.

또한 임의 쓰기 속도도 마이크로SD카드(100 IOPS)보다 500배나 빨라 큰 데이터를 이용한 복잡한 작업을 더 빠르고 원활하게 처리할 수 있습니다.

멀티카메라를 활용해 초당 960프레임의 고해상도 슈퍼 슬로우 이미지를 연속 촬영하는 기능 등이 대표적입니다.

‘19년 상반기, 평택에서 5세대 V낸드 양산 주력해 수요 증가에 대응

삼성전자 메모리사업부 전략마케팅팀 최철 부사장은 “1TB eUFS는 차세대 모바일기기에서 프리미엄 노트북 수준의 사용자 편의성을 구현하는 차별화된 메모리 솔루션”이라며, “1TB eUFS의 안정적인 공급 체제 구축으로 글로벌 모바일 업체들이 차세대 모델을 적기에 출시할 수 있도록 함으로써 모바일 시장을 지속 성장시키는데 기여할 것”이라고 밝혔습니다.

삼성전자는 ’19년 상반기에 풀가동중인 평택라인에서 5세대V낸드를 주력으로 양산하는 한편, 512Gb V낸드의 생산 비중을 빠르게 높여 eUFS 및 SSD 시장에서의 1TB 이상 초고용량 메모리 수요 증가에 적극 대응해 나갈 계획입니다.

[참고]

□ 내장형 메모리 성능 비교

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디지털 데이터를 구분하는 최소 단위는 bit라고 부른다. 데이터를 저장하는 하나의 셀(Cell)에 0과 1로 구분되는 1bit의 정보를 저장하는 SLC(Single Level Cell)와 00, 01, 10, 11로 구분되는 2bit의 정보를 저장하는 MLC(Multi Level Cell), 마지막으로 한 셀에 8가지로 구분되는 3bit의 정보를 저장하는 TLC(Triple Level Cell)로 나뉜다.

동일 공정의 경우 셀 1개를 구성하는 면적은 동일하지만 데이터 저장 방식에 따라 저장할 수 있는 데이터 용량과 응용처가 달라진다.

예를 들어, 64 bit 용량의 제품을 만들기 위해 하나의 셀에 1bit의 정보를 저장하는 SLC는 64개, 2bit의 정보를 저장하는 MLC는 32개, TLC는 22개의 셀이 필요하다.

SLC는 MLC나 TLC에 비해 작업이 단순하기 때문에 일반적으로 오류가 적고 속도가 빨라, 장기간 높은 신뢰성을 요구하는 자동차, 항공기 스토리지 등에 주로 사용된다.

MLC나 TLC는 SLC에 비해, 높은 속도 구현 등을 위한 기술적 난이도가 높아지나, 더 작은 공간만으로도 동일한 용량의 제품을 만들 수 있는 장점이 있다. 즉 한 장의 웨이퍼(Wafer)에 동일 용량기준으로 실제로 생산 가능한 칩의 숫자(Net die)가 증가해 원가 경쟁력이 높다. SLC를 비롯, MLC와 TLC는 차세대 대규모 데이터센터, 엔터프라이즈 서버, PC 등 다양한 분야에서 사용되며, 각 응용분야에서 요구되는 사용 규격에 맞춰 속도 및 내구연한 등 보증한도를 정하고 있다.

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■ 세계 최고 성능 ’10나노급 8Gb DDR4 D램’ 본격 양산

삼성전자는 2월부터 세계 최소 크기의 10나노급(1나노 : 10억분의 1미터) 8Gb(기가비트) DDR4(Double Data Rate 4) D램을 양산했다고 밝혔습니다.

삼성전자는 2014년 세계 최초로 20나노 4Gb DDR3 D램을 양산한 데 이어, 이번 10나노급 8Gb DDR4 D램의 양산으로 다시 한번 반도체 미세공정의 한계를 돌파하며 메모리 기술의 새로운 이정표를 세웠습니다.

■ 독자 개발한 3대 혁신 기술로 프리미엄 제품 경쟁력 유지

이번 제품에는 ‘초고집적 설계 기술’과 ‘사중 포토 노광 기술(Quadruple Patterning Technique)’, ‘초균일 유전막 형성 기술’ 등 3가지 혁신 기술을 적용했습니다. 이에 따라 차세대 극자외선(EUV) 노광장비의 도입 없이도 10나노급 D램을 양산해 프리미엄 제품의 제조 경쟁력을 더욱 높였습니다.

‘초고집적 설계 기술’은 삼성전자가 독자적으로 개발한 차세대 반도체 설계 기술로, 이를 통해 20나노 8Gb DDR4 D램보다 생산성을 30% 이상 높였습니다.

또한 10나노급(1x) 8Gb DDR4 D램은 초고속•초절전 설계 기술을 적용해 기존 20나노 대비 동작속도가 30% 이상 빠른 3,200Mbps를 구현할 수 있고, 동작 상태에 따라 소비전력을 10%~20% 절감할 수 있어 차세대 엔터프라이즈 서버 시장에 최적의 솔루션을 제공합니다.

삼성전자는 미세공정의 한계를 극복하기 위해 낸드플래시 양산에 적용한 ‘사중 포토 노광 기술’을 업계 최초로 D램에도 구현해 D램 핵심 공정 기술의 새로운 지평을 열었습니다.

셀(정보 저장의 최소 단위)이 트랜지스터 하나로 구성된 낸드플래시와 달리 D램은 트랜지스터와 캐패시터의 적층 구조로 셀이 구성되어 있습니다.

이 때문에 10나노급 8Gb D램은 초고속으로 동작하는 트랜지스터 위에 고용량 캐패시터를 나노단위 간격으로 배열해 완벽하게 동작하는 셀을 80억개 이상 만들어야 하므로 미세화에 따른 개발 난이도가 높았습니다.

삼성전자는 이러한 D램의 공정 한계를 ‘사중 포토 노광 기술’을 통해 극복해 차세대 10나노급(1y) D램도 적기에 양산할 수 있는 기반 기술을 확보했습니다.

또한 D램은 초미세 캐패시터에 충분한 양의 전하를 저장하기 위해 ‘초균일 원자 유전막 형성 기술’이 필요합니다.

10나노급 D램은 캐패시터의 유전막을 옹스트롬(10분의 1나노) 단위의 초박형 원자 물질로 균일하게 형성해 더욱 높은 속도에도 안정적으로 동작하는 우수한 셀 특성을 확보했습니다.

■ 향후 초고용량 D램 라인업 확대로 시장 선점 및 기술리더십 강화

삼성전자는 올해 용량과 성능을 동시에 높인 10나노급 모바일 D램도 양산해 PC, 서버 시장에 이어 초고해상도 스마트폰 시장도 지속 선점한다는 전략입니다.

삼성전자 메모리사업부 전영현 사장은 “10나노급 D램은 글로벌 IT 고객들에게 최고 효율의 시스템 투자 솔루션을 제공할 것”이라며, “향후 차세대 초고용량 초절전 모바일 D램 출시를 통해 모바일 시장 선도 기업들이 더욱 혁신적인 제품을 적기에 출시해 글로벌 소비자의 사용 편리성을 대폭 향상하는데 기여해 나갈 것”이라고 밝혔습니다.

향후 삼성전자는 PC용 4GB(기가바이트) DDR4 모듈을 시작으로 엔터프라이즈 서버용 128GB 모듈까지 풀 라인업을 구축하고, 초고용량 모바일 D램의 높은 수요 증가세에 맞춰 10나노급 생산 비중을 지속적으로 확대해 프리미엄 D램 시장의 성장세를 견인할 계획입니다.

※ 참고
□ 삼성 그린 메모리 홈페이지 : www.samsung.com/GreenMemory

□ 삼성전자 최첨단 D램 양산 연혁
• 2009.07월 40나노급 2Gb DDR3 양산
• 2010.02월 40나노급 4Gb DDR3 양산
• 2010.07월 30나노급 2Gb DDR3 양산
• 2011.09월 20나노급(2x) 2Gb DDR3 양산
• 2012.11월 20나노급(2y) 4Gb DDR3 양산
• 2013.11월 20나노급(2y) 6Gb LPDDR3 양산
(※ 2014.02월 20나노급(2y) 8Gb LPDDR4 양산)
• 2014.02월 20나노(2z) 4Gb DDR3 양산
• 2014.10월 20나노(2z) 8Gb DDR4 양산
• 2014.12월 20나노(2z) 8Gb LPDDR4 양산
• 2014.12월 20나노(2z) 8Gb GDDR5 양산
• 2015.08월 20나노(2z) 12Gb LPDDR4 양산
• 2016.02월 10나노급(1x) 8Gb DDR4 양산
• 2016년 10나노급(1x) 초고용량 모바일 D램 양산

□ 삼성전자 메모리 미국 CES(Consumer Electronics Show) 수상 연혁

• 메모리 업계 유일 4년 연속 혁신상(Embedded Tech.부문) 수상
• 2013년 1월 64GB DDR3 RDIMM (30나노급 서버 D램)
2GB LPDDR3 (30나노급 모바일 D램)
• 2014년 1월 3GB LPDDR3 (20나노급(2y) 모바일 D램)
• 2015년 1월 64GB 3D TSV DDR4 RDIMM (20나노급(2y) 서버 D램)
4GB LPDDR4 (20나노급(2y) 모바일 D램)
• 2016년 1월 6GB LPDDR4 (20나노(2z) 모바일 D램)

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■ 3분기 매출 51.68조원, 영업이익 7.39조원

매출은 전분기 48.54조원 대비 약 6% 증가했고, 영업이익은 전분기 6.9조원 대비 약 7% 증가했습니다.

3분기는 주요 통화대비 지속된 원화 약세로 부품 사업을 중심으로 약 8천억 원 수준의 긍정적 환영향이 발생했습니다.

3분기 반도체 사업은 DDR4, LPDDR4 등 고부가 제품과 고용량 SSD 제품의 판매를 확대하고 LSI제품의 견조한 수요가 유지되는 가운데 14나노 파운드리 공급을 개시했습니다.

디스플레이(DP) 사업은 플래그십 스마트폰 신제품의 출시와 중저가 패널의 판매 증가 등 OLED의 가동률 향상에 힘입어 실적이 개선됐습니다.

IM(IT&Mobile Communication)부문은 갤럭시 노트5, 갤럭시 S6 엣지+, A8, J5 등 신모델을 출시하며 전분기 대비 판매량이 증가했으나, 갤럭시 S6 가격조정과 중저가 제품의 판매비중 증가로 영업이익이 감소했습니다.

CE부문은 TV의 경우 하반기 성수기 진입과 SUHD TV 등 프리미엄 제품 판매 확대로 실적이 개선됐으며, 생활가전도 북미 시장 성장 지속과 프리미엄 제품 판매 호조로 실적이 소폭 개선됐습니다.

[4분기, 2016년 전망]

4분기에는 세트 사업과 시스템 LSI의 실적이 견조할 것으로 전망되나, 부품사업 성수기 효과 둔화와 환영향 축소 등으로 3분기 대비 실적 둔화가 예상됩니다.

부품 사업은 메모리의 전년 대비 성수기 효과 약화와 LCD 수요 약세 우려가 있으나, 시스템 LSI는 14나노 파운드리 공급 확대로 실적 개선이 기대되며, OLED도 견조한 실적을 유지할 것으로 예상됩니다.

세트 사업의 경우, CE부문은 연말 성수기의 적극적인 판매 확대를 통해 실적 개선을 추진하고, IM부문은 3분기에 출시한 스마트폰 신모델의 판매확대와 비용 효율화를 지속 추진할 계획입니다.

2016년에도 삼성전자는 지속적인 기술 리더십 제고, 소프트웨어 역량 강화 등 사업 경쟁력 제고를 통해 지속 성장한다는 방침입니다.

반도체 사업은 △고부가 메모리 판매 확대 △V낸드 기술역량 강화 △14나노 거래선 다변화에 주력하고, 디스플레이는 △LCD 제품의 원가 개선 △OLED 거래선 확대를 지속 추진할 계획입니다.

CE부문은 올림픽 등 글로벌 스포츠 이벤트가 예정돼 있어 전년대비 TV수요가 증가할 것으로 예상되며, IM부문의 경우 삼성페이를 비롯한 서비스, 소프트웨어 강화와 함께 비용 효율화를 지속 추진해 수익성 확보에 주력할 예정입니다.

[시설투자]

3분기 시설투자는 반도체 3.7조원, 디스플레이 1.4조원 등 총 6조원이며, 3분기 누적 시설투자는 19.2조원이 집행됐습니다.

올해 전체 시설투자는 전년 대비 약 14% 증가한 27조원을 전망하고 있으며, 반도체에 약 15조원, 디스플레이에 약 5.5조원이 투자될 예정입니다.

전년 대비 투자 증가는 V낸드 등 첨단기술 리더십 강화와 LCD 생산라인 효율화를 중심으로 이루어질 계획입니다.

[부문별 세부내용]

□ 반도체

반도체 사업은 3분기 매출 12.82조원, 영업이익 3.66조원을 달성했습니다.

3분기 메모리는 고사양 스마트폰 신제품 출시에 따른 평균 탑재량 증가, 클라우드 서비스 확대에 따른 데이터센터 시장의 지속 성장으로 전분기 대비 수요가 증가했습니다.

시스템LSI는 14나노 파운드리 공급 개시와 이미지센서 등 LSI제품의 견조한 판매로 전분기 대비 실적이 개선됐습니다.

4분기 메모리 시장은 예년 대비 성수기 효과가 둔화될 전망이나 △스마트폰의 메모리 탑재량 증가 △DDR4 / LPDDR4등 신규 인터페이스 제품 전환 △SSD 채용 증가 등으로 견조한 수요가 지속될 전망입니다.

삼성전자는 D램의 경우 20나노 공정 비중을 지속 확대하고 고부가 제품 수요에 적극 대응해 수익성 중심의 제품 운영을 할 계획이며, 낸드는 10나노급 공정전환과 3세대 V낸드 기반의 SSD 공급을 확대해 시장 리더십을 강화해 나갈 계획입니다.

2016년 메모리 수요는 올해와 비슷한 양상을 보일 것으로 예상되며, 공급측면에서 20나노 D램과 3D 낸드 전환이 중요한 변수로 작용할 전망입니다.

4분기 시스템LSI는 본격적인 14나노 파운드리 공급 증가로 실적 개선이 전망됩니다.

2016년 시스템LSI는 14나노 공정 기술력을 바탕으로 고객 다변화와 제품 라인업 확대를 통해 안정적 성장 기반을 마련할 계획입니다.

□ DP(디스플레이)

디스플레이 사업은 매출 7.49조원, 영업이익 0.93조원을 달성했습니다.

LCD의 경우 패널 수급 둔화와 평균판매가격(ASP)의 하락에도 불구, 삼성전자는 TV사이즈 대형화로 인한 판매면적 증가와 UHD TV 패널 판매 확대에 힘입어 견조한 실적을 달성했습니다.

4분기 LCD 시장은 공급초과와 평균판매가격(ASP) 하락이 예상돼, 삼성전자는 원가 절감, 재고 관리 강화에 주력할 계획입니다.

2016년 LCD 시장은 대형 TV판매 확대로 인한 판매면적 증가가 이어질 것으로 예상되나, 패널 업체들의 공급 증가 등 리스크 요인도 존재해, 지속적으로 원가 경쟁력 제고를 통해 수익성 확보에 주력할 방침입니다.

OLED의 경우, 3분기 판매 확대와 가동률 향상으로 전분기 대비 실적이 개선됐으며, 4분기에도 거래선 확대와 가동률 향상에 주력할 예정입니다.

2016년 OLED 시장은 전년 대비 성장세가 둔화될 것으로 예상되나, 삼성전자는 제품군을 다변화하고 지속적으로 거래선을 확대할 계획입니다.

또한, 향후 성장동력인 플렉서블 디스플레이의 기술 수준 향상과 생산성 증대를 통해 업계 리더십을 확고히 하는 한편, △투명 △미러 △헤드마운트 △자동차용 디스플레이 등 신규 제품 개발을 강화, 신성장 동력 확보를 위해 노력할 예정입니다.

□ IM (IT & Mobile Communications)

3분기 IM부문은 매출 26.61조원, 영업이익 2.4조원을 기록했습니다.

스마트폰 판매량은 △갤럭시 노트5 △S6 엣지+ △갤럭시 A•J시리즈의 판매 증가 등으로 전분기 대비 대폭 증가했습니다.

갤럭시 S6•S6 엣지 모델의 가격조정과 보급형 제품 판매 확대로 전분기 대비 매출이 소폭 증가했으나, 이익은 감소했습니다.

3분기에 출시한 갤럭시 노트5•S6 엣지+는 시장에서 좋은 반응을 얻고 있어 전작의 판매량을 상회할 것으로 기대하고 있습니다.

태블릿은 전분기 수준의 판매량과 실적을 유지했습니다.

4분기 스마트폰과 태블릿 시장은 연말 성수기를 맞아 전분기 대비 성장이 전망되나 업체간 경쟁은 더욱 심화될 것으로 예상됩니다.

삼성전자는 스마트폰의 경우 3분기에 출시한 신모델 판매 확대와 비용 효율화를 지속적으로 추진해 전분기 수준의 이익을 달성할 수 있도록 노력할 계획이며, 태블릿의 경우 갤럭시 탭 S2와 A 시리즈를 중심으로 전분기 대비 판매 증가가 예상됩니다.

2016년 스마트폰 시장은 성장세 둔화가 지속될 것으로 예상되나, 지속적인 프리미엄 제품 경쟁력 강화와 라인업 효율화를 통해 스마트폰 판매 확대를 적극 추진하고 견조한 실적을 유지할 수 있도록 노력할 계획입니다.

또한, 삼성 페이의 글로벌 확산을 추진하는 등 소프트웨어 역량을 강화하고, 웨어러블 기기의 경쟁력 제고를 통해 시장 니즈에 적극 대응해 나갈 방침입니다.

□ CE (Consumer Electronics)

3분기 CE부문은 매출 11.59조원, 영업이익 0.36조원을 달성했습니다.

TV사업은 UHD TV 판매 비중 증가와 60형 이상 초대형 TV 등 프리미엄 제품 판매 성장에 힘입어 전분기 대비 실적이 개선됐습니다.

4분기 TV 시장은 연말 성수기 진입으로 3분기 대비 큰 폭의 수요 증가가 예상되나 전년 동기에 비해서는 수요가 소폭 감소할 것으로 보여지며, 업체간 경쟁이 더욱 심화될 것으로 전망됩니다.

삼성전자는 지역•유통별 프로모션을 활용해 성수기 수요에 적극 대응하고 프리미엄 제품 판매 확대와 함께 수익성 중심의 라인업도 강화해 실적 개선을 추진할 방침입니다.

2016년 TV 시장은 올림픽과 유로컵 등 대형 스포츠 이벤트의 영향으로 초대형•UHD 중심의 성장이 예상되는 가운데, 삼성전자는 SUHDㆍ초대형ㆍ커브드 TV 등 프리미엄 제품군 매출 비중을 지속 확대할 계획입니다.

생활가전은 3분기 프리미엄 제품군 매출 비중이 확대됐고 지역별 차별화된 혁신 제품의 출시로 전분기 대비 실적이 개선됐습니다.

4분기에는 성수기 프로모션을 강화하고 애드워시 등 신제품과 프리미엄 제품 판매 확대를 통해 매출 증대에 주력하며, 2016년에도 혁신 제품 도입과 B2B 사업 확대 등을 통해 성장과 수익성 확보에 주력할 방침입니다.

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■ 최대 용량, 최고 속도 구현한 12기가비트 LPDDR4 D램 본격 양산

삼성전자는 최신 독자 설계기술과 업계 유일의 20나노 공정기술을 적용해 용량과 성능을 더욱 높인 12기가비트 대용량 LPDDR4 (Low Power Double Data Rate4) D램을 이달부터 본격 양산하기 시작했습니다.

이번 12기가비트 모바일 D램은 대용량, 초고속 특성뿐만 아니라 낮은 소비전력과 높은 신뢰성, 디자인 편의성까지 갖춘 제품으로 차세대 모바일기기 개발을 위한 최고의 메모리 솔루션을 제공합니다.

특히 작년 12월 양산을 시작한 2세대(20나노) 8기가비트 LPDDR4 D램보다 용량을 50% 향상시키면서도 속도는 30% 이상 높인 4,266Mbps를 구현해 최신 고속 PC용 D램보다 2배 빠르며, 소비 전력은 20%나 줄였는데요.

또한 1세대(20나노급) 8기가비트 LPDDR4 D램보다 생산성을 50% 이상 높임으로써 플래그십 스마트폰과 태블릿 등 최신 모바일기기의 대용량 D램에 대한 수요 증가세를 견인할 것으로 기대됩니다.

■ 칩4개로 6GB 구현. 차세대 D램 시장 선점으로 프리미엄 메모리시장 지속 주도

이번 12기가비트 D램은 칩 하나로 1.5기가바이트(GB)의 대용량 메모리를 구성할 수 있고, 업계 유일하게 칩 4개를 쌓아 올려 차세대 모바일기기에 탑재될 초대용량 6기가바이트 모바일 D램 패키지를 만들 수 있습니다.

‘6기가바이트 LPDDR4’는 최신 OS기반 태블릿PC에서 최고 성능을 구현하고 배터리 사용시간까지 늘릴 수 있어 소비자들이 더욱 빠르고 편리하게 초고화질 영상을 보거나 편집할 수 있게 도와줍니다. 특히 6기가바이트 패키지는 독자 개발한 초소형 설계 기술을 적용해 기존 3기가바이트 패키지와 크기•두께를 동일하게 할 수 있어 차세대 모바일기기의 디자인 편의성과 생산 효율성을 극대화했습니다.

한편 삼성전자는 12기가비트 LPDDR4 D램에 기반한 올인원(All-In-One) 메모리 솔루션을 통해 모바일 메모리의 사업 영역을 기존 스마트폰, 태블릿 시장을 넘어 울트라슬림PC, 디지털 가전, 차량용 메모리 시장까지도 확대한다는 전략입니다.

삼성전자 메모리사업부 전략마케팅팀 최주선 부사장은 “12기가비트 D램 양산으로 글로벌 IT 고객들이 사용 편의성을 더욱 높인 차세대 시스템을 출시하는 데 기여했다”며, “앞으로도 다양한 분야의 고객들과 기술 협력을 확대하고 용량과 성능을 한 단계 높인 모바일 D램을 선행 출시해 새로운 IT 시장을 창출해 나갈 것”이라고 강조했습니다.

향후 삼성전자는 12기가비트 LDDR4 D램 기반의 고용량 라인업을 확대해 20나노 D램 라인업(12/8/6/4Gb)의 제품 경쟁력을 강화하는 한편, 차세대 신제품을 적기에 출시해 프리미엄 메모리 시장의 성장세를 주도하고 차별화된 사업 위상을 구축해 나갈 예정입니다.

■ 삼성전자 대용량 모바일 D램 양산 연혁

• 2009년 256MB (50나노급 1기가 MDDR, 400Mb/s)
• 2010년 512MB (40나노급 2기가 MDDR, 400Mb/s)
• 2011년 1GB/2GB (30나노급 4기가 LPDDR2, 1066Mb/s)
• 2012.8월 2GB (30나노급 4기가 LPDDR3, 1600Mb/s)
• 2013.4월 2GB (20나노급 4기가 LPDDR3, 2133Mb/s)
• 2013.7월 3GB (20나노급 4기가 LPDDR3, 2133Mb/s)
• 2013.11월 3GB (20나노급 6기가 LPDDR3, 2133Mb/s)
• 2014.12월 4GB (20나노 8기가 LPDDR4, 3200Mb/s)
• 2015.7월 3/6GB (20나노 12기가 LPDDR4, 4266Mb/s)

■ 삼성전자 미국 CES(Consumer Electronics Show) 수상 연혁

메모리 업계 유일 3년 연속 Embedded Tech.부문 혁신상 수상
• 2013.1월 2GB LPDDR3 (30나노급 모바일 D램)
• 2014.1월 3GB LPDDR3 (20나노급 모바일 D램)
• 2015.1월 4GB LPDDR4 (20나노 모바일 D램)

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■ 2분기 매출 48.54조원, 영업이익 6.9조원

삼성전자 매출은 전분기 47.12조원 대비 약 3% 증가했고, 영업이익은 전분기 5.98조원 대비 약 15% 증가했습니다.

2분기는 유로화와 이머징 국가의 통화 약세 등 불안한 경제 상황이 지속됐으나 반도체 실적 호조와 CE 사업의 실적 개선에 힘입어 전분기 대비 매출과 영업이익이 증가했습니다.

2분기 반도체 사업은 모바일/서버를 중심으로 메모리 제품의 수요가 증가하고 14나노 모바일 AP 공급 증가와 고부가 LSI제품의 견조한 수요에 힘입어 실적이 개선됐습니다.

IM 사업의 경우 갤럭시 S6를 본격 출시했지만, 중저가 스마트폰 판매량 감소와 신제품 출시에 따른 마케팅 비용 증가로 실적 개선이 제한됐습니다.

CE 사업은 SUHD TV 등 신제품 본격 출시로 인한 프리미엄 제품 판매 확대, 냉장고, 세탁기, 에어컨 등 주력 제품의 판매 호조로 전분기 대비 실적이 개선됐습니다.

[하반기 전망]

하반기에는 예년 대비 IT산업의 전형적인 상저하고(上低下高) 양상이 약화되는 등 어려운 경영여건이 예상됩니다.

CE 사업은 성수기 TV수요 적극대응, 시스템 LSI 사업은 14 나노 파운드리 공급 개시로 실적이 개선될 것으로 기대됩니다.

메모리, 디스플레이 사업의 경우 하반기 견조한 실적을 달성할 것으로 전망되지만, LCD패널과 프리미엄 D램의 업계 공급 증가 등 리스크 요인도 상존할 것으로 보입니다.

IM 사업의 경우 프리미엄•중저가 신제품 출시를 통해 판매 확대와 수익성 개선을 추진하고 비용 효율화를 지속 추진할 계획입니다.

[시설투자]

2분기 시설투자는 반도체 3.2조원, 디스플레이 1.1조원 등 총 5.9조원에 이른다. 상반기 누적 시설투자는 13.2조원으로 지난해 상반기 10.3조원 대비 약 30% 증가했습니다.

삼성전자는 V낸드 등 첨단기술 리더십 강화, 디스플레이 패널 생산 효율성 제고를 위해 추가 투자할 가능성을 신중히 검토하고 있습니다.

[부문별 세부내용]

□ 반도체

반도체는 2분기 매출 11.29조원, 영업이익 3.4조원을 달성했습니다.

메모리는 계절적 비수기에도 불구하고 고용량 제품 판매 증가와 모바일/서버향 고부가 제품 중심의 수요 증가로 견조한 실적이 유지됐습니다.

시스템LSI는 14나노 모바일 AP를 비롯한 스마트폰에 탑재되는 부품의 매출이 성장하고 고화소 이미지센서, 플렉시블 디스플레이용 DDI등 고부가 LSI 제품의 수요가 견조해 전분기 대비 매출이 성장했습니다.

하반기 메모리 시장은 스마트폰 신제품 출시와 고사양화에 따른 용량 증가, 서버와 PC의 SSD 탑재가 증가해 수요를 견인할 것으로 전망됩니다.

삼성전자는 고부가 제품 중심으로 수요 변화에 탄력적으로 대응하고 20나노 D램 비중 확대와 V낸드 공급 확대, 10나노급 낸드 공정 전환을 통해 수익성을 확보해 나갈 방침입니다.

하반기 시스템LSI 사업은 14나노 파운드리 매출 증가와 이미지센서 신제품 출시, 중국 모바일 시장 진입 확대로 상반기 대비 실적이 개선될 것으로 예상됩니다.

삼성전자는 첨단공정 기술력을 바탕으로 거래선과 제품의 다변화를 통해 시스템LSI 사업에서 안정적 성장 기반을 다져나갈 방침입니다.

□ DP(디스플레이)

2분기 디스플레이 사업은 매출 6.62조원, 영업이익 0.54조원을 기록했습니다.

LCD 부문은 전체 패널 판매량은 감소했으나, UHD TV 등 대형 프리미엄 TV 패널의 판매 증가로 전분기 대비 실적이 개선됐습니다.

OLED 부문은 2분기 비수기로 인한 스마트폰용 물량의 감소와 신규 플렉시블 디스플레이 라인의 본격 가동에 따른 비용 증가로 전분기 대비 실적이 감소했습니다.

하반기 LCD 패널 시장은 프리미엄 시장이 지속 성장할 것으로 예상되지만, 공급 초과와 수요 둔화 등 리스크도 상존할 것으로 예상돼, 삼성전자는 수익성 확보에 주력할 계획입니다.

삼성전자는 OLED 부문에서 중저가 제품 라인업을 강화해 신규 거래선을 확대하고, 하이엔드 신제품 수요에도 대응해 수익성을 개선할 방침입니다.

특히, 플렉시블 디스플레이의 시장 리더십을 확고히 하고 향후 투명, 미러(Mirror) 디스플레이 등 신규 응용제품 개발을 강화해 중장기 신성장 동력 확보에도 노력할 계획입니다.

□ IM (IT & Mobile Communications)

2분기 IM 부문은 매출 26.06조원, 영업이익 2.76조원을 기록했습니다.

스마트폰 판매량은 구형 중저가 모델 판매 감소로 전분기 대비 감소했지만, 갤럭시 S6와 S6 엣지의 판매 확대에 힘입어 매출이 증가했습니다.

한편, 예상보다 높은 수요를 보인 갤럭시 S6 엣지의 공급 차질과 전략 모델 출시로 인한 마케팅 비용 증가 등으로 영업이익은 전분기 대비 제한적으로 개선됐습니다.

하반기 스마트폰 시장은 전년 대비 성장하지만 성장세는 둔화될 것으로 전망되고, 태블릿은 전년대비 역성장이 예상됩니다.

삼성전자는 시장 상황에 따른 갤럭시S6와 S6 엣지의 탄력적인 가격 운영, 대화면 신모델 출시 등을 통해 프리미엄 스마트폰 판매를 견조하게 유지할 방침입니다.

또한 중저가 신모델 도입 등으로 경쟁력을 높이는 한편, 전반적인 라인업 효율화를 통해 R&D와 마케팅 등 전 분야에서 효율성을 개선할 계획입니다.

태블릿의 경우, 2분기에 출시한 갤럭시 탭A 시리즈와 하반기 신제품으로 시장에 적극 대응할 계획입니다.

□ CE (Consumer Electronics)

2분기 CE 부문은 매출 11.2조원, 영업이익 0.21조원을 달성했습니다.

TV 시장 정체 속에서도 삼성전자의 TV 실적은 SUHD TV 등 신제품 출시와 프리미엄 제품 판매 확대로 전분기 대비 개선됐습니다.

또 평판TV와 UHD TV시장에서 삼성전자는 시장 점유율, 주요 국가에서의 소비자 브랜드 인지도와 선호도 등에서 견고한 1위를 유지하고 있습니다.

하반기 TV 시장 수요는 전년 수준을 유지할 것으로 전망되지만, UHD •대형 TV 제품의 수요는 증가할 것으로 예상됩니다.

삼성전자는 프리미엄 제품 라인업을 보급형까지 다양화해 성수기 수요에 적극 대응하고 신규 수요층을 확보해 수익성 개선도 적극 추진할 방침입니다.

2분기 삼성전자 생활가전 사업은 셰프컬렉션 냉장고, 액티브 워시 세탁기 등 프리미엄 혁신 제품 판매 호조를 통해 북미, 구주, 서남아 지역에서 매출이 증가해 전분기 대비 주력 제품군에서 실적이 개선됐습니다.

삼성전자는 하반기에도 생활가전 사업에서 프리미엄 제품 판매를 늘리고, 북미 등 선진시장 중심으로 매출 확대를 적극 추진할 계획입니다.

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