삼성전자가 업계 최초로 8세대 V낸드를 적용한 PCIe 4.0 차량용 SSD AM9C1 개발을 완료했다.

* PCIe(Peripheral Component Interconnect Express): 기존 SATA 전송 속도의 성능 한계를 극복한 고속 인터페이스 규격

삼성전자는 주요 고객사에게 업계 최고 속도 256GB(기가바이트) 샘플을 제공하고 본격적인 시장 확대에 나섰다.

이번 256GB 제품은 각각 4,400MB/s, 400MB/s의 연속 읽기∙쓰기 속도를 제공하고 전작 대비 전력효율은 약 50% 개선되어 차량 내 온디바이스 AI 기능 지원에 최적화됐다.

* 비교 대상 제품은 자사 차량용 SSD ‘AM991’
* SLC 모드(SLC mode): TLC 대비 성능이 좋고 신뢰성이 높은 SLC 파티션을 제공해 유저가 데이터 성격에 맞게 설정 가능. 단, SLC로 변경 시 용량이 기존 TLC 대비 1/3으로 감소함.
* SLC 전환 시 연속 읽기∙쓰기 속도 각각 4,700MB/s, 1,400MB/s

이번 제품은 ▲5나노 기반 컨트롤러 탑재 ▲보드 레벨 신뢰성 평가 강화 ▲SLC 모드(SLC mode) 기능을 지원한다.

* 보드 레벨 신뢰성 평가: 패키지를 실제 보드에 실장하여 온도 변화(-40~105’c)에 따라 파손이 발생하는지 검사하는 신뢰성 평가

SLC 모드 기능을 통해 제품을 TLC에서 SLC로 전환하면 SSD의 연속 읽기∙쓰기 속도가 빨라져 차량 내 고용량 파일에 더욱 빠르게 접근 가능하다.

* TLC(Triple Level Cell): 하나의 셀에 3bit 데이터를 기록할 수 있는 구조

이번 제품은 차량용 반도체 품질 기준인 AEC-Q100 Grade2를 만족해, 영하 40℃에서 영상 105℃까지 폭넓은 온도 범위에서 안정적인 성능을 보장한다.

* AEC-Q100(Automotive Electronic Council): 자동차 부품 협회에서 자동차 전자 부품에 대한 신뢰성 평가 절차 및 기준을 규정한 것으로 전세계에서 통용되는 기준, Auto Grade는 온도 기준에 따라 0~3 단계로 나뉨.

삼성전자 메모리사업부 상품기획팀 조현덕 상무는 “삼성전자는 업계를 선도하는 글로벌 자율주행 업체들과 협력 중이며, 이번 제품을 통해 고용량∙고성능 제품에 대한 수요를 만족할 수 있을 것으로 기대한다”며 “앞으로도 자율주행, 로봇 등 물리적 AI(Physical AI) 메모리 기술 및 관련 시장을 선도하겠다”고 밝혔다.

* 물리적 AI(Physical AI): 로봇, 자율주행 등 센서를 통해 시스템이 물리적 세계를 인식하고 상호작용하는 AI

삼성전자는 256GB AM9C1 제품을 연내 양산하고, 차량용 고용량 SSD에 대한 고객의 수요 증가에 맞춰 다양한 용량 라인업을 선보일 계획이다.

* AM9C1 용량 라인업: 128GB/256GB/512GB/1TB/2TB

특히 8세대 V낸드 기준 업계 최고 용량인 2TB(테라바이트) 솔루션을 개발 중으로 내년 초 양산 예정이다.

한편, 삼성전자는 차량용 반도체 시장에서 요구하는 높은 안정성을 검증하기 위해 다양한 ‘차량용 개발 및 관리 프로세스 인증’을 진행하고 있다.

삼성전자는 ISO/SAE21434에 기반한 차량용 사이버 보안 관리 체계 CSMS 인증을 획득하고, 올해 3월 UFS 3.1 제품으로 ASPICE CL3 인증을 획득하는 등 차량용 반도체의 기술 신뢰성과 안정성 향상을 위해 적극적으로 노력할 계획이다.

* ASPICE(Automotive Software Process Improvement and Capability dEtermination): 독일 자동차 협회(VDA) 에서 개발/배포되는 차량용 부품 생산 업체의 소프트웨어 개발 프로세스 신뢰도와 역량을 평가하는 소프트웨어 개발 표준. CL(Capability Level) 0~5 단계로 나뉘며 CL3는 조직이 체계적인 프로세스를 구축하고 이를 효과적으로 실행할 수 있는 능력을 갖춘 단계를 의미
* CSMS(Cyber Security Management System): ISO/SAE21434 기반 자동차 산업에서 사이버 보안을 강화하기 위한 국제 표준으로 설계부터 개발, 평가, 양산 단계까지의 사이버 보안 프로세스 및 요구

삼성전자 메모리사업부 오화석 부사장은 “ASPICE와 ISO/SAE21434 인증은 우리 기술의 신뢰성과 안정성을 대외적으로 인정받는 중요한 이정표”라며, “앞으로도 지속적으로 안전성과 품질을 향상시켜 고객들에게 최고의 솔루션을 제공할 것”이라고 밝혔다.

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삼성전자가 AI시대 초고용량 서버SSD를 위한 ‘1Tb(테라비트) QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드’를 업계 최초로 양산했다.

* 1Tb(Terabit) V낸드: 1조 비트의 셀을 단일 칩 안에서 구현한 제품
* QLC(Quad Level Cell): 하나의 셀에 4bit 데이터를 기록할 수 있는 구조

삼성전자는 지난 4월 ‘TLC 9세대 V낸드’를 최초 양산한데 이어 QLC 제품까지 선보이며 고용량∙고성능 낸드플래시 시장 리더십을 굳건히 했다.

* TLC(Triple Level Cell): 하나의 셀에 3bit 데이터를 기록할 수 있는 구조

삼성 9세대 V낸드는 독보적인 ‘채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)’ 기술을 활용해 더블 스택(Double Stack) 구조로 업계 최고 단수를 구현해냈다.

* 채널 홀 에칭(Channel Hole Etching): 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한번에 전자가 이동하는 홀(채널 홀)을 만드는 기술
* 더블 스택(Double Stack): ‘채널 홀’ 공정을 두 번 진행해 만든 구조

특히 이번 QLC 9세대 V낸드는 셀(Cell)과 페리(Peripheral)의 면적을 최소화해 이전 세대 QLC V낸드 대비 약 86% 증가한 업계 최고 수준의 비트 밀도(Bit Density)를 자랑한다.

* 페리(Peripheral): 셀의 동작을 관장하는 각종 회로들로 구성
* 비트 밀도(Bit Density): 단위 면적당 저장되는 비트(Bit)의 수

V낸드의 적층 단수가 높아질수록 층간, 층별 셀 특성을 균일하게 유지하는 것이 더욱 중요해졌으며, 삼성전자는 이를 위해 ‘디자인드 몰드(Designed Mold)’ 기술을 활용했다.

‘디자인드 몰드’란 셀 특성 균일화, 최적화를 위해 셀을 동작시키는 WL(Word Line)의 간격을 조절하여 적층하는 기술로, 데이터 보존 성능을 이전 제품보다 약 20% 높여 제품 신뢰성을 향상시켰다.

* 몰드(Mold): 셀을 동작시키는 Word Line의 층
* WL(Word Line): 트랜지스터의 on/off를 담당하는 배선

이번 9세대 QLC는 셀의 상태 변화를 예측하여 불필요한 동작을 최소화하는 ‘예측 프로그램(Predictive Program) 기술’ 혁신을 통해 이전 세대 QLC 제품 대비 쓰기 성능은 100%, 데이터 입출력 속도는 60% 개선했다.

또한 낸드 셀을 구동하는 전압을 낮추고 필요한 BL(Bit Line)만 센싱해 전력 소모를 최소화한 ‘저전력 설계 기술’을 통해 데이터 읽기, 쓰기 소비 전력도 각각 약 30%, 50% 감소했다.

* BL(Bit Line): 데이터 쓰기, 읽기 역할을 담당하는 배선. WL(Word Line)과 함께 Cell Array를 이룸

삼성전자 메모리사업부 Flash개발실 허성회 부사장은 “9세대 TLC 양산 4개월 만에 9세대 QLC V낸드 또한 양산에 성공함으로써 AI용 고성능, 고용량 SSD 시장이 요구하는 최신 라인업을 모두 갖췄다”며, “최근 AI향으로 수요가 급증하고 있는 기업용 SSD 시장에서의 리더십이 더욱 부각될 것”이라고 밝혔다.

삼성전자는 브랜드 제품을 시작으로 향후 모바일 UFS, PC 및 서버SSD 등 QLC 9세대 V낸드 기반 제품 응용처를 점차 확대할 계획이다.

* UFS: Universal Flash Storage

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삼성전자가 고용량 1TB(테라바이트) 마이크로SD 카드 2종 ‘PRO Plus’와 ‘EVO Plus’를 출시했다.

이 제품은 업계 최고 용량인 1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 8세대 V낸드를 8단으로 쌓아 패키징해 테라바이트급 고용량을 구현하고, 제품 내구성을 강화했다.

* TLC(Triple Level Cell): 하나의 셀에 3bit 데이터를 기록할 수 있는 구조

삼성전자가 2015년에 첫 출시한 ‘PRO Plus’와 ‘EVO Plus’ 라인업은 ▲용량 ▲속도 ▲안정성 ▲호환성을 모두 갖춘 마이크로SD 카드로, 고성능∙고용량을 필요로 하는 사용자들에게 최적의 솔루션이다.

▲게임 콘솔 ▲드론 ▲액션 카메라 ▲태블릿 등 마이크로SD 카드 슬롯이 있는 모든 기기들과 호환 가능해 크리에이터, 게이머 등 다양한 사용자에게 적합하다.

이번 신제품 출시를 통해 ‘PRO Plus’와 ‘EVO Plus’ 모두 최대 용량이 512GB(기가바이트)에서 1TB로 2배 증가했고, 두 제품은 각각 초당 최대 180MB(메가바이트), 160MB의 연속 읽기 속도를 제공한다.

* 연속 읽기 속도: 스토리지 메모리에 이미 저장된 데이터를 연속적으로 불러오는 속도

1TB 용량은 2.3MB 4K UHD 해상도 이미지 40만 장 또는 20GB 콘솔 게임 45편 이상을 저장할 수 있어 고용량 파일을 다루는 크리에이터, 콘솔 게임 유저 등 사용자들에게 최적의 환경을 제공할 것으로 기대된다.

‘PRO Plus’와 ‘EVO Plus’ 1TB 제품은 28나노 컨트롤러를 통해 전력 효율을 개선해 배터리 소모량을 줄인 것이 특징이다.

또한 ‘ECC(Error Correction Code) 엔진’의 한 종류인 LDPC(Low Density Parity Check) 크기를 1KB에서 2KB로 향상해 데이터 유실을 최소화하고 제품 신뢰성을 높인 것도 강점이다.

* ECC(Error Correction Code) 엔진: 낸드플래시에서 발생한 오류를 감지하고 정정하는 엔진
* LDPC(Low Density Parity Check): ECC 코드의 한 종류로서 메모리 전송 중 오류를 감지하고 수정하는 고효율 오류 정정 코드

‘PRO Plus’와 ‘EVO Plus’ 1TB 제품은 UHS 스피드 클래스 3(U3), 비디오 스피드 클래스 30(V30), A2 등급을 갖춰 빠른 데이터 로딩과 멀티태스킹 작업도 가능하다.

* UHS 스피드 클래스 3(U3): SD 어소시에이션에서 규정한 고성능 메모리카드 속도 규격. U3는 최소 초당 30MB의 쓰기속도를 규정해 풀HD촬영에 최적의 조건을 제공.
* 비디오 스피드 클래스(V30): UHS 인터페이스 제품에 실시간 비디오 녹화를 지원하는 고속 비디오 전송 속도를 의미. V30은 30MB/s의 연속 쓰기 속도를 지원
* A2(Application Performance Class): 메모리카드의 임의 읽기/쓰기 속도에 대한 규격. A2 규격은 최소 4000 IOPS 임의 읽기 속도와 2000 IOPS의 임의 쓰기 속도를 지원

이 외에도 방수, 내열, 엑스레이, 자기장, 낙하, 마모 등 6가지 항목에 대한 검증을 완료해 극한의 외부 환경에서도 데이터를 안정적으로 보호할 수 있다.

* 데이터 보호 기능: 방수(3% NaCl 1미터 깊이의 수심에서 최대 24시간 방수), 낙하(최대 1.5미터 높이에서 낙하 손상 방지), 마모(최대 10,000회 탈착), 엑스레이(공항 검색대와 동일한 최대 100mGy에서 210초 기준), 자기장(MRI와 동일한 최대 15,000 가우스 30초 기준), 온도 변화(동작 온도: 영하 25℃~영상 85℃)

삼성전자 메모리사업부 브랜드제품Biz팀 손한구 상무는 “소비자들의 모바일 기기 사용량이 늘어나면서 고용량 데이터를 처리할 수 있는 고성능 제품에 대한 니즈가 증가하고 있다”며, “‘PRO Plus’와 ‘EVO Plus’ 1TB 제품은 고용량 데이터를 안정적으로 저장하고자 하는 소비자들에게 최적의 솔루션”이라고 밝혔다.

‘PRO Plus’와 ‘EVO Plus’ 1TB 제품의 가격은 각각 $125.99, $115.99이다.

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점차 미세해지는 반도체 기술만큼, 하루를 나노 단위처럼 잘게 쪼개 보람찬 생활을 이어가는 임직원이 있다. 삼성전자 반도체 Flash PA팀 노성호 님이다. V낸드를 담당하는 성호 님은 사무실에 도착하면 수십 개 가까이 되는 웨이퍼 뭉치(LOT)를 확인하는 것은 기본, 반도체 공정이 잘 돌아갈 수 있도록 수시로 체크하는 것은 필수다. 아무리 바쁜 와중에도 16층에 위치한 근무지까지 계단으로 오르며, 하루를 보람차게 보내는 성호 님. 오늘보다 더 성장하면서 좋은 사람이 되고 싶다는 성호 님의 일상은 어떤 모습일까? 영상을 통해 확인해보자.

the블루아워, the 블루 아워

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같은 면적인데 더 높은 효율과 성능을 갖춘, 데이터들의 드림하우스가 있다? 분양사무소 V9이 비좁고 답답한 데이터 사용 환경에 시달린 사용자들의 새 보금자리를 위해 나섰다. 나노 단위 세계 속의 고용량 스토리지 하우스, 삼성전자 ‘9세대 V낸드’가 그 주인공. 손톱보다 작은 공간에 수천억 개의 데이터 셀을 수직으로 쌓아 올린 9세대 V낸드에는 엄청난 비밀이 숨겨져 있다는데. 초고층 하이낸드 라이프를 꿈꾸는 테크 유튜버 주연을 따라 지금 바로 입장해 보자!

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오늘 뉴스룸은 ‘9세대 V낸드’ 기획과 개발을 담당한 삼성전자 상품기획실 현재웅 상무, Flash개발실 홍승완 부사장, 김은경 상무, 조지호 상무를 만났다. 이들과 함께 AI 시대의 새로운 가능성을 창조해 가는 삼성전자 V낸드 공간으로 입장해 보자.

* TLC(Triple Level Cell): 하나의 셀에 3bit 데이터를 기록할 수 있는 구조
* 몰드(Mold): 셀을 동작시키는 워드 라인(트랜지스터의 on/off를 담당하는 배선)의 층
* 비트 밀도(Bit Density): 단위 면적당 저장되는 비트의 수
* 간섭 현상: 셀 간 간격이 좁아져 전자가 누설되거나 인접 셀이 영향을 받는 현상

삼성전자는 2002년 낸드플래시 메모리 분야에서 세계 1위에 오른 뒤, 시장을 선도하며 초격차 기술을 선보이고 있다. 긴 여정의 결실이라고 할 수 있는 9세대 V낸드에 이어, 삼성전자는 앞으로도 끊임없는 혁신과 첨단 메모리 기술 개발을 통해 정교한 미래를 설계해 나갈 예정이다.

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삼성전자가 업계 최초로 ‘1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드’ 양산을 시작하며 낸드플래시 시장에서의 리더십을 공고히 했다.

* TLC(Triple Level Cell): 하나의 셀에 3bit 데이터를 기록할 수 있는 구조

삼성전자는 ▲업계 최소 크기 셀(Cell) ▲최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 ‘1Tb TLC 9세대 V낸드’의 비트 밀도(Bit Density)를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰다.

* 비트 밀도(Bit density): 단위 면적당 저장되는 비트(Bit)의 수

더미 채널 홀(Dummy Channel Hole)제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며, 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용해 제품 품질과 신뢰성을 높였다.

* 더미 채널 홀 (Dummy Channel hole): Cell Array에서 Plane을 구분하기 위해 만들어진 동작을 수행하지 않는 채널 홀

삼성전자의 ‘9세대 V낸드’는 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로, ‘채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)’ 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정 혁신을 이뤄 생산성 또한 향상됐다.

‘채널 홀 에칭’이란 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한번에 전자가 이동하는 홀(채널 홀)을 만드는 기술이다. 특히, 적층 단수가 높아져 한번에 많이 뚫을수록 생산효율 또한 증가하기 때문에 정교화∙고도화가 요구된다.

‘9세대 V낸드’는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 ‘Toggle 5.1’이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 구현했다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대해 낸드플래시 기술 리더십을 공고히 할 계획이다.

* Toggle DDR: 낸드플래시 인터페이스 규격으로, 1.0은 133Mbps, 2.0은 400Mbps, 3.0은 800Mbps, 4.0은 1.2Gbps, 5.0은 2.4Gbps, 5.1은 3.2Gbps의 입출력 속도를 지원
* PCIe(Peripheral Component Interconnect Express): 기존 SATA 전송 속도의 성능 한계를 극복한 고속 인터페이스 규격
* PCIe 5.0: 기존 PCIe 4.0 대비 대역폭이 2배로 커진 32GT/s를 지원하는 차세대 PCIe 통신규격

또 ‘9세대 V낸드’는 저전력 설계 기술을 탑재하여 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐다. 환경 경영을 강화하면서 에너지 비용 절감에 집중하는 고객들에게 최적의 솔루션이 될 것으로 기대된다.

삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 허성회 부사장은 “낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량∙고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다”며, “9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것”이라고 밝혔다.

삼성전자는 ‘TLC 9세대 V낸드’에 이어 올 하반기 ‘QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드’도 양산할 예정으로 AI시대에 요구되는 고용량∙고성능 낸드플래시 개발에 박차를 가할 계획이다.

* QLC(Quad Level Cell): 하나의 셀에 4bit 데이터를 기록할 수 있는 구조

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어려운 반도체 용어를 알기 쉽게 소개해 주는 반도Chat의 네 번째 이야기! 오늘은 기나긴 디지털 여정을 획기적으로 단축해 주는 SSD에 대해 알아볼 시간이다.

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Map 1. HDD에서 SSD로! 저장매체 패러다임의 변화

‘HDD(Hard Disk Drive)’는 비휘발성 데이터 저장소 중 가장 오랜 시간 대중의 사랑을 받았다. 1950년대에 출시된 이후 지속적인 개발을 거쳐, 1990년대에는 개인용 컴퓨터의 핵심 부품으로 자리 잡기도 했다. 그러나 오늘날 컴퓨터, 스마트폰, 태블릿 등 대부분의 전자기기에는 ‘SSD(Solid State Drive)’가 사용되고 있다. 이렇듯 시대별 보조 기억장치의 대표 주자로 자리했던 HDD와 SSD의 차이점은 과연 무엇일까?

1990년대 이후 대부분의 PC는 HDD라는 저장장치를 활용했다. HDD는 금속이나 유리로 만들어진 원형 판 ‘플래터(Platter)’와 바늘 모양의 ‘헤드(Head)’로 구성된 기계식 저장장치다.

HDD의 데이터 처리 방식은 LP판에 비유해 볼 수 있다. 턴테이블에 올려 회전시킨 LP판이 바늘로 홈을 읽어 음악을 재생하는 것처럼, HDD는 회전하는 플래터의 데이터를 ‘헤드’라는 바늘을 통해 읽고 쓸 수 있다. 이때 플래터의 회전 속도(RPM)가 빠를수록 데이터를 읽고 쓰는 속도가 함께 빨라져 HDD의 성능은 향상된다.

하지만 이는 곧 HDD의 성능 한계로 이어졌다. 물리적으로 돌아가는 모터 방식은 전력 소비와 발열, 소음 문제를 수반했고, 플래터 회전 속도의 한계 때문에 SSD 대비 데이터 처리 성능이 느렸다.

이 문제를 해결한 것이 바로 SSD다. SSD는 데이터를 반도체에 저장한다. HDD처럼 모터 방식의 구동 장치가 필요하지 않아 작동 시 열과 소음이 발생하지 않고 외부 충격으로부터 안전한 동시에 데이터 처리 속도가 획기적이다. 이러한 이유에서 스토리지 트렌드는 HDD에서 SSD로 변화했다.

HDD에서 SSD로 전환하는 데는 오랜 시간과 연구가 필요했다. SSD 기술 개발은 1970년대부터 시작되었지만, 높은 비용과 커다란 사이즈 문제 때문에 수년간 상용화에 어려움이 있었다.

이에 삼성전자는 2006년 32GB SSD를 장착한 PC를 선보였다. 그 당시 업계는 비용 및 개발 난항 등의 문제로 인해 일반 PC에도 플래시 메모리를 적용하지 못했다. 때문에 삼성전자가 출시한 노트 PC(SENS Q30 PLUS)와 울트라 모바일 PC(SENS Q1) 제품은 HDD가 없는 디지털 PC라는 새로운 시장을 여는 신호탄이 되었다.

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Map 2. SSD로 확장된 초고속 세상

SSD를 좀 더 이해하기 위해서는 플래시 메모리에 대한 이해가 필요하다. 플래시 메모리는 셀(cell)이라는 작은 단위로 데이터를 저장하는 기억장치이다. 이러한 플래시 메모리는 크게 낸드(NAND) 타입과 노어(NOR) 타입으로 구분된다.

노어 타입은 셀을 병렬로 배열하여 한 번에 여러 개의 비트를 읽을 수 있다. 각 셀의 주소를 반드시 기억하는 과정을 거쳐야 하기에 쓰기 속도가 느리지만, 데이터를 빨리 찾을 수 있어 읽기 속도가 빠르다.

반면 낸드 타입은 데이터 저장 단위인 셀을 직렬로 배열하여 한 번에 하나의 비트만 읽거나 쓸 수 있다. 한 블록 전체를 기록하기 때문에 쓰기 속도가 빠르지만, 직렬로 배열되어 읽기 속도가 느리다.

낸드 타입은 노어 타입과 비교했을 때 쓰기 속도가 빠르고 비용 측면에서 합리적이라는 장점이 있다. 더불어 기술 발달에 따라 낸드 타입의 읽기와 쓰기 속도 격차가 가파르게 좁혀졌다. SSD는 바로 이 낸드 타입 플래시 메모리를 사용한 디지털 방식의 데이터 저장장치다.

SSD는 어떻게 이런 성능을 갖출 수 있었을까? 쉽게 이해하기 위해 SSD의 구조를 면밀히 살펴보자. PC가 CPU, 메모리, 기억장치로 이루어진 것처럼, SSD 역시 CPU처럼 외부에서 들어온 명령어를 해석하고 처리하는 역할을 수행하는 컨트롤러, 데이터 저장을 위한 낸드플래시, 캐시메모리 역할을 하는 D램으로 구성되어 있다.

이때 낸드플래시는 데이터 집적도를 높여 용량을 늘려 주고, 컨트롤러는 인터페이스와 메모리 사이에서 데이터 이동을 제어하며 읽고 쓰는 순서를 정해 성능을 향상시킨다.

다시 말해, 하나의 PC 안에서 또 다른 컴퓨팅 시스템이 동작하여, 메모리를 더욱 빠르고 효율적으로 처리하는 셈이다.

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Map 3. SSD 초격차, 그 비결은?

이러한 초고속 고용량 SSD가 탄생하기 위해서는 낸드플래시에 수많은 데이터를 촘촘하게 담는 것이 핵심이다. 즉 동일한 공간에서 얼마나 조밀하게 많은 데이터를 저장할 수 있는지가 중요한데, 그 척도를 ‘집적도’라고 한다. 집적도는 용량과 직결되는 문제이기에 V낸드의 집적도를 높이기 위한 반도체 업계의 노력은 꾸준히 진행되었다.

플로팅 게이트(Floating Gate)와 CTF(Charged Trap Flash) 기술은 낸드플래시의 집적도를 높이기 위한 방향으로 활용되어 왔다. 그중 도체에 전하를 저장하는 플로팅 게이트는 2D 낸드플래시에 적용되었는데, 전기 회로가 미세화될수록 셀간 간섭이 심해지는 한계가 있었다. 이런 이유로 3D 낸드플래시에는 도체가 아닌 부도체에 전하를 저장하는 방식인 ‘CTF 기술’을 적용하고 있다.

삼성전자 반도체에서 개발한 ‘V낸드(Vertical Nand)’는 2D(평면) 낸드플래시의 한계에 봉착한 업계를 확장적 세계로 이끈 3D(수직) 낸드플래시 기술이다. V낸드에 대해서는 데이터를 ‘인구’, 데이터 저장소인 셀을 ‘집’으로 생각하면 쉽게 이해할 수 있다.

예를 들어 단독 주택이더라도 근방에 집과 인구가 많지 않다면 이웃과의 충돌이 거의 발생하지 않는다. 하지만 인구 밀도가 늘어나게 되면, 집들 간의 간격이 좁아지고 소음 등의 간섭 현상이 발생하게 된다.

3D V낸드는 이러한 간섭을 극복하고자 개발한 기술이다. 단독 주택을 아파트와 같이 수직으로 쌓아 올림으로써, 더 많은 인구가 상호 간에 간섭을 일으키지 않고 머무를 수 있게 되는 것이다.

여기서 데이터 간섭 현상을 대폭 감소하기 위해 삼성전자 반도체는 수직으로 쌓아 올린 층에 고속 엘리베이터 역할을 하는 통로, ‘채널 홀’을 뚫어 데이터 용량을 확보하면서도 처리 속도를 향상시키는 기술적 발전을 이뤄 냈다.

삼성전자의 V낸드 기술은 2013년 1세대(24단) V낸드를 시작으로 2014년 2세대(32단), 2015년 3세대(48단), 2016년 4세대(64단), 2018년 5세대(9x단), 2019년 6세대(1xx단), 2021년 7세대(176단), 2022년 8세대(200단 이상) 등 끊임없이 성장하며 대용량 초고속 SSD 시대를 여는 발판이 되었다.

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Map 4. 다양한 분야에서 활용되는 SSD

V낸드 기술이 적용된 SSD는 필요한 상황이나 기능에 따라 다양한 종류로 분류된다.

우선 사용처에 따라 보안 및 외부 충격을 대비한 ‘포터블 SSD’와 작고 가볍고 빠른 성능의 ‘PC&랩탑용 SSD’, 대용량의 데이터와 보안을 요하는 ‘기업용 SSD’로 나뉜다.

최근 삼성전자는 한 뼘 크기에 8TB 용량을 담은 포터블 SSD, ‘T5 EVO’를 출시했다. 이 제품은 외장 HDD 대비 3.8배 빠른 데이터 전송 속도와 최대 460MB/s 연속 읽기∙쓰기 성능을 제공한다. 특히 3.5MB 크기 사진 약 2백만 장 또는 50GB 크기 4K UHD 영화 160 편 이상을 저장할 수 있는 큰 용량은 대용량 파일, 고해상도 동영상, 사진, 게임 등 다양한 라이프 스타일에 맞게 자유자재로 활용 가능하다.

이외에도 풀HD급 4GB(기가바이트) 영화 1 편을 2초 만에 저장할 수 있는 초고속 포터블 SSD(Solid State Drive) ‘T9’을 출시하여 소비자용 SSD 시장을 선도해 나가고 있다.

SSD의 기능 측면에서는, 저장은 물론 연산까지 가능한 ‘Smart SSD’와 연속 쓰기가 많은 응용에 최적화된 ‘ZNS SSD’, 응답 속도가 10배 이상 빠른 ‘Z-SSD’로 나눌 수 있다.

다양한 종류처럼, 자유자재로 활용되는 SSD! SSD는 모바일 기기, 랩톱 컴퓨터&PC, 자율주행 자동차, 데이터 센터 외에도 게임, 영상 편집, 컴퓨터 그래픽 등 빠른 속도와 고용량을 요구하는 상황에서 사용되고 있다.

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Map 5. 내일을 향한 혁신, 삼성전자 반도체가 여는 메모리의 미래

지난 10월, 삼성전자 반도체는 ‘삼성 메모리 테크 데이 2023’에서 ‘Detachable AutoSSD(탈부착 가능한 차량용 SSD)’를 공개했다. 이 제품은 스토리지 가상화로 하나의 SSD를 분할해 여러 개의 SoC(System on Chip)가 사용할 수 있는데, 최대 6,500MB/s의 연속 읽기 속도와 4TB 용량을 제공한다. 탈부착이 가능한 차량용 폼팩터로 구현돼 성능도 손쉽게 업그레이드할 수 있다.

또한 서버 스토리지에서도 응용처에 따라 용량을 변화시키고, 페타바이트(Petabyte)급으로 확장할 수 있는 SSD를 곧 선보일 예정이다.

2020년 출하 기준 전 세계 서버용 HDD를 삼성전자의 최신 SSD로 바꾸면, 3TWh의 전력을 절감할 수 있다. 이는 21년 기준 서울 송파구 구민이 1년간 사용한 전력 사용량(약 2.85TWh)보다 많은 양이다.

최고 성능의 SSD를 개발하는 것에서 더 나아가, 지속가능한 미래를 위해 노력하고 있는 삼성전자 반도체! SSD 초고용량 경신을 통한 낸드 활로 개척 등 삼성전자가 주도한 스토리지 패러다임의 변화는 지금까지도 계속되고 있다.

우리 생활에 또 다른 가치를 부여하는 차세대 저장장치, SSD에 대해 보다 자세하게 알고 싶다면 인생맛칩 ‘SSD’ 편을 참고하길 바란다.

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삼성전자가 5나노 기반 신규 컨트롤러를 탑재한 PC용 고성능 NVMe SSD ‘PM9C1a’를 양산했습니다.

삼성전자가 PC용 SSD에 5나노 기반 컨트롤러를 탑재한 것은 이번이 처음입니다.

삼성전자는 ‘PM9C1a’에 첨단 5나노 파운드리 공정을 적용해 자체 설계한 신규 컨트롤러와 7세대 V낸드를 탑재해 업계 최고 수준의 성능과 전력 효율을 구현했습니다.

‘PM9C1a’의 1W(와트)당 전력 효율은 기존 제품보다 최대 70% 가량 향상돼 PC에서 동일한 용량의 작업을 할 때 소비되는 전력이 낮으며, 노트북 PC의 절전모드에서는 소비전력이 10% 이상 줄어듭니다.

※ 비교 대상 제품은 자사 PC용 SSD ‘PM9B1’

또 이 제품은 PCIe 4.0을 지원해 기존 제품보다 연속 읽기 속도는 1.6배, 연속 쓰기 속도는 1.8배 빨라졌습니다. 연속 읽기ㆍ쓰기 성능은 각각 최대 6,000MB/s, 5,600MB/s이며, 임의 읽기ㆍ쓰기 성능은 각각 최대 900K IOPS, 1,000K IOPS입니다.

‘PM9C1a’는 보안의 중요성이 높아지고 있는 시장 트렌드에 맞춰 보다 강화된 보안 솔루션을 제공합니다.

이 제품은 국제 보안 표준 기구 TCG(Trusted Computing Group)의 암호 아이디(Cryptographic ID) 기술인 DICE(Device Identifier Composition Engine) 표준을 새로 지원합니다.

강화된 보안 솔루션은 SSD 내부에서 안전하게 키를 생성해 생산이나 유통 과정에서 펌웨어를 변조하는 공급망 해킹(Supply Chain Attack)을 방지할 수 있으며, 이를 위해 ‘디바이스 인증(Authentication)’과 SSD ‘펌웨어 변조 방지를 위한 증명(Attestation)’ 기술을 지원합니다.

삼성전자는 ‘PM9C1a’의 라인업을 M.2 규격(22mm x 30mm, 22mm x 42mm, 22mm x 80mm)의 256GB, 512GB, 1TB 등으로 다양화하고 글로벌 고객들과 협력해 시장을 확대할 계획입니다.

삼성전자 메모리사업부 솔루션개발실장 송용호 부사장은 “‘PM9C1a’는 고성능ㆍ저전력ㆍ보안성 등 PC 사용자들에게 중요한 모든 요소를 갖춘 제품”이라며 “앞으로도 다양한 시장 요구에 맞는 제품 개발을 통해 PC용 SSD 시장을 견인할 것”이라고 말했습니다.

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삼성전자가 세계 최고 용량의 ‘1Tb(테라비트) 8세대 V낸드’ 양산에 들어갔습니다.

삼성전자 ‘1Tb TLC(Triple Level Cell) 8세대 V낸드’는 업계 최고 수준의 비트 밀도(Bit Density)의 고용량 제품으로, 웨이퍼당 비트 집적도가 이전 세대 보다 대폭 향상되었습니다.

* 비트 밀도(Bit density): 단위 면적당 저장되는 비트(Bit)의 수

8세대 V낸드는 최신 낸드플래시 인터페이스 ‘Toggle DDR 5.0’이 적용돼 최대 2.4Gbps의 데이터 입출력 속도를 지원한다. 7세대 V낸드 대비 약 1.2배 향상되었습니다.

* Toggle DDR: 낸드플래시 인터페이스 규격으로, 1.0은 133Mbps, 2.0은 400Mbps, 3.0은 800Mbps, 4.0은 1.2Gbps, 5.0은 2.4Gbps의 입출력 속도를 지원

또, 8세대 V낸드는 PCIe 4.0 인터페이스를 지원하며, 향후 PCIe 5.0까지 지원할 계획입니다.

삼성전자는 8세대 V낸드를 앞세워 차세대 엔터프라이즈 서버 시장의 고용량화를 주도함과 동시에 높은 신뢰성을 요구하는 자동차 시장까지 사업 영역을 넓혀나갈 계획입니다.

삼성전자 메모리사업부 Flash개발실 허성회 부사장은 “시장의 고집적, 고용량에 대한 요구로 V낸드의 단수가 높아짐에 따라 3차원 스케일링(3D Scaling) 기술로 셀의 평면적과 높이를 모두 감소시키고, 셀의 체적을 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하는 기반 기술도 확보했다”며, “8세대 V낸드를 통해 시장의 수요를 만족시키고, 더욱 차별화된 제품과 솔루션을 제공해 나갈 것”이라고 밝혔습니다.

앞서 삼성전자는 지난 8월 ‘플래시 메모리 서밋’과 10월 ‘삼성 테크 데이’에서 세계 최고 용량의 8세대 V낸드 양산 계획과 다양한 차세대 메모리 솔루션을 발표한 바 있습니다.

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삼성전자는 지난 1월 글로벌 B2B 고객들에게 공급을 시작한 4세대 256Gb V낸드 기반 SSD에 이어 모바일용 eUFS, 소비자용 SSD, 메모리카드 등에 4세대 V낸드를 확대하고 올해안에 월간 생산 비중을 50% 이상으로 늘려 글로벌 고객의 수요 증가에 대응해 나갈 계획입니다.

4세대(64단) V낸드에는 ‘초고집적 셀 구조·공정’, ‘초고속 동작 회로 설계’와 ‘초고신뢰성 CTF 박막 형성’ 등 3가지 혁신 기술이 적용되어 3세대(48단) 제품 대비 속도와 생산성, 전력 효율 모두 30% 이상 향상됐습니다.

64단 셀(Cell)을 단일 구조로 완성한 ‘초고집적 셀 구조, 공정’

V낸드는 데이터를 저장하는 셀을 만들 때 수십 개의 단을 쌓아 올려 위에서부터 하단까지 수십억 개의 미세한 홀(Hole, 구멍)을 균일하게 뚫어 수직으로 셀을 적층하는 ‘3차원(원통형) CTF 셀 구조’로 되어 있습니다.

그러나 단수가 높아질수록 형성한 구조가 틀어지거나 최상단과 최하단 셀의 특성 차이가 생기는 등 적층 기술은 물리적 한계가 있었습니다. 이에 삼성전자는 ‘9-Hole’이라는 ‘초고집적 셀 구조·공정’ 기술을 개발해 각 층마다 균일한 홀 패턴을 형성하고 전체 단의 하중을 분산해 한계를 극복했습니다.

이로써 삼성전자는 4세대 V낸드를 계기로 90단 이상의 수직 적층 한계를 극복해 반도체 칩 하나에 1조개 이상의 정보를 저장하는 ‘1테라(Tera) 비트 V낸드’ 시대를 여는 원천 기술도 확보했습니다.

3세대 보다 읽기/쓰기 성능 1.5배 높인 ‘초고속 동작 회로 설계’

또한 ‘초고속 동작 회로 설계’로 초당 1기가비트(Gb)의 데이터를 전송하며, 셀에 데이터를 기록하는 속도(tPROG)도 10나노급(Planar, 평면) 낸드 대비 약 4배, 3세대 V낸드보다 약 1.5배 빠른 500μs(마이크로 초, 100만분의 1초) 를 달성했습니다.

4세대(64단) V낸드는 빨라진 속도뿐 아니라 동작 전압을 3.3V에서 2.5V로 낮춰 총 소비전력 효율도 30% 이상 높였습니다.

데이터 신뢰성과 특성 수명 개선한 ‘초고신뢰성 CTF 박막 형성’

특히 원자 단위로 제어할 수 있는 CTF(Charge Trap Flash) 박막을 형성해 셀 크기를 줄이면서도 쓰기·지우기 특성 수명을 높였고, 셀과 셀사이의 데이터 간섭 현상을 최소화하는 제어 기술(채널 박막화)도 구현해 3세대 대비 신뢰성도 20% 향상시켰습니다.

삼성전자 메모리사업부 플래시개발실 경계현 부사장은 “테라 V낸드 시대를 앞당기기 위해 임직원 모두 혁신적인 기술 개발에 전념했다”며, “향후에도 차세대 제품을 적기에 개발해 글로벌 IT 기업과 소비자의 사용 만족도를 높인 솔루션을 제공하겠다”라고 밝혔습니다.

삼성전자는 지난 15년간 ‘3차원 수직구조 V낸드플래시’를 연구하며 500건 이상의 핵심 특허를 개발해 미국, 일본을 비롯한 세계 각국에 출원을 완료하는 등 메모리 반도체 기술을 선도해 나가고 있습니다.

※ 참고자료(4세대 V낸드 설명 이미지)

※ 3세대-4세대 V낸드 비교

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■ 용량·속도·안정성 높여 모바일 기기에 최적의 솔루션 제공

삼성전자는 128GB PRO Plus 마이크로 SD카드를 출시한지 6개월 만에 용량을 2배 높인 256GB EVO Plus 마이크로 SD카드를 선보였는데요. 고용량, 고성능 기기를 사용하길 원하는 소비자들의 선택의 폭을 넓힌 것이 특징입니다.

이번 제품은 읽기•쓰기속도가 최고 수준인 95MB/s, 90MB/s로, 고해상도 동영상 촬영에 필수적인 ‘UHS 스피드 클래스3 (U3)’ 성능을 구현했습니다. ‘256GB EVO Plus’는 성능과 용량을 높여 소비자들이 모바일 기기뿐 아니라 액션캠, 드론 등을 활용해 익스트림 스포츠 영상부터 항공 영상까지 초고해상도(4K UHD)로 자유롭게 촬영할 수 있습니다.

초고해상도(4K UHD, 3840×2160) 영상을 연속으로 약 12시간 촬영할 수 있고, 풀HD급(5GB) 영화 47편을 저장할 수 있어 일반 소비자는 물론 전문가들에게도 최고의 사용 편리성을 제공하는 제품입니다.

특히 최신 스마트폰에서 구현된 방수 인증(IEC60529, IPX7)을 획득했고, X-레이와 강한 외부 자기장의 충격에도 데이터를 안전하게 보호할 수 있어 극한의 사용 환경에서도 안심하고 사용할 수 있습니다.

■ 초고속·초고용량 라인업 확대로 프리미엄 시장 성장 주도

삼성전자 메모리사업부 브랜드제품 마케팅팀 김언수 전무는 “고용량화•고성능화 경쟁이 심화되는 모바일 시장 트렌드에 맞춰 더욱 다양하고 편리한 사용 경험을 제공할 수 있도록 최고 수준의 제품 경쟁력을 갖춘 메모리카드를 출시했다”며, “삼성전자의 V낸드 기술을 통해 초고해상도 영상을 더 빠르고 오래 촬영하려는 소비자들의 요구를 만족시킬 것으로 기대된다”고 밝혔습니다.

삼성전자는 6월부터 ‘256GB EVO Plus 마이크로 SD카드’를 미국, 중국, 일본, 독일 등 세계 50개국에 순차적으로 출시하며 본격적인 고용량 메모리카드 시장 확대에 나설 예정입니다.

삼성전자는 향후에도 초고용량, 고성능 메모리카드 라인업을 지속 출시해 ‘프리미엄 메모리카드’ 시장을 적극 주도해 나간다는 전략입니다.

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■ TV 신제품ㆍ갤럭시 S6 엣지+ㆍ기어 S2, ‘최고혁신상’ 영예

10일(현지시간) 미국 소비자기술협회(The Consumer Technology Association, CTA) 발표에 따르면 삼성전자는 TV(9개), 모바일(12개), 가전(7개), 반도체(5개) 등 다양한 부문에 걸쳐 37개의 ‘CES 혁신상’을 수상했습니다. 특히 ‘CES 2016’에서 처음으로 선보일 TV 신제품과 대화면 스마트폰 ‘갤럭시 S6 엣지+’, 최신 스마트 웨어러블 기기 ‘기어 S2’는 가장 주목되는 제품들에게 주는 ‘최고혁신상’의 영예를 안았는데요.

삼성전자는 TV 부문에서 5년 연속 ‘최고혁신상’을 수상하며 9년 연속 세계 TV 시장점유율 1위의 기술력을 입증했습니다. 또한 360도 전 방향으로 음향이 퍼져 어느 위치에서나 고음질의 사운드를 즐길 수 있는 ‘무선 360 오디오’와 차세대 UHD 기술인 HDR을 지원하는 ‘UHD 블루레이 플레이어’는 혁신상을 수상했습니다.

■ TV(9개), 모바일(12개), 가전(7개), 반도체(5개) 등 다양한 부문 수상

생활가전 부문에서는 냉장고ㆍ드럼세탁기ㆍ오븐 레인지 등 총 7개 제품이 혁신상을 수상했습니다.

특히 지난 ‘IFA 2015’에서 최초로 공개돼 많은 주목을 끌었던 ‘슬립센스’도 수상 제품에 포함됐습니다. ‘슬립센스’는 침대 매트리스 밑에 놓고 사용하는 비접촉식 센서로 개인 수면 상태를 측정하고 분석해 개인의 건강한 삶과 숙면을 도와주는 최첨단 IoT 제품입니다.

삼성전자는 모바일 부문에서 다양한 제품으로 12개의 혁신상을 수상했습니다.

갤럭시 ‘S6’ㆍ‘S6 엣지’ㆍ‘S6 엣지+’ㆍ‘노트5’ 등 올해 출시된 모든 플래그십 스마트폰과 18.4인치 대화면 태블릿 ‘갤럭시 뷰’, 가상현실 헤드셋 ‘기어 VR’, 어린이용 콘텐츠 서비스인 ‘삼성 키즈’, 고속 충전을 지원하는 외장 ‘배터리팩’, ‘무선 충전 패드’ 등이 혁신상을 받았는데요.

특히 대화면 스마트폰 ‘갤럭시 S6 엣지+’와 최신 스마트 웨어러블 기기 ‘기어 S2’는 ‘최고혁신상’의 영예를 안았습니다.

‘갤럭시 S6 엣지+’는 5.7인치 듀얼 엣지 디스플레이로 독창적인 디자인과 더욱 몰입감 있는 멀티미디어 경험을 제공하며, ‘기어 S2’는 세련된 원형 디자인에 혁신적인 원형 휠과 UX를 갖췄습니다.

한편 4K 터치 디스플레이와 인텔의 최신 코어 i7 프로세서, 고성능 그래픽 카드 등을 탑재한 노트북 ‘아티브 북9 프로’도 혁신상을 수상했습니다.

반도체 부문에서는 역대 최다인 5개 제품이 혁신상을 받았습니다.

세계 최대 용량의 차세대 12기가비트(Gb) 초고속 모바일 D램(LPDDR4), 128기가바이트 UFS 메모리 스토리지, 스마트폰과 PC에서 사용 편의성을 극대화한 2테라바이트(TB) 휴대용 솔리드 스테이트 드라이브(SSD) ‘T3’, 최고 성능과 사용 연한을 보증하는 2세대 V낸드 기반의 2테라바이트 ‘850 PRO’ 2.5인치 SSD, 512기가바이트 NVMe ‘950 PRO’ M.2 SSD가 수상했습니다.

지난 1976년에 만들어진 ‘CES 혁신상’은 CES에 출품하는 제품을 대상으로 미국산업디자이너학회(IDSA)와 미국 소비자기술협회의 전문가들이 제품의 혁신성을 가려 선정합니다.

삼성전자는 ‘CES 2016’이 열리는 미국 라스베이거스 컨벤션 센터에 대형 부스를 마련하고 이번 혁신상 수상제품들을 비롯해 세계 소비가전 업계를 선도하는 기기와 기술들을 선보일 계획입니다.

삼성전자 북미총괄 이종석 부사장은 “삼성전자는 세계 각지의 소비자들이 삼성의 혁신적인 제품들과 함께 더욱 새롭고 독창적인 경험을 할 수 있도록 계속해서 노력하고 있다”며 “이러한 노력의 최신 성과물을 ‘CES 2016’ 현장에서 보여주겠다”고 말했습니다.

☞ [인포그래픽] CES 2015를 사로잡은 반도체의 명품들
☞ 삼성전자 ‘CES 2015 혁신상’ 36개 수상

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■ 소비자용 3세대 V낸드 SSD와 기업용SSD 신제품, 50개국 런칭

삼성전자는 22일 서울 호텔신라에서 열린 ‘삼성 SSD 글로벌 서밋 (2015 Samsung SSD Global Summit)’에서 V낸드 기반의 SSD 신제품 5개 라인업(용량별 19개 모델)을 선보이고 이달부터 한국, 미국, 중국, 독일 등 세계 50개국에서 출시한다고 발표했습니다.

이번에 새롭게 출시한 제품은 3세대(48단) V낸드 기반의 ▲2.5인치 소비자용 SSD ‘850 EVO’와 2세대 128기가비트 V낸드 기반의 ▲초고속 기업용 SSD ‘950 PRO’ M.2, ▲카드타입 스토리지용 SSD ‘PM1725’, ▲데이터센터용 SSD ‘SM863′ ▲’PM863’ 등 5종입니다.

삼성전자는 기존의 5개 제품군에 이번에 새롭게 선보인 제품까지 총 10개 제품군(39개 모델)을 구성하고 제품별 용량도 2테라바이트(TB)부터 6.4테라바이트까지 크게 높여 프리미엄 SSD 시장에서 독보적인 제품 경쟁력을 확보했습니다.

‘새시대의 도래(Marching into The Next Era)’라는 테마로 열린 이날 행사에는 글로벌 비즈니스 컨슈머 미디어 기자와 파워 블로거 등 180여명이 참석해 테라바이트급 SSD 시장 확대를 위한 삼성전자의 사업 전략과 ‘V낸드 SSD’ 신제품에 높은 관심을 보였습니다.

■ 2테라바이트 이상 ‘프리미엄 V낸드 SSD 라인업’ 지속 확대

삼성전자는 2013년부터 2년 연속 세계 소비자용 SSD 시장 1위를 차지하고 있으며, 독보적인 3차원 메모리 기술을 적용한 ‘V낸드 SSD’ 제품을 기반으로 소비자 시장뿐만 아니라 기업용 시장까지 사업 영역을 지속 확대해 나가고 있습니다.

메모리사업부 브랜드제품마케팅팀장 김언수 전무는 “3세대 V낸드 SSD 출시로 세계 최고의 속도와 탁월한 절전효과, 긴 사용 연한 등 소비자와 기업 고객들이 가장 원하는 솔루션을 제공하게 됐다”며, “향후 사용 편의성을 더욱 높인 초고용량 SSD를 출시해 ‘테라 SSD 대중화’를 더욱 앞당겨 나갈 것”이라고 말했습니다.

삼성전자는 향후 3세대(48단) 256기가비트(Gb) V낸드기반 SSD를 연이어 출시해 업계 최대의 SSD 라인업을 더욱 강화하고 프리미엄 SSD 시장의 성장세를 주도해 나갈 계획입니다.

■ 주요 신제품 정보

◆ 3세대(48단) V낸드 기반 ‘850 EVO’
지난 해 12월 출시한 기존 ‘850 EVO’ SSD 제품 중 이번에 48단 적층 V낸드 기술을 적용한 대용량 256기가비트(Gb) 낸드플래시 기반의 1테라바이트, 500•250기가바이트 모델을 추가했습니다.

향후 2테라바이트와 4테라바이트 모델까지 출시해 대용량과 고성능 특징을 동시에 갖춘 프리미엄 SSD에 대한 소비자들의 요구를 만족시킴으로써 테라 SSD의 판매 비중을 지속 확대해 나갈 예정입니다.

◆ 초고속 NVMe SSD ‘950 PRO’ M.2
울트라슬림 노트북에 탑재되는 M.2 형태의 SSD 중에 현재까지 가장 빠른 속도를 구현했으며, 최적화된 컴퓨팅 환경에서는 단 5초만에 PC부팅을 완료할 수 있습니다.

512기가바이트(GB) 모델은 무게가 7그램(g) 이하로 기존의 NVMe SSD보다 2배 이상 향상된 최대 2,500MB/s의 연속 읽기 속도를 구현했으며, 이는 HDD보다 20배 빠른 동작속도입니다.

특히 고온에서도 빠른 속도를 유지하는 동시에 전력소모를 줄이는 삼성전자의 독자 설계기술을 적용해 1와트(W)의 전력으로 650메가바이트의 데이터를 처리하는 등 에너지효율을 크게 높였습니다.

◆ 엔터프라이즈 스토리지용 카드타입 SSD ‘PM1725’
‘PM1725’는 현존하는 SSD 중에 가장 빠른 속도를 구현한 차세대 NVMe SSD로서 성능은 임의 읽기 1,000,000 IOPS(Input/Output Operations Per Second), 임의 쓰기 120,000 IOPS입니다.

특히 연속 읽기는 5,500MB/s(megabytes per second), 연속 쓰기는 1,800MB/s로 50분 분량의 초고해상도 풀HD 동영상(약 5기가바이트)을 불과 약 3초만에 저장할 수 있습니다.

또한 대규모의 데이터를 초고속으로 주고 받는 엔터프라이즈 스토리지에 가장 적합한 내구성을 보증하는데, 매일 5기가바이트의 동영상 3,200편을 5년 동안 쓰고 지울 수 있습니다.

◆ 데이터센터용 ‘PM863’, ‘SM863’
대규모 데이터센터용 2.5인치 SATA SSD ‘PM863’과 ‘SM863’은 120기가바이트부터 3.84테라바이트까지 용량에 따라 총 11개의 모델을 선보여 데이터 센터를 구축하는 기업 고객들에게 다양하고 높은 효율의 IT 투자 솔루션을 제공합니다.

※ 950 PRO 미니사이트 : http://www.samsung.com/950PRO

참고 ‘삼성전자 V낸드 SSD 라인업’ (총 39개 모델)
※ 2015년 9월 신규 출시 제품 – 파란색

① 2세대 V낸드 기반 (36개 모델)
• 950 PRO (M.2 NVMe) : 512GB, 256GB
• PM1725 (Card NVMe) : 6.4TB, 3.2TB, 1.6TB
• SM863 (2.5″ SATA) : 1.92TB, 960GB, 480GB, 240GB, 120GB
• PM863 (2.5″ SATA) : 3.84TB, 1.92TB, 960GB, 480GB, 240GB, 120GB
• 850 PRO (2.5″ SATA SSD) : 2TB, 1TB, 512GB, 256GB, 128GB
• 850 EVO (2.5″ SATA SSD) : 2TB, 1TB, 500GB, 250GB, 120GB
• 850 EVO (mSATA SSD) : 1TB, 500GB, 250GB, 120GB
• 850 EVO (M.2 SATA SSD) : 500GB, 250GB, 120GB
• T1 (Portable SSD) : 1TB, 500GB, 250GB

② 3세대 V낸드 기반 (3개 모델)
• 850 EVO (2.5″ SATA SSD) : 1TB, 500GB, 250GB

☞ [2014 삼성 SSD 글로벌 서밋 현장-2부] SSD 성능의 새로운 기준, 3D V낸드 탑재 ‘850 PRO’
☞ [2014 삼성 SSD 글로벌 서밋 현장-1부] 플래시 메모리의 미래, 3D V낸드와 삼성 SSD 리더십
☞ 삼성전자, ‘2014 삼성 SSD 글로벌 서밋’ 개최, ‘V낸드 브랜드 SSD’ 공식 출시
☞ [2013 삼성 SSD 글로벌 서밋- 2부] 더 나은 삶을 위한 진화, SSD 840 EVO
☞ [2013 삼성 SSD 글로벌 서밋- 1부] SSD 대중화 시대로!
☞ 삼성전자 “SSD 대중화 시대로!” 2013 삼성 SSD 글로벌 서밋 개최, 840 EVO 선보여

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