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		<title>V낸드 솔루션 - 삼성전자 반도체 뉴스룸</title>
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		<description>What's New on Samsung Semiconductor Newsroom</description>
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				<title>삼성전자, 美서 차세대 V낸드 솔루션 공개</title>
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				<pubDate>Wed, 09 Aug 2017 09:00:00 +0000</pubDate>
				<dc:creator><![CDATA[삼성전자 반도체]]></dc:creator>
						<category><![CDATA[보도자료]]></category>
		<category><![CDATA[프레스센터]]></category>
		<category><![CDATA[V낸드 솔루션]]></category>
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		<category><![CDATA[삼성전자]]></category>
									<description><![CDATA[<p>삼성전자가 8일 미국 산타클라라 컨벤션 센터에서 열린 &#8216;플래시 메모리 서밋 2017 (Flash Memory Summit)&#8217;에서 세계 최대용량의 V낸드와 차세대 SSD 솔루션을 선보였습니다. ※ 플래시 메모리 서밋 2017 (Flash Memory...</p>
<p>The post <a href="https://news.samsungsemiconductor.com/kr/%ec%82%bc%ec%84%b1%ec%a0%84%ec%9e%90-%e7%be%8e%ec%84%9c-%ec%b0%a8%ec%84%b8%eb%8c%80-v%eb%82%b8%eb%93%9c-%ec%86%94%eb%a3%a8%ec%85%98-%ea%b3%b5%ea%b0%9c/">삼성전자, 美서 차세대 V낸드 솔루션 공개</a> first appeared on <a href="https://news.samsungsemiconductor.com/kr">삼성전자 반도체 뉴스룸</a>.</p>]]></description>
																<content:encoded><![CDATA[<p>삼성전자가 8일 미국 산타클라라 컨벤션 센터에서 열린 &#8216;플래시 메모리 서밋 2017 (Flash Memory Summit)&#8217;에서 세계 최대용량의 V낸드와 차세대 SSD 솔루션을 선보였습니다.</p>



<figure class="wp-block-table"><table><tbody><tr><td>※<strong> 플래시 메모리 서밋 2017 (Flash Memory Summit</strong>): 매년 미국에서 개최되는 세계 최대 플래시 메모리 업계 콘퍼런스 (8/8~8/10)</td></tr></tbody></table></figure>



<div class="wp-block-image"><figure class="aligncenter size-full"><img fetchpriority="high" decoding="async" width="696" height="396" src="https://news.samsungsemiconductor.com/kr/wp-content/uploads/2021/06/V_nand_press_20170809_01-e1626089289111.jpg" alt="삼성전자가 8일부터 열리는 美 플래시 메모리 서밋 2017에서 서버 시스템의 집적도를 향상 시킬 수 있는 새로운 규격의 'NGSFF(Next Generation Small Form Factor) SSD'를 공개했다." class="wp-image-12142" srcset="https://news.samsungsemiconductor.com/kr/wp-content/uploads/2021/06/V_nand_press_20170809_01-e1626089289111.jpg 696w, https://news.samsungsemiconductor.com/kr/wp-content/uploads/2021/06/V_nand_press_20170809_01-e1626089289111-300x171.jpg 300w" sizes="(max-width: 696px) 100vw, 696px" /><figcaption>삼성전자가 8일부터 열리는 美 플래시 메모리 서밋 2017에서 서버 시스템의 집적도를 향상 시킬 수 있는 새로운 규격의 &#8216;NGSFF(Next Generation Small Form Factor) SSD&#8217;를 공개했다.</figcaption></figure></div>



<p></p>



<p>삼성전자는 이번 서밋에서 △세계 최대 용량의 &#8216;1Tb V낸드&#8217; △서버 시스템의 집적도를 향상 시킬 수 있는 &#8216; NGSFF(Next Generation Small Form Factor) SSD&#8217; △기존 SSD보다 성능을 획기적으로 향상시킨 &#8216;Z-SSD&#8217; △신개념 데이터 저장방식을 적용한 &#8216;Key Value SSD&#8217; 등 혁신적인 V낸드 기반 신기술을 공개했습니다.</p>



<h2 class="wp-block-heading">세계 최대 용량 &#8216;1Tb V낸드&#8217;</h2>



<p>삼성전자는 이날 서밋에서 데이터를 저장하는 &#8216;3차원 셀(Cell)&#8217; 용량을 기존(512Gb)보다 2배 늘린 &#8216;1Tb 낸드&#8217;를 공개했습니다.</p>



<p>&#8216;1Tb 낸드&#8217;는 16단을 적층해 하나의 단품 패키지로 2TB를 만들 수 있어, SSD의 용량을 획기적으로 늘릴 수 있습니다.</p>



<p>삼성전자는 1Tb V낸드가 적용된 최대용량의 SSD 제품을 2018년에 본격 출시할 예정입니다.</p>



<h2 class="wp-block-heading">서버 시스템의 공간활용도를 높인 &#8216;NGSFF SSD&#8217;</h2>



<p>삼성전자는 서버 시스템 내 저장장치의 공간활용도를 극대화 할 수 있는 신규 SSD 규격인 &#8216;NGSFF SSD&#8217;를 발표했습니다.</p>



<p>기존 M.2 SSD로 구성된 시스템을 &#8216;NGSFF SSD&#8217;로 대체하면 동일 시스템 공간 기준 저장용량을 4배까지 향상 시킬 수 있습니다.</p>



<p>이날 서밋에서 삼성전자는 16TB &#8216;NGSFF SSD&#8217; 36개를 탑재한 576TB의 레퍼런스 시스템(1U)을 공개했고, 2U 시스템으로 1PB(페타바이트)의 스토리지 시스템을 구현할 수 있습니다.</p>



<p>삼성전자는 &#8216;NGSFF SSD&#8217;를 4분기부터 양산하여 고객 수요에 대응하고, 내년 1분기에 JEDEC 표준화를 완료하여 데이터센터 및 다양한 서버 고객들이 더욱 효율적으로 시스템을 구축할 수 있게 할 예정입니다.</p>



<h2 class="wp-block-heading">응답속도 최대 12배 향상, 고성능 &#8216;Z-SSD&#8217;</h2>



<div class="wp-block-image"><figure class="aligncenter size-full"><img decoding="async" width="800" height="442" src="https://news.samsungsemiconductor.com/kr/wp-content/uploads/2021/06/V_nand_press_20170809_02.jpg" alt="기존 NVMe SSD 제품대비 성능을 획기적으로 향상시킨 하이엔드 SSD제품 'Z-SSD' 이미지" class="wp-image-12146" srcset="https://news.samsungsemiconductor.com/kr/wp-content/uploads/2021/06/V_nand_press_20170809_02.jpg 800w, https://news.samsungsemiconductor.com/kr/wp-content/uploads/2021/06/V_nand_press_20170809_02-300x166.jpg 300w, https://news.samsungsemiconductor.com/kr/wp-content/uploads/2021/06/V_nand_press_20170809_02-768x424.jpg 768w" sizes="(max-width: 800px) 100vw, 800px" /><figcaption>기존 NVMe SSD 제품대비 성능을 획기적으로 향상시킨 하이엔드 SSD제품 &#8216;Z-SSD&#8217; 이미지</figcaption></figure></div>



<p></p>



<p>이날 함께 발표한 &#8216;Z-SSD&#8217;는 최적화된 동작회로를 구성해 성능을 극대화한 하이엔드 SSD제품이며, 기존 NVMe SSD 대비 읽기 응답속도가 7배 빠른 15㎲로, 읽기와 쓰기를 반복하는 시스템 환경에서는 최대 12배까지 향상된 응답속도 구현이 가능합니다.</p>



<p>삼성전자는 실시간 빅데이터 분석, 고성능 서버용 캐시 등 빠른 응답성이 요구되는 분야에 &#8216;Z-SSD&#8217;가 최적의 솔루션이 될 것이라고 밝혔습니다.</p>



<p>삼성전자는 2016년 플래시 메모리 서밋에서 처음으로 &#8216;Z-SSD&#8217;를 선보였으며, 현재 &#8216;Z-SSD&#8217; 샘플을 통해 다양한 업체들과 협력방안을 논의 중입니다.</p>



<h2 class="wp-block-heading">저장방식 혁신, 신개념 &#8216;Key Value SSD&#8217;</h2>



<p>삼성전자는 이날 서밋에서 비정형 데이터 저장에 특화된 신개념 &#8216;Key Value SSD&#8217;도 함께 선보였습니다.</p>



<p>기존 SSD의 경우 다양한 종류, 크기의 데이터를 저장할 때 특정 크기로 변환해 저장하는 방식을 사용하고 있으나, &#8216;Key Value SSD&#8217; 기술을 적용하면 별도의 전환 과정 없이 다양한 데이터를 있는 그대로 저장할 수 있어 시스템의 데이터 입출력 속도를 높일 수 있고, 또한 SSD의 수명도 향상 시킬 수 있습니다.</p>



<p>삼성전자 진교영 메모리사업부장은 &#8220;지속적인 V낸드 솔루션 개발을 통해, 고객 가치를 극대화 하고, 향후 AI, 빅데이터 등 미래 첨단 반도체 수요에 선제적으로 대응해 나갈 것&#8221; 이라고 밝혔습니다.</p>



<p>삼성전자는 2013년 세계 최초 V낸드(1세대, 24단) 양산을 시작으로, 올해 4세대 V낸드를 양산하는 등 낸드플래시 혁신을 주도해왔으며, 향후에도 첨단 솔루션을 통해 프리미엄 메모리 시장을 선도해 나갈 계획입니다.</p>



<figure class="wp-block-table"><table><tbody><tr><td>※<strong> JEDEC(Joint Electron Device Engineering Council, 국제반도체표준협의 기구)</strong>: 반도체 소자 표준 개발을 목적으로 설립된 미국 전자산업협회(EIA)의 반도체 공학 표준 기구로 제조업체와 사용자 단체가 합동으로 집적 회로(IC) 등 전자 장치의 통일 규격을 심의하고 결정한다.<br><br>※ <strong>NVMe(Non-Volatile Memory express)</strong>: SSD의 성능을 최대한 활용할 수 있도록 개발된 초고속 데이터 전송 규격<br><br>※ <strong>컴퓨터에서 사용하는 용량 단위</strong>: 2진수 0과 1을 이용해 정보를 표현하며 영어 1글자는 1바이트(BYTE), 한글 1글자는 2바이트 용량이 필요하다. (1byte = 8bit)<br></td></tr></tbody></table></figure><p>The post <a href="https://news.samsungsemiconductor.com/kr/%ec%82%bc%ec%84%b1%ec%a0%84%ec%9e%90-%e7%be%8e%ec%84%9c-%ec%b0%a8%ec%84%b8%eb%8c%80-v%eb%82%b8%eb%93%9c-%ec%86%94%eb%a3%a8%ec%85%98-%ea%b3%b5%ea%b0%9c/">삼성전자, 美서 차세대 V낸드 솔루션 공개</a> first appeared on <a href="https://news.samsungsemiconductor.com/kr">삼성전자 반도체 뉴스룸</a>.</p>]]></content:encoded>
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