인공지능(AI)의 활용이 글로벌 산업 전반으로 확산되고 개인들의 AI 서비스 사용 또한 일상화되면서, 고성능 AI 반도체 수요는 그야말로 폭증하고 있다. AI 시대 가장 주목받고 있는 반도체 솔루션인 HBM(High Bandwidth Memory)이 진화를 거듭하고 있는 가운데, 삼성전자는 올해 2월 세계 최초로 HBM4을 양산 출하하고 5월에는 HBM4E 12단 샘플을 출하하는 등 차별화된 HBM 기술 경쟁력을 입증했다.

HBM의 발전에는 ‘코어 다이(Core die)’를 구성하는 최첨단 D램 기술이 초석이 되지만, 이와 함께 ‘베이스 다이(Base die)’와 패키지 기술도 매우 중요하다. 베이스 다이는 HBM이 프로세서나 가속기와 데이터를 빠르게 주고 받도록 연결하는 역할을 담당한다. 특히 HBM4부터는 베이스 다이에 최첨단 파운드리 공정이 적용되면서 HBM의 성능과 전력 효율을 끌어올리는 핵심 솔루션으로 자리잡고 있다.

삼성전자 반도체 뉴스룸에서는 파운드리사업부 기술개발실장 구자흠 부사장을 만나 HBM4, HBM4E의 성공에 크게 기여한 베이스 다이 기술과 함께 삼성 파운드리의 선단 공정 경쟁력, 그리고 향후 전망에 대해 들어보았다.

HBM에서도 증명된 삼성 파운드리 공정 경쟁력

Q. 삼성전자는 올해 들어 세계 최초 HBM4 양산, HBM4E 샘플 출하 소식을 연이어 전하며 AI 업계의 주목을 받고 있습니다. 이들 HBM 제품의 성공적인 구현에 기여한 베이스 다이와 파운드리 공정에 대해 소개 부탁드립니다.

베이스 다이는 HBM 적층 구조에서 코어 다이 하부에 위치하는 로직 다이로서 GPU, CPU 등 외부 프로세서와 HBM 간 데이터를 연결하는 고속 인터페이스를 담당하는 소자입니다. HBM의 고대역폭·초고속 동작 요구가 계속 높아지면서, HBM4와 HBM4E의 베이스 다이는 기존의 메모리 공정 대신 삼성 파운드리 4나노 4세대 공정을 도입하게 되었습니다. 삼성 파운드리 4나노 4세대 공정은 양산 3년차에 진입했고 성능과 양산 수율이 충분히 검증된, 높은 경쟁력을 갖춘 공정입니다.

Q. HBM4와 HBM4E에 적용된 베이스 다이 기술의 차이는 무엇인가요?

삼성 파운드리 4나노 공정은 설계 목적에 따라 면적과 성능을 최적화할 수 있도록 두 종류의 게이트 피치^* 옵션을 제공하고 있습니다. 여기에 속도와 누설 전류의 균형을 맞출 수 있도록 다양한 임계 전압(Vth)^* 옵션도 제공하고 있습니다. 한 마디로 검증된 양산 공정이면서, 제품 요구 조건에 맞춰 속도와 면적을 자유롭게 조절할 수 있도록 유연한 설계 선택지를 제공하는 것이 삼성 파운드리 4나노 공정의 핵심 경쟁력입니다.

* 게이트 피치(Gate Pitch): 트랜지스터의 게이트 사이 간격을 의미하며, 공정의 미세화 정도를 가늠하는 지표
* 임계 전압(Vth; Threshold voltage): 트랜지스터에서 채널에 전류가 흐르기 시작하는 최소 전압 값

이러한 4나노 공정의 유연한 설계 옵션을 바탕으로 HBM4E의 베이스 다이에는 고집적 소자와 초고성능 소자를 적용하여 14Gbps 이상 고속 동작이 가능하게 했습니다. 또한 금속 배선 층(Metal Layer)을 더 효율적으로 배치해 전력 소모를 줄이고 방열 경로도 최적화했습니다.

Q. 삼성전자는 메모리와 로직 설계, 파운드리 기술까지 모두 보유하고 있는 종합 반도체 회사인데요, HBM의 구현에 있어서는 어떠한 이점이 있을지요?

HBM은 코어 다이와 베이스 다이를 쌓아 패키징하는 제품입니다. 삼성전자 HBM은 코어 다이는 메모리에서, 베이스 다이는 파운드리에서 각각 제조한 후 TSP에서 패키징하여 완제품을 만드는 턴키(Turn-key) 솔루션 제품입니다. 즉 설계, 제조, 패키징을 모두 삼성전자가 합니다. 이 때문에 설계 단계에서부터 메모리·파운드리·TSP 조직들이 협업하여 속도, 전력, 발열 및 수율에 유리하게 설계를 최적화할 수 있고 양산 제품을 완성하는 시간을 단축할 수 있습니다. 비용 관점에서도 매우 유리합니다.

Q. 향후 HBM5를 비롯한 차세대 HBM 제품의 베이스 다이에도 파운드리 공정이 계속 활용될텐데요. AI의 발전에 따라 어떠한 기술이 적용될까요?

HBM5는 직전 세대인 HBM4E보다도 동작 속도를 약 50% 이상 향상해야 할 것으로 예상됩니다. 그래서, 베이스 다이에는 동작 속도는 물론 전력 효율 관점에서도 큰 폭의 개선을 이끌어낼 수 있는 최선단 공정을 준비하고 있습니다. 업계 요구에 대응하기 위해 HBM5의 베이스 다이는 GAA 구조를 사용하는 2나노 공정을 적용하고 더욱 높은 집적도의 TSV를 구현할 예정입니다.

Q. 처음으로 HBM 베이스 다이에 파운드리 공정을 도입하는 과정이 쉽지 않았을 것 같은데요. 특히 기억에 남는 점은 어떤 것인지요?

모바일 제품을 위한 공정 개발과 달리 HBM의 베이스 다이는 첫 도전이었기 때문에 기존에 경험해보지 못한 수준의 패턴 집적도 편차에 대응해야 했습니다. 따라서 초기 공정 셋업 단계에서 철저한 사전 준비가 필요했습니다. 이에 전 부문 차원의 TF를 구성하고 빈틈이 없도록 체크리스트를 만들어 운영하고 협력함으로써 신속하게 이슈를 풀어낼 수 있었습니다.

뿐만 아니라 후속 HBM 제품에도 적용할 수 있는 새로운 공정 셋업 절차와 기준도 마련했습니다. 그 결과로 HBM4 베이스 다이는 첫번째 샘플부터 성능과 수율 목표를 모두 달성할 수 있었고, 이 모든 과정이 불과 3개월여 만에 일사불란하게 진행되었습니다. 이는 우리가 만들어 낸 최고의 성공 사례였고, 이 순간이 가장 기억에 남습니다.

선단 공정 경쟁력과 시장 다각화로 열어갈 미래

Q. 삼성 파운드리의 주력 분야에 대한 독자들의 관심도 높습니다. 선단 공정 경쟁력과 향후 전망에 대해서도 말씀해주실 수 있을지요?

AI 반도체 시장의 성장과 함께 파운드리 선단 공정에 대한 수요도 지속 확대되고 있습니다. 삼성 파운드리는 선단 공정 기술 경쟁력을 강화하며 글로벌 고객의 수요에 적극 대응하고 있습니다. 세계 최초 GAA 공정을 적용한 3나노 공정 양산에 이어, 작년 하반기에는 2나노 1세대 공정 양산을 시작했습니다. 올해 하반기에는 수율과 성능을 개선한 2나노 2세대 공정 기반의 모바일향 신제품 양산을 시작할 예정입니다.

삼성 파운드리 선단 공정에 대한 수요는 모바일 외 영역에서도 확대되고 있습니다. 작년에는 전장향 테슬라 2나노 제품을 수주하면서 공정 경쟁력을 입증했고, 이를 기점으로 다수의 AI/HPC, CSP(Cloud Service Provider) 대형 고객사들로부터 수주가 이어지고 있습니다. 또한 4나노 공정도 다년 간의 양산 경험과 개선을 통해 안정적인 수율과 성능 경쟁력을 확보했습니다. 특히 HBM4 베이스 다이와 미국 AI 업체의 AI/HPC향 LPU 신제품에 적용되면서, 우수한 성능과 공정 완성도를 인정받아 수요를 견인하고 있습니다. 삼성 파운드리는 앞으로도 선단 공정의 탄탄한 기술 경쟁력을 바탕으로 시장 점유율을 지속 확대해 나갈 계획입니다.

Q. 향후 고객들의 요구사항이 더욱 다양해질 것으로 예상되는데요. 이러한 도전에 어떻게 대응해 나갈 계획인지도 궁금합니다.

앞서 말씀드린 바와 같이 고객 수요 다변화에 맞춰 기존의 모바일 중심에서 AI/HPC, 오토모티브, 로보틱스 등으로 응용처를 확대하고 있으며, 각 응용 분야별 특성과 고객 요구를 반영해 공정 기술과 설계 인프라를 지속 강화하고 있습니다.

AI/HPC 분야에서는 성능과 전력 효율 향상을 위해 패키지 기술과 고대역폭 메모리 기술의 중요성이 커짐에 따라 Advanced PKG, HBM과 연계한 원스톱 솔루션을 제공하고 있습니다. 데이터센터 영역에서는 고대역·저전력 데이터 전송에 대한 요구가 증가함에 따라 실리콘 포토닉스 수요가 커지고 있습니다. 이에 따라 삼성 파운드리는 PO(Pluggable Optics)^* 사업에 이미 진입하였으며, 선단 공정과 3D 패키징 기술을 활용한 CPO(Co-Packaged Optics)^* 사업을 위한 기반 기술도 개발 중입니다. 오토모티브, 로보틱스 분야에서도 고객들과 기술 협력을 확대하고 있으며, eMRAM, mmWave, RF 등 스페셜티 공정 경쟁력도 지속 강화하고 있습니다. 이처럼 다양한 고객의 요구를 충족할 수 있도록 최적의 공정 솔루션들을 제공해 나갈 계획입니다.

* PO(Pluggable Optics), CPO(Co-Packaged Optics): 전기 신호를 광신호로 변환하여 데이터를 전송하는 반도체 기술

Q. 마지막으로, AI 산업의 급격한 성장이 이뤄지고 있는 가운데 삼성 파운드리 공정이 차세대HBM 기술 발전에 있어 어떠한 역할을 하게 될지도 말씀해주시면 감사하겠습니다.

AI 산업 발전에 발맞춰 고성능 저전력 시스템 수요가 확대되면서 HBM 성능에 대한 요구가 예상보다 훨씬 더 빠르게 증가하고 있으며, 파운드리 선단 공정의 중요성도 확대되고 있습니다. 이에 대응하기 위해, 4나노 기반 HBM4 베이스 다이에서 얻은 경험과 기술 경쟁력을 바탕으로 HBM5에서도 2나노 공정을 선제 도입하고 기술 리더십을 확고히 할 것입니다.

AI 산업의 탄생과 성장에는 반도체 기술이 함께하고 있다. 또한, AI 시대 가장 중요한 메모리 솔루션인 HBM의 성능 발전에는 파운드리 기술이 뒷받침되고 있다. 삼성전자는 검증된 파운드리 기술 경쟁력을 바탕으로 모바일, HBM은 물론 전장, AI/HPC, 로보틱스 등 다양한 분야로 고객과의 협력을 확장하며 반도체 생태계를 더욱 강하게 이끌어 나갈 것이다. AI 혁신을 열어나갈 삼성 파운드리의 행보를 기대해 보자.

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삼성전자는 세계 최초로 차세대 AI 가속기의 핵심이 될 ‘HBM4E 12단’ 샘플을 글로벌 고객사에 전격 공급했다.

지난 2월, 업계 최고 속도를 구현한 HBM4 양산 출하에 성공하며 시장의 이정표를 세운 데 이어, 불과 수개월 만에 차세대 HBM4E 공급까지 개시하며 고대역폭 메모리 시장의 절대적 기술 리더십을 다시 한번 증명했다.

특히 이번 HBM4E 공급은 단순한 제품 라인업 확대를 넘어, 향후 수년간 폭발적으로 성장할 글로벌 AI 인프라 시장에서 삼성전자의 독보적인 공급 역량과 기술적 우위를 확고히 하는 계기가 될 것으로 기대된다.

삼성전자의 HBM4E는 설계 및 공정 최적화를 통해 독보적인 스펙을 구현했다. 핀당 동작 속도는 14Gbps에서 최대 16Gbps까지 지원하며, 이는 전작 HBM4 대비 20% 이상 대폭 향상된 수치이다.

* Gbps(Gigabit per second): 1초당 전송되는 기가비트 단위의 데이터

또한, 단일 스택 기준 초당 3.6TB(테라바이트)의 대역폭을 제공함으로써 대규모 언어 모델(LLM) 및 차세대 AI 시스템의 연산 속도를 극대화했다.

용량 측면에서도 개선됐다. HBM4E 12단 제품은 48GB(기가바이트)의 고용량을 구현하여 전작 대비 용량을 30% 이상 늘렸으며, 향후 고객사의 다양한 서비스 환경에 맞춰 32GB(8단), 64GB(16단)까지 라인업을 빈틈없이 확대해 나갈 계획이다.

이번 제품의 가장 큰 차별점은 삼성전자가 보유한 메커니즘의 완벽한 조화에 있다.

전작 HBM4에서 이미 검증된 최선단 공정 기반의 1c(10나노급 6세대) D램과 자체 Foundry 4나노 로직 다이(Die)를 적용했는데, 이를 통해 초미세 공정의 안정성을 극대화하는 동시에 수율과 양산성을 확보, 경쟁사들이 쉽게 따라올 수 없는 압도적인 진입장벽을 구축한 것으로 평가받는다.

또한, 저전력 설계 및 패키징 구조 최적화 기술을 집약해 전작 대비 에너지 효율은 16%, 열 저항 특성은 14% 이상 크게 개선했다.

고부하 AI 연산 환경에서 치명적인 발열 문제를 완벽히 해결함으로써 제품의 장기 신뢰성을 보장하고, 글로벌 데이터센터의 전력 소모 절감에도 획기적인 솔루션을 제공하는 셈이다.

삼성전자는 이번 샘플 공급을 시작으로 고객 일정에 맞춰 양산 공급할 예정이다.

삼성전자는 메모리, Foundry, 시스템LSI, 그리고 첨단 패키징까지 모두 아우르는 세계 유일의 ‘원스톱(One-Stop) 턴키 솔루션’을 기반으로 공급 안정성을 결함 없이 확보해 나갈 방침이다.

삼성전자 메모리사업부 개발담당 황상준 부사장은 “HBM4 양산 성공에 이어 차세대 HBM4E 샘플 공급까지 차질 없이 완수하며 삼성전자의 독보적인 기술 리더십을 시장에 확실히 각인시켰다”며, “앞으로도 압도적인 기술 초격차와 선제적인 생산 인프라 투자를 바탕으로 글로벌 AI 메모리 시장의 성장을 강력하게 주도할 것”이라고 강조했다.

한편, 삼성전자는 지난 2월 세계 최초로 양산 출하한 HBM4도 양산 공급 확대 중이다.

글로벌 고객사들은 삼성 HBM4에 대해 속도와 전력 효율 측면에서 긍정적인 평가를 내놓고 있다. 지난해 12월 삼성전자 HBM4는 최종 인증 단계인 SiP(System in Package) 테스트에서 11.7Gbps의 업계 최고 수준 속도를 입증하며 최고 등급 평가를 받았다.

HBM4E와 동일한 1c D램과 4나노 베이스 다이 조합이 적용된 HBM4가 양산되고 있다는 점에서, 이번에 출하한 HBM4E 역시 양산 전환 가능성이 높다는 평가가 나오고 있다.

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HBM, GPU, AI 반도체… 뉴스에서 많이 접했지만, 막상 설명하려 하면 쉽지 않은 반도체 용어들. 반도체를 더 깊이 이해하고 싶어도 어려운 용어들 때문에 길을 잃은 독자들을 위해, 삼성전자 반도체가 페퍼톤스 이장원과 함께 새로운 시리즈인 ‘DS 딕셔너리’를 선보였다. 오늘의 첫 번째 주제는 요즘 가장 많은 관심을 받고 있는 반도체 용어 ‘HBM’이다.

HBM은 대역폭, 즉 데이터의 이동 통로를 넓히고 속도를 높인 메모리로, 초고속 데이터 전송이 필요한 AI 시스템의 핵심 부품으로 주목받고 있다. 기존 메모리를 ‘단층 주택’에 비유한다면, HBM은 이를 수직으로 쌓아 올린 ‘아파트’에 가깝다. 그렇다면 최근 삼성전자 반도체가 출시한 HBM4는 기존 세대와 무엇이 달라졌을까? HBM의 개념부터 AI 시장에서의 활용 사례, 그리고 삼성전자 HBM4가 보여주는 기술적 진화까지. DS 딕셔너리의 첫 페이지를 지금 함께 펼쳐보자.

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삼성전자 반도체는 미국 캘리포니아주 새너제이에서 3월 16일(현지 기준) 개최된 엔비디아의 연례 기술 콘퍼런스 ‘GTC 2026’에 참가해 AI 반도체의 미래 비전을 제시했다. 올해 GTC 행사에서 삼성전자는 최근 업계 최초로 양산을 개시한 HBM4와 함께 차세대 HBM4E 칩 실물을 처음으로 공개하고, 엔비디아 Vera Rubin 플랫폼을 위한 메모리와 스토리지 ‘토털 솔루션’ 제품군을 선보이며 엔비디아와의 협력을 강조했다.

기조연설에서 더욱 강조된 양사의 AI 파트너십

GTC 2026 참석자들의 시선은 가장 먼저 엔비디아 젠슨 황 CEO의 기조연설에 집중됐다. 황 CEO는 ‘블랙웰(Blackwell)’과 ‘루빈(Rubin)’을 중심으로 한 차세대 AI 칩 시장 규모 비전을 제시하는 한편, 최신 Vera Rubin 플랫폼을 비롯해 네트워크, 소프트웨어 등 AI 산업 혁신을 앞당길 엔비디아의 컴퓨팅 플랫폼 전략과 기술을 공개했다.

특히 황 CEO는 기조연설에서 삼성전자 반도체와의 협력을 직접 언급하기도 했다. HBM4를 중심으로 한 메모리, 스토리지 솔루션 협력은 물론, 삼성전자 파운드리를 통해 그록3 언어처리장치(Groq 3 LPU) 칩을 생산할 계획을 밝히면서 양사 간 파트너십의 중요성이 그 어느 때보다 부각됐다.

삼성전자만의 AI 메모리 토털 솔루션 선보여

삼성전자는 이번 GTC에 마련된 전시 부스에 ‘HBM4 Hero Wall’을 마련해, HBM 기술 리더십을 조명했다. 지난 달 양산 출하를 발표한 HBM4를 비롯해 차세대 HBM4E 실물 칩과 코어 다이 웨이퍼도 최초로 공개했다.

또한 ‘Nvidia Gallery’를 별도로 구성해 ▲Rubin GPU용 HBM4 ▲Vera CPU용 SOCAMM2 ▲스토리지 PM1763을 Vera Rubin 플랫폼과 함께 전시했으며, 특히 기조연설에 언급돼 청중의 관심이 집중된 그록3 LPU 4나노 웨이퍼 실물도 일반에 공개해 눈길을 끌었다.

이와 함께 Vera Rubin 플랫폼에 새롭게 도입된 CMX(Context Memory eXtension) 기술을 AI Factories존에 공개해 많은 관심을 받기도 했다.

*CMX(Context Memory eXtension): AI 추론 과정에서 생성되는 KV Cache 데이터를 GPU 메모리 밖의 스토리지로 확장해 활용하는 메모리 확장 기술

한편, 젠슨 황 CEO는 올해도 삼성전자 반도체 부스를 찾아 많은 관람객들의 관심이 집중됐다. 그는 전시존에 마련된 삼성전자 HBM4 코어 다이 웨이퍼와 그록3 LPU 4나노 웨이퍼에 각각 ‘AMAZING HBM4’와 ‘GROQ SUPER FAST’라는 문구를 적고 서명한 뒤, 삼성전자 Foundry사업부장 한진만 사장, 메모리개발담당 황상준 부사장과 함께 기념 촬영을 하며 양사 간 끈끈한 협력 관계를 보여줬다.

AI 산업의 급격한 발전을 바탕으로 나날이 전 세계의 관심이 높아지고 있는 GTC 2026 콘퍼런스에서, 삼성전자 반도체는 앞선 AI 메모리 기술 경쟁력과 엔비디아와의 전략적 파트너십을 다시 한 번 대중에 각인시켰다. 양사는 글로벌 AI 인프라 발전을 위한 비전을 공유하며 계속해서 긴밀히 협력해 나갈 계획이다.

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삼성전자는 이번 전시에서 ‘HBM4 Hero Wall’을 통해 HBM4부터 핵심 경쟁력으로 떠오른 ▲메모리 ▲로직 설계 ▲Foundry ▲첨단 패키징을 아우르는 종합반도체 기업(IDM)만의 강점을 부각했으며, ‘Nvidia Gallery’를 통해서는 AI 플랫폼을 함께 완성해 나가는 양사의 전략적 파트너십을 강조했다.

이 외에도 삼성전자는 전시 공간을 ▲AI Factories(AI Data Center) ▲Local AI(0n-device AI) ▲Physical AI 세 개의 존으로 구성해, 기술력을 공식적으로 인정받은 GDDR7, LPDDR6, PM9E1 등 차세대 삼성 메모리 아키텍처를 소개했다.

한편 행사 둘째 날인 3월 17일(현지시간)에는 엔비디아의 특별 초청으로 송용호 삼성전자 AI센터장이 발표에 나서 AI 인프라 혁신을 이끌 엔비디아 차세대 시스템의 중요성과 이를 지원하는 삼성의 메모리 토털 솔루션 비전을 제시한다.

이를 통해 양사의 협력이 단순한 기술 협력을 넘어 AI 인프라 전반으로 확대되고 있음을 보여줄 예정이다.

■ 1c D램·Foundry 4나노 기반 HBM4E 칩과 코어 다이 웨이퍼 최초 공개

삼성전자는 이번 전시에서 ‘HBM4 Hero Wall’을 마련해 삼성의 HBM 기술 리더십을 가장 먼저 조명할 수 있도록 전시 동선을 구성했다.

삼성전자는 HBM4 양산을 통해 축적한 1c D램 공정 기반의 기술 경쟁력과 삼성 Foundry 4나노 베이스 다이 설계 역량을 바탕으로 차세대 HBM4E 개발을 가속화하고 있으며, HBM4E 실물 칩과 코어 다이 웨이퍼를 최초로 공개했다.

삼성전자 HBM4E는 메모리, 자체 Foundry와 로직 설계 역량, 그리고 첨단 패키징 기술 등 부문 내 모든 역량을 결집한 최적화 협업을 통해 핀당 16Gbps 속도와 4.0TB/s 대역폭을 지원할 예정이다.

또한 삼성전자는 영상을 통해 TCB(Thermal Compression Bonding) 대비 열 저항을 20% 이상 개선하고 16단 이상 고적층을 지원하는 HCB(Hybrid Copper Bonding) 기술을 공개하며, 차세대 HBM을 위한 삼성전자의 패키징 기술 경쟁력을 강조했다.

* TCB(Thermal Compression Bonding): 열과 압력을 이용해 칩과 칩을 접합하는 반도체 패키징 기술로, HBM 적층 구조 구현에 사용되는 대표적인 본딩 방식
* HCB(Hybrid Copper Bonding): 구리(Copper) 접합을 기반으로 칩을 직접 연결하는 차세대 패키징 기술로, 열 저항을 낮추고 고적층 HBM 구현에 유리한 본딩 방식

한편 삼성전자는 Vera Rubin 플랫폼에 탑재될 HBM4 칩과 Foundry 4나노 베이스 다이 웨이퍼를 전면에 배치해, 차세대 칩을 구현하는 삼성의 HBM 라인업을 한눈에 확인할 수 있도록 전시를 구성했다.

삼성전자는 종합반도체 기업(IDM)만의 토털 솔루션을 통해 개발 효율을 강화하여 고성능 HBM 시대에서도 성능과 품질을 압도하는 기술 선순환 구조를 구축할 계획이다.

■ 삼성전자, Vera Rubin 플랫폼용 메모리 토털 솔루션 유일하게 공급

특히 삼성전자는 이번 전시를 통해 전 세계에서 유일하게 엔비디아 Vera Rubin 플랫폼의 모든 메모리와 스토리지를 적기에 공급할 수 있는 메모리 토털 솔루션 역량을 부각했다.

삼성전자는 ‘Nvidia Gallery’를 별도로 구성해 ▲Rubin GPU용 HBM4 ▲Vera CPU용 SOCAMM2 ▲스토리지 PM1763을 Vera Rubin 플랫폼과 함께 전시하여, 양사의 협력을 강조했다.

삼성전자 SOCAMM2는 LPDDR 기반 서버용 메모리 모듈로 품질 검증을 완료하고 업계 최초로 양산 출하를 시작했다. 

삼성전자 PCIe Gen6 기반 서버용 SSD PM1763은 Vera Rubin 플랫폼의 메인 스토리지로, 삼성전자는 부스 내에서 PM1763이 탑재된 서버를 통해 엔비디아 SCADA 워크로드를 직접 시연해 사양 소개를 넘어 업계 최고 수준의 성능을 현장에서 체감할 수 있도록 했다.

* SCADA(SCaled Accelerated Data Access): GPU가 CPU 병목 현상을 우회해 스토리지 I/O를 직접 시작하고 제어할 수 있어 AI 워크로드 성능을 극대화할 수 있도록 설계된 기술

뿐만 아니라 삼성전자는 추론 성능과 전력 효율 개선을 위해 Vera Rubin 플랫폼에 새롭게 도입된 CMX(Context Memory eXtension) 플랫폼에 PCIe Gen5 기반 서버용 SSD PM1753을 공급할 계획이며, 부스 내 AI Factories존에서 제품을 확인할 수 있다.

* CMX(Context Memory eXtension): AI 추론 과정에서 생성되는 KV Cache 데이터를 GPU 메모리 밖의 스토리지로 확장해 활용하는 메모리 확장 기술

AI Factory 혁신을 위해서는 Vera Rubin 플랫폼과 같은 강력한 AI 시스템이 필수적이며, 삼성전자는 이를 지원하는 고성능 메모리 솔루션을 지속적으로 공급해 나갈 예정이다.

양사는 이러한 협력을 바탕으로 글로벌 AI 인프라 패러다임 전환을 함께 이끌어 갈 것이다.

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