AI시스템용 최고 사양 갖춘 ‘8GB HBM2 D램’ 업계 유일 양산

삼성전자는 작년 6월 8GB HBM2 D램 양산을 시작해 인공지능(AI) 서비스에 활용되는 슈퍼컴퓨터용 메모리 시장을 개척한 데 이어 기존 하이엔드 그래픽카드 시장까지 프리미엄 D램 활용처를 확대해왔습니다.

8GB HBM2 D램은 기존 그래픽 D램(8Gb GDDR5, 8Gbps)의 전송 속도(32GB/s)보다 8배 빠른 초당 256GB 속도로 데이터 전송이 가능합니다.

차세대 시스템에 ‘고용량, 초고속, 초절전’ 등 최적의 솔루션 제공

8GB HBM2 D램에는 삼성전자의 ‘초고집적 TSV 설계’와 ‘발열 제어 기술’ 등 850여 건의 핵심 특허가 적용되어 고객들의 차세대 시스템에 고용량, 초고속, 초절전 등 최적의 솔루션을 제공합니다.

이번 제품은 1개의 버퍼 칩 위에 8Gb(기가비트) HBM2 D램 칩(20나노 공정 기반) 8개를 적층한 구조로, 각 칩에 5천개 이상의 미세한 구멍을 뚫고 총 4만개 이상의 ‘TSV 접합볼’로 수직 연결한 ‘초고집적 TSV 설계 기술’이 적용됐습니다.

특히 대용량의 정보를 처리시 일부 TSV에서 데이터 전달이 지연될 경우 성능 저하가 발생하지 않도록 다른 TSV로 경로를 전환시켜 최적의 성능을 유지할 수 있도록 했습니다.

삼성전자는 고속 동작시 칩의 특정 영역이 제한 온도 이상으로 상승하지 않도록 하는 ‘발열 제어 기술’도 개발해 적용함으로써 높은 수준의 신뢰성을 확보했습니다.

또한 4GB HBM2 D램과 동일한 크기에 2배의 용량을 제공함으로써 인공지능 시스템의 성능 한계 극복에 기여했으며, 차세대 시스템의 소비전력 효율도 약 2배 높였습니다.

삼성전자 메모리사업부 전략마케팅팀 한재수 부사장은 “업계에서 유일하게 양산 중인 8GB HBM2 D램 공급 확대로 고객들이 차세대 시스템을 적기에 출시하는 데 기여하게 됐다.”며, “향후 차세대 HBM2 D램 라인업 출시를 통해 다양한 글로벌 고객들과 사업 협력 체제를 강화해 나갈 것”이라고 강조했습니다.

삼성전자는 글로벌 IT 고객들의 요구에 맞춰 HBM2 제품군 중 8GB HBM2 제품의 양산 규모를 확대해 내년 상반기에는 그 비중을 50% 이상으로 늘려 프리미엄 D램 시장의 수요에 적극적으로 대응해 나갈 계획입니다.

참고자료

삼성전자 TSV기술 기반 D램 제품 개발/양산 연혁

• 2010.12월: 40나노급 8GB 3D TSV DDR3 RDIMM 개발
• 2011.08월: 30나노급 32GB 3D TSV DDR3 RDIMM 개발
• 2014.08월: 20나노급 64GB 3D TSV DDR4 RDIMM 양산            
※ CES 2015 ECO Tech부문 ‘혁신상’ 수상 
             ※ 2015년 제25주차 IR52 장영실상 ‘장관상’ 수상 
• 2015.10월: 20나노 128GB 3D TSV DDR4 RDIMM 양산
• 2015.10월: 20나노 4GB HBM2 D램 개발
• 2015.12월: 20나노 128GB 3D TSV DDR4 LRDIMM 양산
• 2015.12월: 20나노 4GB HBM2 D램 양산
※ 2016년 멀티미디어 기술대상 ‘장관상’ 수상
• 2016.06월: 20나노 8GB HBM2 D램 양산
• 2017.하반기: 차세대 8GB HBM2 D램 양산 예정

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