같은 면적인데 더 높은 효율과 성능을 갖춘, 데이터들의 드림하우스가 있다? 분양사무소 V9이 비좁고 답답한 데이터 사용 환경에 시달린 사용자들의 새 보금자리를 위해 나섰다. 나노 단위 세계 속의 고용량 스토리지 하우스, 삼성전자 ‘9세대 V낸드’가 그 주인공. 손톱보다 작은 공간에 수천억 개의 데이터 셀을 수직으로 쌓아 올린 9세대 V낸드에는 엄청난 비밀이 숨겨져 있다는데. 초고층 하이낸드 라이프를 꿈꾸는 테크 유튜버 주연을 따라 지금 바로 입장해 보자!

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오늘 뉴스룸은 ‘9세대 V낸드’ 기획과 개발을 담당한 삼성전자 상품기획실 현재웅 상무, Flash개발실 홍승완 부사장, 김은경 상무, 조지호 상무를 만났다. 이들과 함께 AI 시대의 새로운 가능성을 창조해 가는 삼성전자 V낸드 공간으로 입장해 보자.

* TLC(Triple Level Cell): 하나의 셀에 3bit 데이터를 기록할 수 있는 구조
* 몰드(Mold): 셀을 동작시키는 워드 라인(트랜지스터의 on/off를 담당하는 배선)의 층
* 비트 밀도(Bit Density): 단위 면적당 저장되는 비트의 수
* 간섭 현상: 셀 간 간격이 좁아져 전자가 누설되거나 인접 셀이 영향을 받는 현상

삼성전자는 2002년 낸드플래시 메모리 분야에서 세계 1위에 오른 뒤, 시장을 선도하며 초격차 기술을 선보이고 있다. 긴 여정의 결실이라고 할 수 있는 9세대 V낸드에 이어, 삼성전자는 앞으로도 끊임없는 혁신과 첨단 메모리 기술 개발을 통해 정교한 미래를 설계해 나갈 예정이다.

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