AI가 다뤄야 하는 데이터가 급격히 늘어나면서 AI 시스템의 성능을 결정하는 요소도 변화하고 있다. 이제는 프로세서의 연산 성능뿐 아니라 방대한 데이터를 얼마나 효율적으로 저장하고, 필요한 데이터를 AI 가속기에 얼마나 빠르고 안정적으로 전달할 수 있는지가 AI 인프라의 핵심 경쟁력으로 떠오르고 있다.

이러한 변화에 대응하기 위해서는 단순히 메모리의 속도와 용량을 높이는 것만으로는 충분하지 않다. 메모리와 프로세서를 연결하는 구조부터 메모리 칩을 적층하는 방식, 데이터를 저장하는 셀 구조까지 메모리 아키텍처 전반을 새롭게 설계해야 한다.

삼성전자가 FMS 2026에서 공개한 zHBM, zNAND-O, V10 BV-NAND는 이러한 요구에 대응하기 위해 제안한 차세대 3D 메모리 기술이다. 각각의 기술은 AI 데이터센터와 온디바이스 AI 환경에서 발생하는 다양한 병목 현상을 해결하고, 더 높은 성능과 전력 효율을 구현하기 위한 새로운 방향을 제시한다.

AI 성능을 좌우하는 것은 연산만이 아니다… 데이터를 더 가까이 전달하는 ‘zHBM’

AI 반도체의 성능은 연산 능력만으로 결정되지 않는다. 아무리 뛰어난 프로세서라도 필요한 데이터를 제때 공급받지 못하면 전체 시스템의 성능은 제한될 수밖에 없다. AI 모델의 규모가 커질수록 메모리와 프로세서 사이에서 오가는 데이터가 급격히 늘어나면서, 두 장치 간 거리를 줄이는 기술의 중요성도 함께 커지고 있다.

삼성전자가 공개한 zHBM은 이러한 문제를 해결하기 위해 기존 HBM과 다른 구조를 제안했다. 기존에는 메모리를 AI 가속기(xPU) 옆에 배치했다면, zHBM은 메모리를 프로세서 상단에 직접 적층하는 구조를 적용했다. 데이터가 이동하는 거리가 짧아지면서 더 높은 대역폭과 향상된 전력 효율을 구현할 수 있는 것이 특징이다.

이를 위해 칩을 더욱 정밀하게 연결하는 하이브리드 구리 본딩(Hybrid Copper Bonding, HCB) 기술과 여러 장의 웨이퍼를 하나처럼 연결하는 멀티 웨이퍼 본딩(Multi-Wafer Bonding) 기술을 적용했다. 이를 통해 신호 전달 속도를 높이는 동시에 열 저항을 줄여 안정적인 구동 환경을 구현하도록 설계했다.

이러한 기술은 앞으로 초거대 AI 모델의 학습과 추론 성능을 높이고, AI 서비스의 응답성을 향상시키는 기반 기술로 활용될 것으로 기대된다.

AI가 기기 안으로 들어오는 시대… 온디바이스 AI를 위한 ‘zNAND-O’

AI 활용 방식도 변화하고 있다. 과거에는 대부분의 AI 연산을 클라우드 서버에서 처리했지만, 최근에는 스마트폰이나 PC와 같은 기기 안에서 AI 기능을 직접 실행하는 온디바이스 AI가 빠르게 확산되고 있다.

온디바이스 AI 환경에서는 제한된 공간 안에서도 높은 성능과 전력 효율을 구현할 수 있는 저장장치가 필요하다.

삼성전자가 공개한 zNAND-O는 이러한 요구를 반영한 차세대 낸드 솔루션이다. 여러 개의 V-낸드 칩을 TSV를 통해 수직 적층하는 3D 패키징 기술을 적용해 높은 저장 밀도와 데이터 로딩 대역폭을 구현하도록 설계됐다.

이를 통해 사용자는 AI 서비스에 필요한 기능을 클라우드 연결 없이 기기 안에서 모두 구현할 수 있다. 고사양 모델 사용 시에도, 데이터를 외부 서버로 보내지 않고 기기 내부에서 처리할 수 있어 개인 정보 보호 측면에서도 장점을 발휘한다.

더 높이 쌓고 더 많이 저장하다… 400단 시대를 연 ‘V10 BV-NAND’

AI 시대에는 저장해야 하는 데이터의 양도 빠르게 증가하고 있다. 같은 크기의 저장장치에서도 더 많은 데이터를 담기 위해서는 메모리 셀을 더욱 촘촘하게 쌓는 기술이 필요하다.

삼성전자가 공개한 10세대 V-낸드 ‘V10 BV-NAND’는 400단 이상의 초고적층 구조를 구현하며 이러한 방향성을 제시했다. 메모리 셀을 400층 이상 수직으로 쌓아 동일한 면적에서도 더 많은 데이터를 저장할 수 있도록 한 것이다.

이를 가능하게 한 핵심은 Bonding 구조이다. 기존에는 메모리 셀과 주변 회로를 하나의 웨이퍼에서 함께 제조했지만, V10 BV-NAND는 각각 별도의 웨이퍼에서 제작한 뒤 정밀하게 접합하는 방식을 적용했다. 이를 통해 적층 과정에서 발생할 수 있는 구조적 한계를 줄이고, 전 세대(V9) 대비 약 58% 높은 메모리 집적도를 구현했다. 또한, 주변 회로 제작에 적합한 공정 도입을 통해 동작 상에서의 전력 소비를 최소화하고 성능 향상을 꾀했다.

향후 V10 BV-NAND가 SSD 등 다양한 제품에 적용되면 더 얇고 가벼운 기기에서도 대용량 저장 공간을 제공할 수 있을 것으로 기대된다. 특히, 데이터센터에서는 동일한 공간에 더 많은 데이터를 저장하면서도 전력 소비와 발열을 줄여 운영 효율 향상에도 기여할 수 있다.

AI 시대 메모리의 경쟁력은 ‘더 가깝게, 그리고 수직으로’

이번 FMS 2026에서 삼성전자가 공개한 세 가지 기술은 각각 적용 분야는 다르지만 공통된 방향성을 갖고 있다. 메모리와 프로세서의 거리를 줄여 데이터 이동을 최소화하고, 제한된 공간에서도 저장 용량과 성능을 극대화하기위한 3차원의 Z축을 지향한다는 것이다.

AI 기술이 발전할수록 메모리는 단순한 저장장치를 넘어 컴퓨팅 성능을 결정하는 핵심 요소로 자리 잡고 있다. 삼성전자가 제시한 차세대 3D 메모리 기술은 AI 인프라부터 온디바이스 AI까지 다양한 컴퓨팅 환경에서 요구되는 새로운 메모리 아키텍처의 방향을 보여준다.

앞으로도 삼성전자는 메모리, 파운드리, 첨단 패키징 기술을 바탕으로 제품 설계부터 양산까지 아우르는 통합 역량을 지속적으로 고도화하며, AI 시대에 최적화된 차세대 반도체 기술 개발을 이어갈 계획이다.

The post AI 시대 메모리의 진화, 더 빠르게·더 촘촘하게… 삼성전자, FMS 2026에서 차세대 3D 메모리 비전 공개 first appeared on 삼성전자 반도체 뉴스룸.

* 목업: 제품의 형태와 기능을 시각적으로 확인하기 위해 만든 모형

삼성전자는 FMS 2026에서 약 20평의 규모의 최대 전시 공간을 마련하고, AI 클라우드 서버를 형상화한 전시 부스를 선보였다.

전시 공간은 ▲Highlight ▲Cloud AI ▲Edge AI 존으로 구성했으며, D램부터 NAND, 스토리지에 이르는 폭넓은 메모리 포트폴리오를 중심으로 약 30개 제품을 전시해 AI 메모리 핵심 기술과 고객 맞춤형 솔루션을 소개했다.

행사 첫날인 8월 4일 오전 11시 40분(현지시간)에는 이진엽 Flash개발실 부사장과 김경륜 D램개발실 상무가 ‘Driving the wave of AI Revolution: 3D Innovations in Memory & Storage Architecture’을 주제로 기조연설을 진행했다.  

두 연사는 zHBM, zNAND-O 등 차세대 3D 메모리를 기반으로 고성능 컴퓨팅(HPC) 및 AI 인프라 수요 증가에 대응하고, AI 시스템의 성능과 전력효율을 극대화하기 위한 기술 비전을 제시했다.

특히 기조연설에서 400단 이상의 V10 BV-NAND를 업계 최초로 공개하며, 차세대 NAND 기술 경쟁력을 선보였다.

* BV: Bonding Vertical의 약자로, 셀과 회로를 분리 제작한 후 수직으로 접합하는 기술

☐ zHBM, zNAND-O 목업 최초 공개, 차세대 3D 메모리 방향 제시

삼성전자는 FMS 2026에서 업계 최초로 차세대 3D 메모리 아키텍처인 zHBM과 zNAND-O 목업을 공개하고, 미래 AI 시스템을 위한 새로운 메모리 기술 방향을 제시했다.

HPC 및 AI 인프라의 확산으로 고용량·고대역폭 메모리에 대한 요구 수준이 높아지면서, 기존 HBM만으로는 향후 요구되는 수준의 성능을 구현하는 데 한계가 있다.

이에 제시되는 대안이 바로 zHBM이다. zHBM은 기존에 AI 가속기(xPU) 옆에 HBM을 배치하는 방식에서 한 단계 더 나아가 AI 가속기 상단에 HBM을 수직으로 적층하는 차세대 아키텍처다.

AI 가속기와 메모리 간 데이터 이동 거리를 최소화함으로써 대역폭과 전력효율을 높이고, 대규모 AI 모델의 학습과 추론에 필요한 초고속 데이터 처리를 지원한다.

zHBM이 적용된 차세대 인터페이스 시스템은 HBM5 대비 최대 8배 높은 성능을 제공한다. 

또한, 짧아진 데이터 간 이동거리로 인하여 HBM5 대비 전성비를 최대 3배 향상시키고 열 저항을 절반 이상 낮춤으로써 고용량·고대역폭 시스템의 안정성과 전력효율을 극대화한다.

특히 zHBM은 고객 맞춤형 설계가 가능한 3D 메모리 솔루션으로, 메모리와 AI 가속기 사이에 위치한 인터레이어에 맞춤형 IP를 추가해 메모리 용량 확장, 가속기 성능 강화 등 제품 특성을 최적화할 수 있다.

* IP: Intellectual Property의 약자로, 반도체의 특정 기능을 회로로 구현한 설계 블록

고객과의 협업을 바탕으로 AI 프로세서와 메모리 간 최적화를 추진해 zHBM의 성능을 극대화할 계획이다.

삼성전자는 D램뿐 아니라 NAND에서도 3D 메모리 아키텍처 비전을 제시했다.

zNAND-O는 삼성전자가 개발 중인 차세대 고성능 NAND 플래시로, 기존 V-NAND의 수직 적층 기술을 활용하고 TSV 기술을 결합해 4단 또는 8단 반도체 칩을 3D 패키징한 제품이다.

제품명 끝의 ‘-O’는 On-device AI 환경에 최적화된 제품임을 의미한다. 높은 공간 효율성과 데이터 로딩 대역폭, 빠른 응답 속도를 바탕으로 실시간 대규모 데이터 처리가 요구되는 환경에서 고성능을 지원한다.

☐ 400단 이상의 초고적층 ‘V10 BV-NAND’ 업계 최초 공개

삼성전자는 FMS 2026에서 업계 최초로 수직 적층 400단 이상의 10세대 V-NAND ‘V10 BV-NAND’를 공개하며, NAND 기술 리더십을 강화했다. 이는 13년 전 같은 행사에서 세계 최초로 V-NAND 기술을 발표한 이후, 지속해 온 기술 혁신의 성과다.

V10 BV-NAND는 400단 이상의 초고적층 구조를 기반으로 성능과 전력효율을 높인 차세대 NAND 제품이다.

웨이퍼 본딩 기술과 3 Stack 기술을 통해 400단 이상의 초고적층을 구현했으며, 메모리 집적도를 전 세대(V9) 대비 약 58% 향상시켜 동일한 면적에 더 많은 데이터를 저장할 수 있다.

* 웨이퍼 본딩(Bonding): 두 장 이상의 웨이퍼를 3D(수직)로 접합해 고집적 NAND를 구현하는 기술
* 3 Stack 기술: V-NAND 셀을 3개의 Stack으로 나누어 각각 제조한 뒤 수직으로 연결하는 적층 기술

V10 BV-NAND는 단순히 적층 수를 늘리는 데 그치지 않고 데이터 읽기·쓰기 성능과 I/O 속도도 전 세대 대비 향상시켜, 고성능·고용량 NAND 시장에 최적화된 경쟁력을 확보했다.

* I/O 속도: Input/Output의 약자로, 데이터가 입출력되는 속도

☐ HBM부터 PIM·SSD까지…차세대 AI 메모리 로드맵 공개

이번 전시에서 삼성전자는 ▲HBM4E ▲HBM5 ▲LPDDR5X-PIM ▲PM1763 등 고성능 컴퓨팅과 AI 데이터센터에 최적화된 차세대 메모리·스토리지 솔루션도 선보였다.

삼성전자는 지난 2월 업계 최초로 1c D램과 4나노 베이스 다이 기술을 적용한 HBM4를 양산 출하한 데 이어, 5월에는 업계 최대 성능, 최고 용량의 HBM4E 샘플을 세계 최초로 고객사에 공급하는 등 차세대 HBM 시장을 선도하기 위한 기술 경쟁력을 지속 강화하고 있다.

이번 행사에서는 HBM4E가 적용된 차세대 AI 플랫폼과 웨이퍼를 전시했고, 신규 열관리 기술인 HPB(Heat Path Block)를 적용해 더 높은 대역폭과 용량을 제공하는 HBM5 목업을 공개했다.

LPDDR5X-PIM은 삼성전자가 세계 최초로 개발한 제품으로, 메모리 내부에서 연산을 수행해 데이터 이동을 최적화하고, 전력효율을 향상시킨 차세대 메모리 제품이다.

이와 함께 PM1763, BM1773 등 AI 시대의 다양한 데이터 처리 및 저장 수요에 대응하는 차세대 메모리·스토리지 포트폴리오도 공개했다.

* PM1763: 차세대 기업용 SSD로 빠른 읽기속도와 효율적인 데이터처리가 강점
* BM1773: 초고용량 기업용 SSD로 대규모 AI 학습 데이터 저장 수요에 대응하는 제품

☐ ‘원스톱 솔루션’을 통한 AI 반도체 리더십 강화

삼성전자는 세계에서 유일하게 ▲메모리 ▲로직 ▲파운드리 ▲패키징까지 아우르는 ‘원스톱 솔루션’을 제공할 수 있는 종합반도체(IDM) 기업이다.

특히 고객의 제품 설계 단계부터 양산까지 통합 서비스를 제공해 개발 기간을 줄이고, 성능과 전력효율을 최적화함으로써 고객 맞춤형 AI 반도체 구현을 지원한다.

삼성전자는 FMS 2026에서 End-to-End 솔루션 역량을 기반으로 차세대 AI 인프라 혁신을 위한 메모리·스토리지 기술 전략과 로드맵을 제시했다.

앞으로도 차세대 메모리 기술 혁신과 메모리, 파운드리, 첨단 패키징을 아우르는 차별화된 솔루션을 통해 AI시대의 반도체 기술 리더십을 지속 강화해 나갈 계획이다.

The post 삼성전자, FMS 2026서 차세대 3D 메모리 비전 제시 first appeared on 삼성전자 반도체 뉴스룸.

삼성전자는 8일(현지 시간) 미국 캘리포니아주 산타클라라 컨벤션 센터에서 열린 세계 최대 메모리 행사 <플래시 메모리 서밋 2023 (Flash Memory Summit 2023)>에 참가했습니다. 행사의 하이라이트인 기조연설을 통해 고객 성공을 최고 가치로 두고, 제품 기획부터 개발, 서비스, 후속 관리에 이르기까지 신뢰할 수 있는 파트너로서 고객 성공을 이끌기 위한 삼성전자의 비전을 밝혔습니다.

기하급수적으로 폭증하는 데이터와 다양한 응용처 확대로 인해 서버 및 데이터센터를 운영하는 고객들의 요구사항도 다변화되는 추세입니다. 이에 따라 서버 스토리지 시장은 전력, 공간, 성능에서 끊임없는 혁신이 요구됩니다. 특히 고성능 수요에 대응하기 위한 최신 기술 및 솔루션 개발 이외에도, 물리적 공간의 한계로 인해 무한대 확장이 어려운 데이터센터의 환경 제약에 따라 랙의 전력 한도 내에서 최대한의 용량을 구현해야 하는 과제가 있습니다.

즉, 서버 스토리지 기술 한계를 뛰어넘어 혁신을 이뤄내는 과정은 세 명의 육상 선수가 호흡을 맞춰 전력을 다해 최고 속도로 질주하면서도, 결승선을 동시에 통과해야 하는 초고난도 스포츠 경기와 닮았습니다. 삼성전자가 어떠한 솔루션으로 서버 스토리지 시장의 한계를 극복해 나가며 고객 경험을 향상시키는지 확인해 보기로 하겠습니다.

.

고객 경험 향상을 중심으로 기조연설과 16개의 테크 세션 진행

지난 8월 8일부터 10일까지 3일 동안 개최된 이번 행사에서는 삼성전자 미주총괄장인 한진만 부사장이 ‘AI 시대에서의 메모리 혁신’을 주제로 오프닝 연설을 진행한 후, 이어 메모리사업부 솔루션개발실 송용호 부사장이 ‘고객 경험을 향상시키는 혁신적인 메모리 솔루션’(Enhancing Customer Experiences: How Memory Innovation Shape Products and Services)’을 주제로 기조연설을 진행했습니다.

☐ 서버 스토리지 시장의 세 가지 영역의 한계를 극복할 제품 및 기술 솔루션

삼성전자는 서두에 제시한 바와 같이 현재 서버 스토리지 시장이 당면한 문제를 전력, 공간, 성능 세 가지로 구분하고 이를 해결할 핵심 제품과 기술을 소개했습니다.

생성형 AI 서버에 적용되어 활용 중인 높은 전력 효율의 ‘PM1743’ SSD, 업계 최고 성능의 PCIe 5.0 SSD인 ‘PM9D3a’, 유례없는 집적도를 구현한 ‘256TB SSD’가 이에 해당합니다.

또한, 응용처에 따라 용량을 가변함으로써 높은 확장성을 제공하는 페타바이트급 초고용량 솔루션 PBSSD 아키텍처, 트래픽 격리 구현을 통해 단일 SSD를 다중 사용자가 이용하더라도 각 가상 시스템이 사전에 할당된 대역폭만을 점유하고, 이와 동시에 상호 간의 동작 간섭을 일으키지 않게 하여 스토리지 성능을 유지할 수 있는 삼성전자 고유의 멀티 테넌트 아키텍처 기술도 공개했습니다.

☐ 고객 경험의 향상: A부터 Z까지 고객과의 전 과정 협업

가장 주목할 부분은 고객과의 전 과정 협업입니다. 삼성전자는 고객의 성공을 이루기 위해 제품 기획 단계부터 개발, 양산, 운영 및 사후 관리에 이르기까지 제품의 생애주기 전 과정을 고객과 함께 합니다.

제품 개발 완료 전 단계에서 삼성전자와 고객의 시스템상에서 원활하게 동작하는지를 검증하기 위한 사전평가를 거치며, 양산 이후에는 원격 분석 도구인 텔레메트리 솔루션을 통해 발생할 수 있는 이슈를 사전 탐지해 고객에게 알려 문제 상황에 기민하고 실질적으로 대응합니다. 이날 행사에는 삼성의 텔레메트리 서비스를 이용하는 마이크로소프트 애저(Azure)의 General Manager인 Pablo Ziperovich가 화상 찬조 연설을 통해 이에 대한 만족도와 앞으로의 파트너십에 대한 기대 등을 생생하게 전했습니다.

송용호 부사장은 “앞으로도 고객 경험 향상을 최우선 가치로 두고, 고객과의 전방위 협력을 통해 최적화된 메모리 솔루션 제공을 위해 지속해서 노력할 것”이라고 강조했습니다.

이외에도 국내외 연사자가 진행한 클라우드, AI, 오픈 소스, 보안기술 등 다양한 주제의 테크세션에 참가해 삼성전자의 스토리지 기술력을 알리고, 업계 관계자들과의 기술 교류를 활발히 진행했습니다.

.

AI 및 데이터 중심 시대에 최적화된 다양한 응용처별 스토리지 솔루션 및 차세대 응용 기술 전시

삼성전자는 이번 FMS 전시를 통해 서버, PC, 오토모티브의 다양한 응용별 최신 스토리지 솔루션과 기술을 선보였습니다.

☐ ‘약 2배의 전력 효율 서버용 SSD’ PM1743

PM1743은 작년 FMS에서 첫 공개된 제품으로 업계 최초로 PCIe 5.0 인터페이스를 적용해, 이전 모델 대비 약 2배의 전력 효율을 달성했습니다. 챗GPT와 같은 생성형 AI 분야에서 본격적으로 활용될 예정입니다.

☐ ‘업계 최고 성능 및 전력 효율과 한층 강화된 신뢰성을 제공하는 데이터센터향 PCIe 5.0 SSD’ PM9D3a

PM9D3a는 8채널 컨트롤러 기반 PCIe 5.0 규격을 지원해 연속 읽기 성능을 이전 세대 제품 PM9A3 대비 최대 2.3배 개선하였습니다. 임의 쓰기 성능도 2배 이상 개선하여 8TB 용량에서 400K IOPS를 제공합니다. 또한, 60% 개선된 업계 최고의 전력 효율을 제공하며, 데이터센터 내 유지·보수에 필수적인 텔레메트리 및 디버그 기능도 대폭 강화했습니다. 기존 세대 대비 25% 개선된 평균 무고장 시간(MTBF) 250만 시간을 달성하여, 고객들이 더욱 안정적인 서비스 운영을 할 수 있도록 돕습니다.

※ 채널: NAND 플래시와 SSD 컨트롤러간 데이터 입출력을 병렬 처리할 수 있는 기본 단위
※ PCIe 5.0: 기존 PCIe 4.0 대비 대역폭이 2배로 커진 32GT/s를 지원하는 차세대 PCIe 통신규격

PM9D3a는 고용량 7.68/15.36TB 2.5인치 규격 제품 개발을 완료하였으며, 내년 상반기 중 3.84TB 이하의 저용량 제품부터 최대 30.72TB 제품까지 고객 요구에 맞춰 다양한 폼팩터와 라인업을 선보일 계획입니다.

※ MTBF(Mean Time Between Failure): 평균 무고장 시간
※ IOPS(Input/Output Operations Per Second)

☐ ‘QLC NAND 기반 고용량 SSD’ 256TB SSD

싱글 서버랙의 전력 한도와 물리적 공간의 한계 내 최대 데이터 저장을 위한 솔루션인 QLC NAND 기반의 256TB SSD는 업계 최고 수준의 집적도를 달성한 제품입니다. 한 개의 256TB SSD는 32TB SSD를 8개 쌓아 올리는 것 대비 총 전력 소모량을 약 7분의 1로 감소시키는 효과가 있는 것이 특징입니다.

※ QLC: Quad Level Cell

☐ ‘페타바이트급 확장성’ PBSSD 아키텍처와 단일 SSD상 다중 사용자 사용 위한 트래픽 격리 기술

또한, 이번 전시에서는 응용처에 따라 용량을 가변하여 높은 확장성을 제공하는 페타바이트급 초고용량 솔루션 PBSSD 아키텍처, 다수 사용자가 하나의 SSD를 사용해도 성능이나 응답 지연의 간섭을 없앨 수 있는 삼성전자 고유의 트래픽 격리 기술도 새롭게 공개했습니다. 이러한 기술 한계를 뛰어넘는 솔루션을 통해 초거대 AI시대에 폭증하는 데이터를 유연하게 처리하는 등 데이터센터 고객들을 위한 차별화된 서비스를 지원할 수 있을 것으로 기대됩니다.

한편 삼성은 메타와 협력하여 개발중인 오픈소스기반의 사용자 워크로드 제어 솔루션 및 표준 NVMe spec기반 FDP (Flexible Data Placement) 솔루션을 데모부스에서 공개했습니다. FDP는 다중사용자 환경에서 사용자 그룹별 데이터를 분리시켜 저장함으로써 WAF (Write Amplification Factor)가 감소하고 이로 인해 스토리지 수명을 증가시켜 TCO를 절감할 수 있는 기술입니다.

이번 FMS 2023는 메모리 선진 기술 및 차세대 제품과 기술뿐 아니라, 오랜 제품 기술 노하우를 바탕으로 다양한 고객들의 경험 향상을 위해 지속적으로 노력하는 삼성의 의지를 엿볼 수 있습니다.

데이터 중심 시대에 펼쳐질 눈부신 기회의 바다를 고객 및 파트너들과 함께 항해할 삼성전자의 모습이 기대됩니다.

The post FMS 2023: 삼성전자, 고객 중심 메모리 솔루션으로 데이터 중심 시대를 개척하다 first appeared on 삼성전자 반도체 뉴스룸.