*JEDEC (국제반도체표준협의기구, Joint Electron Device Engineering Council): 전 세계 반도체, 특히 메모리 분야의 기술 규격과 표준을 정하는 국제 표준화 기구. JEDEC이 마련한 공통 표준을 통해 서로 다른 기업의 제품 간 호환성을 확보하고 글로벌 반도체 생태계의 발전을 지원한다.

업계를 이끈 리더들과 나란히 서다

FMS 평생 공로상은 반도체 산업 발전에 장기간 기간 기여해 온 소수의 리더에게만 수여된다. 지난 2011년에 제정된 이래 25명이 이 상을 수상했으며, Mian Quddus 상무는 2016년 김기남 전 대표이사에 이어 10여년 만에 삼성전자에서 두번째로 수상자에 이름을 올렸다.

Q. 이번 FMS 평생 공로상 수상 소감이 궁금합니다.

수상 소식을 처음 들었을 때 무척 기뻤고 정말 큰 감동을 받았습니다. 동시에 겸허한 마음과 감사함도 느꼈습니다. 역대 수상자 명단을 살펴보니 오랫동안 존경해 온 분들이 많았습니다. 업계에서 존경받는 리더들과 함께 이름을 올릴 수 있다는 것은 저에게 큰 영광입니다.

치열한 경쟁 속에서 시장의 문을 두드리다

Mian Quddus 상무가 삼성에 합류한 1997년은 글로벌 시장에서 치열한 경쟁이 펼쳐지던 시기였다. 당시 그에게 주어진 초기 과제 중 하나는 주요 고객사의 신뢰를 얻고 삼성 메모리 제품의 시장 진입을 확대하는 것이었다.

Q. 삼성에 입사한 뒤 커리어는 어떻게 시작하셨나요?

1997년 입사해 애플리케이션·제품 엔지니어링 업무를 맡았습니다. 당시 가장 중요한 과제는 주요 고객사들이 삼성 제품을 채택하도록 만드는 것이었습니다. 4K 디바이스를 직접 들고 고객사를 찾아가 테스트해 달라고 요청했던 기억이 아직도 생생합니다.

당시는 일본 기업들이 시장을 주도하던 시기였기 때문에 조금이라도 더 점유율을 확보하기 위해 정말 치열하게 노력했습니다. 그것이 제 커리어의 시작이었고, 제가 메모리 업계에 발을 들이게 된 계기였습니다.

고객의 신뢰를 얻는 것에서 업계를 이끄는 회사로

그가 삼성에서 첫발을 내디뎠던 때로부터 30년 가까운 시간이 흐른 지금, 고객사를 직접 찾아다니며 제품 채택을 요청했던 삼성의 위상은 크게 달라졌다.

Q. 당시와 비교해 삼성 메모리 사업의 위상은 어떻게 바뀌었나요?

예전에는 고객사를 찾아가 우리 제품을 사용해 달라고 요청해야 했습니다. 하지만 지금은 삼성전자가 업계를 이끄는 위치에 있습니다. 삼성 제품은 시장에서 가장 주목받는 제품 가운데 하나가 됐고, D램을 비롯해 HBM 시장에서도 기술 발전을 주도하고 있습니다. 모듈과 컴포넌트를 포함한 다양한 분야에서 산업의 중심 역할을 하고 있습니다.

전 세계 메모리의 ‘공통 언어’를 만드는 JEDEC

JEDEC은 메모리 반도체 업계에서 사용하는 기술 규격과 표준을 정하는 핵심 기구다. 메모리 공급사와 OEM(주요 제조사), 반도체 기업 등이 함께 참여해 산업 전반에서 사용할 수 있는 표준을 마련한다. 이렇게 만들어진 공통의 기준은 서로 다른 기업의 제품이 문제없이 호환되도록 하고, 글로벌 메모리 생태계가 함께 성장할 수 있는 기반이 된다.

Q. JEDEC은 어떤 곳이고, 메모리 생태계에서 어떤 역할을 해 왔나요?

JEDEC은 업계가 함께 사용할 기술 규격을 정하는 곳입니다. 메모리 공급사와 OEM, 인프라 기업들이 함께 논의해 표준을 만들죠. 공통의 표준이 있기 때문에 서로 다른 회사의 제품도 원활하게 호환될 수 있고, 이를 기반으로 글로벌 메모리 생태계 전체가 함께 성장할 수 있습니다.

Mian 상무는 오랜 기간 DDR D램을 비롯한 메모리 모듈 표준을 만드는 과정에 참여해 왔으며, 현재는 JEDEC 이사회 의장과 모듈 위원회 (Module Committee) 의장을 동시에 맡고 있다.

Q. 그 동안의 성과 중 특히 의미 있게 생각하는 것은?

JEDEC 이사회 의장을 맡은 지 올해로 22년째입니다. 의장은 4년마다 선출되며, 현재 이사회에는 여러 OEM과 주요 공급사가 함께 참여하고 있습니다. 저는 DDR 1세대부터 6세대까지 표준을 만들어가는 과정에 계속 참여해왔고, LPDDR 계열과 모듈 표준을 정립하는 데도 힘을 보태고 있습니다.

JEDEC 이사회뿐 아니라 모듈 위원회 의장도 맡고 있습니다. 그동안 업계에서 쌓아온 경험과 이사회 동료들과 함께 만들어온 성과들이 이번 수상으로 이어진 것 같습니다. 산업의 미래 방향을 논의하고 결정하는 자리인 만큼 그만큼 큰 책임감을 느끼고 있습니다.

HBM에서 zHBM까지, 기술의 최전선에서

올해 FMS 2026에서 삼성전자는 zHBM을 비롯한 새로운 3D 아키텍처를 선보였다. 메모리 기술의 빠른 진화가 이뤄지는 가운데 Mian 상무는 삼성이 새로운 기술의 변화를 주도해 왔다는 점을 강조했다.

Q. 이번에 공개된 zHBM 같은 3D 아키텍처를 어떻게 보시나요?

새로운 메모리 기술이 등장할 때마다 삼성은 늘 한발 앞서 변화를 이끌어 왔습니다. HBM 역시 초기 세대부터 HBM2, HBM3, HBM4를 거쳐 다음 세대로 계속 발전하고 있습니다. 지금 삼성은 그 기술 경쟁의 최전선에 있습니다. 이 시장에서도 삼성이 앞장서고 있다는 사실이 자랑스럽습니다. 앞으로 기술이 어떻게 발전해 나갈지 저 역시 기대가 큽니다.

삼성이 D램 공급사로 자리 잡기 시작한 순간

30년 가까이 메모리 산업의 변화를 지켜본 그에게도 유독 선명하게 남아 있는 순간이 있다. 삼성이 주요 고객사로부터 D램 공급사로 인정받기 시작했던 초창기의 기억이다.

Q. 커리어에서 가장 기억에 남는 순간을 꼽는다면?

가장 가슴 뛰었던 순간 중 하나는 초창기에 주요 고객사가 삼성 메모리 제품을 채택하기로 결정했을 때였습니다. 당시만 해도 삼성은 D램 공급사로서 입지를 구축해 나가던 시기였기 때문에 그 결정은 팀의 모든 구성원들에게 큰 의미가 있었습니다.

그 일을 계기로 삼성이 D램 공급사로 본격적으로 자리 잡기 시작했고, 시장 점유율도 조금씩 높여갈 수 있었습니다. 1998년에서 1999년 무렵이었으니 벌써 28년 전의 일이네요.

다음 세대를 향한 조언: 기술의 답은 결국 고객에게 있다

마지막으로 Mian 상무는 앞으로 반도체 산업을 이끌어갈 다음 세대에게 자신의 경험에서 나온 조언을 전했다.

Q. 반도체 산업의 다음 세대에게 전하고 싶은 말이 있다면?

먼저 기술의 기본기를 탄탄하게 갖추라고 말하고 싶습니다. 사고는 유연하게 하되 고객의 목소리에는 항상 귀를 기울여야 합니다. 주요 고객사와 긴밀한 관계를 구축하는 것도 중요하고, 자신이 다루는 제품의 설계와 기술을 깊이 이해해야 합니다.

무엇보다 우리가 누구를 위해 제품을 만드는지 잊지 않아야 합니다. 제가 생각하는 기술 리더십은 결국 고객의 목소리에 귀 기울이는 데서 시작합니다.

표준을 만든다는 것: 메모리의 다음 미래를 그리다

삼성의 일원으로 이 여정을 함께할 수 있어 영광이었습니다. 앞으로 또 어떤 기회와 도전이 기다리고 있을지 기대됩니다.

Mian 상무는 삼성에서 보낸 30여년 동안 회사와 글로벌 메모리 산업이 겪은 거대한 변화를 함께해 왔다. 삼성에서의 오랜 경험과 JEDEC에서의 리더십을 바탕으로 메모리 생태계가 함께 발전할 수 있는 산업 표준을 만드는 데도 기여해 왔다. 이제 그는 글로벌 메모리 산업의 공통 언어를 만들어 온 여정을 바탕으로, 메모리의 새로운 미래를 향해 나아가고 있다.  

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본격적인 AI 시대를 맞아 세계 메모리 업계의 시선이 미국 산타클라라에 모였다. 8월 4일부터 6일까지 열린 ‘FMS(Future of Memory and Storage) 2026’에서 삼성전자는 AI 시대를 위한 새로운 메모리 아키텍처를 선보였다. 기조연설 무대부터 관람객들로 붐빈 전시 부스, 어워드 수상 현장까지 삼성전자 반도체의 FMS 2026의 주요 순간을 소개한다.

AI 시대, 메모리 기술의 미래를 제시한 기조연설

행사 첫날 기조연설에서 이진엽 Flash개발실 부사장과 김경륜 DRAM개발실 상무는 ‘Driving the Wave of AI Revolution: 3D Innovation in Memory & Storage Architecture’를 주제로 AI 시대를 이끌 메모리 기술의 방향성을 소개했다. 발표에서는 zHBM, zNAND-O와 함께 업계 최초의 V10 BV(Bonding Vertical)‑NAND가 공개되며 참석자들의 관심을 모았다.

메모리의 미래가 눈 앞에 펼쳐지다, 이목이 집중된 삼성전자 전시관

삼성전자 부스는 행사 시작과 함께 관람객들의 발길이 이어졌다. 약 20평 규모의 전시 공간은 ▲하이라이트 ▲Cloud AI ▲Edge AI 존으로 구성됐으며, D램부터 낸드, 기업용 스토리지까지 약 30개의 메모리·스토리지 제품을 한자리에 선보였다.

차세대 3D 메모리 전격 공개, zHBM과 zNAND-O

하이라이트 존 에서는 업계 최초로 공개된 zHBM, zNAND-O 목업이 관람객들의 시선을 모았다. 각 전시 존에서 삼성전자 직원들은 제품의 구조와 적용 분야를 설명했고, 관람객과 업계 관계자들은 제품의 구조와 데이터 이동 방식, 향후 적용 가능성 등에 대한 질문을 이어갔다.

AI 데이터센터 핵심 기술, V10 BV-NAND부터 HBM5까지

Cloud AI 존에서는 역시 업계 최초로 공개된 ‘V10 BV-NAND’가 관람객들을 맞았다. BV-NAND의 셀, 주변 회로를 포함해, 400단 이상의 초고적층을 구현한 칩 내 구조를 보여주는 목업과 영상이 함께 마련되어 기술의 특징을 보다 직관적으로 확인할 수 있었다.

또한, HBM4E가 적용된 차세대 AI 플랫폼과 웨이퍼도 전시됐다. 신규 열관리 기술 히트 패스 블록(HPB, Heat Path Block)이 적용된 HBM5 는 웨이퍼와 칩, 제품 구조를 한눈에 비교할 수 있도록 목업과 영상을 함께 구성해 관람객들의 이해를 높였다.

메모리 자체가 AI 엔진이 되다, LPDDR5X-PIM의 등장

Edge AI 존에서 가장 관심을 받은 제품은 LPDDR5X-PIM이었다. 메모리 내부에서 일부 연산을 수행하는 PIM(Processing-In-Memory) 기술을 적용해 AI 연산 효율을 높이는 제품으로, AI 데이터 이동을 줄이는 새로운 접근 방식이라는 점에서 업계 관계자들의 관심이 집중됐다.

한 글로벌 AI 서버 기업 관계자는 “메모리 자체가 데이터를 저장하는 역할을 넘어 연산 효율까지 높이는 방향으로 진화하고 있다는 점이 인상적이었다.”고 말했다.

또 다른 관람객은 “zHBM과 LPDDR5X-PIM은 서로 다른 접근 방식이지만, 모두 AI 시스템의 병목 현상을 줄이기 위한 기술이라는 점이 흥미로웠다”며 전시를 둘러본 소감을 전했다.

FMS Best of Show Award 수상으로 확인한 기술 경쟁력

행사 첫날 저녁에 열린 FMS Award 시상식에서는 삼성전자의 기술력이 다시 한번 주목받았다. 삼성전자는 V10 BV‑NAND와 LPDDR5X‑PIM으로 FMS Best of Show Award를 수상했으며, 이진엽 Flash개발실 부사장과 김경륜 DRAM개발실 상무가 각각 대표로 수상했다. 시상식 이후, 수상 제품 전시 공간에는 관람객들의 발길이 이어졌고, 연구원들과의 질의응답도 활발하게 진행됐다.

AI 시대 메모리 혁신을 향한 삼성전자의 여정

이번 FMS 2026에서 삼성전자는 신제품 공개를 넘어 AI 시대 메모리 기술이 나아갈 방향을 제시했다. 기조연설, 전시, 어워드 수상을 통해 AI 데이터센터 인프라부터 Edge AI까지 아우르는 차세대 메모리 전략을 공유했으며, 행사장은 고객과 업계 관계자가 미래 컴퓨팅 환경을 함께 논의하는 소통의 장이 됐다. 삼성전자는 앞으로도 메모리와 파운드리, 첨단 패키징 역량을 바탕으로 고객과 함께 AI 시대에 필요한 반도체 혁신을 이어나갈 계획이다.

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AI가 다뤄야 하는 데이터가 급격히 늘어나면서 AI 시스템의 성능을 결정하는 요소도 변화하고 있다. 이제는 프로세서의 연산 성능뿐 아니라 방대한 데이터를 얼마나 효율적으로 저장하고, 필요한 데이터를 AI 가속기에 얼마나 빠르고 안정적으로 전달할 수 있는지가 AI 인프라의 핵심 경쟁력으로 떠오르고 있다.

이러한 변화에 대응하기 위해서는 단순히 메모리의 속도와 용량을 높이는 것만으로는 충분하지 않다. 메모리와 프로세서를 연결하는 구조부터 메모리 칩을 적층하는 방식, 데이터를 저장하는 셀 구조까지 메모리 아키텍처 전반을 새롭게 설계해야 한다.

삼성전자가 FMS 2026에서 공개한 zHBM, zNAND-O, V10 BV-NAND는 이러한 요구에 대응하기 위해 제안한 차세대 3D 메모리 기술이다. 각각의 기술은 AI 데이터센터와 온디바이스 AI 환경에서 발생하는 다양한 병목 현상을 해결하고, 더 높은 성능과 전력 효율을 구현하기 위한 새로운 방향을 제시한다.

AI 성능을 좌우하는 것은 연산만이 아니다… 데이터를 더 가까이 전달하는 ‘zHBM’

AI 반도체의 성능은 연산 능력만으로 결정되지 않는다. 아무리 뛰어난 프로세서라도 필요한 데이터를 제때 공급받지 못하면 전체 시스템의 성능은 제한될 수밖에 없다. AI 모델의 규모가 커질수록 메모리와 프로세서 사이에서 오가는 데이터가 급격히 늘어나면서, 두 장치 간 거리를 줄이는 기술의 중요성도 함께 커지고 있다.

삼성전자가 공개한 zHBM은 이러한 문제를 해결하기 위해 기존 HBM과 다른 구조를 제안했다. 기존에는 메모리를 AI 가속기(xPU) 옆에 배치했다면, zHBM은 메모리를 프로세서 상단에 직접 적층하는 구조를 적용했다. 데이터가 이동하는 거리가 짧아지면서 더 높은 대역폭과 향상된 전력 효율을 구현할 수 있는 것이 특징이다.

이를 위해 칩을 더욱 정밀하게 연결하는 하이브리드 구리 본딩(Hybrid Copper Bonding, HCB) 기술과 여러 장의 웨이퍼를 하나처럼 연결하는 멀티 웨이퍼 본딩(Multi-Wafer Bonding) 기술을 적용했다. 이를 통해 신호 전달 속도를 높이는 동시에 열 저항을 줄여 안정적인 구동 환경을 구현하도록 설계했다.

이러한 기술은 앞으로 초거대 AI 모델의 학습과 추론 성능을 높이고, AI 서비스의 응답성을 향상시키는 기반 기술로 활용될 것으로 기대된다.

AI가 기기 안으로 들어오는 시대… 온디바이스 AI를 위한 ‘zNAND-O’

AI 활용 방식도 변화하고 있다. 과거에는 대부분의 AI 연산을 클라우드 서버에서 처리했지만, 최근에는 스마트폰이나 PC와 같은 기기 안에서 AI 기능을 직접 실행하는 온디바이스 AI가 빠르게 확산되고 있다.

온디바이스 AI 환경에서는 제한된 공간 안에서도 높은 성능과 전력 효율을 구현할 수 있는 저장장치가 필요하다.

삼성전자가 공개한 zNAND-O는 이러한 요구를 반영한 차세대 낸드 솔루션이다. 여러 개의 V-낸드 칩을 TSV를 통해 수직 적층하는 3D 패키징 기술을 적용해 높은 저장 밀도와 데이터 로딩 대역폭을 구현하도록 설계됐다.

이를 통해 사용자는 AI 서비스에 필요한 기능을 클라우드 연결 없이 기기 안에서 모두 구현할 수 있다. 고사양 모델 사용 시에도, 데이터를 외부 서버로 보내지 않고 기기 내부에서 처리할 수 있어 개인 정보 보호 측면에서도 장점을 발휘한다.

더 높이 쌓고 더 많이 저장하다… 400단 시대를 연 ‘V10 BV-NAND’

AI 시대에는 저장해야 하는 데이터의 양도 빠르게 증가하고 있다. 같은 크기의 저장장치에서도 더 많은 데이터를 담기 위해서는 메모리 셀을 더욱 촘촘하게 쌓는 기술이 필요하다.

삼성전자가 공개한 10세대 V-낸드 ‘V10 BV-NAND’는 400단 이상의 초고적층 구조를 구현하며 이러한 방향성을 제시했다. 메모리 셀을 400층 이상 수직으로 쌓아 동일한 면적에서도 더 많은 데이터를 저장할 수 있도록 한 것이다.

이를 가능하게 한 핵심은 Bonding 구조이다. 기존에는 메모리 셀과 주변 회로를 하나의 웨이퍼에서 함께 제조했지만, V10 BV-NAND는 각각 별도의 웨이퍼에서 제작한 뒤 정밀하게 접합하는 방식을 적용했다. 이를 통해 적층 과정에서 발생할 수 있는 구조적 한계를 줄이고, 전 세대(V9) 대비 약 58% 높은 메모리 집적도를 구현했다. 또한, 주변 회로 제작에 적합한 공정 도입을 통해 동작 상에서의 전력 소비를 최소화하고 성능 향상을 꾀했다.

향후 V10 BV-NAND가 SSD 등 다양한 제품에 적용되면 더 얇고 가벼운 기기에서도 대용량 저장 공간을 제공할 수 있을 것으로 기대된다. 특히, 데이터센터에서는 동일한 공간에 더 많은 데이터를 저장하면서도 전력 소비와 발열을 줄여 운영 효율 향상에도 기여할 수 있다.

AI 시대 메모리의 경쟁력은 ‘더 가깝게, 그리고 수직으로’

이번 FMS 2026에서 삼성전자가 공개한 세 가지 기술은 각각 적용 분야는 다르지만 공통된 방향성을 갖고 있다. 메모리와 프로세서의 거리를 줄여 데이터 이동을 최소화하고, 제한된 공간에서도 저장 용량과 성능을 극대화하기위한 3차원의 Z축을 지향한다는 것이다.

AI 기술이 발전할수록 메모리는 단순한 저장장치를 넘어 컴퓨팅 성능을 결정하는 핵심 요소로 자리 잡고 있다. 삼성전자가 제시한 차세대 3D 메모리 기술은 AI 인프라부터 온디바이스 AI까지 다양한 컴퓨팅 환경에서 요구되는 새로운 메모리 아키텍처의 방향을 보여준다.

앞으로도 삼성전자는 메모리, 파운드리, 첨단 패키징 기술을 바탕으로 제품 설계부터 양산까지 아우르는 통합 역량을 지속적으로 고도화하며, AI 시대에 최적화된 차세대 반도체 기술 개발을 이어갈 계획이다.

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* 목업: 제품의 형태와 기능을 시각적으로 확인하기 위해 만든 모형

삼성전자는 FMS 2026에서 약 20평의 규모의 최대 전시 공간을 마련하고, AI 클라우드 서버를 형상화한 전시 부스를 선보였다.

전시 공간은 ▲Highlight ▲Cloud AI ▲Edge AI 존으로 구성했으며, D램부터 NAND, 스토리지에 이르는 폭넓은 메모리 포트폴리오를 중심으로 약 30개 제품을 전시해 AI 메모리 핵심 기술과 고객 맞춤형 솔루션을 소개했다.

행사 첫날인 8월 4일 오전 11시 40분(현지시간)에는 이진엽 Flash개발실 부사장과 김경륜 D램개발실 상무가 ‘Driving the wave of AI Revolution: 3D Innovations in Memory & Storage Architecture’을 주제로 기조연설을 진행했다.  

두 연사는 zHBM, zNAND-O 등 차세대 3D 메모리를 기반으로 고성능 컴퓨팅(HPC) 및 AI 인프라 수요 증가에 대응하고, AI 시스템의 성능과 전력효율을 극대화하기 위한 기술 비전을 제시했다.

특히 기조연설에서 400단 이상의 V10 BV-NAND를 업계 최초로 공개하며, 차세대 NAND 기술 경쟁력을 선보였다.

* BV: Bonding Vertical의 약자로, 셀과 회로를 분리 제작한 후 수직으로 접합하는 기술

☐ zHBM, zNAND-O 목업 최초 공개, 차세대 3D 메모리 방향 제시

삼성전자는 FMS 2026에서 업계 최초로 차세대 3D 메모리 아키텍처인 zHBM과 zNAND-O 목업을 공개하고, 미래 AI 시스템을 위한 새로운 메모리 기술 방향을 제시했다.

HPC 및 AI 인프라의 확산으로 고용량·고대역폭 메모리에 대한 요구 수준이 높아지면서, 기존 HBM만으로는 향후 요구되는 수준의 성능을 구현하는 데 한계가 있다.

이에 제시되는 대안이 바로 zHBM이다. zHBM은 기존에 AI 가속기(xPU) 옆에 HBM을 배치하는 방식에서 한 단계 더 나아가 AI 가속기 상단에 HBM을 수직으로 적층하는 차세대 아키텍처다.

AI 가속기와 메모리 간 데이터 이동 거리를 최소화함으로써 대역폭과 전력효율을 높이고, 대규모 AI 모델의 학습과 추론에 필요한 초고속 데이터 처리를 지원한다.

zHBM이 적용된 차세대 인터페이스 시스템은 HBM5 대비 최대 8배 높은 성능을 제공한다. 

또한, 짧아진 데이터 간 이동거리로 인하여 HBM5 대비 전성비를 최대 3배 향상시키고 열 저항을 절반 이상 낮춤으로써 고용량·고대역폭 시스템의 안정성과 전력효율을 극대화한다.

특히 zHBM은 고객 맞춤형 설계가 가능한 3D 메모리 솔루션으로, 메모리와 AI 가속기 사이에 위치한 인터레이어에 맞춤형 IP를 추가해 메모리 용량 확장, 가속기 성능 강화 등 제품 특성을 최적화할 수 있다.

* IP: Intellectual Property의 약자로, 반도체의 특정 기능을 회로로 구현한 설계 블록

고객과의 협업을 바탕으로 AI 프로세서와 메모리 간 최적화를 추진해 zHBM의 성능을 극대화할 계획이다.

삼성전자는 D램뿐 아니라 NAND에서도 3D 메모리 아키텍처 비전을 제시했다.

zNAND-O는 삼성전자가 개발 중인 차세대 고성능 NAND 플래시로, 기존 V-NAND의 수직 적층 기술을 활용하고 TSV 기술을 결합해 4단 또는 8단 반도체 칩을 3D 패키징한 제품이다.

제품명 끝의 ‘-O’는 On-device AI 환경에 최적화된 제품임을 의미한다. 높은 공간 효율성과 데이터 로딩 대역폭, 빠른 응답 속도를 바탕으로 실시간 대규모 데이터 처리가 요구되는 환경에서 고성능을 지원한다.

☐ 400단 이상의 초고적층 ‘V10 BV-NAND’ 업계 최초 공개

삼성전자는 FMS 2026에서 업계 최초로 수직 적층 400단 이상의 10세대 V-NAND ‘V10 BV-NAND’를 공개하며, NAND 기술 리더십을 강화했다. 이는 13년 전 같은 행사에서 세계 최초로 V-NAND 기술을 발표한 이후, 지속해 온 기술 혁신의 성과다.

V10 BV-NAND는 400단 이상의 초고적층 구조를 기반으로 성능과 전력효율을 높인 차세대 NAND 제품이다.

웨이퍼 본딩 기술과 3 Stack 기술을 통해 400단 이상의 초고적층을 구현했으며, 메모리 집적도를 전 세대(V9) 대비 약 58% 향상시켜 동일한 면적에 더 많은 데이터를 저장할 수 있다.

* 웨이퍼 본딩(Bonding): 두 장 이상의 웨이퍼를 3D(수직)로 접합해 고집적 NAND를 구현하는 기술
* 3 Stack 기술: V-NAND 셀을 3개의 Stack으로 나누어 각각 제조한 뒤 수직으로 연결하는 적층 기술

V10 BV-NAND는 단순히 적층 수를 늘리는 데 그치지 않고 데이터 읽기·쓰기 성능과 I/O 속도도 전 세대 대비 향상시켜, 고성능·고용량 NAND 시장에 최적화된 경쟁력을 확보했다.

* I/O 속도: Input/Output의 약자로, 데이터가 입출력되는 속도

☐ HBM부터 PIM·SSD까지…차세대 AI 메모리 로드맵 공개

이번 전시에서 삼성전자는 ▲HBM4E ▲HBM5 ▲LPDDR5X-PIM ▲PM1763 등 고성능 컴퓨팅과 AI 데이터센터에 최적화된 차세대 메모리·스토리지 솔루션도 선보였다.

삼성전자는 지난 2월 업계 최초로 1c D램과 4나노 베이스 다이 기술을 적용한 HBM4를 양산 출하한 데 이어, 5월에는 업계 최대 성능, 최고 용량의 HBM4E 샘플을 세계 최초로 고객사에 공급하는 등 차세대 HBM 시장을 선도하기 위한 기술 경쟁력을 지속 강화하고 있다.

이번 행사에서는 HBM4E가 적용된 차세대 AI 플랫폼과 웨이퍼를 전시했고, 신규 열관리 기술인 HPB(Heat Path Block)를 적용해 더 높은 대역폭과 용량을 제공하는 HBM5 목업을 공개했다.

LPDDR5X-PIM은 삼성전자가 세계 최초로 개발한 제품으로, 메모리 내부에서 연산을 수행해 데이터 이동을 최적화하고, 전력효율을 향상시킨 차세대 메모리 제품이다.

이와 함께 PM1763, BM1773 등 AI 시대의 다양한 데이터 처리 및 저장 수요에 대응하는 차세대 메모리·스토리지 포트폴리오도 공개했다.

* PM1763: 차세대 기업용 SSD로 빠른 읽기속도와 효율적인 데이터처리가 강점
* BM1773: 초고용량 기업용 SSD로 대규모 AI 학습 데이터 저장 수요에 대응하는 제품

☐ ‘원스톱 솔루션’을 통한 AI 반도체 리더십 강화

삼성전자는 세계에서 유일하게 ▲메모리 ▲로직 ▲파운드리 ▲패키징까지 아우르는 ‘원스톱 솔루션’을 제공할 수 있는 종합반도체(IDM) 기업이다.

특히 고객의 제품 설계 단계부터 양산까지 통합 서비스를 제공해 개발 기간을 줄이고, 성능과 전력효율을 최적화함으로써 고객 맞춤형 AI 반도체 구현을 지원한다.

삼성전자는 FMS 2026에서 End-to-End 솔루션 역량을 기반으로 차세대 AI 인프라 혁신을 위한 메모리·스토리지 기술 전략과 로드맵을 제시했다.

앞으로도 차세대 메모리 기술 혁신과 메모리, 파운드리, 첨단 패키징을 아우르는 차별화된 솔루션을 통해 AI시대의 반도체 기술 리더십을 지속 강화해 나갈 계획이다.

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