V10은 어떤 시장의 변화와 고객의 요구에서 시작됐으며, 이를 실제 제품으로 구현하기 위해 어떤 기술적 도전을 극복했을까? V10의 상품기획을 담당한 김병희 PL, 신지연 TL과 개발을 담당한 박상수 PL, 정다운 PL을 만나 제품의 개발 배경과 핵심 기술, 그리고 이번 수상의 의미에 대해 이야기를 들어봤다.

Q. 먼저 FMS 2026 3D & NAND Innovation Award 수상을 축하 드립니다. V10 BV-NAND는 어떤 제품이며, 이전 세대와 비교해 가장 주목할 만한 변화는 무엇인가요?

신지연 TL: V10은 빠르게 증가하는 AI 시대의 고성능·고용량·저전력 스토리지 요구에 대응하기 위해 개발된 삼성전자의 최신 3D 낸드 플래시 메모리입니다.

V10은 3D 본딩 기술을 적용한 V낸드 구조를 기반으로 400단 이상의 WL(Word Line)을 구현했으며, 이전 세대 대비 비트 밀도(Bit Density)*를 58% 이상 향상시켰습니다. 성능 측면에서도 4.8Gbps 이상의 I/O 속도로 이전 세대 대비 33% 이상 향상된 성능을 제공하는 동시에, 전력은 25% 이상 절감했습니다.

*비트 밀도(Bit Density): 단위 면적당 저장되는 비트(Bit)의 수

이러한 기술 혁신을 바탕으로 V10은 128TB 초고용량 SSD와 차세대 PCIe Gen7 SSD 등 AI 인프라에서 요구되는 고성능·고용량 스토리지를 구현하는 핵심 낸드 솔루션이 될 것으로 기대하고 있습니다.

Q. AI의 발전과 함께 스토리지에 요구되는 역할도 빠르게 변화하고 있습니다. 이러한 시장 변화가 V10의 상품기획과 개발 방향에는 어떤 영향을 미쳤나요?

김병희 PL: 낸드 플래시는 세대가 발전할수록 더 높은 Bit Density를 구현하는 동시에 성능과 전력 효율까지 함께 개선해야 하는 과제를 해결해 왔습니다. 최근 AI 워크로드가 빠르게 증가하면서 이러한 요구는 더욱 커지고 있습니다.

AI 시스템에서 생성·처리하는 데이터가 급격히 증가하면서 스토리지에는 더 높은 용량과 I/O 대역폭이 요구되고 있습니다. 동시에 데이터센터에서는 전력 소비가 전체 시스템 효율성과 TCO(Total Cost of Ownership)를 결정하는 요소로 부상하고 있습니다.

따라서 V10을 기획하면서 단순히 더 많은 단수를 쌓거나 용량을 높이는 데 그치지 않고, 고집적·고성능·저전력을 동시에 달성하는 것을 핵심 방향으로 설정했습니다. 데이터센터뿐 아니라 PC, 모바일, 엣지 AI 등 다양한 영역에서 확대되는 AI 워크로드에 대응할 수 있는 낸드를 제공하는 것이 중요한 목표였습니다.

Q. 이러한 상품기획 방향을 실제 제품으로 구현하기 위해 V10에서는 어떤 기술적 혁신이 가장 중요했나요?

정다운 PL: V10의 첫 번째 기술 혁신은 400단 이상의 초고층 V낸드 아키텍처를 구현하기 위한 3-stack 기반 첨단 ‘HARC(High Aspect Ratio) Merge’ 기술입니다.

* 3 Stack 기술: V-NAND 셀을 3개의 Stack으로 나누어 각각 제조한 뒤 수직으로 연결하는 적층 기술

V낸드의 단수가 증가하면서 함께 늘어날 수 있는 공정 스텝과 제조 비용을 개선하고 공정 난이도를 극복하기 위해 HARC Merge 기술을 개발했습니다. 여기에 Multi Hole 기술과 Zero Dummy Hole 기술을 접목해 이전 세대 대비 비트 밀도를 58% 향상시켰고, 공정 및 제조 효율성과 제품 완성도를 함께 확보할 수 있었습니다.

두 번째 기술 혁신은 ‘웨이퍼 본딩*’ 기술입니다. 두 개의 웨이퍼에서 셀(Cell)과 페리(Peri, 주변회로)*를 독립적으로 제작한 뒤 본딩하는 기술을 개발해 페리 소자의 성능을 극대화할 수 있었고, 이러한 고성능 소자를 설계적으로 활용해 고성능·저전력 제품을 구현할 수 있었습니다.

* 웨이퍼 본딩(Bonding): 두 장 이상의 웨이퍼를 3D(수직)로 접합해 고집적 NAND를 구현하는 기술
* 페리(Peripheral): 주변 회로, 셀의 동작을 관장하는 각종 회로들로 구성

Q. V10은 집적도뿐 아니라 4.8Gbps 이상의 I/O 속도로 이전 세대 대비 33% 이상 향상된 성능을 구현했습니다. 이러한 성능 향상은 어떻게 가능했나요?

박상수 PL: 3D 본딩 기술을 적용한 V낸드  아키텍처는 고집적화뿐 아니라 I/O 성능을 높이는 데에도 중요한 역할을 합니다. 저온 공정 적용을 통해 주변 회로(Peri)의 Scaling이 가능해졌으며, 이를 기반으로 트랜지스터 특성을 개선하고 I/O 성능을 향상시켰습니다.

인터페이스 측면에서도 여러 기술을 새롭게 적용했습니다. 삼성전자 고유의 Pin-ODT 기술을 통해 SCA(Separate Command and Address) 기술을 혁신하여 I/O 효율을 75% 이상 향상시켰습니다.

또한 고속 데이터 전송 과정에서 발생할 수 있는 ISI(Inter-Symbol Interference)를 줄이기 위해 DFE(Decision-Feedback Equalizer)와 RDCA(Read-Duty-Cycle Adjustment) 등의 기술을 적용했습니다.

이러한 기술을 통해 V10은 4.8Gbps 이상의 I/O 속도를 구현했으며, 차세대 고성능 SSD가 요구하는 높은 I/O 성능을 지원할 수 있는 기반을 마련했습니다.

Q. 성능을 높이면서 전력 소비까지 줄이는 것은 쉽지 않은 과제일 것 같습니다. V10은 어떻게 전력 25% 이상 절감을 달성했나요?

박상수 PL: V10 개발에서는 성능 향상과 함께 전력 효율을 높이는 것도 중요한 기술적 목표였습니다. 먼저 주변 회로(Peri)의 공급 전압(VCC)을 낮출 수 있도록 저전력 회로 설계를 적용했으며, 외부 전원을 직접 활용하는 e-PIN 구조를 도입했습니다. 또한 Word Line의 충·방전에 사용되는 전력을 줄이기 위한 WL 제어 기술을 적용했습니다.

고속 I/O 동작 시에는 Channel Voltage를 낮출 수 있는 PI-LTT(Power-Isolated Low-Tapped Termination) 기술을 적용해 인터페이스에서 소비되는 전력을 추가로 절감했습니다.

이러한 저전력 기술들을 종합적으로 적용한 결과, 이전 세대 대비 전력을 25% 이상 절감할 수 있었습니다. 특히 고용량 SSD에서는 이러한 낸드 단위의 전력 효율 향상이 시스템 전체의 전력 효율을 높이는 데 기여할 수 있습니다.

Q. 400단 이상의 고집적 V낸드를 구현하는 과정에서 가장 어려웠던 기술적 과제는 무엇이었나요? 이를 어떻게 극복했는지도 소개해 주세요.

박상수 PL: 400단 이상의 고적층, 고집적 3D 낸드 플래시 메모리를 구현하는 것은 단순한 적층 수의 증가를 넘어, 물리적 한계를 극복해야 하는 고난도의 과제였습니다.

첫째는 ‘극한의 칩 사이즈 감소’였습니다. 고집적화된 셀 어레이를 구동하기 위해서는 주변 회로의 면적 증가가 필연적입니다. 하지만 상판 셀 어레이와 동일한 사이즈로 하판 구동 회로를 설계하는 것은 매우 도전적인 목표였습니다. 이를 위해 설계 전문가들과 끊임없이 소통하며 BV-NAND 시대에 최적화된 차세대 칩 아키텍처를 도출했습니다.

동시에 연구소와 협력해 공정 역량을 극대화함으로써 디자인 룰(Design Rule)을 타이트하게 관리하여 트랜지스터 사이즈를 최소화했습니다. 나아가 유사 기능을 수행하는 회로를 과감히 병합하고 최적화하는 설계를 통해, 하판 구동 회로를 상판 셀 어레이 사이즈에 완벽하게 맞추는 ‘풀 캡핑(Full Capping)’을 성공적으로 달성할 수 있었습니다.

둘째는 ‘Word Line 증가에 따른 전기적 특성 저하’ 문제였습니다. 적층 수가 늘어날수록 Word Line Capacitance가 증가하며, 이는 곧 전력 소모 증가와 성능 저하, 그리고 셀 신뢰성 열화라는 연쇄적인 문제로 이어집니다. 저희는 이 문제가 향후 고단 적층의 지속 가능성을 결정짓는 핵심이라 판단하여, 개발 초기 단계부터 집중적인 연구를 진행했습니다. 그 결과 Multi-Stack을 정밀하게 제어하는 설계 기술을 개발했고, 쓰기 동작 시 비선택 Stack의 Word Line에 인가되는 전압을 70% 이상 획기적으로 낮출 수 있었습니다. 이를 통해 전력 효율을 대폭 개선함은 물론, BER(Bit Error Rate)를 4% 개선하는 유의미한 성과를 거두었습니다.

정다운 PL: 400단이 넘는 고집적 구조의 낸드 플래시를 개발하기 위해서는 몇 가지 커다란 물리적 장벽을 기술 개발을 통해 넘어야만 했습니다.

먼저, 웨이퍼가 막질의 스트레스에 의해 휘어지는 Warpage 문제는 V10의 급격한 단수 증가로 특히 더 어려운 문제가 되었습니다. 이전 세대에서 일반적으로 해오던 방식으로 극복하기에는 한계가 명확해, 전체 8대 공정 및 공정 통합 엔지니어들이 아이디어를 함께 모았습니다. 과감한 신공정 도입, 설비 한계 극복, 전체 공정의 Heat 최적화, 신규 막질 도입을 통해 웨이퍼가 받는 스트레스를 크게 낮춰 물리적 한계를 극복할 수 있었습니다.

높은 단수를 통과해야 하는 채널 길이가 증가하면서 발생하는 Cell 신뢰성 문제 역시 연구개발 초기부터 많은 우려가 있었던 부분입니다. 이에 연구소 단계에서부터 각 공정 개발의 목표를 높게 잡아 소자를 디자인했고, 양산 단계에서는 최고 수준의 신뢰성을 완성할 수 있었습니다.

에치(Etch, 식각) 부서에서는 높은 신뢰성을 구현할 수 있는 Channel Hole Profile 및 산포를 구현했고, 디퓨전(Diffusion, 확산) 부서에서는 높은 Stack에서도 Step Coverage와 막질 특성을 확보했습니다. 클리닝(Cleaning, 세정) 부서에서는 표면적 증가에도 균일하게 식각할 수 있는 신기술을 개발했습니다. 나아가 PA 부서에서는 Cell 신뢰성을 중심에 두고 8대 공정과 함께 전체 공정 통합을 최적화하고 소자를 디자인했습니다.

그 결과 신뢰성 최종 목표를 조기에 달성했으며, 도출된 아이디어들을 지속적으로 발전시켜 V10을 높은 수준의 Cell 신뢰성을 갖춘 제품으로 만들 수 있었습니다.

Q. V10에는 기존에 독립적이었던 여러 기술을 하나로 연결하는 새로운 시도가 적용됐습니다. 개발 과정에서 조직 간 협업은 어떻게 이루어졌나요?

정다운 PL: V10 개발은 수백 명의 엔지니어들이 매일 함께 토론하고 문제를 해결해가는 과정이었습니다. V낸드의 핵심 기술인 HARC Merge와 웨이퍼 본딩은 기존에 독립적으로 개발하던 모듈 공정을 하나로 합쳐 제작하고, 독립적으로 만들어진 두 개의 웨이퍼를 하나로 합치는 신기술입니다.

기존에 독립적이었던 기술들이 밀접하게 융합되면서 여러 기술이 복합적으로 연관된 불량들이 증가했고, 이를 극복하기 위해서는 함께 일하는 동료와 공정 엔지니어들이 서로의 업무를 이해하고 협업하는 과정이 정말 중요했습니다.

본인의 업무에서 한 걸음 더 나아가 주변의 업무까지 이해하고 함께 해결해야 했기 때문에 부서 간 많은 대화와 협업이 필요했습니다. 이를 위해 TF 형태의 회의체를 만들어 엔지니어들이 함께 논의할 기회를 늘렸고, 부서 간 교류를 통해 서로에 대한 이해를 높여갔습니다.

이러한 과정을 거치며 협업 문화가 견고해질수록 제품의 완성도와 신공정에 대한 이해도 역시 함께 높아지는 값진 경험을 할 수 있었습니다.

Q. V10은 128TB SSD와 차세대 PCIe Gen7 SSD 구현을 지원할 수 있습니다. 실제 고객과 AI 인프라 관점에서는 V10의 기술 혁신이 어떤 가치로 이어질 것으로 기대하시나요?

신지연 TL: AI가 발전하면서 처리하고 저장해야 하는 데이터의 양은 앞으로도 빠르게 증가할 것으로 예상됩니다. 특히 AI 인프라에서는 대규모 데이터를 빠르게 저장하고 처리해야 하기 때문에 스토리지의 용량과 성능이 전체 시스템 효율에 미치는 영향도 더욱 커지고 있습니다.

V10은 높은 비트 밀도를 기반으로 128TB 초고용량 SSD 구현을 지원하고, 4.8Gbps이상의 I/O 성능을 통해 ​차세대 PCIe Gen7 SSD에 대응할 수 있습니다. 동시에 향상된 전력 효율은 대규모 AI 데이터센터의 전력 소비와 TCO를 개선하는 데 기여할 수 있습니다.

결국 V10의 기술적 혁신은 단순히 낸드 자체의 성능 향상에 그치지 않고, AI 인프라에서 요구되는 용량, 성능, 전력효율을 함께 향상시켜 고객에게 실질적인 가치를 제공한다는 점에서 의미가 있다고 생각합니다.

Q. 마지막으로 이번 FMS 2026 3D & NAND Innovation Award 수상은 어떤 의미가 있나요? 앞으로 V-NAND가 나아갈 방향에 대해서도 말씀 부탁드립니다.

김병희 PL: 이번 FMS 2026 3D & NAND Innovation Award 수상은 AI 시대에 필요한 NAND의 방향성을 제시하고, V10의 기술적·상품적 가치를 인정받았다는 점에서 의미가 크다고 생각합니다.

AI의 발전과 함께 스토리지에 요구되는 용량과 성능, 전력 효율은 앞으로도 지속적으로 높아질 것입니다. 삼성전자는 이러한 시장과 고객의 요구를 바탕으로 V-NAND의 경쟁력을 지속적으로 발전시키며 차세대 AI 스토리지를 위한 새로운 가치를 제공해 나갈 계획입니다.

정다운 PL: V10은 기존의 세대별 개발 추세에서 벗어나는 Bit Density와 신뢰성, 성능, 전력을 구현한 제품입니다. 초기 반도체연구소에서부터 높은 목표를 설정해 방향을 잡았고, 양산 개발 단계에서도 수백 명의 엔지니어들이 밀접하게 협업해 좋은 제품으로 양산화할 수 있었습니다.

이번 FMS 2026 수상은 V10의 기술력을 세계적으로 인정받았다는 점에서 개발에 참여한 한 사람으로서 큰 보람을 느낍니다.

반도체 개발은 한두 사람이 잘해서 되는 일이 아니라 모두가 함께 잘해야 성공한다는 이야기를 많이 합니다. V10을 개발하면서 높은 목표와 기술 간 연결이 강화되며 발생한 다양한 문제로 모두가 힘든 시기도 있었지만, 한마음으로 매일 치열하게 토론하며 문제를 해결해온 노력을 인정받은 것 같아 더욱 뜻깊습니다.

V10 개발 과정에서는 회사 내 여러 부서의 도움도 컸습니다. 제조에서는 개발 Lot의 TAT를 적극적으로 지원해 개발 일정에 큰 도움을 주었고, 낸드플래시에 본딩 기술이 처음 도입되는 과정에서는 CIS에서 사용 중인 본딩 설비 인프라와 기술 자문을 지원받아 관련 기술을 빠르게 발전시킬 수 있었습니다. 또한 단수 증가에 따라 방대한 팹 데이터를 처리하는 과정에서도 A-FAB 기술팀 YES 부서의 지원을 통해 체계적으로 데이터를 분석하고 불량을 개선할 수 있었습니다.

이처럼 여러 부서가 함께했기에 V10을 좋은 제품으로 완성할 수 있었다고 생각합니다.

박상수 PL: 이번 수상은 AI 시대가 요구하는 ‘고집적·고성능·저전력’이라는 세 가지 난제를 삼성전자만의 기술력으로 동시에 해결했음을 인정받았다는 점에서 매우 뜻깊습니다.

낸드플래시의 진화 과정에서 집적도를 높이면서 고성능과 저전력을 동시에 유지하는 것은 늘 상충하는 요소들을 조율해야 하는 어려운 과제였습니다. 하지만 불가능해 보였던 목표를 현실로 만들기 위해 밤낮없이 고민하고 치열하게 토론했던 연구소와 개발실 엔지니어들의 집요함이 있었기에 V10이라는 결과물을 만들어낼 수 있었습니다.

또한 개발 과정에서 마주한 수많은 불량과 신뢰성 이슈를 해결하기 위해 유관 부서가 하나의 팀처럼 움직이며 끝까지 원인을 추적하고 개선했던 협업의 과정이 이번 수상의 가장 큰 원동력이었다고 생각합니다.

앞으로 V낸드는 단순한 용량 확장을 넘어 AI 시대의 시스템 병목을 해결하고 시스템 전체의 효율을 높이는 핵심 인프라로 진화해 나갈 것입니다. 앞으로도 동료들과 함께 물리적 한계를 뛰어넘는 기술 혁신을 이어가며 전 세계 AI 생태계가 더 빠르고 지속 가능하게 성장할 수 있도록 초격차 기술 리더십을 이어가겠습니다.

V10 BV-NAND는 400단 이상의 초고집적 구조를 기반으로 성능과 전력 효율을 함께 높이며, AI 시대의 스토리지가 나아갈 새로운 가능성을 제시했다. FMS 2026 3D & NAND Innovation Award 수상으로 그 기술 혁신성을 인정받은 삼성전자의 V10은 128TB 초고용량 SSD와 차세대 PCIe Gen7 SSD 등 고성능·고용량 스토리지 구현을 통해 빠르게 진화하는 AI 인프라의 혁신을 뒷받침할 것으로 기대된다.

The post [FMS 2026 3D & NAND Innovation Award] V10 BV-NAND: 400단을 넘어 AI 스토리지의 한계를 확장하다 first appeared on 삼성전자 반도체 뉴스룸.

*JEDEC (국제반도체표준협의기구, Joint Electron Device Engineering Council): 전 세계 반도체, 특히 메모리 분야의 기술 규격과 표준을 정하는 국제 표준화 기구. JEDEC이 마련한 공통 표준을 통해 서로 다른 기업의 제품 간 호환성을 확보하고 글로벌 반도체 생태계의 발전을 지원한다.

업계를 이끈 리더들과 나란히 서다

FMS 평생 공로상은 반도체 산업 발전에 장기간 기간 기여해 온 소수의 리더에게만 수여된다. 지난 2011년에 제정된 이래 25명이 이 상을 수상했으며, Mian Quddus 상무는 2016년 김기남 전 대표이사에 이어 10여년 만에 삼성전자에서 두번째로 수상자에 이름을 올렸다.

Q. 이번 FMS 평생 공로상 수상 소감이 궁금합니다.

수상 소식을 처음 들었을 때 무척 기뻤고 정말 큰 감동을 받았습니다. 동시에 겸허한 마음과 감사함도 느꼈습니다. 역대 수상자 명단을 살펴보니 오랫동안 존경해 온 분들이 많았습니다. 업계에서 존경받는 리더들과 함께 이름을 올릴 수 있다는 것은 저에게 큰 영광입니다.

치열한 경쟁 속에서 시장의 문을 두드리다

Mian Quddus 상무가 삼성에 합류한 1997년은 글로벌 시장에서 치열한 경쟁이 펼쳐지던 시기였다. 당시 그에게 주어진 초기 과제 중 하나는 주요 고객사의 신뢰를 얻고 삼성 메모리 제품의 시장 진입을 확대하는 것이었다.

Q. 삼성에 입사한 뒤 커리어는 어떻게 시작하셨나요?

1997년 입사해 애플리케이션·제품 엔지니어링 업무를 맡았습니다. 당시 가장 중요한 과제는 주요 고객사들이 삼성 제품을 채택하도록 만드는 것이었습니다. 4K 디바이스를 직접 들고 고객사를 찾아가 테스트해 달라고 요청했던 기억이 아직도 생생합니다.

당시는 일본 기업들이 시장을 주도하던 시기였기 때문에 조금이라도 더 점유율을 확보하기 위해 정말 치열하게 노력했습니다. 그것이 제 커리어의 시작이었고, 제가 메모리 업계에 발을 들이게 된 계기였습니다.

고객의 신뢰를 얻는 것에서 업계를 이끄는 회사로

그가 삼성에서 첫발을 내디뎠던 때로부터 30년 가까운 시간이 흐른 지금, 고객사를 직접 찾아다니며 제품 채택을 요청했던 삼성의 위상은 크게 달라졌다.

Q. 당시와 비교해 삼성 메모리 사업의 위상은 어떻게 바뀌었나요?

예전에는 고객사를 찾아가 우리 제품을 사용해 달라고 요청해야 했습니다. 하지만 지금은 삼성전자가 업계를 이끄는 위치에 있습니다. 삼성 제품은 시장에서 가장 주목받는 제품 가운데 하나가 됐고, D램을 비롯해 HBM 시장에서도 기술 발전을 주도하고 있습니다. 모듈과 컴포넌트를 포함한 다양한 분야에서 산업의 중심 역할을 하고 있습니다.

전 세계 메모리의 ‘공통 언어’를 만드는 JEDEC

JEDEC은 메모리 반도체 업계에서 사용하는 기술 규격과 표준을 정하는 핵심 기구다. 메모리 공급사와 OEM(주요 제조사), 반도체 기업 등이 함께 참여해 산업 전반에서 사용할 수 있는 표준을 마련한다. 이렇게 만들어진 공통의 기준은 서로 다른 기업의 제품이 문제없이 호환되도록 하고, 글로벌 메모리 생태계가 함께 성장할 수 있는 기반이 된다.

Q. JEDEC은 어떤 곳이고, 메모리 생태계에서 어떤 역할을 해 왔나요?

JEDEC은 업계가 함께 사용할 기술 규격을 정하는 곳입니다. 메모리 공급사와 OEM, 인프라 기업들이 함께 논의해 표준을 만들죠. 공통의 표준이 있기 때문에 서로 다른 회사의 제품도 원활하게 호환될 수 있고, 이를 기반으로 글로벌 메모리 생태계 전체가 함께 성장할 수 있습니다.

Mian 상무는 오랜 기간 DDR D램을 비롯한 메모리 모듈 표준을 만드는 과정에 참여해 왔으며, 현재는 JEDEC 이사회 의장과 모듈 위원회 (Module Committee) 의장을 동시에 맡고 있다.

Q. 그 동안의 성과 중 특히 의미 있게 생각하는 것은?

JEDEC 이사회 의장을 맡은 지 올해로 22년째입니다. 의장은 4년마다 선출되며, 현재 이사회에는 여러 OEM과 주요 공급사가 함께 참여하고 있습니다. 저는 DDR 1세대부터 6세대까지 표준을 만들어가는 과정에 계속 참여해왔고, LPDDR 계열과 모듈 표준을 정립하는 데도 힘을 보태고 있습니다.

JEDEC 이사회뿐 아니라 모듈 위원회 의장도 맡고 있습니다. 그동안 업계에서 쌓아온 경험과 이사회 동료들과 함께 만들어온 성과들이 이번 수상으로 이어진 것 같습니다. 산업의 미래 방향을 논의하고 결정하는 자리인 만큼 그만큼 큰 책임감을 느끼고 있습니다.

HBM에서 zHBM까지, 기술의 최전선에서

올해 FMS 2026에서 삼성전자는 zHBM을 비롯한 새로운 3D 아키텍처를 선보였다. 메모리 기술의 빠른 진화가 이뤄지는 가운데 Mian 상무는 삼성이 새로운 기술의 변화를 주도해 왔다는 점을 강조했다.

Q. 이번에 공개된 zHBM 같은 3D 아키텍처를 어떻게 보시나요?

새로운 메모리 기술이 등장할 때마다 삼성은 늘 한발 앞서 변화를 이끌어 왔습니다. HBM 역시 초기 세대부터 HBM2, HBM3, HBM4를 거쳐 다음 세대로 계속 발전하고 있습니다. 지금 삼성은 그 기술 경쟁의 최전선에 있습니다. 이 시장에서도 삼성이 앞장서고 있다는 사실이 자랑스럽습니다. 앞으로 기술이 어떻게 발전해 나갈지 저 역시 기대가 큽니다.

삼성이 D램 공급사로 자리 잡기 시작한 순간

30년 가까이 메모리 산업의 변화를 지켜본 그에게도 유독 선명하게 남아 있는 순간이 있다. 삼성이 주요 고객사로부터 D램 공급사로 인정받기 시작했던 초창기의 기억이다.

Q. 커리어에서 가장 기억에 남는 순간을 꼽는다면?

가장 가슴 뛰었던 순간 중 하나는 초창기에 주요 고객사가 삼성 메모리 제품을 채택하기로 결정했을 때였습니다. 당시만 해도 삼성은 D램 공급사로서 입지를 구축해 나가던 시기였기 때문에 그 결정은 팀의 모든 구성원들에게 큰 의미가 있었습니다.

그 일을 계기로 삼성이 D램 공급사로 본격적으로 자리 잡기 시작했고, 시장 점유율도 조금씩 높여갈 수 있었습니다. 1998년에서 1999년 무렵이었으니 벌써 28년 전의 일이네요.

다음 세대를 향한 조언: 기술의 답은 결국 고객에게 있다

마지막으로 Mian 상무는 앞으로 반도체 산업을 이끌어갈 다음 세대에게 자신의 경험에서 나온 조언을 전했다.

Q. 반도체 산업의 다음 세대에게 전하고 싶은 말이 있다면?

먼저 기술의 기본기를 탄탄하게 갖추라고 말하고 싶습니다. 사고는 유연하게 하되 고객의 목소리에는 항상 귀를 기울여야 합니다. 주요 고객사와 긴밀한 관계를 구축하는 것도 중요하고, 자신이 다루는 제품의 설계와 기술을 깊이 이해해야 합니다.

무엇보다 우리가 누구를 위해 제품을 만드는지 잊지 않아야 합니다. 제가 생각하는 기술 리더십은 결국 고객의 목소리에 귀 기울이는 데서 시작합니다.

표준을 만든다는 것: 메모리의 다음 미래를 그리다

삼성의 일원으로 이 여정을 함께할 수 있어 영광이었습니다. 앞으로 또 어떤 기회와 도전이 기다리고 있을지 기대됩니다.

Mian 상무는 삼성에서 보낸 30여년 동안 회사와 글로벌 메모리 산업이 겪은 거대한 변화를 함께해 왔다. 삼성에서의 오랜 경험과 JEDEC에서의 리더십을 바탕으로 메모리 생태계가 함께 발전할 수 있는 산업 표준을 만드는 데도 기여해 왔다. 이제 그는 글로벌 메모리 산업의 공통 언어를 만들어 온 여정을 바탕으로, 메모리의 새로운 미래를 향해 나아가고 있다.  

The post 글로벌 메모리 표준의 중심에서 ㅣ FMS 2026 평생 공로상 수상자 Mian Quddus 인터뷰 first appeared on 삼성전자 반도체 뉴스룸.

본격적인 AI 시대를 맞아 세계 메모리 업계의 시선이 미국 산타클라라에 모였다. 8월 4일부터 6일까지 열린 ‘FMS(Future of Memory and Storage) 2026’에서 삼성전자는 AI 시대를 위한 새로운 메모리 아키텍처를 선보였다. 기조연설 무대부터 관람객들로 붐빈 전시 부스, 어워드 수상 현장까지 삼성전자 반도체의 FMS 2026의 주요 순간을 소개한다.

AI 시대, 메모리 기술의 미래를 제시한 기조연설

행사 첫날 기조연설에서 이진엽 Flash개발실 부사장과 김경륜 DRAM개발실 상무는 ‘Driving the Wave of AI Revolution: 3D Innovation in Memory & Storage Architecture’를 주제로 AI 시대를 이끌 메모리 기술의 방향성을 소개했다. 발표에서는 zHBM, zNAND-O와 함께 업계 최초의 V10 BV(Bonding Vertical)‑NAND가 공개되며 참석자들의 관심을 모았다.

메모리의 미래가 눈 앞에 펼쳐지다, 이목이 집중된 삼성전자 전시관

삼성전자 부스는 행사 시작과 함께 관람객들의 발길이 이어졌다. 약 20평 규모의 전시 공간은 ▲하이라이트 ▲Cloud AI ▲Edge AI 존으로 구성됐으며, D램부터 낸드, 기업용 스토리지까지 약 30개의 메모리·스토리지 제품을 한자리에 선보였다.

차세대 3D 메모리 전격 공개, zHBM과 zNAND-O

하이라이트 존 에서는 업계 최초로 공개된 zHBM, zNAND-O 목업이 관람객들의 시선을 모았다. 각 전시 존에서 삼성전자 직원들은 제품의 구조와 적용 분야를 설명했고, 관람객과 업계 관계자들은 제품의 구조와 데이터 이동 방식, 향후 적용 가능성 등에 대한 질문을 이어갔다.

AI 데이터센터 핵심 기술, V10 BV-NAND부터 HBM5까지

Cloud AI 존에서는 역시 업계 최초로 공개된 ‘V10 BV-NAND’가 관람객들을 맞았다. BV-NAND의 셀, 주변 회로를 포함해, 400단 이상의 초고적층을 구현한 칩 내 구조를 보여주는 목업과 영상이 함께 마련되어 기술의 특징을 보다 직관적으로 확인할 수 있었다.

또한, HBM4E가 적용된 차세대 AI 플랫폼과 웨이퍼도 전시됐다. 신규 열관리 기술 히트 패스 블록(HPB, Heat Path Block)이 적용된 HBM5 는 웨이퍼와 칩, 제품 구조를 한눈에 비교할 수 있도록 목업과 영상을 함께 구성해 관람객들의 이해를 높였다.

메모리 자체가 AI 엔진이 되다, LPDDR5X-PIM의 등장

Edge AI 존에서 가장 관심을 받은 제품은 LPDDR5X-PIM이었다. 메모리 내부에서 일부 연산을 수행하는 PIM(Processing-In-Memory) 기술을 적용해 AI 연산 효율을 높이는 제품으로, AI 데이터 이동을 줄이는 새로운 접근 방식이라는 점에서 업계 관계자들의 관심이 집중됐다.

한 글로벌 AI 서버 기업 관계자는 “메모리 자체가 데이터를 저장하는 역할을 넘어 연산 효율까지 높이는 방향으로 진화하고 있다는 점이 인상적이었다.”고 말했다.

또 다른 관람객은 “zHBM과 LPDDR5X-PIM은 서로 다른 접근 방식이지만, 모두 AI 시스템의 병목 현상을 줄이기 위한 기술이라는 점이 흥미로웠다”며 전시를 둘러본 소감을 전했다.

FMS Best of Show Award 수상으로 확인한 기술 경쟁력

행사 첫날 저녁에 열린 FMS Award 시상식에서는 삼성전자의 기술력이 다시 한번 주목받았다. 삼성전자는 V10 BV‑NAND와 LPDDR5X‑PIM으로 FMS Best of Show Award를 수상했으며, 이진엽 Flash개발실 부사장과 김경륜 DRAM개발실 상무가 각각 대표로 수상했다. 시상식 이후, 수상 제품 전시 공간에는 관람객들의 발길이 이어졌고, 연구원들과의 질의응답도 활발하게 진행됐다.

AI 시대 메모리 혁신을 향한 삼성전자의 여정

이번 FMS 2026에서 삼성전자는 신제품 공개를 넘어 AI 시대 메모리 기술이 나아갈 방향을 제시했다. 기조연설, 전시, 어워드 수상을 통해 AI 데이터센터 인프라부터 Edge AI까지 아우르는 차세대 메모리 전략을 공유했으며, 행사장은 고객과 업계 관계자가 미래 컴퓨팅 환경을 함께 논의하는 소통의 장이 됐다. 삼성전자는 앞으로도 메모리와 파운드리, 첨단 패키징 역량을 바탕으로 고객과 함께 AI 시대에 필요한 반도체 혁신을 이어나갈 계획이다.

The post 3D 메모리로 그린 AI의 미래…삼성전자 FMS 2026 참가 현장 스케치 first appeared on 삼성전자 반도체 뉴스룸.

AI가 다뤄야 하는 데이터가 급격히 늘어나면서 AI 시스템의 성능을 결정하는 요소도 변화하고 있다. 이제는 프로세서의 연산 성능뿐 아니라 방대한 데이터를 얼마나 효율적으로 저장하고, 필요한 데이터를 AI 가속기에 얼마나 빠르고 안정적으로 전달할 수 있는지가 AI 인프라의 핵심 경쟁력으로 떠오르고 있다.

이러한 변화에 대응하기 위해서는 단순히 메모리의 속도와 용량을 높이는 것만으로는 충분하지 않다. 메모리와 프로세서를 연결하는 구조부터 메모리 칩을 적층하는 방식, 데이터를 저장하는 셀 구조까지 메모리 아키텍처 전반을 새롭게 설계해야 한다.

삼성전자가 FMS 2026에서 공개한 zHBM, zNAND-O, V10 BV-NAND는 이러한 요구에 대응하기 위해 제안한 차세대 3D 메모리 기술이다. 각각의 기술은 AI 데이터센터와 온디바이스 AI 환경에서 발생하는 다양한 병목 현상을 해결하고, 더 높은 성능과 전력 효율을 구현하기 위한 새로운 방향을 제시한다.

AI 성능을 좌우하는 것은 연산만이 아니다… 데이터를 더 가까이 전달하는 ‘zHBM’

AI 반도체의 성능은 연산 능력만으로 결정되지 않는다. 아무리 뛰어난 프로세서라도 필요한 데이터를 제때 공급받지 못하면 전체 시스템의 성능은 제한될 수밖에 없다. AI 모델의 규모가 커질수록 메모리와 프로세서 사이에서 오가는 데이터가 급격히 늘어나면서, 두 장치 간 거리를 줄이는 기술의 중요성도 함께 커지고 있다.

삼성전자가 공개한 zHBM은 이러한 문제를 해결하기 위해 기존 HBM과 다른 구조를 제안했다. 기존에는 메모리를 AI 가속기(xPU) 옆에 배치했다면, zHBM은 메모리를 프로세서 상단에 직접 적층하는 구조를 적용했다. 데이터가 이동하는 거리가 짧아지면서 더 높은 대역폭과 향상된 전력 효율을 구현할 수 있는 것이 특징이다.

이를 위해 칩을 더욱 정밀하게 연결하는 하이브리드 구리 본딩(Hybrid Copper Bonding, HCB) 기술과 여러 장의 웨이퍼를 하나처럼 연결하는 멀티 웨이퍼 본딩(Multi-Wafer Bonding) 기술을 적용했다. 이를 통해 신호 전달 속도를 높이는 동시에 열 저항을 줄여 안정적인 구동 환경을 구현하도록 설계했다.

이러한 기술은 앞으로 초거대 AI 모델의 학습과 추론 성능을 높이고, AI 서비스의 응답성을 향상시키는 기반 기술로 활용될 것으로 기대된다.

AI가 기기 안으로 들어오는 시대… 온디바이스 AI를 위한 ‘zNAND-O’

AI 활용 방식도 변화하고 있다. 과거에는 대부분의 AI 연산을 클라우드 서버에서 처리했지만, 최근에는 스마트폰이나 PC와 같은 기기 안에서 AI 기능을 직접 실행하는 온디바이스 AI가 빠르게 확산되고 있다.

온디바이스 AI 환경에서는 제한된 공간 안에서도 높은 성능과 전력 효율을 구현할 수 있는 저장장치가 필요하다.

삼성전자가 공개한 zNAND-O는 이러한 요구를 반영한 차세대 낸드 솔루션이다. 여러 개의 V-낸드 칩을 TSV를 통해 수직 적층하는 3D 패키징 기술을 적용해 높은 저장 밀도와 데이터 로딩 대역폭을 구현하도록 설계됐다.

이를 통해 사용자는 AI 서비스에 필요한 기능을 클라우드 연결 없이 기기 안에서 모두 구현할 수 있다. 고사양 모델 사용 시에도, 데이터를 외부 서버로 보내지 않고 기기 내부에서 처리할 수 있어 개인 정보 보호 측면에서도 장점을 발휘한다.

더 높이 쌓고 더 많이 저장하다… 400단 시대를 연 ‘V10 BV-NAND’

AI 시대에는 저장해야 하는 데이터의 양도 빠르게 증가하고 있다. 같은 크기의 저장장치에서도 더 많은 데이터를 담기 위해서는 메모리 셀을 더욱 촘촘하게 쌓는 기술이 필요하다.

삼성전자가 공개한 10세대 V-낸드 ‘V10 BV-NAND’는 400단 이상의 초고적층 구조를 구현하며 이러한 방향성을 제시했다. 메모리 셀을 400층 이상 수직으로 쌓아 동일한 면적에서도 더 많은 데이터를 저장할 수 있도록 한 것이다.

이를 가능하게 한 핵심은 Bonding 구조이다. 기존에는 메모리 셀과 주변 회로를 하나의 웨이퍼에서 함께 제조했지만, V10 BV-NAND는 각각 별도의 웨이퍼에서 제작한 뒤 정밀하게 접합하는 방식을 적용했다. 이를 통해 적층 과정에서 발생할 수 있는 구조적 한계를 줄이고, 전 세대(V9) 대비 약 58% 높은 메모리 집적도를 구현했다. 또한, 주변 회로 제작에 적합한 공정 도입을 통해 동작 상에서의 전력 소비를 최소화하고 성능 향상을 꾀했다.

향후 V10 BV-NAND가 SSD 등 다양한 제품에 적용되면 더 얇고 가벼운 기기에서도 대용량 저장 공간을 제공할 수 있을 것으로 기대된다. 특히, 데이터센터에서는 동일한 공간에 더 많은 데이터를 저장하면서도 전력 소비와 발열을 줄여 운영 효율 향상에도 기여할 수 있다.

AI 시대 메모리의 경쟁력은 ‘더 가깝게, 그리고 수직으로’

이번 FMS 2026에서 삼성전자가 공개한 세 가지 기술은 각각 적용 분야는 다르지만 공통된 방향성을 갖고 있다. 메모리와 프로세서의 거리를 줄여 데이터 이동을 최소화하고, 제한된 공간에서도 저장 용량과 성능을 극대화하기위한 3차원의 Z축을 지향한다는 것이다.

AI 기술이 발전할수록 메모리는 단순한 저장장치를 넘어 컴퓨팅 성능을 결정하는 핵심 요소로 자리 잡고 있다. 삼성전자가 제시한 차세대 3D 메모리 기술은 AI 인프라부터 온디바이스 AI까지 다양한 컴퓨팅 환경에서 요구되는 새로운 메모리 아키텍처의 방향을 보여준다.

앞으로도 삼성전자는 메모리, 파운드리, 첨단 패키징 기술을 바탕으로 제품 설계부터 양산까지 아우르는 통합 역량을 지속적으로 고도화하며, AI 시대에 최적화된 차세대 반도체 기술 개발을 이어갈 계획이다.

The post AI 시대 메모리의 진화, 더 빠르게·더 촘촘하게… 삼성전자, FMS 2026에서 차세대 3D 메모리 비전 공개 first appeared on 삼성전자 반도체 뉴스룸.

* 목업: 제품의 형태와 기능을 시각적으로 확인하기 위해 만든 모형

삼성전자는 FMS 2026에서 약 20평의 규모의 최대 전시 공간을 마련하고, AI 클라우드 서버를 형상화한 전시 부스를 선보였다.

전시 공간은 ▲Highlight ▲Cloud AI ▲Edge AI 존으로 구성했으며, D램부터 NAND, 스토리지에 이르는 폭넓은 메모리 포트폴리오를 중심으로 약 30개 제품을 전시해 AI 메모리 핵심 기술과 고객 맞춤형 솔루션을 소개했다.

행사 첫날인 8월 4일 오전 11시 40분(현지시간)에는 이진엽 Flash개발실 부사장과 김경륜 D램개발실 상무가 ‘Driving the wave of AI Revolution: 3D Innovations in Memory & Storage Architecture’을 주제로 기조연설을 진행했다.  

두 연사는 zHBM, zNAND-O 등 차세대 3D 메모리를 기반으로 고성능 컴퓨팅(HPC) 및 AI 인프라 수요 증가에 대응하고, AI 시스템의 성능과 전력효율을 극대화하기 위한 기술 비전을 제시했다.

특히 기조연설에서 400단 이상의 V10 BV-NAND를 업계 최초로 공개하며, 차세대 NAND 기술 경쟁력을 선보였다.

* BV: Bonding Vertical의 약자로, 셀과 회로를 분리 제작한 후 수직으로 접합하는 기술

☐ zHBM, zNAND-O 목업 최초 공개, 차세대 3D 메모리 방향 제시

삼성전자는 FMS 2026에서 업계 최초로 차세대 3D 메모리 아키텍처인 zHBM과 zNAND-O 목업을 공개하고, 미래 AI 시스템을 위한 새로운 메모리 기술 방향을 제시했다.

HPC 및 AI 인프라의 확산으로 고용량·고대역폭 메모리에 대한 요구 수준이 높아지면서, 기존 HBM만으로는 향후 요구되는 수준의 성능을 구현하는 데 한계가 있다.

이에 제시되는 대안이 바로 zHBM이다. zHBM은 기존에 AI 가속기(xPU) 옆에 HBM을 배치하는 방식에서 한 단계 더 나아가 AI 가속기 상단에 HBM을 수직으로 적층하는 차세대 아키텍처다.

AI 가속기와 메모리 간 데이터 이동 거리를 최소화함으로써 대역폭과 전력효율을 높이고, 대규모 AI 모델의 학습과 추론에 필요한 초고속 데이터 처리를 지원한다.

zHBM이 적용된 차세대 인터페이스 시스템은 HBM5 대비 최대 8배 높은 성능을 제공한다. 

또한, 짧아진 데이터 간 이동거리로 인하여 HBM5 대비 전성비를 최대 3배 향상시키고 열 저항을 절반 이상 낮춤으로써 고용량·고대역폭 시스템의 안정성과 전력효율을 극대화한다.

특히 zHBM은 고객 맞춤형 설계가 가능한 3D 메모리 솔루션으로, 메모리와 AI 가속기 사이에 위치한 인터레이어에 맞춤형 IP를 추가해 메모리 용량 확장, 가속기 성능 강화 등 제품 특성을 최적화할 수 있다.

* IP: Intellectual Property의 약자로, 반도체의 특정 기능을 회로로 구현한 설계 블록

고객과의 협업을 바탕으로 AI 프로세서와 메모리 간 최적화를 추진해 zHBM의 성능을 극대화할 계획이다.

삼성전자는 D램뿐 아니라 NAND에서도 3D 메모리 아키텍처 비전을 제시했다.

zNAND-O는 삼성전자가 개발 중인 차세대 고성능 NAND 플래시로, 기존 V-NAND의 수직 적층 기술을 활용하고 TSV 기술을 결합해 4단 또는 8단 반도체 칩을 3D 패키징한 제품이다.

제품명 끝의 ‘-O’는 On-device AI 환경에 최적화된 제품임을 의미한다. 높은 공간 효율성과 데이터 로딩 대역폭, 빠른 응답 속도를 바탕으로 실시간 대규모 데이터 처리가 요구되는 환경에서 고성능을 지원한다.

☐ 400단 이상의 초고적층 ‘V10 BV-NAND’ 업계 최초 공개

삼성전자는 FMS 2026에서 업계 최초로 수직 적층 400단 이상의 10세대 V-NAND ‘V10 BV-NAND’를 공개하며, NAND 기술 리더십을 강화했다. 이는 13년 전 같은 행사에서 세계 최초로 V-NAND 기술을 발표한 이후, 지속해 온 기술 혁신의 성과다.

V10 BV-NAND는 400단 이상의 초고적층 구조를 기반으로 성능과 전력효율을 높인 차세대 NAND 제품이다.

웨이퍼 본딩 기술과 3 Stack 기술을 통해 400단 이상의 초고적층을 구현했으며, 메모리 집적도를 전 세대(V9) 대비 약 58% 향상시켜 동일한 면적에 더 많은 데이터를 저장할 수 있다.

* 웨이퍼 본딩(Bonding): 두 장 이상의 웨이퍼를 3D(수직)로 접합해 고집적 NAND를 구현하는 기술
* 3 Stack 기술: V-NAND 셀을 3개의 Stack으로 나누어 각각 제조한 뒤 수직으로 연결하는 적층 기술

V10 BV-NAND는 단순히 적층 수를 늘리는 데 그치지 않고 데이터 읽기·쓰기 성능과 I/O 속도도 전 세대 대비 향상시켜, 고성능·고용량 NAND 시장에 최적화된 경쟁력을 확보했다.

* I/O 속도: Input/Output의 약자로, 데이터가 입출력되는 속도

☐ HBM부터 PIM·SSD까지…차세대 AI 메모리 로드맵 공개

이번 전시에서 삼성전자는 ▲HBM4E ▲HBM5 ▲LPDDR5X-PIM ▲PM1763 등 고성능 컴퓨팅과 AI 데이터센터에 최적화된 차세대 메모리·스토리지 솔루션도 선보였다.

삼성전자는 지난 2월 업계 최초로 1c D램과 4나노 베이스 다이 기술을 적용한 HBM4를 양산 출하한 데 이어, 5월에는 업계 최대 성능, 최고 용량의 HBM4E 샘플을 세계 최초로 고객사에 공급하는 등 차세대 HBM 시장을 선도하기 위한 기술 경쟁력을 지속 강화하고 있다.

이번 행사에서는 HBM4E가 적용된 차세대 AI 플랫폼과 웨이퍼를 전시했고, 신규 열관리 기술인 HPB(Heat Path Block)를 적용해 더 높은 대역폭과 용량을 제공하는 HBM5 목업을 공개했다.

LPDDR5X-PIM은 삼성전자가 세계 최초로 개발한 제품으로, 메모리 내부에서 연산을 수행해 데이터 이동을 최적화하고, 전력효율을 향상시킨 차세대 메모리 제품이다.

이와 함께 PM1763, BM1773 등 AI 시대의 다양한 데이터 처리 및 저장 수요에 대응하는 차세대 메모리·스토리지 포트폴리오도 공개했다.

* PM1763: 차세대 기업용 SSD로 빠른 읽기속도와 효율적인 데이터처리가 강점
* BM1773: 초고용량 기업용 SSD로 대규모 AI 학습 데이터 저장 수요에 대응하는 제품

☐ ‘원스톱 솔루션’을 통한 AI 반도체 리더십 강화

삼성전자는 세계에서 유일하게 ▲메모리 ▲로직 ▲파운드리 ▲패키징까지 아우르는 ‘원스톱 솔루션’을 제공할 수 있는 종합반도체(IDM) 기업이다.

특히 고객의 제품 설계 단계부터 양산까지 통합 서비스를 제공해 개발 기간을 줄이고, 성능과 전력효율을 최적화함으로써 고객 맞춤형 AI 반도체 구현을 지원한다.

삼성전자는 FMS 2026에서 End-to-End 솔루션 역량을 기반으로 차세대 AI 인프라 혁신을 위한 메모리·스토리지 기술 전략과 로드맵을 제시했다.

앞으로도 차세대 메모리 기술 혁신과 메모리, 파운드리, 첨단 패키징을 아우르는 차별화된 솔루션을 통해 AI시대의 반도체 기술 리더십을 지속 강화해 나갈 계획이다.

The post 삼성전자, FMS 2026서 차세대 3D 메모리 비전 제시 first appeared on 삼성전자 반도체 뉴스룸.