컴퓨팅 시스템을 구성하는 핵심 메모리 반도체인 D램은 전원이 차단되면 저장된 데이터가 사라지는 휘발성 메모리다. 데이터를 유지하기 위해 D램은 주기적으로 셀에 전하를 다시 채우는 리프레시 과정을 반복한다.

이러한 D램의 원리를 눈으로 보고 쉽게 이해할 수 있도록 삼성전자 반도체 뉴스룸이 유튜버 발명킹밥테일과 함께 물의 흐름을 활용한 ‘D램 책상’ 만들기에 도전했다. 구멍 뚫린 비커에 물을 넣고 가만히 두면 물이 새듯, 리프레시를 해주지 않으면 전하가 자연스럽게 빠져나가는 D램 셀의 특성을 실험으로 구현했다.

누구보다 바쁘게 움직여야 기억을 지킬 수 있는 D램의 작동 원리! 발명킹밥테일의 실험 영상을 통해 확인해 보자.

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이러한 혁신을 이루어낸 주역들, 메모리 상품기획팀의 오종민 PL, 문승현 님, DRAM 선행개발팀의 최진용 PL, 개발품질팀의 김우섭 님을 만나보았다.

Q. CES 2026 혁신상을 수상한 LPDDR6 제품에 대해 간략히 소개해 주세요.

오종민 PL: AI, 엣지컴퓨팅, 모바일 기기 등이 계속해서 발전하면서 더 빠르고, 효율적이고, 안전한 저전력 메모리에 대한 요구가 커지고 있습니다. 이번에 CES에서 혁신상을 수상한 LPDDR6 제품은 이러한 요구에 발 맞추어 삼성이 세계 최초로 개발 한 차세대 저전력 DRAM 메모리 솔루션입니다.

문승현 님: LPDDR6는 10.7Gbps 이상의 빠른 속도와 함께 증가된 I/O 덕분에 대역폭 역시 큰 폭으로 확장시킴으로써 데이터 집약적인 모바일 기기나 엣지 컴퓨팅, AI 관련 업무에 최적화되어 있습니다. 뿐만 아니라, 전력 소모량 역시 획기적으로 효율화하여 성능과 에너지 효율, 안정성 간의 밸런스를 맞춘, 고성능의 온디바이스 AI 기기를 위한 필수적인 메모리 솔루션입니다.

Q. 세계 최초의 차세대 저전력 메모리 솔루션이라고 하셨는데요, 이러한 혁신을 가능하게 한 기술적인 차별점은 무엇이었을까요?

최진용 PL: 제품 이름에서 알 수 있듯이, LPDDR6는 단순 미세 공정을 통해 전세대 제품인 LPDDR5나 LPDDR5X 대비 전력 소모량을 낮춘 제품이 아니라, 회로·전력 관리 단계에서부터 AI 시대의 요구에 맞게 모두 새롭게 설계된 저전력 메모리입니다. 

LPDDR6에는 기존의 DRAM 공급 전압을 전압 특성에 따라 완벽하게 분리하여 설계할 뿐 아니라, 시스템의 요구 조건에 따라 전력을 가변적으로 활용하는 강화된 DVFS¹⁾, Dynamic Efficiency mode²⁾ 등 여러 새로운 기능이 탑재되었습니다. 이를 통해 사용자의 환경에 꼭 맞추어 전력 소모량을 효율화하는데 집중하거나, AI 작업에 필요한 메모리 성능을 순간적으로 극대화 할 수 있습니다.

또한 반도체 소자의 내·외부 전원 공급을 지능적으로 제어·관리하는 삼성만의 스마트 전력 관리 소자(Smart PMIC)와 저전력 동작 구간 확장을 위한 신규 회로 설계 기술을 적용하여, 실제 구동 환경에서 AI 연산 부하에 따른 전력을 동적으로 제어할 수 있도록 하였습니다.

이러한 설계 덕분에 LPDDR6는 전세대 대비 약 21% 향상된 에너지 효율을 달성하면서도 안정적인 고속 동작을 구현할 수 있었습니다.

Q. 쉽지 않은 과정이었을것 같은데, 이 제품을 처음 기획하실 때는 어떠한 목표에서 출발하셨을까요? 개발 중 까다로웠던 점은 무엇인지 궁금합니다.

오종민 PL: 기업 뿐 아니라, 개개인 역시 PC나 랩탑은 물론 스마트폰에서도 AI를 활용하고 있어요. 데이터는 폭발적으로 많아지는 만큼, 빠른 속도로 그리고 안정적으로 많은 대역폭의 데이터를 처리하면서도 전력 소모량은 줄여야 하는 요구에 부응 하기 위해 LPDDR6의 제품을 기획 하였습니다. 주요 SoC 업체들과의 조기 검증과 피드백을 통해 제품을 최적화하여 소비자에게 삼성의 LPDDR6를 가장 먼저 내놓기 위한 일정 경쟁력 또한 놓칠 수 없었습니다. 외부적으로는 앞서 말씀드린 여러 신규 기능이 다양한 시스템 환경에서 최대의 효율을 발휘할 수 있도록 SoC 업체 및 다수의 고객사와 함께 적극적인 기술 교류와 제품 홍보를 사전에 이루어 놓았었구요.

최진용 PL:  상품기획팀에서 LPDDR6 제품 특성 타겟과 일정을 다소 공격적으로 제시하여 개발 실무 담당자인 저로서는 당시 제법 당황했었던 기억이 이제야 다시 나네요 (웃음).

일반적으로 메모리는 동작 속도가 올라가면 전력 소모가 증가하는데요, 전력효율을 유지하면서 안정적인 고속 동작을 구현하기 위해서 사실 고민을 많이 하였습니다. LPDDR6는 저전력 확보가 제 1목표이고 이전 세대 제품인 LPDDR5 제품과는 확연히 달라진 혁신적인 목표를 가지고 있었던 만큼, 내부적으로는 신규 소자 개발부터, 공정 최적화, 제품 평가, 품질 최적화를 담당하는 유관부서 실무자 분들과도 수시로 소통하면서 시행착오를 최소화 하며 제품을 개발하였습니다.

김우섭 님: 삼성의 LPDDR6가 세계 최초로 개발되는 신제품이다보니 SoC사나 고객사 보드 실장 환경을 구축 할 수 없는 상황이었는데요, 이 까다로운 제약을 극복하기 위한 제품 자체 즉, 단품 자체에 대한 평가 진행을 위해 기존에 하지 않았던 다양한 방법론과 평가 기법 등을 진행 하였습니다.

Q. 삼성의 LPDDR 제품은 작년도 LPDDR5X 수상에 이어 올해 LPDDR6까지 수상하는 쾌거를 이루었습니다. 저전력 솔루션이 점점 더 중요한 화두가 되고 있는 것으로 보이는데요, 해당 특성이 더 이상 모바일 기기에만 요구되는 사항은 아닐 것 같습니다.

오종민 PL: 그렇습니다. 작년 LPDDR5x 10.7Gbps 제품에 이어 올해에도 삼성의 LPDDR6가 CES에서 혁신상을 연속으로 수상하게 되어 삼성의 LPDDR DRAM 제품이 혁신의 아이콘으로 자리매김 하고있는것 같아서 감회가 새롭습니다. 말씀하신대로 모바일로 대표되는 휴대용 기기에서 시작된 저전력 기술에 대한 요구는 이제 다양한 산업 분야에서 중요한 요소로 자리 잡고 있습니다. LPDDR6는 확장된 응용 호환성을 바탕으로 AI 시스템용 엣지 컴퓨팅·데이터 센터는 물론 Automotive 분야·AI PC·차세대 AI 서버 등 다양한 플랫폼에 적용돼 고성능·저전력을 자랑하는 차세대 메모리 솔루션으로서의 경쟁력을 입증하고 있습니다.

문승현 님: 최근에는 ESG나 TCO 측면에서의 고려 또한 중요한데요, LPDDR6는 에너지 사용과 공간 사용을 모두 최적화함으로써 이전에는 크기나 전력, 보안 등에 있어 타협점이 필요했던 엣지 장치 및 고밀도, 고성능 컴퓨팅 환경에서도 이상적인 솔루션이 될 수 있습니다. 이러한 점에서 저전력 솔루션이 모바일 기기를 넘어 다양한 분야에서 그 중요성이 커지고 있음을 알 수 있으며, LPDDR6가 이러한 요구 사항에 부합하는 최적의 솔루션임을 확인할 수 있습니다.

Q. 그러한 Automotive, AI 시스템 등의 환경에서 놓칠 수 없는 것이 보안 문제일 것 같습니다. 

김우섭 님: LPDDR6는 다양한 산업 분야 요구에 발맞추어 데이터 무결성, 인증, 장치 수준뿐만 아니라 시스템 수준에서의 보호를 강화하는 새로운 특성과 보안 기능을 도입하였습니다. 이러한 혁신을 통해 LPDDR6는 데이터 신뢰성과 안전성이 중요한 Automotive 시장뿐만 아니라 엔터프라이즈향 AI 서버의 엄격한 요구 사항 역시 충족할 수 있습니다. 더 광범위한 보안 애플리케이션을 가능하게 함으로써, LPDDR6는 단순한 메모리 컴포넌트가 아닌 더 안전하고 강력한 지능형 시스템을 지원하는 기본 기술이 될 것입니다.

Q. 마지막으로, 다양한 혁신 기술을 바탕으로 그 우수성을 인정 받은 삼성의 LPDDR6 제품이 현재, 그리고 향후에 시장에서 어떠한 역할을 수행할 것으로 기대하시는지 궁금합니다.

문승현 님: 삼성의 LPDDR6 제품은 차세대 인터페이스 규격 기반의 최초 제품으로, 표준화 과정에서도 삼성전자가 핵심적인 역할을 했습니다. 고객사와의 긴밀한 협의를 통해 시장 요구를 선제적으로 반영했고, 그 결과 JEDEC의 LPDDR6 표준화 시점을 앞당기는 데 주도적인 역할을 수행했습니다. 특히 최근 JEDEC 커미티의 LPDDR6 표준 발표 보도자료에 당사가 언급될 정도로, 업계 전반에서 삼성의 기술 리더십이 인정받고 있습니다. 이러한 기술력을 바탕으로 삼성전자는 모바일 및 AI 시장에서의 요구에 선제적으로 대응하고, 차세대 메모리 기술의 발전을 선도해 나갈 계획입니다.

최진용 PL: 또한 앞서 언급된 LPDDR6의 기반 기술을 활용한 AI향 모듈 솔루션인 SOCAMM, DRAM 내 연산 기능을 더한 LPDDR6-PIM 등의 여러 고성능-저전력 DRAM 기술 개발을 상품기획팀을 통하여 준비하고 있습니다. 이처럼, 모바일 기기를 넘어서 Automotive, AI 서버 등 많은 응용처로 확대되고 있는 AI 시대의 맞춤형 솔루션, 삼성의 LPDDR6 제품에 많은 기대와 응원 부탁드립니다.

LPDDR6는 모바일용 솔루션을 넘어 AI 및 고성능 컴퓨팅이 일상화되는 우리의 삶에 새로운 가능성을 제시했다.

* 표시된 이미지는 예시용으로만 제공되며, 제품 자체 또는 해당 제품과 함께 촬영된 이미지를 정확하게 재현하지 않을 수 있습니다. 모든 이미지는 디지털 방식으로 편집, 수정 또는 보정되었습니다.
* 모든 제품 사양은 내부 테스트 결과를 반영하며 사용자의 시스템 구성에 따라 변동이 있을 수 있습니다. 실제 성능은 사용 조건과 환경에 따라 다를 수 있습니다.

_{¹⁾ DVFS(Dynamic Voltage and Frequency Scaling): 동적 전압 스케일링. 시스템의 부하나 성능 요구에 따라 전압 또는 주파수를 동적으로 조절하여 에너지 효율을 극대화하는 전력 관리 기술.
²⁾ Dynamic Efficiency Mode: 메모리 사용량이 낮을 때 활성 서브채널 수와 회로 동작을 줄여 전력 소비를 최소화하는 저전력 동작 기술.}

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삼성전자가 대만 반도체 설계 기업인 미디어텍(MediaTek)과 업계 최고 속도인 10.7Gbps LPDDR5X D램 동작 검증을 완료했다.

* Gbps(Gigabit per second): 1초당 전송되는 기가비트 단위의 데이터
* LPDDR5X: Low Power Double Data Rate 5X

삼성전자는 미디어텍과의 이번 동작 검증을 통해 저전력∙고성능 D램 시장에서의 기술 리더십을 확고히 했다.

삼성전자는 올해 하반기 출시 예정인 미디어텍 최신 플래그십 모바일AP ‘디멘시티(Dimensity) 9400’에 LPDDR5X 기반 16GB 패키지 제품 검증을 완료하고 고성능 모바일 D램 상용화에 앞장선다.

삼성전자가 지난 4월 개발한 10.7Gbps LPDDR5X는 이전 세대 대비 동작 속도와 소비 전력을 25% 이상 개선해 저전력∙고성능 특성이 요구되는 ‘온디바이스 AI(On-device AI)’ 시대에 최적인 제품이다.

이번 제품을 통해 사용자는 모바일 기기에서 배터리를 더 오래 사용할 수 있으며, 서버나 클라우드에 연결하지 않은 상태에서도 뛰어난 성능의 온디바이스 AI 기능을 활용할 수 있다.

미디어텍 수석 부사장 JC 수(JC Hsu)는 “삼성전자와의 긴밀한 협업을 통해 미디어텍의 차세대 고성능 프로세서인 디멘시티에 삼성전자의 고성능 10.7Gbps LPDDR5X를 탑재해 업계 최초로 동작 검증에 성공했다”며 “앞으로 사용자는 최신 칩셋을 탑재한 기기를 통해 배터리 성능을 최대화하고, 더 많은 AI 기능을 활용할 수 있게 될 것”이라고 밝혔다.

삼성전자 메모리사업부 상품기획실 배용철 부사장은 “미디어텍과의 전략적 협업을 통해 업계 최고 속도 LPDDR5X D램의 동작을 검증하고, AI시대에 맞춤형 솔루션임을 입증했다”며, “고객과 유기적인 협력으로 향후 온디바이스 AI 시대에 걸맞은 솔루션을 제공해 AI 스마트폰 시장을 선도해 나갈 것”이라 말했다.

삼성전자는 고객과의 적극적인 협력을 바탕으로 향후 모바일 분야뿐만 아니라 ▲AI 가속기 ▲서버 ▲HPC ▲오토모티브 등 LPDDR D램 응용처를 적극 확장해 나갈 방침이다.

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우수한 정보통신기술(ICT)을 대중들에게 알리며, 대한민국 ICT 산업 발전에 기여하고 있는 ‘‘대한민국 임팩테크(ImpaCT-ech) 대상’. 올해로 31번째를 맞이한 ‘대한민국 임팩테크 대상’ 시상식이 지난 4월 17일, 서울 코엑스에서 개최되었다. 이번 시상식에서 삼성전자 반도체는 12나노급 32Gb DDR5 D램으로 대통령상을 수상하는 쾌거를 이뤘다. 삼성전자 반도체 뉴스룸이 그 현장을 생생하게 담아왔다.

‘대한민국 임팩테크 대상’은 1994년부터 시행된 연례행사로, 현재 정보통신기술 분야에서 권위 있는 시상 제도다. 매년 ICT 산업에 대한 대중들의 인식을 제고하고, 국가경쟁력 향상에 기여하기 위해 혁신 기술을 보유한 우수 기업을 선정해 상을 수여하고 있다.

이번 시상식은 과학기술정보통신부 이종호 장관의 개회사로 막을 올렸다. 이종호 장관은 “대한민국 임팩테크 대상은 디지털 기술의 혁신적 선도 모델과 우리나라 ICT 산업의 미래 가능성을 제시한다는 측면에서 큰 의의가 있다”며, “수상자로 선정된 분들을 비롯해 값진 도전의 과정에 참여해 준 모든 분께 감사와 응원을 드린다”는 말로 행사의 시작을 알렸다.

삼성전자는 올해 대한민국 임팩테크 대상에서 메모리 산업을 주도할 독보적 경쟁력의 12나노급 32Gb DDR5 D램으로 대통령상을 수상하는 영예를 안았다.

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메모리 기술 한계 극복의 중심, 12나노급 32Gb DDR5

12나노급 32Gb DDR5 D램은 단일 칩 기준으로 역대 최고 용량을 자랑하는 삼성전자 메모리의 혁신 기술이 집약된 제품이다. 기존 12나노급 16Gb DDR5 D램에 비해, 2배의 용량과 동일 128GB 모듈 기준 약 10%의 소비 전력 개선이 가능한 점이 특징이다.

업계 최고, 32Gb DDR5 D램을 탄생시킨 메모리사업부 DRAM개발실 임직원들의 대통령상 수상 소감을 들어보았다.

업계 최초이자 최고 용량의 D램 개발 결실을 인정받게 된 박성철 상무는 “12나노급에서는 대용량 32Gb D램을 단일 칩 패키지 크기에 맞추기 어렵다는 초기 검토 결과가 있었으나, 신입사원들의 질문을 기반으로 선배 사원들이 함께 기술적인 다양한 방안을 모색했고, 이를 발전시켜 최종 제품화까지 성공한 사례”라며, “세대를 넘어선 구성원들의 열린 소통과 협력이 삼성전자 반도체 기술 리더십과 경쟁력 제고에 중요한 요소라는 것을 재확인했다”고 말했다. 더불어, “앞으로도 고객에게 사랑받는 제품을 개발하고, 그 과정에서 얻은 귀중한 경험을 바탕으로 더 좋은 제품을 만드는 데 힘쓰겠다”고 강조했다.

이창수 님 역시 이번 수상에 대해 “제품 기획 단계부터 샘플 출하까지 최고의 결과물을 위해 많은 분들이 함께 노력해 준 결과”라는 말과 함께, “현존 최대 용량 D램 개발의 일원으로 참여할 수 있어 영광이었고, 앞으로도 고객이 인정할 수밖에 없는 제품을 지속 개발하겠다”는 다짐을 내비쳤다.

세계 최고의 기술력인 32Gb DDR5 D램 제품의 대통령상 수상에 벅찬 자부심을 느낀다는 신현승 님은 “답이 보이지 않는 순간마다 솔직히 포기하고 싶은 생각도 여러 번 했다”라며, “끝까지 서로 격려하며 최선을 다해 결과를 만들어 준 모든 개발실 임직원에게 진심으로 감사를 표한다”는 소회를 남겼다.

한정훈 님은 “팀원들과 오랫동안 함께 개발했던 12나노급 32Gb DDR5 D램 제품이 좋은 결과를 얻게 되어 엔지니어로서 자랑스럽고 뿌듯하다”며, 함께 개발에 참여한 임직원들을 향한 감사의 인사도 잊지 않았다.

마지막으로 신상웅 님은 “12나노급 32Gb DDR5 D램은 최고 용량의 제품으로, 고주파, 저전력 특성을 확보하기 위해 설계 시작 단계부터 많은 고민과 노력이 들어갔다”고 전하며, “이러한 기념비적인 제품의 시작부터 전 과정에 참여하게 되어 개인적으로 무척이나 값진 경험이었다”는 말을 덧붙였다.

다가올 미래는 또 어떻게 변하게 될까? 미세 공정의 한계를 돌파하기 위해 지속적으로 노력하며 미래 첨단 산업을 선도하고 있는 삼성전자 반도체. 초거대 AI 시대의 중심에 서 있는 삼성전자 반도체의 앞날을 기대해 보자.

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삼성전자는 업계 최고 동작속도의 10.7Gbps LPDDR5X D램 개발에 성공하고 저전력∙고성능 D램 시장에서의 기술 리더십을 재확인했다.

* Gbps(Gigabit per second): 1초당 전송되는 기가비트 단위의 데이터
* LPDDR5X: Low Power Double Data Rate 5X

본격적인 AI 응용이 활성화 되면서 기기 자체에서 AI를 구동하는 ‘온디바이스 AI(On-device AI)’ 시장이 빠르게 확대되고 있어 저전력∙고성능 LPDDR의 역할이 그 어느 때보다 커지고 있다.

이번 제품은 12나노급 LPDDR D램 중 가장 작은 칩으로 구현한 저전력∙고성능 메모리 솔루션으로 온디바이스 AI 시대에 최적화됐다. 향후 모바일 분야를 넘어 ▲AI PC ▲AI 가속기 ▲서버 ▲전장 등 다양한 응용처에 확대 적용될 것으로 기대된다.

전 세대 제품 대비해서는 ▲성능 25% ▲용량 30% 이상 각각 향상됐고, 모바일 D램 단일 패키지로 최대 32기가바이트(GB)를 지원한다.

삼성전자는 이번 제품에 저전력 특성을 강화하기 위해 성능과 속도에 따라 전력을 조절하는 ‘전력 가변 최적화 기술’과 ‘저전력 동작 구간 확대 기술’등을 적용해 전 세대 제품보다 소비전력을 약 25% 개선했다.

* 전력 가변 최적화 기술: 전력 절감 기술 중 하나, 프로세서에 공급되는 전압과 주파수를 동적으로 변경하여 성능과 전력소모를 함께 조절하는 기술
* 저전력 동작 구간 확대 기술: 저전력으로 동작하는 저주파수 구간을 확대하여 전력소모를 개선하는 기술

이를 통해 모바일 기기에서는 더 긴 배터리 사용 시간을 제공하고 서버에서는 데이터를 처리하는 데 소요되는 에너지를 감소시킬 수 있어 총 소유 비용(TCO, Total Cost of Ownership) 절감이 가능하다.

삼성전자 메모리사업부 상품기획실장 배용철 부사장은 “저전력, 고성능 반도체의 수요가 증가함에 따라 LPDDR D램의 응용처가 기존 모바일에서 서버 등으로 늘어날 것”이라며 “삼성전자는 앞으로도 고객과의 긴밀한 협력을 통해 다가오는 온디바이스 AI시대에 최적화된 솔루션을 제공하며 끊임없이 혁신해 나가겠다”고 밝혔다.

삼성전자는 신제품 LPDDR5X D램을 모바일 애플리케이션 프로세서 및 모바일 업체와의 협업을 통해 제품 검증 후 하반기 양산할 예정이다.

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AI, 챗봇, 메타버스, 클라우드 컴퓨팅 등 빅데이터를 활용한 기술이 연이어 등장하면서, 기하급수적으로 폭발하는 데이터를 효율적으로 처리할 수 있는 기능이 그 어느때보다 중요해지고 있습니다. 이렇게 많은 양의 데이터를 매끄럽게 처리하기 위해서는 더욱 효율적인 인터페이스가 필요한데요. 이를 해결해 줄 새로운 솔루션이 바로 ‘CXL(Compute Express Link)’입니다.

CXL은 각각의 인터페이스로 나누어져 있던 CPU, GPU, 메모리 스토리지 등의 컴퓨팅 시스템들을 효율적으로 묶어, 보다 빠른 연산 처리가 가능한 차세대 인터페이스입니다. 시스템 연산과 데이터 처리 속도를 높일 뿐 아니라 시스템 용량 확장까지 가능하다고 하니, ‘Compute Express Link’ 즉, ‘빠르게 연결해서 연산한다’는 이름에 걸맞지 않나요?

현재 삼성전자 반도체는 이 CXL 기술을 기반으로 한 DRAM을 선도적으로 만들어 가고 있는데요. 차세대 컴퓨팅 시장의 생태계를 구축하는 CXL에 대해 더 알아보고 싶다고요? 그렇다면 지금 바로 영상을 통해 확인해 보세요!

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삼성전자가 업계 최선단 12나노급 공정으로 16Gb(기가 비트) DDR5 D램 양산을 시작하고, D램 미세 공정 경쟁에서 기술경쟁력을 확고히 했습니다.

※ 12나노급 공정은 5세대 10나노급 공정을 의미함

삼성전자 12나노급 D램은 최선단 기술을 적용, 전(前) 세대 제품 대비 생산성이 약 20% 향상됐습니다.

또한, 이전 세대 제품보다 소비 전력이 약 23% 개선됐습니다. 소비 전력 개선으로 데이터센터 등을 운영하는 데 있어, 전력 운영 효율을 높일 수 있습니다. 탄소 배출과 에너지 사용을 줄이는데 적극 동참하고 있는 글로벌 IT 기업들에게 최상의 솔루션이 될 것으로 기대됩니다.

삼성전자는 유전율(K)이 높은 신소재 적용으로 전하를 저장하는 커패시터(Capacitor)의 용량을 늘렸습니다. D램의 커패시터 용량이 늘어나면 데이터 신호의 전위차가 커져 구분이 쉬워집니다.

동작 전류 감소 기술과 데이터를 더 확실하게 구분할 수 있는 노이즈 저감 기술 등도 적용해 업계 최선단 공정을 완성했습니다.

※ D램은 커패시터에 저장된 전하로 1,0을 구분. 커패시터 용량이 커지면 데이터 구분이 명확해지고 데이터가 확실하게 구분되어 오류가 발생하지 않음.

DDR5 규격의 12나노급 D램은 최고 동작 속도 7.2Gbps를 지원합니다. 이는 1초에 30GB 용량의 UHD 영화 2편을 처리할 수 있는 속도입니다. 삼성전자는 고객 수요에 맞춰 12나노급 D램 라인업을 지속적으로 확대해 데이터센터ㆍ인공지능ㆍ차세대 컴퓨팅 등 다양한 응용처에 공급할 계획입니다.

※ Gbps(Gigabit per second): 1초당 전송되는 기가 비트 단위의 데이터

삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실장 이주영 부사장은 “업계 최선단 12나노급 D램은 차별화된 공정 기술력을 기반으로 뛰어난 성능과 높은 전력 효율을 구현했다”며, “삼성전자는 대용량 처리가 요구되는 컴퓨팅 시장 수요에 맞춰 고성능, 고용량을 확보할 뿐만 아니라 높은 생산성으로 제품을 적기에 상용화하여 D램 시장을 지속 선도해 나갈 것”이라고 밝혔습니다.

삼성전자는 12나노급 D램에 대해 지난해 12월 AMD 플랫폼 기반 호환성 검증을 마치고 글로벌 IT기업들과의 협력을 통해 차세대 D램 시장을 견인하고 있습니다.

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메모리사업부는 올해 한 번 더, 세계 최초·최선단 14나노 기반의 고용량을 탑재한 초고속 D램인 D1a를 개발해 글로벌 시장을 놀라게 했습니다. D1a는 Multi-EUV 기반 패터닝 기술과 새로운 셀 트랜지스터 및 캐패시터 소자를 적용했는데요. 이를 통해 단일 패키지 내 최대 용량은 64GB, 모바일용 최고 속도는 8.5Gbps나 구현할 수 있어 HPC부터 스마트폰까지 초고용량·고속이 요구되는 4차 산업혁명에서 중추적 역할을 수행할 것으로 기대됩니다.

한편, D1a는 2022년 대한민국 최고의 기술로 선정되어 12월 7일 산업통상자원부가 주관하고 포상하는 ‘2022 대한민국 산업기술 R&D 대전’ 행사에서 ‘대통령상’을 수상했습니다.

대한민국 산업기술 R&D 대전은 산업기술혁신사업으로 수행한 R&D 성과를 국민에게 홍보하고 국내외 산·학·연 간의 기술 이전 및 소통의 장을 열고자 마련된 행사입니다. 대한민국 기술대상은 우리나라 산업기술의 우수성을 홍보하는 동시에 산업기술인의 기술개발 의욕을 고취하기 위해 정부에서 수여하는 상으로 반도체·기계·바이오 등 대한민국 산업을 견인해온 혁신 기술이 선정됩니다.

2022 대한민국 산업기술 R&D 대전 현장 스케치

12월 7일부터 9일까지 3일간 개최된 대한민국 산업기술 R&D 대전은 시상식과 함께 온·오프라인 전시도 진행했습니다. 코로나19 팬데믹 이후 최초로 전면 오프라인으로 개최된 만큼 관람객들의 관심도 뜨거웠는데요. 삼성전자 반도체는 전시장 기술대상관에 대통령상을 수상한 D1a(칩, 패키지, 웨이퍼, 모듈) 과 V8(칩, 패키지, 웨이퍼), Computational Memory (HBM-PIM, Smart SSD) 등의 메모리 제품들을 선보였습니다.

시상식이 거행된 후 VIP를 대상으로 삼성전자 반도체의 제품과 기술을 소개하는 시간도 이어졌습니다. 특히 D1a는 기술 개발기부터 고도화된 성능, 앞으로의 활용 전망까지 관람객들의 높은 관심을 받았는데요. D1a는 반도체 업계와 글로벌 시장에 어떤 의미를 더했을까요?

차세대 반도체 기술로 국가 경제 발전에 기여하다

삼성전자 반도체는 세계 최초·최선단 14나노 공정(10나노 4세대 1a급) 기반의 고용량, 초고속 D램을 개발하기 위해 설계·공정 분야의 핵심 요소 기술 개발과 기술을 고도화했습니다. 특히 Multi-EUV 기반 패터닝 기술과 새로운 Cell Transistor/Contact/Capacitor 기술 분야에서 기술 초격차를 이뤄냈는데요. 특허 141건의 출원을 통해 차세대 반도체 기술을 이끌어갈 국가적 산업재산권까지 확보했습니다.

또 D1a를 양산하기 위해 삼성전자 반도체 평택사업장에 차세대 프리미엄 10나노 4세대 D램 양산 라인을 새로 건축해 수천 명의 일자리를 창출했으며, 소재와 부품, 장비 등 국내업체의 성장을 견인해 국가 경제 발전에도 기여했습니다.

D1a는 다양한 분야에 활용되고 있습니다. 그 예로, 웨어러블 디바이스, AI, Smart Car 등 빅데이터 기반 응용처 등에 D1a가 적용된 제품이 사용되는데요. 14nm D램 기술은 클라우드·서버의 속도와 안정성을 향상하고 초고속 모바일 서비스 제공을 가능하게 해 사회 전반에 걸쳐 편의성과 삶의 질을 높일 것으로 기대됩니다.

한계를 뛰어넘어 초격차 기술을 일군 임직원들

시장을 선도하고 업계 성장과 국가 경제 발전에까지 기여한 세계 최초·최선단 14나노 공정 기반의 고용량 초고속 D램. 대한민국 기술대상 대통령상 수상은 한계를 잊고 초격차 기술에 매달린 메모리사업부 DRAM개발실 임직원들의 뛰어난 역량과 헌신적인 노력이 있었기에 가능했습니다. D1a 개발을 주도한 임직원들을 만나 수상 소감과 앞으로의 목표에 대해 들어보았습니다.

한편, 글로벌제조&인프라총괄 Foundry YE팀장 홍영기 부사장도 동탑산업훈장을 수상했습니다. 업계 최초로 1억 화소 이미지 센서 양산화에 성공하고 5나노 시스템 반도체 양산에 성공한 공적을 인정받았습니다.

세상의 모든 혁신은 ‘불가능하다’는 편견을 깨며 시작됩니다. 세계 최초·최선단 14나노 공정 기반의 고용량 초고속 D램 역시 개발 과정에서 수많은 장벽을 맞닥뜨려왔습니다. 한계를 압도적 차이로 뛰어넘고 불가능을 가능으로 전환해 마침내 대한민국 기술대상 대통령상을 수상한 삼성전자 메모리사업부. D1a를 넘어 새로운 도전을 시작한 이들의 행보를 기대해주세요.

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바로 이런 걸 ‘열정’이라고 하는 건가요?

하루의 시작이 사내 헬스장? 아침 7시부터 운동으로 열정을 불태우는 오늘의 S로그 주인공, 권현지 님입니다. 현재 DRAM TD팀에 속해 있는 현지 님은 차세대 DRAM 개발에 기여하기 위해 업무도 공부도 열심히 해나가고 있는데요. 세미나 강의와 그룹 스터디를 통해 업무 역량을 향상시키고자 노력하고, 사내 행사에도 적극적으로 참여합니다.

그녀의 회사 생활에 대충이란 없다! 열정과 즐거움으로 가득한 현지 님의 일상을 영상에서 확인해보세요!

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완벽한 반도체 제조를 위해 거쳐야 하는 여러 공정에 대해 살펴봤던 인생맛칩 시리즈. 이번 에피소드부터는 반도체 제품 미식투어로 진행되는데요. 그 첫 주인공, ‘DRAM’ 맛집입니다.

스마트폰, 그래픽 게임 기기, CCTV는 물론 인공위성까지… DRAM은 우리가 일상을 더욱 편리하게 살아가는 데 필요한 각종 전자기기 안에 들어 있습니다. 데이터를 임시로 저장해 CPU의 든든한 조력자 역할을 하는 DRAM은 이러한 기기들이 신속하게 작동할 수 있게 하는 존재인데요. 성능, 전력 효율성과 함께, 탄소 저감 효과까지 잡은 삼성전자 반도체의 DRAM의 기술력이 궁금하지 않나요?

4차 산업혁명의 중심에 서게 될 DRAM의 이야기를 3년 차 DRAM 전문가와 함께 차근차근 알아볼까요?

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삼성전자 반도체 임직원들의 다이내믹한 회사 생활을 가감 없이 담아내는 ‘S로그 – 삼성전자 반도체에 출근합니다’에 최고의 마당발 임직원이 찾아왔습니다. 어딜 가나 특유의 친화력으로 자연스럽게 융화되는 삼성전자 반도체 DRAM PA팀의 김태훈 님이 바로 그 주인공인데요.

김태훈 님은 반도체가 설계 회로 그대로 양품으로 생산될 수 있도록 공정의 A to Z를 담당하는 ‘지휘자’ 역할을 해내고 있습니다. 어디에 숨어 있을지 모르는 문제를 분석하고, 개선방안을 고민하기 위해서는 다양한 분야의 전문가들과 머리를 맞대고 협업하는 것이 일상입니다. 적극적이고 유연한 김태훈 님의 성격이 업무 과정에서도 훌륭한 윤활유가 되는 셈이죠.

바쁘다 바빠~ 삼성전자 반도체 평택캠퍼스의 이곳저곳을 누비며 업무에 최선을 다하는 김태훈 님의 특별한 하루. 영상에서 함께 만나 볼까요?

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미세공정 한계 극복, 세계 최고 미세 공정 기반 1z나노 8Gb DDR4 D램 개발 완료

삼성전자가 2세대 10나노급(1y) D램을 양산한지 16개월만에 3세대 10나노급(1z) 8Gb DDR4 D램을 개발하며 또 다시 역대 최고 미세 공정 한계를 극복했습니다.

3세대 10나노급(1z) D램은 초고가의 EUV 장비를 사용하지 않고도 기존 10나노급(1y) D램보다 생산성을 20% 이상 향상시켰고, 속도 증가로 전력효율 역시 개선되었습니다.

또한 삼성전자는 3세대 10나노급(1z) D램 기반 PC용 DDR4 모듈로 글로벌 CPU 업체의 모든 평가 항목에서 승인을 완료함으로써 글로벌 IT 고객의 수요를 본격 확대해 나갈 수 있게 됐습니다.

초고속·초절전 솔루션 확보로 차세대 DDR5/LPDDR5 시장 확대 주도

삼성전자는 2019년 하반기에 3세대 10나노급(1z) D램을 본격 양산하고, 2020년에는 성능과 용량을 동시에 높인 차세대 D램(DDR5, LPDDR5 등)을 본격적으로 공급하는 등 최첨단 공정 기반 프리미엄 메모리 기술 리더십을 더욱 강화해 나갈 계획입니다.

또한 삼성전자는 글로벌 주요 고객들과 차세대 시스템 개발단계부터 적극 협력해 글로벌 시장을 차세대 라인업으로 빠르게 전환시켜 나갈 예정입니다.

삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실 이정배 부사장은 “미세공정 한계를 극복한 혁신적인 D램 기술 개발로 초고속 초절전 차세대 라인업을 적기에 출시하게 되었다.”며, “향후 프리미엄 D램 라인업을 지속적으로 늘려 글로벌 고객의 차세대 시스템 적기 출시 및 프리미엄 메모리 시장의 빠른 성장세 실현에 기여해 나갈 것”이라고 강조했습니다.

한편 삼성전자는 현재 글로벌 IT 고객의 공급 요구 수준에 맞춰 평택 최신 D램 라인에서 주력 제품의 생산 비중을 지속 확대하고 있습니다.

특히 2020년 차세대 프리미엄 D램의 수요 확대를 반영한 안정적 양산 체제를 평택에 구축함으로써 초격차 사업 경쟁력을 강화한다는 계획입니다.

[참고]

□ DDR4 (Double Data Rate4)
D램의 동작속도로 규정하는 반도체의 규격이다. 데이터를 읽고 쓰는 속도에 따라 DDR1, 2, 3, 4, 5로 구분하는데, 숫자가 높아질수록 데이터 처리 속도는 기존 대비 2배씩 빨라진다. 기존 DDR1이 400Mb/s로 동작한다면 DDR2는 2배 속도로 800Mb/s로 동작하고, DDR3는 4배, DDR4는 8배, DDR5는 16배 속도로 작동한다. 주로 서버, PC 등에 사용되며, 이동성이 강조되는 휴대용 디지털 기기에는 저소비전력의 D램인 LPDDR(Low Power Double Data Rate)이 적용된다.

□ EUV (Extreme Ultraviolet, 극자외선) 
현재 노광장비에 사용하는 불화아르곤(ArF)을 대체할 수 있는 광원이다. 파장 길이가 기존 불화아르곤의 1/14 미만에 불과해 보다 세밀한 반도체 회로 패턴 구현에 적합하고 복잡한 멀티패터닝 공정을 줄일 수 있어 반도체의 고성능과 생산성을 동시에 확보할 수 있는 장점이 있다.

□ 삼성전자 최첨단 D램 상용화 연혁
 • 2009.07월 40나노급 2Gb DDR3 양산
 • 2010.02월 40나노급 4Gb DDR3 양산  
 • 2010.07월 30나노급 2Gb DDR3 양산 
 • 2011.09월 20나노급(2x) 2Gb DDR3 양산 
 • 2012.11월 20나노급(2y) 4Gb DDR3 양산 
 • 2013.11월 20나노급(2y) 6Gb LPDDR3 양산
 (※ 2014.02월 20나노급(2y) 8Gb LPDDR4 양산)
 • 2014.02월 20나노(2z) 4Gb DDR3 양산
 • 2014.10월 20나노(2z) 8Gb DDR4 양산
 • 2014.12월 20나노(2z) 8Gb LPDDR4 양산 
 • 2014.12월 20나노(2z) 8Gb GDDR5 양산  
 • 2015.08월 20나노(2z) 12Gb LPDDR4 양산
 • 2016.02월 10나노급(1x) 8Gb DDR4 양산  
 • 2016.09월 10나노급(1x) 16Gb LPDDR4/4X 양산
 • 2017.11월 10나노급(1y) 8Gb DDR4 양산
 • 2019.하반기 10나노급(1z) 8Gb DDR4 양산 예정

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AI시스템 성능을 최대 50% 향상, ‘2세대 8GB HBM2’ 업계 유일 공급

1.2V(volt, 볼트)기반의 2.4Gbps 2세대 8GB HBM2 D램 ‘아쿠아볼트(Aquabolt)’는 풀HD 영화(5GB) 61편 분량인 307GB의 데이터를 1초에 처리할 수 있어 기존 고성능 그래픽 D램(8Gb GDDR5, 8Gbps)의 초당 데이터 전송량인 32GB보다 9.6배 빠릅니다.

특히 한 시스템에 2.4Gbps 8GB 패키지 4개를 탑재하면 최대 초당 1.2TB의 데이터를 처리할 수 있어, 기존 1.6Gbps기반 시스템의 0.82TB 대비 성능을 최대 50%까지 향상 시킬 수 있습니다.

삼성전자는 이번 2세대 HBM2 D램 제품을 인간의 생존에 필수 불가결한 ‘물(Aqua)’과 번개처럼 빠르다는 의미인 ‘볼트(Bolt)’의 합성어 ‘아쿠아볼트(Aquabolt)’로 브랜드화했습니다. 이는 삼성전자만의 차별화된 초격차 제품임을 의미합니다.

이번 양산을 통해 삼성전자는 1세대 2.0/1.6Gbps 8GB HBM2 D램 ‘플레어볼트(Flarebolt)’에서 2세대 2.4Gbps 8GB HBM2 D램 ‘아쿠아볼트(Aquabolt)’까지 업계 유일하게 HBM2 D램을 공급하며 슈퍼컴퓨터(HPC) 및 그래픽카드 등 프리미엄 HBM2 D램 시장을 기존 대비 3배 이상 확대시켜 나갈 계획입니다.

TSV 설계 및 패키지 기술 혁신으로 속도 향상 및 온도 특성 개선

2세대 8GB HBM2 D램 ‘아쿠아볼트(Aquabolt)’는 1개의 버퍼 칩 위에 8Gb 칩을 8단 적층한 패키지로 ‘신호전송 최적화 설계’와 ‘발열 제어’ 등 핵심 기술 적용을 통해 업계 최초로 2.4Gbps의 동작속도를 달성했습니다.

①’신호전송 최적화 설계 기술’은 각 TSV 핀들의 신호전송 속도 편차를 최소화할 수 있는 기술로 HBM2 D램이 최고 수준의 성능을 유지하게 했으며, ②’발열 제어 기술’은 8Gb HBM2 D램 칩 사이에 Thermal범프를 더 많이 배치하는 방식으로 칩의 온도를 안정적으로 제어했습니다.

또한 ‘아쿠아볼트(Aquabolt)’는 패키지 아랫부분에 얇은 보호막을 추가, 외부 충격에 강한 특성을 갖도록 하여 고객들이 시스템 양산과정에서 생산성을 향상할 수 있도록 했습니다.

삼성전자 메모리사업부 전략마케팅팀 한재수 부사장은 “이번 2세대 8GB HBM2 D램까지 업계 유일하게 양산함으로써 초격차 제품 경쟁력을 더욱 강화했다”며, “향후 다양한 고객들의 차세대 시스템 출시에 맞춰 안정적인 공급 체제를 구축함으로써 프리미엄 D램 시장에서 독보적인 사업 역량을 지속 강화해 나갈 것”이라고 밝혔습니다.

한편 삼성전자는 글로벌 IT 고객들에게 ‘아쿠아볼트(Aquabolt)’ 공급을 시작한 데 이어, 슈퍼컴퓨터 제작 업체, AI 전용 솔루션 개발 업체, 그래픽 업체와 차세대 시스템 관련 기술 협력을 더욱 강화하여 HBM2 D램 시장의 성장을 주도한다는 계획입니다.

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‘1y나노 공정’기반 세계 최소 칩 사이즈 ‘8Gb DDR4 D램’ 공급 개시

삼성전자는 지난 달부터 세계 최소 칩 사이즈의 10나노급(1나노 : 10억분의 1미터) 8Gb(기가비트) DDR4(Double Data Rate 4) D램을 양산하고 있습니다.

2016년 2월에 ‘1x나노(10나노급 1세대) 8Gb D램’을 양산하며, 본격적인 10나노급 D램 시대를 연 삼성전자는 21개월만에 또다시 반도체 미세공정 한계를 극복했습니다.

삼성전자는 차세대 극자외선(EUV) 노광장비를 사용하지 않고도 1세대 10나노급 D램보다 생산성을 약 30% 높여 글로벌 고객의 프리미엄 D램 수요 증가에 적기 대응할 수 있는 초격차 경쟁력을 구축했습니다.

삼성전자는 2012년에 양산한 2y나노(20나노급) 4Gb DDR3 보다 용량/속도/소비전력효율을 2배 향상한 이번 2세대 10나노급 D램 양산을 통해, 일부 응용처 제품을 제외하고 전면 10나노급 D램 양산 체제로 돌입할 계획입니다.

3대 혁신 공정 기술로 역대 최고 수준의 개발 난제 극복

이번 2세대 10나노급 D램 제품에는 ①’초고속ㆍ초절전ㆍ초소형 회로 설계’, ②’초고감도 셀 데이터 센싱 시스템 설계’, ③’2세대 에어 갭(Air Gap) 공정’ 등 3가지 첨단 혁신 공정이 적용됐습니다.

2세대 10나노급 D램은 ①’초고속ㆍ초절전ㆍ초소형 회로 설계’를 기반으로 기존 1세대 10나노급 D램 대비 속도는 10% 이상 향상됐고, 소비 전력량은 15% 이상 절감됐습니다.

②’초고감도 셀 데이터 센싱 시스템 설계’ 기술은 초정밀 전압차이 감지 시스템 개발로 셀에 저장된 데이터를 더욱 정밀하게 확인해 셀 데이터 읽기 특성을 2배 이상 향상시킨 기술입니다.

③’2세대 에어 갭(Air Gap) 공정’은 전류가 흐르는 비트라인(bit line) 주변의 미세 영역을 특정 물질 대신 절연효과가 뛰어난 공기로 채우는 공정 기술입니다.

이 기술을 통해 비트라인 주변에서 발생되는 불필요한 전하량을 최소화해 초고감도 셀 개발이 가능하며, 셀 배열의 집적도를 향상 시켜 칩 사이즈를 대폭 줄일 수 있습니다.

향후 1y나노 D램 라인업 지속 확대로 프리미엄 시장 주도

삼성전자는 이러한 첨단 혁신 공정 기술을 바탕으로 서버용 DDR5, 모바일용 LPDDR5, 슈퍼컴퓨터용 HBM3 및 초고속 그래픽용 GDDR6 등 차세대 프리미엄 D램 양산 기반을 업계 최초로 확보했습니다.

삼성전자 메모리사업부 진교영 사장은 “발상을 전환한 혁신적 기술 개발로 반도체의 미세화 기술 한계를 돌파했다.”며, “향후 1y나노 D램의 생산 확대를 통해 프리미엄 D램 시장을 10나노급으로 전면 전환해 초격차 경쟁력을 더욱 강화할 것”이라고 강조했습니다.

한편 삼성전자는 1y나노 D램 모듈의 CPU업체 실장 평가를 완료하고, 글로벌 주요 고객과 차세대 시스템 개발관련 기술 협력을 추진하고 있습니다.

또한 용량과 성능을 동시에 높인 10나노급 D램 라인업으로 서버, 모바일 및 그래픽 시장 등 프리미엄 메모리 시장을 지속 선점해 나갈 계획입니다.

[참고자료] 삼성전자 최첨단 D램 양산 연혁

• 2009.07월 40나노급 2Gb DDR3 양산
• 2010.02월 40나노급 4Gb DDR3 양산
• 2010.07월 30나노급 2Gb DDR3 양산
• 2011.09월 20나노급(2x) 2Gb DDR3 양산
• 2012.11월 20나노급(2y) 4Gb DDR3 양산
• 2013.11월 20나노급(2y) 6Gb LPDDR3 양산
(※ 2014.02월 20나노급(2y) 8Gb LPDDR4 양산)
• 2014.02월 20나노(2z) 4Gb DDR3 양산
• 2014.10월 20나노(2z) 8Gb DDR4 양산
• 2014.12월 20나노(2z) 8Gb LPDDR4 양산
• 2014.12월 20나노(2z) 8Gb GDDR5 양산
• 2015.08월 20나노(2z) 12Gb LPDDR4 양산
• 2016.02월 10나노급(1x) 8Gb DDR4 양산
• 2016.09월 10나노급(1x) 16Gb LPDDR4/4X 양산
• 2017.11월 10나노급(1y) 8Gb DDR4 양산

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■ 초고속 ’20나노급 DDR4 D램’ 양산으로 차세대 프리미엄 메모리 시장 선점

삼성전자가 업계 최초로 차세대 초고속 메모리 ‘DDR4’ 시대를 열었습니다.

삼성전자는 30일 차세대 데이터센터의 엔터프라이즈 서버에 탑재되는 최고 속도의 ’20나노급 DDR4 모듈’ 양산에 돌입했다고 밝혔습니다.

삼성전자가 세계 최고의 ’20나노급 16GB(기가바이트) DDR4 모듈’ 양산과 ’20나노급 32GB DDR4 모듈’ 출시를 통해 빠르게 성장하고 있는 대규모 엔터프라이즈 서버 시장 공략에 나선 것인데요.

이번에 양산되는 ’20나노급 DDR4 D램’ 제품은 2008년 ’50나노급 DDR3 D램’ 이후 5년만에 메인 메모리 시장을 전환하는 제품으로 세계 최소 칩 사이즈에 초당 데이터 처리속도가 2,667Mb/s 까지 구현됩니다.

이는 ’20나노급 DDR3 D램’보다 소비전력을 30% 이상 감소시키면서도 1.25배 빠른 속도를 구현한 것입니다.

삼성전자가 ’20나노급 DDR4 D램’을 탑재한 ’20나노급 32GB DDR4 모듈’을 본격 공급하면 현재 ’30나노급 8GB DDR3 모듈’이 주를 이루는 서버시장은 고성능 저전력 대용량의 ‘DDR4’ 시장으로 빠르게 전환될 전망입니다.

■ 차세대 데이터센터에 최적화된 초절전 그린메모리 솔루션 제공

엔터프라이즈 서버에 탑재되는 D램의 처리 속도를 높이면 시스템 처리 성능을 높이면서도 전체 소비 전력을 대폭 낮출 수 있으며, 대용량 메모리를 통해 최소 비용으로 시스템 전체 성능을 극대화해 투자 효율도 높일 수 있습니다.

삼성전자 메모리사업부 전략마케팅팀장 전영현 부사장은 “초고속 DDR4 모듈은 하반기 차세대 서버 탑재를 시작으로 프리미엄 메모리 시장에서 본격적인 수요를 창출해 나갈 것” 이라며 “내년에는 두 배 용량의 32GB DDR4 모듈을 중점 공급해 글로벌 고객들이 그린 IT 시장을 확대시키는데 기여할 것”이라고 말했습니다.

삼성전자는 업계 최소 칩 사이즈의 ’20나노급 DDR4 D램’ 양산을 통해 서버에서 모바일까지 전 제품군을 확보해 글로벌 IT 고객에게 최고의 저전력 고성능 그린 메모리 솔루션을 제공할 수 있게 됐습니다.

향후 삼성전자는 한 발 앞선 차세대 그린 메모리 제품과 솔루션 개발을 통해 독보적인 제품 경쟁력을 지속 유지하고 고객 가치 창출을 극대화 하는 차세대 그린 메모리 전략을 통해 IT 시장 성장을 지속 주도할 예정입니다.

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D램

[Dynamic Random Access Memory, 동적 메모리]

용량이 크고 속도가 빠르기 때문에 컴퓨터의 주력 메모리로 사용되는 램.

램은 정보를 기록하고 기록해 둔 정보를 읽거나 수정할 수 있는 메모리로, 전원을 공급하는 한 데이터를 보존하는 S램과 시간이 흐름에 따라 데이터가 소멸되는 D램이 있다.

D램은 전원이 차단될 경우 저장된 데이터가 소멸되는 휘발성 기억소자이며, 시간이 지나면서 축적된 전하가 감소되기 때문에 전원이 차단되지 않더라도 저장된 데이터가 자연히 소멸되는 단점이 있다. 따라서 D램은 일정 시간마다 데이터를 유지해주는 기능인 리프레시가 필요하다.

D램은 정보를 저장하는 방인 셀을 가지고 있는데, 메모리셀은 트랜지스터와 커패시터 각각 1개로 구성된다. 커패시터는 전하의 유무에 따라 디지털 정보의 기본 단위인 0 혹은 1이라는 정보를 저장하고 이 두 숫자를 판별하는 방식으로 데이터를 저장한다.

하지만, 시간이 지나면서 커패시터의 전자가 누전되어 데이터를 유지하는 시간이 짧아지는데, 이를 방지하기 위해서 커패시터에 주기적으로 리프레시(재생)를 시켜 데이터를 상기시켜 주는 것이다.

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