■ ‘8기가 DDR4 D램’으로 프리미엄 DDR4 서버 시장 고성장 주도

20나노 8기가비트 DDR4 서버 D램은 올해 하반기 DDR4 전용 서버 CPU 출시에 맞추어 양산을 시작한 차세대 제품으로 프리미엄 서버 시장에서 기존 DDR3에서 DDR4로의 전환을 주도할 차세대 D램 제품입니다.

삼성전자는 지난 3월 세계 최초로 20나노 PC용 D램 양산에 성공한 이후 현재까지도 유일하게 20나노 제품을 양산하고 있으며, 지난 9월 모바일 D램에 이어 이번에 서버용 D램에도 20나노 공정을 적용하며 ’20나노 D램 시대’를 주도할 풀 라인업을 구축했습니다.

20나노 8기가비트 D램 기반의 DDR4 서버용 모듈 제품은 기존 DDR3 기반의 모듈보다 약 30% 빠른 2,400Mbps의 고성능을 구현하는 반면 동작 전압은 1.2볼트(V)로 DDR3의 1.5볼트보다 낮게 동작할 수 있어 소비 전력이 더 낮은 것이 특징입니다.

또한, 기존 4기가비트 제품 기반으로는 최대 64기가바이트 용량의 모듈만 가능하지만, 이번 8기가비트 D램과 지난 8월 삼성전자가 세계 최초로 양산을 시작한 TSV기술을 접목함으로써 최대 128기가 바이트의 모듈을 공급할 수 있게 되었습니다.

■ 향후 PC용 4기가•모바일용 6기가•서버용 8기가비트로 다양화

삼성전자 메모리사업부 마케팅팀 백지호 상무는 “이번 20나노 8기가비트 DDR4 D램은 차세대 서버 시스템 구축을 위한 3가지 필요 요소인 ‘고성능, 고용량, 저전력’ 특성을 모두 만족시킨 제품”이라며 “향후 20나노 D램의 비중을 지속 확대해 글로벌 고객의 수요 증가에 맞춰 최고 특성의 제품을 공급할 것”이라고 말했습니다.

삼성전자는 향후 PC용은 생산 효율이 높은 4기가비트, 모바일용은 패키지 크기를 줄이면서 칩의 적층 수를 줄일 수 있는 6기가비트, 서버용은 고용량의 8기가비트 D램 등 응용처에 따라 최적화된 다양한 용량의 제품을 통해 차별화함으로써 D램 시장을 이끌어 갈 계획입니다.

※ 삼성 그린 메모리 홈페이지 : www.samsung.com/GreenMemory

☞ 삼성전자, 세계 최초 ’20나노 모바일 D램’ 본격 양산
☞ 삼성전자, 세계 최초 ’20나노 4기가비트 D램’ 양산

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■ 3차원 TSV 적층 기술로, ‘3차원 V낸드’에 이어 ‘3차원 D램’ 시대 열어

이번 64기가바이트 DDR4 D램 모듈은 20나노급 4기가비트(Gb) D램 칩 144개로 구성된 대용량 제품으로서, 최첨단 3차원 TSV 기술로 4기가비트 D램을 4단으로 쌓아 만든 4단 칩 36개를 탑재했습니다.

‘TSV’란 D램 칩을 일반 종이 두께의 절반보다도 얇게 깎은 다음 수백 개의 미세한 구멍을 뚫고, 상단 칩과 하단 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극을 연결한 첨단 패키징 기술로 기존 와이어(금선)를 이용한 패키징 방식에 비해 속도와 소비전력을 크게 개선할 수 있는 것이 특징인데요.

삼성전자는 2010년 세계 최초로 TSV기반 D램 모듈을 개발하고 글로벌 서버 고객과 기술 협력을 추진한 데 이어, 올해는 TSV 전용 라인을 구축하고 양산 체제에 돌입함으로써 새로운 시장 창출에 나섰습니다.

특히 삼성전자는 이번 64기가바이트 대용량 서버용 DDR4 모듈과 금년 하반기 출시되는 글로벌 IT업체들의 차세대 서버용 CPU를 연계해 DDR4 신규시장을 적극 공략해 나갈 예정입니다.

또한 삼성전자는 작년 세계 최초로 3차원 V낸드플래시를 양산하고 이번에는 업계 최초로 DDR4 D램에 TSV 기술을 적용한 차세대 제품을 양산함으로써 ‘3차원 메모리반도체 시대’를 주도하게 됐습니다.

이번 3차원 TSV 기술 기반의 서버용 D램은 기존 와이어(Wire Bonding)를 이용한 D램 대비 동작 속도가 2배나 빠르면서도 소비전력을 1/2 수준으로 크게 절감했습니다.

특히 TSV 기술 적용으로 현재까지 D램에서 속도 지연 문제로 최대 4단까지 밖에 쌓지 못했던 기술 한계를 넘어 더 많은 칩을 쌓을 수 있어 향후 64기가바이트 이상 대용량 제품을 양산할 수 있게 됐습니다.

메모리사업부 메모리 마케팅팀 백지호 상무는 “이번 TSV기반 D램 모듈 양산으로 하반기 업계 차세대 CPU 출시에 맞춘 초절전 솔루션을 제공하고 프리미엄 DDR4 D램 시장을 선점할 수 있게 됐다”며, “향후 3차원 메모리 반도체 기술을 기반으로 차세대 라인업을 한 발 앞서 출시해 제품 경쟁력을 강화하는 한편 글로벌 메모리 시장이 지속 성장하는데 주도적인 역할을 할 것”이라고 포부를 밝혔습니다.

삼성전자는 하반기 서버 D램 시장이 DDR3 D램에서 DDR4 D램으로 전환되는 트랜드에 맞춰 3차원 TSV 기술을 적용한 64기가바이트 이상의 고용량 DDR4 모듈도 출시해 프리미엄 메모리 시장을 더욱 확대해 나갈 예정입니다.

한편, 시장조사기관에 따르면 올해 D램 시장은 386억불이며, 그 중 서버 시장이 20% 이상의 비중을 차지할 것으로 전망하고 있다. 특히 클라우딩 컴퓨터의 비중이 지속 증대되고, 서버 시스템에 탑재되는 소프트웨어 종류도 늘고 있어 향후 고성능 서버에서 고용량 D램의 요구가 증가될 것으로 전망됩니다.

■ 와이어 본딩 기술과 TSV 기술 비교

■ 3차원 TSV 기술 적용 4단 적층 D램 사진

■ 세계 D램 시장 전망 (가트너, 억불/억개_1Gb)

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■ 초고속 ’20나노급 DDR4 D램’ 양산으로 차세대 프리미엄 메모리 시장 선점

삼성전자가 업계 최초로 차세대 초고속 메모리 ‘DDR4’ 시대를 열었습니다.

삼성전자는 30일 차세대 데이터센터의 엔터프라이즈 서버에 탑재되는 최고 속도의 ’20나노급 DDR4 모듈’ 양산에 돌입했다고 밝혔습니다.

삼성전자가 세계 최고의 ’20나노급 16GB(기가바이트) DDR4 모듈’ 양산과 ’20나노급 32GB DDR4 모듈’ 출시를 통해 빠르게 성장하고 있는 대규모 엔터프라이즈 서버 시장 공략에 나선 것인데요.

이번에 양산되는 ’20나노급 DDR4 D램’ 제품은 2008년 ’50나노급 DDR3 D램’ 이후 5년만에 메인 메모리 시장을 전환하는 제품으로 세계 최소 칩 사이즈에 초당 데이터 처리속도가 2,667Mb/s 까지 구현됩니다.

이는 ’20나노급 DDR3 D램’보다 소비전력을 30% 이상 감소시키면서도 1.25배 빠른 속도를 구현한 것입니다.

삼성전자가 ’20나노급 DDR4 D램’을 탑재한 ’20나노급 32GB DDR4 모듈’을 본격 공급하면 현재 ’30나노급 8GB DDR3 모듈’이 주를 이루는 서버시장은 고성능 저전력 대용량의 ‘DDR4’ 시장으로 빠르게 전환될 전망입니다.

■ 차세대 데이터센터에 최적화된 초절전 그린메모리 솔루션 제공

엔터프라이즈 서버에 탑재되는 D램의 처리 속도를 높이면 시스템 처리 성능을 높이면서도 전체 소비 전력을 대폭 낮출 수 있으며, 대용량 메모리를 통해 최소 비용으로 시스템 전체 성능을 극대화해 투자 효율도 높일 수 있습니다.

삼성전자 메모리사업부 전략마케팅팀장 전영현 부사장은 “초고속 DDR4 모듈은 하반기 차세대 서버 탑재를 시작으로 프리미엄 메모리 시장에서 본격적인 수요를 창출해 나갈 것” 이라며 “내년에는 두 배 용량의 32GB DDR4 모듈을 중점 공급해 글로벌 고객들이 그린 IT 시장을 확대시키는데 기여할 것”이라고 말했습니다.

삼성전자는 업계 최소 칩 사이즈의 ’20나노급 DDR4 D램’ 양산을 통해 서버에서 모바일까지 전 제품군을 확보해 글로벌 IT 고객에게 최고의 저전력 고성능 그린 메모리 솔루션을 제공할 수 있게 됐습니다.

향후 삼성전자는 한 발 앞선 차세대 그린 메모리 제품과 솔루션 개발을 통해 독보적인 제품 경쟁력을 지속 유지하고 고객 가치 창출을 극대화 하는 차세대 그린 메모리 전략을 통해 IT 시장 성장을 지속 주도할 예정입니다.

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