삼성전자가 미국 실리콘밸리에서 12일(현지시간) ‘삼성 파운드리 포럼 2024(Samsung Foundry Forum 2024)’를 개최하고 AI 시대를 주도할 파운드리 기술 전략을 공개했다.

이번 행사는 “Empowering the AI Revolution”을 주제로, 고객의 인공지능(AI) 아이디어 구현을 위해 삼성전자의 최선단 파운드리 기술은 물론, 메모리와 어드밴스드 패키지(Advanced Package) 분야와의 협력을 통한 시너지 창출 등 삼성만의 차별화 전략을 제시했다.

삼성전자 파운드리 사업부 최시영 사장은 이날 기조연설에서 “AI를 중심으로 모든 기술이 혁명적으로 변하는 시점에서 가장 중요한 건 AI 구현을 가능하게 하는 고성능ㆍ저전력 반도체”라며 “삼성전자는 AI 반도체에 최적화된 GAA(Gate-All-Around) 공정 기술과 적은 전력 소비로도 고속 데이터 처리가 가능한 광학 소자 기술 등을 통해 AI 시대에 고객들이 필요로 하는 원스톱(One-Stop) AI 솔루션을 제공할 것”이라고 말했다.

이번 파운드리 포럼은 미국 실리콘밸리 새너제이에 위치한 삼성전자 DS부문 미주총괄(DSA) 사옥에서 개최됐으며, 르네 하스(Rene Haas) Arm CEO와 조나단 로스(Jonathan Ross) Groq CEO 등 업계 주요 전문가들이 참석했다.

포럼 참석자들은 삼성전자의 기술과 사업 현황뿐 아니라 30여 개 파트너사가 마련한 부스를 통해 다양한 반도체 기술과 솔루션, 협력 방안을 활발하게 공유했다.

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□ 최선단 파운드리 공정으로 팹리스 수요 적극 지원

삼성전자는 반도체 응용처가 확대되며 다변화되는 고객 수요에 대응하기 위해 AI와 HPC, 전장, 엣지컴퓨팅 등 주요 응용처별 특화 공정을 제공하고 있다.

올해 행사에는 기존 파운드리 공정 로드맵에서 SF2Z, SF4U를 추가로 공개했다.

삼성전자는 BSPDN(후면전력공급 기술, Back Side Power Delivery Network) 기술을 적용한 2나노 공정(SF2Z)을 2027년까지 준비한다는 계획이다. BSPDN은 전류 배선층을 웨이퍼 후면에 배치해 전력과 신호 라인의 병목 현상을 개선하는 기술이다.

SF2Z는 기존 2나노 공정 대비 PPA 개선 효과뿐 아니라, 전류의 흐름을 불안정하게 만드는 ‘전압강하’ 현상을 대폭 줄일 수 있어 고성능 컴퓨팅 설계 성능을 향상시킬 수 있다.

* PPA: Power(소비전력), Performance(성능), Area(면적)의 약자로, 공정을 평가하는데 있어서 주요한 3가지 지표

또한, 이번에 발표한 또 다른 신규 공정인 4나노 SF4U는 기존 4나노 공정 대비 광학적 축소(optical shrink)를 통해 PPA 경쟁력이 추가 향상되며, 2025년 양산 예정이다.

삼성전자는 2027년 1.4나노 공정 양산을 계획하고 있으며, 목표한 성능과 수율을 확보하고 있다고 밝혔다. ‘비욘드 무어(Beyond Moore)’ 시대에 경쟁력을 갖추기 위해 소재와 구조의 혁신을 통해 1.4나노를 넘어 미래 기술 혁신을 주도하고 있다.

삼성전자는 3나노 공정에 GAA 트랜지스터 기술을 최초로 적용해 2022년부터 양산중이며, 올해 하반기에 2세대 3나노 공정 양산을 시작할 계획이다.

삼성은 GAA 양산 경험을 누적해 경쟁력을 갖췄으며, 2나노에도 지속 적용할 예정이다. 삼성의 GAA 공정 양산 규모는 2022년 대비 꾸준히 증가하고 있으며, 선단공정 수요 성장으로 인해 향후 지속 큰 폭으로 확대될 전망이다.

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□ 메모리ㆍAVP와 원팀(One-Team) 협력으로 AI 솔루션 턴키 서비스 제공

삼성전자는 파운드리와 메모리, 어드밴스드 패키지 사업을 모두 보유해 AI 시대에 필요한 사양과 고객의 요구에 맞춘 커스텀 솔루션 제공을 위한 협력에 유리하다.

삼성전자는 세 개 사업 분야간 협력을 통해 고성능·저전력·고대역폭 강점을 갖춘 통합 AI 솔루션을 선보여 고객의 공급망을 단순화하는 데 기여하는 등 편의를 제공하고 제품의 시장 출시를 가속화한다.

삼성의 통합 AI 솔루션을 활용하는 팹리스 고객은 파운드리, 메모리, 패키지 업체를 각각 사용할 경우 대비 칩 개발부터 생산에 걸리는 시간을 약 20% 단축할 수 있다.  

나아가 2027년에는 AI 솔루션에 광학 소자까지 통합한다는 계획이다. 이를 통해 AI 시대에 고객들이 필요로 하는 ‘원스톱 AI 솔루션’ 제공이 가능할 것으로 기대된다.

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□ AI향 선단 기술부터 8인치 기술까지 고객 포트폴리오 다변화

삼성전자는 파운드리 사업부의 사업 경쟁력 강화를 위해 고객과 응용처별 포트폴리오를 다변화한다.

급격히 성장하고 있는 AI 분야에서 고객 협력을 강화하여 올해 AI 제품 수주 규모는 작년 대비 80% 이상 성장했다.

8인치 파운드리와 성숙 공정에서도 PPA와 가격경쟁력을 개선한 공정 포트폴리오를 제공해 다양한 고객 니즈에 대응하고 있다.

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□ 파운드리 생태계 확대 지원… AI 기술과 융합 강조

삼성전자는 13일(현지시간) ‘SAFE(Samsung Advanced Foundry Ecosystem) 포럼 2024’를 개최한다. 올해 주제는 “AI: Exploring Possibilities and Future”로, 삼성전자는 파트너사들과 AI 시대 고객 맞춤형 기술과 솔루션을 함께 공유하고 제시하는 장을 마련한다.

특히, 마이크 엘로우(Mike Ellow) Siemens CEO, 빌 은(Bill En) AMD VP, 데이비드 라조브스키(David Lazovsky) 셀레스티얼 AI CEO 등이 참석해 AI 시대에 요구되는 칩과 시스템 설계 기술의 발전 방향을 논의한다.  

이번 포럼에서는 작년 출범한 첨단 패키지 협의체인 ‘MDI 얼라이언스 (Multi-Die Integration Alliance)’의 첫 워크숍이 진행된다.

삼성전자와 MDI 파트너사들은 이번 워크숍에서 구체적인 협력 방안을 심도있게 논의하는 등 파트너십을 더욱 강화하고, 2.5D와 3D 반도체 설계에 대한 종합적인 솔루션을 구체화할 예정이다.

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반도체 성능은 한정된 공간에 얼마나 많은 트랜지스터를 넣을 수 있느냐에 따라 결정된다. 이에 대해 ‘반도체 집적도는 24개월마다 두 배로 늘어날 것이다’라고 예측한, 일명 ‘무어의 법칙(Moore’s Law)’도 존재한다.

그러나 현재 빅데이터 기반 기술, 네트워크 등이 빠르게 성장하면서 컴퓨팅 성능은 점점 증가하는 데에 반해, 반도체의 성능 발전 속도는 이를 따라가지 못하고 있다. 이른바 Beyond Moore를 이끌 새로운 대안이 필요한 상황. 반도Chat 일곱 번째 에피소드의 주제는, 이러한 한계점을 뛰어넘는 첨단 패키지 기술 ‘Advanced Package’다.

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MAP 1. 반도체 미세화의 한계를 극복할 키

기존의 반도체들은 고유의 성능을 각자 가지고, 세트(완제품)를 통해 결합되어 각종 응용처에서 활용되어 왔다. 그러나 반도체의 핵심인 미세화 기술의 난이도가 급격히 증가하고 있으며, 이에 따른 개발 비용도 기하급수적으로 증가하고 있다.

또한 모바일, 웨어러블, 클라우드, 인공지능, 자동차 등 다양한 응용처에서 각종 반도체 칩들이 고밀도로 실장되어 고성능을 구현하기 위해서는 기존의 미세화 기술로는 요구되는 성능을 만족하기 어렵게 되었다.

이에 따라 서로 다른 종류의 반도체를 미세한 배선으로 수직 또는 수평으로 연결해 하나의 반도체를 만들어 내는 첨단 패키지 기술 ‘Advanced Package’가 핵심 경쟁력이 되고 있다.

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MAP 2. 서로 다른 기능의 반도체를 효율적으로 연결하는 이종 집적화

첨단 패키지의 핵심은 ‘이종 집적화(Heterogeneous Integration)’ 기술이다. 이종 집적화란 메모리, 시스템 반도체 등 서로 다른 기능을 하는 반도체를 효율적으로 배치해 하나의 칩으로 동작하게 하는 기술이다. 독립된 여러 개의 반도체 칩을 수평 혹은 수직으로 연결함으로써 더 작은 반도체(패키지) 안에 더 많은 트랜지스터를 집적할 수 있고, 각각의 성능을 뛰어넘는 솔루션을 제공할 수 있다.

이종 집적 기술은 메모리 반도체와 시스템 반도체를 인터포저를 활용해 수평으로 배열하는 2.5차원 패키지와 수직으로 적층하는 3차원 패키지 등으로 나뉘는데, 삼성전자는 2.5차원 패키지 ‘I-Cube’, 3차원 패키지 ‘X-Cube’ 등 첨단 솔루션을 제공하고 있다. 해당 솔루션들은 어떤 특성을 지니고 있는지 자세히 알아보자.

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MAP 3. 무어의 법칙을 넘어서는 혁신 솔루션

우선 2.5차원 패키지는 로직과 메모리 반도체를 수평으로 기판 위에 집적한 패키지를 말하고, 3차원 패키지는 여러 개의 로직과 메모리 반도체를 수직으로 집적한 패키지를 뜻한다.

먼저, 2.5차원 패키지 솔루션으로는 ‘I-Cube’와 ‘H-Cube’가 있는데, ‘I-Cube(Interposer-Cube)’는 로직과 고대역폭 메모리(HBM)를 수평으로 집적해 빠른 속도로 데이터를 주고 받을 수 있도록 하는 솔루션이다. I-Cube의 I는 인터포저(Interposer)를 뜻하는데, 칩과 PCB(인쇄회로 기판)를 인터포저를 통해 물리적으로 연결하고, 인터포저 위에 로직과 HBM을 배치해 하나의 반도체처럼 동작하도록 지원한다.

2021년에는 HBM을 6개 이상 탑재 가능한 패키지 솔루션 ‘H-Cube(Hybrid substrate-Cube)’도 개발했다. H-Cube는 메인 기판 아래에 대면적 구현이 가능한 보조 기판을 추가해 시스템 보드와의 연결성을 확보한 것이 특징이다. 이로써 다수의 로직과 HBM을 적층하면서도 높은 안정성을 지닐 수 있다.

뿐만 아니라, 메인 기판과 보조 기판을 전기적으로 연결하는 솔더볼(Solder ball)의 간격도 기존 대비 35% 좁혀 기판의 크기를 최소화했다. 이는 데이터센터, 인공지능, 네트워크 등의 분야에서 다방면으로 활용될 수 있다.

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MAP 4. ‘초’연결까지 가능케 한 비법은?

삼성전자는 2020년에 ‘X-Cube(eXtended-Cube)’라는 3차원 적층 패키지 솔루션도 선보였다. ‘X’는 칩 간 연결과 기능의 확장을 의미하며, ‘X-Cube’는 로직 그리고 캐시메모리 역할을 하는 SRAM(Static Random Access Memory) 등의 개별 칩을 수직으로 적층해 연결성을 확장한 제품이다. 이로써 전체 칩 면적을 줄이면서 고용량 메모리를 장착해 속도와 전력 효율을 높였고, 지연 시간을 최소화해 고객의 설계 자유도도 높였다.

올해는 ‘u-Bump(micro Bump)형 X-Cube’의 양산을 앞두고 있다. TSV 공정에서 칩과 칩을 연결할 때 사용하는 범프는, 크기와 간격이 작을수록 작은 공간에서 반도체 패키지의 밀도와 연결성을 높이는 데 기여한다. u-Bump(micro Bump)형 X-Cube는 30마이크로미터보다 작은 범프 간의 간격을 활용해 연결성을 획기적으로 높인 제품으로, 모바일과 웨어러블, 증강현실(AR)·가상현실(VR), 슈퍼컴퓨터와 인공지능 등 초연결이 필수적인 분야에서 높은 활용성을 갖는다.

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MAP 5. AVP로 강화할 삼성 파운드리 경쟁력

삼성전자 반도체는 이러한 첨단 패키지 기술을 강화하기 위해 2022년 12월, AVP(Advanced Package) 사업팀을 출범해 차세대 기술 개발에 앞장서고 있다. 차세대 접합 기술 ‘HCB(Hybrid Copper Bonding)’가 대표적인 예다. HCB는 칩과 칩을 별도의 범프 없이 연결하는 기술로, 각 칩 표면에 드러난 구리를 직접 연결해 데이터 전송 속도를 더욱 향상할 수 있다. 2026년에는 HCB를 활용한 3차원 패키지, ‘Bump-less형 X-Cube’도 선보일 예정이다.

이외에도 ‘CoW(Chip on Wafer)’ 등 다양한 차세대 패키지 기술의 결합으로 성능과 효율성을 지속 향상함으로써 기술의 한계를 계속해서 뛰어넘고 있다. 최종적으로 패키지의 구조, 성능, 설계에 이르기까지, 응용처별 맞춤형 반도체를 다양한 형태의 패키지 솔루션으로 제공하며 AI 시대에서 파운드리 경쟁력을 강화해 나갈 계획이다.

차세대 패키지 기술의 결합으로, 기존 반도체의 한계를 넘어서는 첨단 패키지 솔루션 ‘Advanced Package’에 대해 보다 자세하게 알고 싶다면 반썰어 ‘AVP’ 편을 참고하길 바란다.

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초연결 시대를 선도할 ‘제30회 대한민국 임팩테크(ImpaCT-ech) 대상’, 그 시상식 현장을 삼성전자 반도체 뉴스룸이 담아왔습니다.

이번 시상식은 과학기술정보통신부 이종호 장관의 개회사로 시작됐습니다. 그는 “오늘 이 자리를 통해 그동안의 노력과 성과를 되돌아보며 새로 도약할 자신감을 확보하는 계기가 되길 바란다”고 격려하며, “디지털 경제 가속화를 위해 향후에도 디지털 산업을 적극 지원할 계획”이라고 말했습니다.

수상의 영예를 차지한 ‘2억 화소 이미지센서’와 ‘신용카드용 지문인식 1-Chip(원칩) 패키지 솔루션’, 그 안에 집약된 삼성전자 반도체의 혁신 기술력에 대해 살펴볼까요?

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미세 픽셀 2억 개로 구현한 초고해상도의 이미지센서

2억 화소 이미지센서를 탄생시킨 주역, System LSI사업부 임직원들의 대통령상 수상 소감을 들어보았습니다.

차세대Sensor개발팀 신승철 님은 “아이소셀 HP3는 세계 최초로 0.56㎛ 픽셀을 적용함으로써 2억 화소의 장점을 더 많은 사용자가 느낄 수 있도록 하는 것이 개발의 중점이었다”며, “완성도 확보와 적기 제품 출시라는 두 가지 목표를 동시에 달성해야 한다는 어려움이 있었지만, 모든 유관 부서가 협력한 덕분에 상품화에 성공할 수 있었다”는 소회를 남겼습니다.

차세대Sensor개발팀 권민호 님 역시 “세상을 이롭게 하는 센서를 만들기 위해 포기하지 않고 여러 사람이 함께 힘을 모아 개발을 했기에 이미지센서 양산에 성공할 수 있었다”는 말로 개발에 참여한 모든 임직원들에게 감사의 인사를 전했습니다.

Sensor설계팀 이승진 님은 “미세 픽셀 기술의 발전으로 1억 화소에 이어, 2억 화소까지 삼성전자가 선도할 수 있게 되어 매우 자랑스럽게 생각한다”는 말과 함께 “초고화소 센서에 필요한 저전력/고속/고품질을 위해 개발자로서의 역할과 한계가 어디까지인지 도전할 계획이다”는 의지를 내비쳤습니다.

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세계 최초 신용카드용 지문인식 원칩(1-Chip) 패키지 솔루션

신용카드에 적용되는 지문인증 기능은 사용자의 지문 정보를 읽고 인증하여, 빠르고 편리하면서도 안전하게 결제할 수 있도록 합니다. 1-Chip(원칩) 패키지 솔루션은 지문을 인식하는 칩을 신용카드에 적용할 수 있도록 센싱 감도를 강화하고 높은 신뢰성을 구현한 솔루션입니다. 더불어 개선된 성능, 원가, 신뢰성을 바탕으로 제품의 경쟁력을 더욱 높였습니다.

특히 이번에 수상한 원칩 패키지 솔루션은 통합 칩 설계와 패키지 기술을 결합해 고객에게 새로운 경험을 제공할 수 있었으며, 새로운 응용 분야를 발굴한 점을 인정받아 ‘제 30회 대한민국(ImpaCT-ech) 대상’에서 장관상을 수상할 수 있었습니다.

AVP사업팀은 첨단 패키지 기술을 강화하고 사업부 간의 시너지를 극대화하고자 2022년 12월에 신설되었는데요. 앞으로 ‘초연결’을 목표로 여러 반도체가 가진 성능과 기능을 더해 큰 시너지를 만들어내고 독자적인 패키지 기술을 개발해 지속적으로 새로운 사업 영역과 기술 응용 분야를 발굴해 나갈 계획입니다.

초미세 픽셀 개발뿐 아니라 각 반도체 성능에 시너지를 더하는 패키지 솔루션 개발로 미래를 선도하는 혁신 기술력을 지속해서 선보일 삼성전자 반도체. 앞으로 더 놀라운 변화를 일으킬 삼성전자 반도체의 끊임없는 도전에 많은 관심 부탁드립니다.

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반도체 용어를 알기 쉽게 설명해주는 ‘반도체어 썰어드립니다(반썰어)’ 시리즈. 그 두 번째 주인공은 바로 반도체 공정 미세화의 한계를 극복할 첨단 패키지 기술, ‘AVP(Advanced Package)’입니다.

컴퓨터 성능은 점점 좋아지고, 이를 구현하기 위해 작은 반도체 칩 안에 점점 더 많은 회로를 담아야 합니다. 이러한 미세화도 언젠가는 물리적인 한계에 이른다고 하는데요. AVP(Advanced Package) 기술이 해결사 역할을 할 수 있다고 합니다. 반도체 패키지에 여러 칩을 수직과 수평으로 연결하는 이종 집적(Heterogeneous Integration) 기술을 통해, 더 많은 트랜지스터와 기능을 담아낼 수 있기 때문이죠. 좁은 공간을 알차게 활용하면서도 기존보다 더 빠르고 강력한 성능을 보장하는 AVP, 정말 대단하죠?

불가능을 가능하게 만드는 삼성전자 반도체 AVP만의 특별한 이야기, 지금 바로 영상을 통해 확인해보세요!

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Beyond Moore의 시대: 반도체의 한계를 넘어라

과거 반도체 회사들은 같은 크기의 칩에 트랜지스터를 얼마나 더 작게, 더 많이 집적할 수 있는지에 초점을 두고 제품을 개발해 왔습니다. 일찍이 ‘고든 무어(Gordon Moore)’는 ‘반도체 집적도는 24개월마다 두 배로 늘어난다’라고 예측했는데, 이것이 우리가 잘 알고 있는 ‘무어의 법칙’입니다. ‘무어의 법칙’은 반도체 기술 발전 속도에 따라 조금씩 변하였지만, 지금까지 50년이 넘는 시간 동안 지켜져 왔으며, 반도체 산업 발전의 근간이 되어 왔습니다.

스마트폰, 모바일 인터넷, AI, Big Data의 시대가 도래하면서 요구되는 컴퓨팅 성능은 빠르게 증가하고 있습니다. 하지만 반도체 기술의 진보와 혁신의 속도가 과거 대비 느려지고, 반도체 공정 미세화가 물리적 한계에 도달하여, 집적도의 증가 속도가 과거 대비 느려졌습니다. 즉, ‘무어의 법칙’이 한계에 가까워지고 있는 상황입니다.

또한 우리는 아날로그, RF 무선통신 등 여러가지 다양한 기능을 하나로 통합한 다재 다능한 반도체를 원합니다. 하지만 공정이 미세화 될수록 아날로그 성능은 열화되는 문제가 있어, 무어의 법칙에 기반한 공정 미세화만으로는 이러한 요구에 효율적으로 대응하기 어려운 것이 사실입니다. 

이러한 반도체 기술 한계를 극복하기 위해서는 무어의 법칙을 넘어설 새로운 방법이 필요하며, 우리는 이것을 ‘비욘드 무어(Beyond Moore)’라고 부릅니다.

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Advanced Package, Beyond Moore 시대를 이끌다

‘비욘드 무어’ 시대를 이끌 수 있는 것이 첨단 패키지(Advanced Package) 기술입니다. 여러 반도체를 수평으로, 수직으로 연결하는 이종집적(Heterogeneous Integration) 기술을 통해 더 작은 반도체에 (정확히는 더 작은 반도체 패키지 안에) 더 많은 트랜지스터를 집적할 수 있으며, 각각의 성능을 뛰어넘는 더 강력한 성능을 제공할 수 있습니다.

시장조사기관에 따르면, 첨단 패키지 시장은 2021년부터 2027년까지 연평균 9.6%의 고성장을 기록할 것으로 예상됩니다. 특히 이종집적 기술을 사용한 2.5차원, 3차원* 패키지의 경우 매년 14% 이상 성장해 전체 첨단 패키지 시장을 상회할 것으로 전망됩니다.

첨단 패키지 기술 연구개발(R&D)에 대한 각국 정부의 관심도 증가하고 있습니다. 지난 2월, 대한민국 정부는 산업통상자원부 주최로 반도체 패키지의 발전을 위한 포럼 출범식을 개최했고, 미국 국방성 산하 핵심 연구개발 조직인 DARPA(Defense Advanced Research Projects Agency)는 22년 4월, 첨단 패키지 관련 분야에 대규모 신규 예산을 편성하기도 했습니다. 일본 또한 민간 패키지 연구소 유치에 보조금/인프라 등의 인센티브를 지원하고 패키지 심포지엄을 구축하는 등 첨단 패키지에 관심을 쏟고 있습니다.

* 2.5차원 패키지: 단층의 로직 반도체와 다층의 메모리 반도체를 기판 위에 집적한 패키지
* 3차원 패키지: 여러 개의 로직/메모리 반도체를 수직으로 집적한 패키지

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고성능 저전력 첨단 패키지 솔루션을 원스톱으로

이처럼 첨단 패키지 기술 중요성이 높아지는 상황에서, 삼성전자는 작년 12월 첨단 패키지 기술 강화 및 사업부간 시너지 극대화를 위해 DS부문 내 AVP(Advanced Package)사업팀을 신설했습니다.

삼성전자는 세계에서 유일하게 메모리, 로직 파운드리, 그리고 패키지 사업을 모두 가지고 있는 회사입니다. 이러한 강점을 살려 이종집적 기술을 통해, EUV를 사용한 최선단 로직 반도체와 HBM 등의 고성능 메모리 반도체를 하나로 연결한 경쟁력 있는 2.5차원, 3차원 패키지 제품을 시장과 고객에 제공할 수 있다는 것입니다.

AVP사업팀은 고객이 원하는 고성능·저전력 솔루션을 원스톱으로 제공하는 첨단 패키지 사업 모델을 가지고 있습니다. 이를 통해, 고객과 직접 소통하며 고객별, 제품별로 맞춤형 첨단 패키지 기술과 솔루션 사업화에 나섭니다. 특히, RDL, Si Interposer/Bridge, TSV* 적층 기술 기반의 차세대 2.5차원, 3차원 첨단 패키지 솔루션을 집중 개발할 예정입니다.

* RDL(Redistribution Layer, 재배선): 크기가 작은 반도체 회로와 크기가 큰 기판의 회로를 전기적으로 연결하기 위해 중간에 새로운 회로를 구성하는 기술
* Si Interposer/Bridge, 실리콘 인터포저/브릿지): IC 칩과 PCB 사이에 추가적으로 삽입하는 미세회로 기판을 의미하며, 중간 수준의 배선을 구현해 칩과 기판을 물리적으로 연결해주는 역할을 함
* TSV(Through Silicon Via, 실리콘 관통전극): 칩을 얇게 간 다음, 수백 개의 미세한 구멍을 뚫고, 상단 칩과 하단 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극을 연결한 첨단 패키징 기술

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연결 이상의 연결 그리고 우리의 미래

AVP사업팀의 목표는 ‘초연결’입니다. ‘초연결’이란 각각의 반도체가 가진 성능과 기능을 단순히 더하는 것이 아니라 큰 시너지를 만들어 내는 것입니다. 그리고 이를 통해, 반도체를 세상에 연결하고, 사람과 사람을 연결하며, 고객의 상상을 현실로 연결하는, 연결 이상의 연결을 목표합니다.

삼성전자는 대면적화 트렌드에 적합한 독자 패키지 기술을 보유하는 등 경쟁력 있는 개발, 생산 전략을 전개하고 있습니다. 이를 바탕으로 고객의 요청에 적기 대응할 수 있는 ‘고객 중심의 사업 전개’를 통해, ‘세상에 없는 제품’을 가능하게 하는 AVP사업팀이 될 것입니다.

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