서버 D램에 이어 모바일 D램까지 2세대 10나노급(1y) 공정으로 전환

삼성전자는 업계 유일 2세대 10나노급(1y) ‘8Gb DDR4 서버 D램(‘17.11월)’을 양산한지 8개월만에 ’16Gb LPDDR4X 모바일 D램(‘18.7월)’ 양산에 돌입했습니다.

이에 삼성전자는 2세대 10나노급(1y) 공정을 적용한 D램 제품군의 비중을 70% 이상으로 확대한다는 전략입니다.

평택 최신 라인에서 D램 라인업 지속 확대, 고객 수요 대응

삼성전자는 이달부터 평택캠퍼스에서 D램 생산을 본격 시작해 고객들의 최첨단 모바일 D램 수요 확대에 더욱 안정적으로 공급할 수 있는 체제를 확보하게 됐습니다.

‘2세대 10나노급(1y) 16Gb LPDDR4X D램’은 기존 20나노급(2y) 4Gb LPDDR3 모바일 D램(‘13.4월 양산)보다 속도와 생산성이 2배 향상됐습니다.

또한 최신 플래그십 스마트폰에 탑재된 1세대 10나노급(1x) 16Gb LPDDR4X와 동작속도(4,266Mb/s)는 동일하나 소비전력량이 10% 절감되어 모바일 기기의 배터리 사용시간을 더욱 늘릴 수 있습니다.

특히 16Gb 칩 4개가 탑재된 8GB D램 패키지는 초당 34.1GB의 데이터를 전송할 수 있으며, 1세대 대비 패키지의 두께가 20% 이상 감소되어 고객들이 더욱 슬림한 모바일 기기를 디자인할 수 있도록 지원합니다.

8GB 기반 플래그십 모바일 시장을 하이엔드 시장으로 본격 확대

삼성전자는 ’10나노급 8GB 모바일 D램’의 사업 영역을 기존 플래그십 모바일 시장에서 하이엔드 시장까지 확대해 더 많은 소비자들에게 최신 메모리 탑재로 인한 사용 편의성을 제공하게 됐습니다.

삼성전자 메모리사업부 마케팅팀 전세원 전무는 “업계 유일 2세대 10나노급 모바일 D램 양산으로 차세대 모바일 기기의 D램 용량 증대에 더욱 적극 대응하게 됐다”며, “앞으로도 프리미엄 D램 라인업을 확대해 ‘초고속·고용량·초절전’ 메모리 시장 트렌드를 지속 주도해 나갈 것”이라고 밝혔습니다.

삼성전자는 16Gb LPDDR4X D램 칩 기반의 다양한 용량의 라인업(4GB·6GB·8GB)을 제공해 기존 모바일 D램 시장을 빠르게 전환해 나갈 계획입니다.

[참고] 삼성전자 대용량 모바일 D램 양산 연혁

2009년 256MB (50나노급 1기가 MDDR, 400Mb/s)
2010년 512MB (40나노급 2기가 MDDR, 400Mb/s)
2011년 1GB/2GB (30나노급 4기가 LPDDR2, 1066Mb/s)
2012.08 2GB (30나노급 4기가 LPDDR3, 1600Mb/s)
2013.04 2GB (20나노급(2y) 4기가 LPDDR3, 2133Mb/s)
2013.07 3GB (20나노급(2y) 4기가 LPDDR3, 2133Mb/s)
2013.11 3GB (20나노급(2y) 6기가 LPDDR3, 2133Mb/s)
2014.09 3GB (20나노(2z) 6기가 LPDDR3, 2133Mb/s)
2014.12 4GB (20나노(2z) 8기가 LPDDR4, 3200Mb/s)
2015.08 6GB (20나노(2z) 12기가 LPDDR4, 4266Mb/s)
2016.09 8GB (10나노급(1x) 16기가 LPDDR4X, 4266Mb/s)
2018.04 8GB개발 (10나노급(1x) 8기가 LPDDR5, 6400Mb/s)
2018.07 8GB (10나노급(1y) 16기가 LPDDR4X, 4266Mb/s)

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