10나노급(1x) 공정 적용, 업계 최초 18Gbps 속도 구현

2014년 12월 세계최초로 8Gbps의 ’20나노 8Gb GDDR5 D램’ 양산을 시작한 삼성전자는 다시 한번 속도와 용량을 2배 이상 높인 18Gbps의 ’10나노급 16Gb GDDR6 D램’을 지난달부터 업계 최초로 양산하며, 프리미엄 그래픽 D램시장 성장을 주도해 나가고 있습니다.

이번 10나노급(1x) 그래픽 D램 양산을 통해 삼성전자는 PC, 서버, 모바일용 D램에 이어, 그래픽 D램까지 10나노급 공정을 적용해 프리미엄 D램 시장에서 확고한 제품 경쟁력을 확보했습니다.

GDDR5 대비 속도 2배·소비전력효율 약 35%·생산성 약 30% 향상

삼성전자의 ’10나노급 16Gb GDDR6 D램’은 GDDR5 D램 대비 2배 빠른 속도와 저전력 설계(1.55V → 1.35V)로 전력효율이 35% 이상 향상됐고, 20나노 공정 대비 칩 크기가 줄어 생산성이 약 30% 증가되는 등 ‘초고속, 고용량, 초소형, 초절전’ 특성이 동시에 구현됐습니다.

이번 ’10나노급 16Gb GDDR6 D램’ 공급을 통해 그래픽 카드 업체는 크기와 소비전력을 대폭 줄인 대용량의 차세대 그래픽 카드를 적기에 출시할 수 있으며, AI, 가상현실, 8K UHD 초고화질 영상과 같은 차세대 시스템 개발 업체에도 최적의 솔루션이 될 전망입니다.

삼성전자 메모리사업부 상품기획팀장 한진만 전무는 “이번 16Gb GDDR6 D램 양산으로 글로벌 고객들에게 최고 속도·최대 용량의 라인업을 적기에 공급하게 됐다”며, “향후에도 차세대 GDDR6 그래픽 D램을 한 발 앞서 출시해 게임 및 그래픽 카드 시장을 선점하고, 특히 자동차 및 네트워크 시장의 수요 증가에도 적극적으로 대응해 나갈 것”이라고 밝혔습니다.

이번에 삼성전자는 2.4Gbps 8GB HBM2 D램(초당 307GB 데이터 전송) 및 18Gbps 10나노급 16Gb / 8Gb GDDR6 D램(초당 72GB 데이터 전송)을 유일하게 공급하는 등 업계 최대의 프리미엄 메모리 라인업을 구축해 시장 성장을 견인할 수 있게 됐습니다.

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