반도체 칩 속에서 전류의 흐름을 제어해 0과 1의 디지털 신호를 만들어주는 트랜지스터. 반도체 칩이 세대를 거듭해 점점 작아짐에 따라 반도체를 구성하는 트랜지스터도 함께 작아져야만 합니다.

그런데, 전세계 반도체 회사들을 고뇌에 빠트린 난제가 있는데요. 바로 트랜지스터가 너무 작아짐에 따라 게이트가 제 역할을 하지 못해, 전류 조절 기능이 나빠지고 누설 전류가 발생하는 단채널 현상(Short Channel Effect)입니다.

이러한 한계를 극복하기 위해 삼성전자 반도체가 내놓은 해답은 바로 ‘GAA(Gate-All-Around)’ 기술. GAA는 신개념 트랜지스터 구조로, 전류가 흐르는 채널 4개 면을 게이트가 둘러싸는 형태입니다. 마치 수도꼭지 4개가 한꺼번에 달린 것처럼 전류를 쉽게 제어할 수 있어 속도는 빠르게 구현하면서도, 소비전력은 줄일 수 있습니다.

최근에는 팹리스 고객의 다양한 요구에 맞추어 다양한 특성을 구현할 수 있는 삼성전자 반도체만의 독자 기술 MBCFET^TM도 개발했다고 하는데요. 파운드리 게임 체인저로 불리는 GAA 기술과 MBCFET^TM은 어떻게 탄생할 수 있었을까요? 궁금하다면, 지금 영상을 시청해보세요.

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