삼성전자는 2024년 2월, 업계 최초로 36GB HBM3E(5세대 HBM) 12H D램 개발에 성공했다. 36GB HBM3E 12H D램은 24Gb D램 칩을 TSV(Through-silicon Via, 실리콘 관통 전극) 기술로 12단까지 적층한 메모리다. 해당 제품은 지난달 엔비디아의 연례 개발자 콘퍼런스 ‘GTC(GPU Technology Conference) 2024’에서 공개되어 고객들로부터 뜨거운 반응을 받기도 했다.

이에 뉴스룸은 삼성전자 HBM을 담당하는 상품기획실 김경륜 상무와 DRAM개발실 윤재윤 상무를 만나 보았다. 두 담당자의 인터뷰를 통해 기술 혁신을 이끄는 삼성전자의 HBM을 들여다보자.

삼성전자는 2016년 업계 최초로 AI 메모리 시장의 막을 연 이래 독보적인 기술 노하우를 바탕으로 AI 반도체 생태계를 확장해 왔다. 초격차 기술력으로 무한한 가능성을 열어 온 삼성전자가 그려 갈 앞으로의 미래가 기대된다.

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삼성전자는 지난해 화성캠퍼스에 EUV(Extreme Ultraviolet, 극자외선) 라인을 건설을 시작하며 최첨단 반도체 미세공정 기술 리더십 확보에 나섰는데요.

7나노부터 최근 개발이 완료된 5나노 공정까지, EUV 노광 기술을 적용한 초미세 파운드리 공정 성과를 카드뉴스로 확인하세요.

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오늘은 임직원 개개인의 건강을 책임지는 삼성전자 DS부문 나노시티 사내식당을 소개합니다.

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