삼성전자가 >업계 최초로 45나노 임베디드 플래시(embeded Flash 혹은 eFlash, 플래시메모리 내장형) >로직 공정 개발과 이를 적용한 스마트카드 IC 테스트 칩 개발에 성공했습니다.

>임베디드 플래시 로직 공정은 데이터를 제어하고 처리하는 시스템 반도체 회로안에 데이터를 기억하는 >플래시메모리 회로를 구현한 것으로 집적도와 전력효율을 높일 수 있어 가전, 모바일, 자동차 등 다양한 애플리케이션을 위한 제품에 적용할 수 있습니다.

이번에 개발에 성공한 >45나노 스마트카드 IC 테스트 칩은 기존 80나노 공정 제품 대비 >생산성이 높고 >소모전력은 25% 절감하면서도 내부 플래시 메모리에서 데이터를 읽어 오는 시간(>Random Access >Time)을 50% 줄인 제품입니다.

■ 업계 최고 수준의 신뢰성을 갖춘 플래시 메모리 셀 적용

특히, 플래시 메모리 한 셀(Cell)당 최소 100만 번 데이터 갱신이 (Endurance cycle)가능해 업계 최고 수준의 신뢰성을 확보했으며 상용화를 위한 내부 테스트도 마쳤습니다.

삼성전자는 설계·공정의 최적화 작업과 신뢰성 있는 기관의 보안성 테스트를 거쳐 >내년 하반기에 45나>노 임베디드 플래시 공정을적용한 스마트카드IC를 양산할 예정입니다.

■ 컨슈머/차량용 MCU 분야 파운드리/ASIC 사업에도 적용 예정

삼성전자는 이번에 개발한 45나노 임베디드 플래시 공정기술을 활용하여 >소비자 가전과 차량용 >MCU(Micro Controller Unit) 제품 분야의 파운드리/ASIC 고객에게도 경쟁력 있는 솔루션을 제공할 계획입니다.

삼성전자 >시스템LSI사업부 김태훈 상무는 “이번 >45나노 임베디드 플래시 로직 공정은 >스마트카드, NFC >등 다양한 보안 솔루션과모바일 제품에 적용이 기대된다”며 “다양한 제품군에서 첨단 공정을 우선 적용하여 >종합 모바일 솔루션 공급자로서의 입지를 강화할 것” 이라고 말했습니다.

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