업계 유일 1,200MB/s 쓰기 속도 구현한 512GB eUFS 3.1 본격 양산

‘512GB eUFS 3.1’은 기존 512GB eUFS 3.0 보다 약 3배 빠른 연속 쓰기 속도(1,200MB/s)로 FHD(5.0GB 기준) 영화 1편을 약 4초만에 저장할 수 있습니다.

이는 SATA SSD를 탑재한 PC의 데이터 처리속도(540MB/s)보다 2배 이상, UHS-I 마이크로SD 카드 속도(90MB/s) 보다 10배 이상 빠릅니다.

이번 제품의 연속 읽기 속도는 2,100MB/s, 임의 읽기와 임의 쓰기 속도는 각각 100,000 IOPS(Input/Output Operations Per Second), 70,000 IOPS로 기존 ‘eUFS 3.0’ 제품보다 성능을 향상했습니다.

스마트폰에 ‘512GB eUFS 3.1’ 메모리를 탑재하면 8K 초고화질 영상이나 수백장의 고용량 사진도 빠르게 저장할 수 있어 소비자가 울트라 슬림 노트북 수준의 편의성을 체감할 수 있습니다.

또한 100GB의 데이터를 새 스마트폰으로 옮길 때 기존 eUFS 3.0 메모리 탑재폰은 4분 이상 시간이 걸렸지만, eUFS 3.1 탑재폰은 약 1분 30초면 충분합니다.

최고 스펙과 다양한 라인업으로 eUFS 3.1 시장 주도

삼성전자는 512GB, 256GB, 128GB 세가지 용량으로 구성된 ‘eUFS 3.1’ 제품 라인업으로 올해 플래그십 스마트폰 메모리 시장을 선점할 계획입니다.

삼성전자 메모리사업부 전략마케팅실 최철 부사장은 “메모리 카드의 성능 한계를 뛰어넘은 eUFS 3.1을 본격 양산함으로써 소비자들이 스마트폰에서 데이터를 저장할 때 느꼈던 답답함을 말끔하게 해결했다”며, “올해 모바일 제조사들이 요구하는 물량을 계획대로 공급할 수 있도록 모든 준비를 해 나갈 것”이라고 밝혔습니다.

한편 삼성전자는 평택캠퍼스 P1 라인에서 생산중인 5세대 V낸드를 6세대 V낸드로 본격 전환하고, 최근 첫 제품 출하식을 가진 중국 시안(西安) 신규 2라인(X2)에서도 5세대 V낸드 양산을 시작해 플래그십 스마트폰에서 하이엔드 스마트폰 시장까지 본격 공략할 계획입니다.

[참고]

□ 내장형 메모리 성능 비교

[제품 이미지]

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■ 최대 용량, 최고 속도 구현한 12기가비트 LPDDR4 D램 본격 양산

삼성전자는 최신 독자 설계기술과 업계 유일의 20나노 공정기술을 적용해 용량과 성능을 더욱 높인 12기가비트 대용량 LPDDR4 (Low Power Double Data Rate4) D램을 이달부터 본격 양산하기 시작했습니다.

이번 12기가비트 모바일 D램은 대용량, 초고속 특성뿐만 아니라 낮은 소비전력과 높은 신뢰성, 디자인 편의성까지 갖춘 제품으로 차세대 모바일기기 개발을 위한 최고의 메모리 솔루션을 제공합니다.

특히 작년 12월 양산을 시작한 2세대(20나노) 8기가비트 LPDDR4 D램보다 용량을 50% 향상시키면서도 속도는 30% 이상 높인 4,266Mbps를 구현해 최신 고속 PC용 D램보다 2배 빠르며, 소비 전력은 20%나 줄였는데요.

또한 1세대(20나노급) 8기가비트 LPDDR4 D램보다 생산성을 50% 이상 높임으로써 플래그십 스마트폰과 태블릿 등 최신 모바일기기의 대용량 D램에 대한 수요 증가세를 견인할 것으로 기대됩니다.

■ 칩4개로 6GB 구현. 차세대 D램 시장 선점으로 프리미엄 메모리시장 지속 주도

이번 12기가비트 D램은 칩 하나로 1.5기가바이트(GB)의 대용량 메모리를 구성할 수 있고, 업계 유일하게 칩 4개를 쌓아 올려 차세대 모바일기기에 탑재될 초대용량 6기가바이트 모바일 D램 패키지를 만들 수 있습니다.

‘6기가바이트 LPDDR4’는 최신 OS기반 태블릿PC에서 최고 성능을 구현하고 배터리 사용시간까지 늘릴 수 있어 소비자들이 더욱 빠르고 편리하게 초고화질 영상을 보거나 편집할 수 있게 도와줍니다. 특히 6기가바이트 패키지는 독자 개발한 초소형 설계 기술을 적용해 기존 3기가바이트 패키지와 크기•두께를 동일하게 할 수 있어 차세대 모바일기기의 디자인 편의성과 생산 효율성을 극대화했습니다.

한편 삼성전자는 12기가비트 LPDDR4 D램에 기반한 올인원(All-In-One) 메모리 솔루션을 통해 모바일 메모리의 사업 영역을 기존 스마트폰, 태블릿 시장을 넘어 울트라슬림PC, 디지털 가전, 차량용 메모리 시장까지도 확대한다는 전략입니다.

삼성전자 메모리사업부 전략마케팅팀 최주선 부사장은 “12기가비트 D램 양산으로 글로벌 IT 고객들이 사용 편의성을 더욱 높인 차세대 시스템을 출시하는 데 기여했다”며, “앞으로도 다양한 분야의 고객들과 기술 협력을 확대하고 용량과 성능을 한 단계 높인 모바일 D램을 선행 출시해 새로운 IT 시장을 창출해 나갈 것”이라고 강조했습니다.

향후 삼성전자는 12기가비트 LDDR4 D램 기반의 고용량 라인업을 확대해 20나노 D램 라인업(12/8/6/4Gb)의 제품 경쟁력을 강화하는 한편, 차세대 신제품을 적기에 출시해 프리미엄 메모리 시장의 성장세를 주도하고 차별화된 사업 위상을 구축해 나갈 예정입니다.

■ 삼성전자 대용량 모바일 D램 양산 연혁

• 2009년 256MB (50나노급 1기가 MDDR, 400Mb/s)
• 2010년 512MB (40나노급 2기가 MDDR, 400Mb/s)
• 2011년 1GB/2GB (30나노급 4기가 LPDDR2, 1066Mb/s)
• 2012.8월 2GB (30나노급 4기가 LPDDR3, 1600Mb/s)
• 2013.4월 2GB (20나노급 4기가 LPDDR3, 2133Mb/s)
• 2013.7월 3GB (20나노급 4기가 LPDDR3, 2133Mb/s)
• 2013.11월 3GB (20나노급 6기가 LPDDR3, 2133Mb/s)
• 2014.12월 4GB (20나노 8기가 LPDDR4, 3200Mb/s)
• 2015.7월 3/6GB (20나노 12기가 LPDDR4, 4266Mb/s)

■ 삼성전자 미국 CES(Consumer Electronics Show) 수상 연혁

메모리 업계 유일 3년 연속 Embedded Tech.부문 혁신상 수상
• 2013.1월 2GB LPDDR3 (30나노급 모바일 D램)
• 2014.1월 3GB LPDDR3 (20나노급 모바일 D램)
• 2015.1월 4GB LPDDR4 (20나노 모바일 D램)

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■ 14나노 공정 적용, 고성능, 저전력, 고생산성 확보

14나노 로직(Logic) 공정은 20나노 공정보다 성능이 20% 향상되고 소비전력은 35% 감소할 뿐만 아니라 생산성도 30% 개선되는 고성능, 저전력, 고생산성의 특징을 갖춘 최첨단 기술의 집약체입니다. 삼성전자는 기존 20나노 공정에서 사용하고 있는 평면(Planar) 구조의 한계를 극복하기 위해 3차원 트랜지스터 구조의 핀펫 공정을 적용해 트랜지스터의 성능 향상은 물론 공정미세화를 통한 경쟁력을 확보하는데 성공했는데요.

삼성전자는 2000년대 초반부터 핀펫 공정 연구를 시작해 2003년 IEDM(International Electron Device Meeting, 국제전자소자회의)에서 첫 논문 발표를 시작으로 핀펫 공정 관련 다양한 기술들을 발표해 왔으며 수십건의 특허를 확보했습니다.

■ 로직 공정 리더쉽 확보로 시스템LSI 사업 도약 발판 마련

삼성전자는 메모리 업계 최초로 3차원 V낸드 양산에 성공하는 등 3차원 반도체 공정분야의 축적된 기술력을 바탕으로 로직 공정분야에서도 최고 성능의 3차원 핀펫 구조를 완성했습니다.

이번 14나노 모바일 AP 양산을 통해 삼성전자는 메모리 반도체와 시스템 반도체 모두에 3차원 반도체 공정을 적용해 미래 ‘3차원 반도체 시대’를 선도함으로써 메모리 반도체 사업에 이어 시스템 LSI 사업도 크게 도약시킨다는 계획입니다.

삼성전자 시스템LSI 사업부 전략마케팅팀 한갑수 부사장은 “삼성전자의 최첨단 로직 공정 기술은 업계 최고 수준이며, 이번 14나노 모바일 AP 공급으로 고사양 스마트폰의 성능 향상이 가능해 향후 신규수요 확대에 긍정적인 영향을 미칠 것”이라고 밝혔습니다.

삼성전자는 14나노 핀펫 공정을 ‘엑시노스 7 옥타’ 시리즈 신제품에 처음 적용하고, 올해 다양한 제품으로 확대해 나갈 계획입니다.

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삼성전자가 세계 최초로 20나노(1나노: 10억분의 1미터) 8기가비트(Gb) GDDR5(Graphics Double Data Rate 5) 그래픽 D램 양산을 시작했습니다.

■ 초당 DVD 12장 데이터 전송하는 초고속 솔루션 제공

이번 제품은 기존 4기가비트 GDDR5 D램(속도 7Gb/s)의 용량, 속도 한계를 극복해 업계 최대 용량인 8기가비트와 최고 속도인 8Gb/s를 최초로 구현했습니다. 8기가비트 GDDR5 그래픽 D램은 게임 콘솔 최대 용량인 8기가바이트(GB) 용량의 D램을 단 8개의 칩만으로 구성할 수 있는 대용량 D램입니다. (8기가비트 = 1기가바이트)

또한 일반 노트북에 8기가비트 칩 2개로 2기가바이트 그래픽 메모리를 구성하면 데이터 처리속도가 빠른 만큼 모니터 해상도를 높이고 소비전력을 낮출 수 있을 뿐만 아니라 칩의 실장 면적을 절반으로 줄여 더욱 슬림한 노트북 디자인이 가능합니다.

특히 일반 D램(1,866Mb/s)보다 4배 이상 빠른 8Gb/s의 속도로 동작하는 2개의 칩이 각각 32개의 정보출입구(I/O)를 통해 초당 64기가바이트의 데이터를 처리할 수 있는데요. 이는 풀HD급 DVD 12장 정도의 데이터로, 초고화질(UHD) 컨텐츠를 더욱 부드럽고 선명하게 표현할 수 있습니다.

■ 향후 8Gb 이상의 초대용량 D램 출시로 프리미엄 시장 선점

한편 삼성전자는 업계에서 유일하게 양산하고 있는 20나노 8기가비트 D램으로 풀 라인업을 구축하고 지난 해 서버, 모바일 등 프리미엄 시장을 선점한 데 이어 금년에 그래픽 시장은 물론 노트북 등 보급형 IT시장까지 본격적으로 공략한다는 전략입니다.

삼성전자 메모리사업부 전략마케팅팀 최주선 부사장은 “이번 8Gb 그래픽 D램의 양산으로 게임 콘솔은 물론 일반 노트북까지 최고의 그래픽 솔루션을 제공하게 되었다.”며 “향후 20나노 D램 공급을 지속 확대해 글로벌 고객 수요 증가에 차질 없이 대응하고 프리미엄 메모리 시장의 성장세를 높여 나갈 것”이라 밝혔습니다.

향후 삼성전자는 8기가비트보다 큰 초고용량 D램을 출시해 프리미엄 시장을 선점하고, 20나노 6기가•4기가비트 D램 라인업을 연이어 출시하여 전체 D램 시장에서 20나노 D램의 비중을 지속적으로 높여 나갈 예정입니다.

☞ 삼성전자, 세계 최초 차세대 20나노 8기가비트 모바일 D램 양산
☞ 삼성전자, 세계 최초 ’20나노 8기가 DDR4 서버 D램’ 양산
☞ 삼성전자, 세계 최초 ’20나노 4기가비트 D램’ 양산
☞ 삼성전자 GDDR5 D램 미래창조과학부장관상 수상, 대한민국 멀티미디어 기술대상 시상식 현장

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삼성전자는 이 달부터 카드 타입의 ‘3.2테라바이트(TB) NVMe SSD'(SM1715) 제품을 양산하기 시작했습니다.

■ 3차원 V낸드 탑재로 본격적인 ‘3테라바이트 NVMe SSD 시대’ 열어

이번 NVMe SSD는 3차원 V낸드 플래시를 탑재하고 카드타입의 폼펙터를 새롭게 적용함으로써, 기존 1테라바이트 용량에 머물렀던 2.5인치 SSD의 용량 한계를 극복하고 ‘3테라바이트 V낸드 SSD 시대’를 연 것 입니다.

특히 SM1715는 카드타입을 적용함으로써, 지난 8월 미국에서 열린 ‘2014 플래시 메모리 서밋’에서 가장 혁신적인 플래시 메모리 제품으로 선정된 2.5인치 ‘1.6테라바이트 NVMe SSD’ XS1715에 비해서도 용량을 2배 높인 고용량 차세대 SSD 제품입니다.

이로써 삼성전자는 V낸드 SSD 라인업을 기존 PC용 SATA SSD에서 초고속 NVMe SSD까지 크게 확대했으며, 이번 NVMe SSD는 기존 SATA SSD에 비해 5배 이상 빠른 초당 3,000MB의 연속읽기 속도와 7배 이상 빠른 750,000 IOPS의 임의읽기 속도를 구현했습니다.

■ 차세대 V낸드 SSD 출시로 향후 기업향 SSD 시장의 성장세 주도

삼성전자는 기업향 NVMe SSD 라인업으로 기존 2.5인치 형태의 800기가바이트, 1.6테라바이트에 더해 카드 타입의 1.6테라바이트, 3.2테라바이트 등 총 4가지 제품을 다양하게 공급합니다.

삼성전자 메모리사업부 마케팅팀장 백지호 상무는 “3차원 낸드를 탑재한 최고 용량의 차세대 NVMe SSD를 출시함으로써 고용량 SSD 시장을 대폭 확대시킬 수 있게 되었다”며, “향후 차세대 V낸드에 기반한 ‘고성능•고용량•고신뢰성’의 다양한 SSD 솔루션을 고객에게 제공해 나갈 것”이라고 강조했습니다.

삼성전자는 2013년 이후 현재까지 업계에서 유일하게 3차원 V낸드 플래시를 탑재한 PC향, 데이터센터향 SATA SSD 제품을 출시했고, 이번에 차세대 기업향 NVMe SSD를 출시함으로써 독보적인 V낸드 기술을 바탕으로 SSD 사업을 더욱 확대할 나갈 예정입니다.

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업계 유일하게 3D V낸드(V-NAND)를 양산하고 있는 삼성전자는 1세대 V낸드보다 30% 이상 적층 수를 높인 2세대 V낸드를 양산하며 다시 한 번 3차원 V낸드 메모리 기술 격차를 확대했습니다.

■ 1세대 24단보다 적층 수를 높인 2세대 32단 3D V낸드 양산

2세대 3D V낸드는 신규설비 투입 없이 기존 1세대 설비를 그대로 활용해 양산이 가능하며 적층 수만 높임으로써 집적도를 향상시켜 원가 경쟁력을 크게 향상시킬 수 있습니다.

삼성전자는 작년에 1세대 3D V낸드 기반의 데이터센터용 SSD를 출시해 3차원 메모리 시장을 처음 창출한 데 이어 금년에는 2세대 3D V낸드 기반의 프리미엄 PC용 SSD를 출시해 ‘3차원 메모리 대중화 시대’를 열었는데요.

이번에 출시한 프리미엄 PC용 SSD 라인업(128/256/512기가바이트, 1테라바이트)은 기존 평면구조 MLC(2bit/Cell) 낸드플래시 기반 SSD 대비 신뢰도 수명을 2배 늘리면서도 전력 소비량은 20% 절감했습니다.

삼성전자는 향후 2세대 V낸드 기술을 기반으로 ‘높은 신뢰성’의 프리미엄 SSD와 ‘대용량’ SSD 등 다양한 고객의 요구를 동시에 만족시킬 수 있는 라인업을 적기에 출시할 계획입니다.

삼성전자 메모리사업부 전략마케팅팀장 전영현 부사장은 “데이터센터 시장에 이어 PC 시장까지 주도할 최적의 3D V낸드 SSD 라인업을 출시했다’며, “향후에도 글로벌 IT 고객들에게 더욱 뛰어난 성능의 대용량 V낸드 SSD를 적기에 제공함으로써 V낸드 대중화 시대를 본격적으로 주도할 것”이라고 강조했습니다.

한편 시장 조사기관 가트너는 세계 메모리 시장이 올해 755억불에서 ’17년 797억불로 지속 성장하고, 그중 낸드플래시
시장이 446억불로 50% 이상의 비중을 차지하며 메모리 시장 성장을 주도할 것으로 전망하고 있습니다.

삼성전자는 앞으로도 독자기술을 적용한 3차원 낸드 제품을 계속 출시하며 메모리 반도체 시장을 선도해 나갈 예정입니다.

■ 세계 낸드시장 전망 (가트너, 억불)

■ 세계 SSD시장 전망 (가트너, 억불, 백만대)

☞ 삼성전자 ‘3차원 수직구조 낸드플래시’, 2013 대한민국 기술대상 수상!

☞ 발상의 전환을 통한 혁신 기술, 3차원 수직구조 낸드플래시

☞ 삼성전자, 세계 최초 3차원 수직구조 낸드(3D V-NAND)플래시 메모리 양산

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3비트 낸드플래시는 데이터 저장 최소 단위인 셀(Cell) 하나에 3비트를 저장하는 제품으로 2비트 제품보다 생산성을 크게 높일 수 있다는 점이 장점인데요.

지난 2012년 PC용 3비트 SSD를 세계최초로 양산한 데 이어 이달부터는 데이터센터용 제품을 본격 양산하며 ‘3비트 SSD 대중화’를 앞당겼습니다.

■ 데이터센터향 3비트 SSD 양산으로 고신뢰도 SSD 시장 공략

이번에 삼성전자가 출시한 ‘데이터센터향 3비트 SSD’는 10나노급 128기가 3비트 낸드플래시가 탑재된 제품으로 기존 2비트 SSD와 동등한 수준의 성능과 품질을 구현했습니다.

삼성전자는 지난 2012년 고성능 3비트 SSD(840 시리즈)를 출시한 후 지금까지 업계 유일하게 3비트 SSD를 양산하며 울트라 슬림 노트북 시장을 석권해 왔는데요.

또한, 지난해 글로벌 브랜드 SSD 시장에서는 1위를 차지하였으며, 금년에는 차세대 대규모 데이터센터향 3비트 SSD 시장에도 진출하는 등 놀라운 발전을 이루었습니다.

■ 2비트 SSD와 동등한 성능으로 고성능·고효율 IT 투자 솔루션 제공

삼성전자의 ‘데이터센터향 3비트 SSD’ PM853T SSD 제품은 3가지 용량(240, 480, 960기가바이트)으로 제공되어 고객의 니즈에 맞는 최적의 시스템 구성이 가능한 점 또한 특징인데요.

삼성전자 메모리사업부 전략마케팅팀장 전영현 부사장은 “고성능 3비트 SSD가 PC 시장에 이어 새롭게 데이터센터 시장까지 영역을 확대함으로써 본격적으로 3비트 SSD 대중화 시대를 열었다’며, “향후에도 글로벌 IT 고객들에게 더 높은 투자효율을 제공하는 차세대 대용량 SSD를 적기에 출시해 SSD 시장을 더욱 빠르게 성장시켜 나갈 것이다”라고 강조했습니다.

시장조사기관 아이서플라이는 세계 SSD 시장이 금액 기준으로 2013년 94억불에서 금년 약 124억불로 30% 이상 성장하고 2017년에는 200억불을 돌파하는 등 고성장을 이어 갈 것으로 전망했는데요.

향후 삼성전자는 글로벌 데이터센터, 서버고객들과 기술 협력을 강화하여 SATA 3비트 SSD보다 빠른 SAS 3비트 SSD도 새롭게 출시하여 SSD 전 제품 라인업(SATA, SAS, NVMe PCIe)을 구축할 예정입니다.

■ 참고

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