‘1y나노 공정’기반 세계 최소 칩 사이즈 ‘8Gb DDR4 D램’ 공급 개시

삼성전자는 지난 달부터 세계 최소 칩 사이즈의 10나노급(1나노 : 10억분의 1미터) 8Gb(기가비트) DDR4(Double Data Rate 4) D램을 양산하고 있습니다.

2016년 2월에 ‘1x나노(10나노급 1세대) 8Gb D램’을 양산하며, 본격적인 10나노급 D램 시대를 연 삼성전자는 21개월만에 또다시 반도체 미세공정 한계를 극복했습니다.

삼성전자는 차세대 극자외선(EUV) 노광장비를 사용하지 않고도 1세대 10나노급 D램보다 생산성을 약 30% 높여 글로벌 고객의 프리미엄 D램 수요 증가에 적기 대응할 수 있는 초격차 경쟁력을 구축했습니다.

삼성전자는 2012년에 양산한 2y나노(20나노급) 4Gb DDR3 보다 용량/속도/소비전력효율을 2배 향상한 이번 2세대 10나노급 D램 양산을 통해, 일부 응용처 제품을 제외하고 전면 10나노급 D램 양산 체제로 돌입할 계획입니다.

3대 혁신 공정 기술로 역대 최고 수준의 개발 난제 극복

이번 2세대 10나노급 D램 제품에는 ①’초고속ㆍ초절전ㆍ초소형 회로 설계’, ②’초고감도 셀 데이터 센싱 시스템 설계’, ③’2세대 에어 갭(Air Gap) 공정’ 등 3가지 첨단 혁신 공정이 적용됐습니다.

2세대 10나노급 D램은 ①’초고속ㆍ초절전ㆍ초소형 회로 설계’를 기반으로 기존 1세대 10나노급 D램 대비 속도는 10% 이상 향상됐고, 소비 전력량은 15% 이상 절감됐습니다.

②’초고감도 셀 데이터 센싱 시스템 설계’ 기술은 초정밀 전압차이 감지 시스템 개발로 셀에 저장된 데이터를 더욱 정밀하게 확인해 셀 데이터 읽기 특성을 2배 이상 향상시킨 기술입니다.

③’2세대 에어 갭(Air Gap) 공정’은 전류가 흐르는 비트라인(bit line) 주변의 미세 영역을 특정 물질 대신 절연효과가 뛰어난 공기로 채우는 공정 기술입니다.

이 기술을 통해 비트라인 주변에서 발생되는 불필요한 전하량을 최소화해 초고감도 셀 개발이 가능하며, 셀 배열의 집적도를 향상 시켜 칩 사이즈를 대폭 줄일 수 있습니다.

향후 1y나노 D램 라인업 지속 확대로 프리미엄 시장 주도

삼성전자는 이러한 첨단 혁신 공정 기술을 바탕으로 서버용 DDR5, 모바일용 LPDDR5, 슈퍼컴퓨터용 HBM3 및 초고속 그래픽용 GDDR6 등 차세대 프리미엄 D램 양산 기반을 업계 최초로 확보했습니다.

삼성전자 메모리사업부 진교영 사장은 “발상을 전환한 혁신적 기술 개발로 반도체의 미세화 기술 한계를 돌파했다.”며, “향후 1y나노 D램의 생산 확대를 통해 프리미엄 D램 시장을 10나노급으로 전면 전환해 초격차 경쟁력을 더욱 강화할 것”이라고 강조했습니다.

한편 삼성전자는 1y나노 D램 모듈의 CPU업체 실장 평가를 완료하고, 글로벌 주요 고객과 차세대 시스템 개발관련 기술 협력을 추진하고 있습니다.

또한 용량과 성능을 동시에 높인 10나노급 D램 라인업으로 서버, 모바일 및 그래픽 시장 등 프리미엄 메모리 시장을 지속 선점해 나갈 계획입니다.

[참고자료] 삼성전자 최첨단 D램 양산 연혁

• 2009.07월 40나노급 2Gb DDR3 양산
• 2010.02월 40나노급 4Gb DDR3 양산
• 2010.07월 30나노급 2Gb DDR3 양산
• 2011.09월 20나노급(2x) 2Gb DDR3 양산
• 2012.11월 20나노급(2y) 4Gb DDR3 양산
• 2013.11월 20나노급(2y) 6Gb LPDDR3 양산
(※ 2014.02월 20나노급(2y) 8Gb LPDDR4 양산)
• 2014.02월 20나노(2z) 4Gb DDR3 양산
• 2014.10월 20나노(2z) 8Gb DDR4 양산
• 2014.12월 20나노(2z) 8Gb LPDDR4 양산
• 2014.12월 20나노(2z) 8Gb GDDR5 양산
• 2015.08월 20나노(2z) 12Gb LPDDR4 양산
• 2016.02월 10나노급(1x) 8Gb DDR4 양산
• 2016.09월 10나노급(1x) 16Gb LPDDR4/4X 양산
• 2017.11월 10나노급(1y) 8Gb DDR4 양산

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용량 2배 늘리고 고성능 유지해 모바일기기 사용자 편의성 향상

2015년 1월 스마트폰용 ‘128GB eUFS’ 양산으로 UFS 시장을 창출한 삼성전자는 2016년 2월 ‘256GB eUFS’에 이어 지난달 업계 유일하게 512GB eUFS 라인업을 출시해 21개월만에 모바일기기의 내장 메모리 용량을 2배로 높였습니다.

이번 ‘512GB eUFS’는 고성능 64단 512Gb V낸드를 8단 적층하고 전용 컨트롤러를 탑재해 하나의 패키지로 만든 제품으로, 기존 48단 256Gb V낸드기반의 256GB 제품 대비 용량은 2배 늘리고 크기는 동일하게 유지했습니다.

64단 512Gb 3bit V낸드는 자체 개발한 고성능 컨트롤러를 통해, 가상의 주소를 물리적 주소로 보다 빠르게 변환할 수 있는 ‘초고속 매핑 기술’과 셀이 2배로 증가하면서 늘어나는 소비전력량을 최소화하기 위한 ‘초절전 기술’ 등 최첨단 독자 기술 적용으로 성능과 안정성을 극대화했습니다.

‘UHD 동영상 10분짜리 130편 이상 녹화’ 초고해상도 촬영에 최적화

기존 스마트폰에서 주로 사용되는 64GB eUFS의 경우 4K UHD(3840×2160) 모드로 10분짜리 동영상 13편을 촬영할 수 있으나, 512GB eUFS는 130편을 연속 녹화할 수 있습니다.

또한 내장 메모리 중 최대 용량이면서 최고 수준의 성능을 구현했습니다.

*연속 읽기 속도 860MB/s, 연속 쓰기 속도 255MB/s,

임의 읽기 속도 42,000 IOPS(Input/Output Operations Per Second), 임의 쓰기 속도 40,000 IOPS를 구현

소비자들은 이번 512GB eUFS 라인업을 통해 스마트폰에 저장된 5GB의 풀HD 영상을 기존 마이크로SD 카드보다 8배 이상 빠른 6초대에 SSD로 전송할 수 있습니다.

또한 임의 쓰기 속도가 마이크로SD카드(100 IOPS)보다 400배나 빨라 고품질 사진 연속 촬영이나 듀얼 화면에서 파일 검색과 동영상 다운로드 등 복잡한 작업을 버퍼링 현상없이 빠르고 더욱 부드럽게 처리할 수 있습니다.

삼성전자 메모리사업부 전략마케팅팀장 한재수 부사장은 “512GB eUFS는 모바일기기에서 속도 저하로 고용량의 마이크로SD카드를 사용할 수 없는 기술적 문제를 해결했다.”며, “512GB eUFS의 안정적 공급을 통해 글로벌 모바일 업체들이 차세대 제품을 적기에 출시하는 데 기여하게 되었다”고 밝혔습니다.

삼성전자는 주 양산 제품인 64단 256Gb V낸드의 생산을 지속 확대하고 있으며, 이번 출시한 512Gb V낸드 역시 양산 비중을 빠르게 늘려, 기업향 모바일 메모리 및 SSD 시장의 수요 증가에 적극 대응하고, 기존 소비자향 초고용량 SSD 및 메모리 카드 시장도 본격 확대해 나간다는 계획입니다.

※ 참고 자료: 내장형 메모리 성능 비교

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삼성전자와 퀄컴은 오랜 기간 동안 파운드리 분야에서 전략적 협력 관계를 유지해 왔으며 최근 14나노와 10나노 등 첨단 공정을 적용한 모바일 프로세서 양산에 이어 서버용 프로세서로까지 영역을 확대했습니다.

삼성전자 파운드리 사업부장 정은승 사장은 “고성능에 특화된 삼성전자 10나노 핀펫 공정 기술과 퀄컴의 최첨단 SOC 디자인이 결합된 서버 프로세서가 데이터센터 서버 시장의 판도를 바꿀 것으로 기대한다.”라고 말했습니다.

삼성전자는 2016년 10월 업계 최초로 양산을 시작한 10나노 로직 공정(10LPE)을 적용하여 퀄컴의 ‘스냅드래곤 835’를 생산한 데 이어 2017년 4월 10나노 2세대 공정(10LPP) 개발을 완료했습니다.

한편 삼성전자는 지난달, 성능과 안정성을 인정받은 10나노 기반의 8나노(8LPP) 공정도 개발하는 등 시장과 고객의 다양한 요구에 적극 대응하고 있습니다.

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역사 속 발견과 발명 이야기를 찾아가는 ‘그때 그 발견’입니다. 과학기술 분야에서는 지금 이 순간에도 놀라운 발견과 발명이 일어나고 있는데요. 역사 속 오늘 일어난 위대한 일은 과연 무엇일까요?

5월의 ‘그때 그 발견’ 주인공은 세계 최초의 우량 측정기 ‘측우기’입니다.

세계 최장 221년 강우 기록 분석, 세계 최초의 우량계 ‘측우기’

지금으로부터 약 600년 전인 1442년 5월, 세종대왕은 측우기를 각 지방으로 내려보내 측우기를 사용하게 했는데요. 이는 유럽 최초의 우량계 보다 무려 200여 년이나 앞선 것이었습니다. 기기를 사용해 비의 양을 측정하는 방법이 처음 시작된 날로, 그야말로 기상학의 새로운 장을 연 역사적인 사건이었는데요.

이후 측우기는 농민의 삶에서 매우 중요한 역할을 하게 됐습니다. 농경 사회였던 조선시대에서 강우량은 농사의 풍년 또는 흉년과 직결됐기 때문입니다. 측우기 발명 전에는 각 지방의 강우량의 분포를 알아내는 것이 매우 어려웠는데요. 흙 속에 어디까지 빗물이 스며들었는지를 일일이 조사해 보아야 하는데, 이때 흙의 상태가 동일하지 않아 강우량을 정확히 알아낼 수가 없었던 것입니다. 반면 측우기는 일정 기간 동안 측우기 속에 괸 빗물의 깊이를 측정하기 때문에 정확한 강우량 측정이 가능했습니다.

측우기는 지름 약 15cm, 높이 약 32cm의 원통으로 되어 있는데, 여기에 괸 물의 깊이는 자로 측정했습니다. 또한 모서리에 각이 져있지 않은 원형 모양으로 만들고, 빗물이 튀어 들어가지 않도록 대 위에 올려놓고 비를 받아 정확한 양을 계량할 수 있도록 했는데요. 이 방법은 지금의 단위로 보아도 약 2mm 단위까지 측정될 만큼 거의 완벽하다고 합니다.

측우기에 의한 강우량의 측정은 전국적으로 시행돼 과학적인 방법으로 정확히 기록, 보존되었는데요. 조선시대 세종 때부터 이미 전국적으로 빗물의 양을 측정하는 네트워크가 만들어졌던 것이죠.

이를 통해 연중 강우량, 가뭄, 홍수 등 주기적으로 일어나는 기상의 변화를 미리 예측할 수 있게 되었고, 나아가서 동북아시아 및 세계 기상의 변화를 예측하는데 사용되는 소중한 사료가 되고 있습니다.

우리나라에서는 세계 최초의 우량계인 측우기 발명을 기념하기 위해 5월 19일을 ‘발명의 날’로 제정했는데요. 발명의 날은 1957년 제정된 이후 1973부터 1981년까지 8년간 중단됐다가 1982년 부활해 올해로 52회를 맞이했습니다.

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한 차원 높은 ‘4기가바이트 모바일 D램 시대’ 열어

’20나노 8기가비트 LPDDR4′ 모바일 D램은 1기가바이트(8Gb = 1GB) 칩 4개로 모바일 D램 최대 용량인 4기가바이트를 구성할 수 있는 제품으로 기존 LPDDR3 제품보다 2배 빠르게 데이터를 처리하면서도 소비전력을 최대 40% 절감할 수 있습니다.

특히 삼성전자는 내년 미국 라스베이거스에서 열리는 ‘CES 2015’에서 ‘4기가바이트 LPDDR4 모바일 D램’으로 혁신상을 수상하며, 메모리 업계에서는 유일하게 모바일D램으로 3년 연속 혁신상을 수상하는 영예을 차지하게 되었는데요. 이를 통해 다시 한 번 차별화된 기술 경쟁력을 인정받게 되었습니다.

‘8기가비트 LPDDR4’는 독자 개발한 LVSTL(Low Voltage Swing Terminated Logic) 기술로 일반 PC D램(1,600Mb/s) 보다 2배 빠른 3,200Mb/s로 데이터를 처리해 UHD급의 동영상과 2천만화소 이상의 초고화질 사진을 연속으로 촬영할 수 있는 것이 특징입니다.

초고화질 대화면의 플래그쉽 모바일기기 시장 본격 확대

삼성전자는 지난 9월 20나노 6기가비트 LPDDR3 모바일 D램을 양산한지 3개월 만에 8기가비트 LPDDR4를 내놓으며 글로벌 모바일 고객들에게 한 차원 높은 ‘초고속, 초절전, 고용량’ 솔루션을 제공할 수 있게 되었습니다.

한편 삼성전자는 금년에 글로벌 모바일기기 제조업체들의 하이엔드(High-End) 제품 출시에 맞춰 2기가•3기가바이트 LPDDR4 D램을 동시에 공급하고, 내년에는 4기가바이트 LPDDR4 D램을 본격 공급해 업계 최대의 라인업을 더욱 확대할 예정입니다.

삼성전자 메모리사업부 전략마케팅팀 최주선 부사장은 “8기가비트 모바일 D램 양산으로 고객들이 차세대 플래그십

모바일 기기를 적기에 출시하는 데 크게 기여하게 되었다”며, “향후 글로벌 고객들과 기술 협력을 강화해 새로운 OS 환경에 최적화된 D램 솔루션을 한 발 앞서 제공할 것”이라고 강조했는데요.

삼성전자는 업계 유일하게 20나노 공정을 적용해 서버용, 모바일용 8기가비트 D램을 생산하고 있으며, 향후 20나노 D램 라인업의 생산 비중을 더욱 높여 사업 위상을 강화하고, 프리미엄 D램 시장의 성장세를 지속적으로 주도해 나갈 계획입니다.

[참고] 삼성전자 대용량 모바일 D램 양산 연혁

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■ ‘2비트 V낸드’에 이어 ‘3비트 V낸드’도 업계 최초 본격 양산

이번에 양산에 들어간 3비트 V낸드는 삼성전자가 올해 5월 세계 최초로 양산한 2세대(32단) 제품에 3비트 기술을 적용한 10나노급 128기가비트(Gb) 제품입니다.

현재 업계에서 유일하게 삼성전자가 양산하고 있는 V낸드 공정에 3비트 기술을 접목한 3비트 V낸드 양산에 들어감으로써 삼성전자는 플래시 메모리 시장에서의 압도적인 우위를 다시 한번 확인했습니다.

양산에 들어간 3비트 V낸드는 독자 기술인 3차원 CTF(Charge Trap Flash)셀을 32단으로 수직 적층한 2세대 V낸드 공정은 그대로 유지하면서 셀 하나에 저장되는 데이터 수를 기존 2개에서 3개로 늘려 셀 저장 용량을 1.5배 확대했다는 점이 특징입니다.

이에 따라 기존 10나노급 평면구조 낸드 제품보다 생산성이 2배 이상 향상됐습니다.

■ 향후 3비트 V낸드 기반 SSD로 HDD 시장 전환 가속화 전망

삼성전자는 작년 8월 ‘1세대(24단)’, 올해 5월 ‘2세대(32단)’ V낸드에 이어 이번에는 2세대 기반의 3비트 V낸드 양산 체제를 갖춤으로써 차세대 V낸드 기술 진화를 이끌며 독보적인 경쟁력을 강화해 나가고 있습니다.

지난 2012년 최초로 3비트 평면구조 낸드 기반의 SSD를 양산해 3비트 플래시메모리 시장을 선점한 삼성전자는 이번 3비트 V낸드 양산을 통해 낸드플래시 시장을 더욱 확대시켜 나간다는 전략입니다.

메모리사업부 전략마케팅팀 한재수 전무는 “3비트 V낸드는 HDD에서 SSD로의 시장 전환 추세를 더욱 가속화 할 것”이라며 “향후 3비트 V낸드 기반 고용량 SSD 출시를 통해 SSD 사업에서의 고성장세를 더욱 가속화 할 것”이라고 강조했습니다.

삼성전자는 3비트 V낸드의 본격 양산으로 기존의 고신뢰성 서버향 SSD에서 보급형 PC향 SSD까지 SSD 라인업을 대폭 늘려 나감으로써 V낸드 글로벌 시장을 확대해 나갈 계획입니다.

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삼성전자가 지난 12월부터 한국과 일본, 이번 달부터는 전 세계 소비자에게 본격적인 판매를 시작하는 1TB 840 EVO mSATA SSD(이하 mSATA SSD)입니다. 기존 2.5인치 SSD에 비해 1/4에 불과한 크기지만, 840 EVO의 최고 성능을 그대로 구현한 제품으로, 많은 미디어와 소비자로부터 크게 주목받고 있습니다. 울트라 슬림 노트북을 사용하는 분들이라면 특히 대용량, 고성능의 미니 SSD 출시를 애타게 기다렸을 텐데요. 작지만 더 빠르고 강력해진 성능의 작친소!(작은 친구를 소개합니다) 지금부터 시작해볼까요?

■ 크기는 1/4 무게는 1/12, 귀엽고 깜찍한 미니 SSD!

‘mSATA SSD’는 지난 8월부터 시판한 840 EVO SSD의 새로운 라인업으로, 크기는 2.5인치 SSD의 1/4에 불과합니다. 크기는 훨씬 작아졌지만 기존 2.5인치 제품과 동일한 1TB 용량과 고성능을 구현한 것이 특징입니다.

1TB mSATA SSD는 고성능 10나노급 128Gb 낸드플래시를 16단으로 적층한 대용량 250GB 패키지 칩 4개를 탑재해 업계 최초로 mSATA SSD 최대 용량을 구현했습니다. mSATA SSD는 1TB의 큰 용량을 3.85mm 두께 안에 담아 날씬함을 더했는데요, 이는 2.5인치 HDD 표준 두께인 9.5mm의 절반도 안 되는 수준입니다.

그렇다면 이렇게 얇은 두께를 자랑하는 mSATA SSD의 몸무게는 얼마일까요? 바로 8.5g! 기존 HDD의 1/12 수준이랍니다. 기동성이 중요한 초슬림, 초경량 울트라북에 mSATA SSD가 딱 어울리는 이유, 잘 아시겠죠?

이런 작은 사이즈에도 지금까지 판매된 SATA SSD중에서 최고 성능을 구현한 것은 고성능 128Gb 낸드플래시는 물론 낮은 소비전력의 컨트롤러와 고성능 1GB LPDDR2 D램을 탑재했기 때문입니다.

■ 1TB 840 EVO mSATA SSD의 반전매력, 작지만 강력한 성능!

그렇다면 mSATA SSD의 반전매력, 성능은 어느 정도 강력할까요? mSATA SSD는 ‘고속쓰기(TurboWrite)’ 기술을 채용해 랜덤 읽기/쓰기 속도 98,000/90,000 IOPS(Input Output Per Second), 연속 읽기/쓰기 속도 540/520 MB/s(Megabyte Per Second)의 높은 성능을 구현해 더욱 원활한 멀티태스킹 작업이 가능한데요.

특히 노트북에 mSATA SSD를 장착하고 함께 제공되는 프로그램인 ‘삼성 매지션 4.3’을 설치하면 RAPID 모드(Real-time Accelerated Processing of I/O Data Mode)를 구현할 수 있는데요, 1TB의 경우 1,000MB/s 이상의 연속 읽기 쓰기 속도가 구현되고, 낮은 용량인 250GB에서도 연속 쓰기 속도는 1,000MB/s 이상은 믈론 읽기 속도도 750MB/s를 유지합니다.

이는 기존 SATA 인터페이스의 이론적 한계 속도인 600MB/s보다 약 2배 빠르고, HDD보다는 무려 10배나 빠른 슈퍼스피드랍니다.

이로써 소비자들은 기존에 사용하던 울트라 슬림 노트북이나 미니 데스크탑에 ‘mSATA SSD’를 추가 장착해 성능을 크게 향상시킬 수 있게 됐는데요, 기존 2.5인치 SSD나 HDD는 그대로 사용하면서 새롭게 1TB의 추가 저장 용량을 확보함은 물론, 기존보다 무려 2배에서 10배 빨라진 속도로 더욱 쾌적한 이용 환경을 체감할 수 있게 된 것입니다.

■ Samsung Data Migration을 통한 초간단 백업과 설치!

구슬이 서 말이라도 꿰어야 보배, 아무리 좋은 성능을 가진 SSD라고 해도 데이터를 옮기고 설치하는 과정이 어렵다면 누가 선뜻 도전할 수 있을까요? mSATA SSD는 마치 외장하드에 데이터를 백업하듯 초간단 백업이 가능한데요. 몇 번의 클릭으로 손쉽게 데이터를 백업할 수 있는 Samsung Data Migration을 사용하면 운영체제, 소프트웨어는 물론 백업파일까지 포함한 40GB 용량을 그대로 10분 안에 mSATA SSD로 옮길 수 있다는 사실!

또한 이번에 더욱 향상된 것이 보안기능인데요. 256비트 AES(Advanced Encryption Standard) 암호 기능을 적용해 세계 최고 수준의 데이터 보안이 가능한 것은 물론, 기업에서 주로 사용하는 고급 보안 솔루션인 TCG/Opal 및 윈도우8과 호환되는 eDrive(Encrypted Drive, IEEE1667 표준) 옵션 등 보안 수준을 한 단계 더 높였습니다. 따라서 보다 쉽고, 빠르고, 더욱 안전하게 SSD를 사용할 수 있게 되었답니다.

지금까지 작친소! 세계 최초로 고성능 1TB를 구현한 mSATA SSD를 소개해 드렸는데요. 1TB의 대용량과 빠른 성능, 그리고 울트라 슬림 노트북에 어울리는 작고 가벼운 사이즈까지 갖춘 840 EVO mSATA SSD! 앞으로 출시되는 고성능 울트라 슬림 노트북 가운데 1TB mSATA SSD가 탑재된 모델도 더욱 확대될 것으로 전망됩니다. 차세대 SSD 시장을 이끌어 갈 작지만 강한 친구 ‘840 EVO mSATA SSD’의 활약, 많은 기대 부탁 드립니다.

※ [참고] 840 EVO mSATA와 840 EVO 비교

☞ 삼성전자, 세계 최초 1테라바이트 미니 SSD 글로벌 런칭

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이로써 소비자들은 기존에 사용하던 최신 노트북에 ‘840 EVO 미니 SSD‘를 추가 장착해 노트북 성능을 대폭 향상시킬 수 있게 되었습니다.

■ 840 EVO와 동일한 성능의 ‘미니(mSATA) SSD’ 글로벌 런칭

지난 8월 출시한 ‘840 EVO(에보) SSD’의 새로운 라인업인 1테라바이트 ‘840 EVO 미니 SSD’는 기존 2.5인치 SSD의 1/4 크기에 동일한 용량과 성능을 구현한 것이 특징입니다.

1테라바이트 ‘840 EVO 미니 SSD’는 10나노급 128기가비트(Gb) 낸드플래시를 16단 적층한 패키지 칩 4개를 탑재해 업계 최대 용량을 구현함과 동시에 업계 최소 사이즈인 3.85mm 두께와 8.5g의 무게를 실현했는데요. 이는 2.5인치 하드디스크 표준 두께의 40%이며 무게도 1/12 수준에 불과합니다.

또한, ‘고속쓰기(TurboWrite)’ 기술을 채용해 랜덤 읽기와 쓰기 속도를 각각 98,000 IOPS(Input Output Per Second)와 90,000 IOPS로 구현했으며, 연속 읽기와 쓰기 속도도 각각 540MB/s(Megabyte Per Second)와 520MB/s의 높은 성능을 구현하여 더욱 원활한 멀티태스킹 작업을 가능하게 했습니다.

특히 기존 노트북에 1테라바이트 ‘840 EVO 미니 SSD’를 장착하고 ‘삼성 매지션 4.3’을 설치하면, RAPID 모드 (Real-time Accelerated Processing of I/O Data Mode)에서 기존 SATA SSD 대비 2배, HDD 보다는 10배 빠른 1,000MB/s 이상의 연속 읽기 속도를 구현하게 됩니다.

한편, ‘840 EVO 미니 SSD’ 시리즈는 120GB, 250GB, 500GB, 1TB 등 총 4가지 용량으로 출시 예정입니다.

■ 고성능 · 대용량 미니 SSD 시장 본격 확대로 신시장 창출

또한 ‘840 EVO 미니 SSD’ 시리즈는 256 비트(Bit) AES(Advanced Encryption Standard) 암호 기능을 적용해 세계 최고 수준의 데이터 보안이 가능하며, 특히 기업에서 주로 사용하는 고급 보안 솔루션인 TCG/Opal과 IEEE1667을 지원합니다.

삼성전자 메모리사업부 브랜드제품 마케팅팀장 김언수 전무는 “업계 최초로 1테라바이트 미니 SSD와 최적화된 소프트웨어를 동시 출시해 데스크탑 뿐만 아니라 울트라 슬림 노트북에도 SSD 탑재 용량과 성능을 대폭 높일 수 있게 됐다”며, “향후 품질과 신뢰성을 더욱 높인 차세대 제품과 소프트웨어 솔루션을 지속 개발해 소비자에게 더 큰 만족을 제공하고 브랜드 사업 역량을 지속 확대해 나갈 것” 이라고 말했습니다.

현재, 삼성 SSD를 구매한 고객들은 기존 데이터를 쉽고 안전하게 SSD로 옮겨 주는 ‘삼성 데이터 마이그레이션’과 원하는 모드를 설정해 컴퓨터의 성능을 최상의 상태로 유지시켜 주는 ‘삼성 매지션 4.3’을 무료로 다운로드해 사용할 수 있는데요. 각각의 프로그램은 윈도우 8과 완벽히 호환되고 세계 10개국의 언어를 지원합니다.

삼성전자는 향후에도 기존 SSD의 성능 한계를 뛰어 넘는 고성능 제품과 강력한 데이터 보호기능, 높은 내구성을 구현한 차세대 SSD를 출시해 글로벌 소비자 시장 1위를 지속 유지해 나갈 예정입니다.

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