‘삼성 파운드리 포럼 2018’은 팹리스 업계 고객사, 파트너사, 애널리스트 등 약 500명이 참석한 가운데 진행됐으며, 매년 확장되는 파운드리 시장 규모와 차별화된 기술력을 바탕으로 향후 파운드리 사업의 비전을 제시했습니다.

또한 주력 양산 공정인 14/10나노 공정, EUV를 활용한 7/5/4나노 공정에서 새롭게 3나노 공정까지의 로드맵을 공개하며, 향후 광범위한 첨단 공정 개발과 설계 인프라, SAFE(Samsung Advanced Foundry Ecosystem)의 지속 확장에 대해 발표했습니다.

삼성전자 파운드리 사업부 전략마케팅팀장 배영창 부사장은 “지난 한 해, EUV 공정을 적용한 포트폴리오를 강화하는데 주력해왔다”, “향후 GAA(Gate-All-Around)구조를 차세대 공정에 적용함으로써 단순히 기술 리더십을 선도할 뿐 아니라 좀 더 스마트하며 기기 간의 연결성을 강화한 새로운 시대를 열어갈 수 있으리라 기대한다”고 말했습니다.

‘삼성 파운드리 포럼 2018’은 이번 미국 포럼을 시작으로 6월 중국 상하이, 7월 한국 서울, 9월 일본 도쿄, 10월 독일 뮌헨으로 이어질 예정입니다.

※ 참고 1.주요 첨단 공정 □ 7LPP (7나노 Low Power Plus) : EUV 장비를 적용한 최초 로직 공정. 2018년 하반기 시험생산, 2019년 상반기 생산 목표로 개발 중 □ 5LPE (5나노 Low Power Early) : Smart Scaling으로 7나노 대비 면적 및 소비전력 축소 □ 4LPE/LPP (4나노 Low Power Early/Plus) : FinFET 을 적용한 마지막 공정, 5nm에서 Easy migration 지원 □ 3GAAE/GAAP(3나노 Gate-All-Around Early / Plus) : 차세대 트랜지스터 구조인 MBCFETTM을 최초 적용, 게이트 컨트롤 개선으로 성능 대폭 향상 ※ MBCFET (Multi Bridge Channel FET)은 FinFET 구조의 크기 축소와 성능 향상의 한계를 극복한 GAAFET(Gate All Around FET) 기술의 삼성전자 독자 브랜드 2.주요 응용처별 솔루션 □ HPC(High-Performance Computing) Solutions : 최첨단 데이터센터ㆍAI/머신러닝向 플랫폼 솔루션 제공 □ Connected Device Solutions : MCUㆍ전장용 솔루션 등 다양한 턴키 플랫폼

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