삼성전자는 “이번 인사는 불확실한 글로벌 경영 환경하에서 대내외 분위기를 일신해 반도체의 미래경쟁력을 강화하기 위한 선제적 조치”라고 밝혔다.

위촉업무 변경

삼성전자 미래사업기획단장 전영현 副會長
→ 삼성전자 DS부문장 副會長

삼성전자 대표이사 경계현 社長 겸)DS부문장, SAIT원장
→ 삼성전자 미래사업기획단장 社長 겸)SAIT원장

신임 DS부문장에 위촉된 전영현 副會長은 ’00年 삼성전자 메모리사업부로 입사하여 DRAM/Flash개발, 전략 마케팅 업무를 거쳐 ’14年부터 메모리 사업부장을 역임하였고 ’17年에는 SDI로 자리를 옮겨 5年間 SDI대표이사 역할을 수행하였으며 ’24年 삼성전자 미래사업기획단장으로 위촉되어 삼성전자/전자관계사의 미래먹거리 발굴역할을 수행해왔다.

경계현 社長은 ’20年부터 삼성전기 대표이사를 맡아 MLCC 기술경쟁력을 끌어올렸고 ’22年부터는 삼성전자 DS부문장으로서 반도체사업을 총괄하면서 쌓은 풍부한 경험을 바탕으로 미래 먹거리 발굴을 주도할 예정이다.

삼성전자는 “전영현 副會長은 삼성전자 메모리 반도체와 배터리 사업을 글로벌 최고 수준으로 성장시킨 주역으로 그간 축적된 풍부한 경영노하우를 바탕으로 반도체 위기를 극복할 것으로 기대한다”고 밝혔다.

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“대표이사님, 입사 3년 차인 제가 질문 하나 드리겠습니다. 혹시… MBTI 유형이…?”

‘S로그 – 삼성전자 반도체에 출근합니다’ 최초! 대표이사님을 만나 인터뷰를 진행한 패기 넘치는 주인공이 등장했습니다. 입사 3년차 ‘열정 삐약이’, 지원팀 경영지원그룹의 피정원 님인데요.

새벽 6시도 채 되지 않은 시간에 일어나 노트를 펼치고, 빼곡하게 적어 둔 필기 내용을 다시 공부하는 그녀. 출근해서는 반도체 시장 현황 파악 및 각종 재무제표, 주가 차트, 증권사 리포트 확인 등 본업 모드 On! 피정원 님은 이렇게 삼성전자 반도체 회사 내외부의 데이터를 분석해 경영진의 의사 결정을 지원하는 업무를 맡고 있습니다. 각 부서와 경영진을 이어주는 연결고리 역할을 하는 만큼, 이번 브이로그에서도 삼성전자 반도체에 궁금증을 가지고 있는 이들을 위한 오작교가 되어줄 예정이라고 하는데요.

생생한 업무 소개부터 대표이사 인터뷰, 경영지원그룹 동료들에게 들어본 직무 장단점 탐구까지. 역대급 알찬 콘텐츠를 자랑하는 이번 S로그, 함께 보실까요?

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현재의 속도로 지구 온난화가 지속되면 해수면 상승, 이상기후와 자연재해 등으로 인류의 생존을 위협하고, 수많은 생명체가 살아갈 터전을 잃게 될 텐데요. 이런 상황을 막기 위해 전 세계가 힘을 모으고 있습니다. 2015년에는 파리 기후변화협약을 통해 2050년까지 ‘탄소중립’과 ‘넷제로’를 달성하자는 목표를 정하고, 다양한 방법으로 이를 실천에 옮기고 있죠.

여기서 잠깐, 탄소중립과 넷제로?

탄소 배출을 줄이는 게 탄소중립인 것 같은데… 그렇다면 넷제로는? 어디선가 많이 본 용어지만 정확히 몰랐던 ESG 용어. 지금부터 달수가 짚어드립니다! 지난 시간 ‘ESG 경영’ 편에 이어 이번에는 탄소중립과 넷제로에 대해 마스터해 볼까요?

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깊이 파면 팔수록 쏟아지는 ESG 정보에 머릿속이 뒤죽박죽이라면, 삼성전자 반도체가 준비한 ‘ESG.zip’ 시리즈를 눈여겨보세요. 오늘부터 삼성전자 반도체의 재간둥이, 친절한 ‘달수’가 ESG 관련 소식을 전달해 줄 예정이라고 하는데요. 핵심만 쏙쏙, 누구나 쉽게 이해할 수 있는 용어사전으로 ESG 공부도 재미있게!

첫 회 주제는 ‘ESG 경영’입니다. 요즘 삼성전자 반도체를 포함한 많은 기업들이 ESG 경영을 전개하고 있죠. 그렇다면, ESG 경영이란 무엇을 말하는 것인지 달수의 설명을 함께 들어볼까요?

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20나노 D램은 2012년 삼성전자가 세계 최초로 양산한 25나노 D램보다 30% 이상, 30나노급 D램보다는 2배 이상 생산성이 높습니다.

■ 미세화 한계를 극복한 20나노 4기가비트 D램, 이 달부터 양산

삼성전자는 독자기술을 통해 기존 설비만으로도 20나노 D램 미세화 기술의 한계를 돌파하고 최소형 4기가비트 D램을 본격 양산함으로써 메모리 기술의 새로운 지평을 열었습니다.

삼성전자가 이번에 양산에 성공한 20나노 D램에 삼성전자의 신개념 ‘개량형 이중 포토 노광 기술’, ‘초미세 유전막
형성 기술’이 동시에 적용됐는데요.

낸드 플래시는 셀(정보저장의 최소단위)이 트랜지스터 하나로 구성되어 구조가 비교적 단순하지만, D램은 셀이 트랜지스터와 캐패시터 적층구조로 구성되기 때문에 20나노 공정 미세화가 더욱 어려웠습니다.

삼성전자는 이러한 D램 공정한계를 독자기술인 ‘개량형 이중 포토 노광 기술’을 통해 극복해 기존 포토장비로도 20나노 D램은 물론 차세대 10나노급 D램도 양산할 수 있는 기반기술을 마련한 것입니다.

또한 셀 캐패시터의 유전막을 형성하는 물질을 기존 나노단위에서 옹스트롬(10분의 1나노) 단위로 초미세 제어함으로써 균일한 유전막을 만들어 20나노에서도 우수한 셀 특성을 확보했습니다.

20나노 DDR3 D램 모듈은 PC에서 기존 25나노 대비 소비전력을 25% 절감할 수 있어 글로벌 IT 업체들에게 최고 수준의 ‘초절전 그린 IT 솔루션’을 제공합니다.

삼성전자 메모리사업부 전략마케팅팀장 전영현 부사장은 “저전력 20나노 D램은 PC 시장에서 모바일 시장까지 빠르게
비중을 확대하며 시장의 주력 제품이 될 것”이라며, “향후에도 차세대 대용량 D램과 그린메모리 솔루션을 출시해 글로벌 고객과 함께 세계 IT 시장 성장에 크게 기여할 것”이라고 밝혔습니다.

앞으로도 삼성전자는 10나노급 차세대 D램 제품을 선행 개발함으로써 반도체 기술의 한계를 극복하고 메모리 시장의 성장세를 지속적으로 주도할 계획이다.

한편 시장 조사기관 가트너에 따르면 세계 D램 메모리 시장은 올해 379억불로 작년 356억불 대비 20억불 이상 성장할 것으로 전망됩니다.

※ 참고 : 삼성 그린 메모리 홈페이지 (www.samsung.com/GreenMemory)

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