임직원의 건강과 국내 산업보건 발전을 위해 활발한 활동을 펼치고 있는 삼성전자 건강연구소가 지난 4월 11일~12일, 한국산업위생학회 춘계 학술대회에 참가했습니다.

한국산업위생학회(KSOEH, Korean Society of Occupational and Environmental Hygiene)는 우리나라의 산업위생학 발전과 근로자의 건강보호, 회원들의 역량 향상 등을 목적으로 1990년 창립된 학회입니다. 현재 약 2천명의 국내 산업위생/보건 전문가가 회원으로 활동 중이며, 1991년 학술대회를 시작으로 현재까지 매년 2회, 총 44회의 학술대회가 개최되었습니다.

지난 4월 창원대학교에서 ‘작업환경 측정제도의 질(Quality) 제고 방안’을 주제로 2013 춘계학술대회가 개최되었는데요, 약 450명의 회원 및 산업위생/보건전문가가 참석하여 최근 연구 내용을 공유하고 안전한 근무환경을 위한 발전적인 방향에 대해 논의하는 자리를 가졌습니다.

이번 학회에서 삼성전자 건강연구소는 반도체 제조 공정에 사용되는 화학물질, 작업자 노출수준 등에 대한 연구 결과를 발표하며, 많은 산업위생/보건전문가들의 이목을 끌었는데요,

이 날 건강연구소는 총 4개의 연구 결과를 공개했습니다. 건강연구소 최광민 박사는 ‘반도체 제조 공정설비 내에서 생성된 파우더 부산물 특성분석’을 주제로 특정 공정에서의 부산물에 대한 화학적 조성과 크기, 결정구조 등에 대해 발표했습니다. 이번 연구를 통해 특정 공정에서의 미지의 위험인자를 규명하고 건강영향에 대한 불확실성을 해소하였다는 긍정적인 평을 받기도 했습니다.

또한, 반도체 클린공정에서 주로 사용되는 DMAc 물질은 유해성 때문에 많은 학계 및 업계가 그 대체 물질을 연구해 왔는데요, 건강연구소 정현희 과장은 DMAc보다 독성이 낮은 물질로 대체한 과정을 발표해 많은 전문가의 관심을 받았습니다.

이틀간 진행된 이번 학회에는 건강연구소 이석원 과장과 안희철 과장의 연구 결과 또한 공개 되었는데요, ‘반도체 제조라인에서의 정성적 노출 재구성 연구’를 통해 과거 작업환경에 대한 안전성을 다시 확인할 수 있었고, 반도체 이온주입 공정에서의 부산물 형태와 유형을 분석해 작업환경 내 존재하는 미지의 유해인자를 규명할 수 있었습니다.

특히, 건강연구소는 이번 학회를 통해 모든 연구 과정과 결과를 공개해 많은 전문가의 긍정적 호응과 관심을 받았는데요, 이는 건강연구소가 우리나라 기업 최초의 산업보건 민간연구소로서, 국내 산업위생 및 보건 분야 발전을 위한 연구 활동들을 펼칠 것으로 기대되기 때문입니다.

오늘도 더욱 안전한 근무환경을 위해 노력하는 삼성전자 건강연구소. 앞으로도 건강연구소의 더욱 놀라운 활약을 기대해 주세요!

The post 삼성전자 건강연구소, 한국산업위생학회(KSOEH) 춘계 학술대회 참가 first appeared on 삼성전자 반도체 뉴스룸.

이 곳에서는 반도체 제조 현장에서 알려지지 않은 잠재적 위험 요소(Unknown Risk Factor)를 발견하고 개선하여 지속적으로 안전한 근무환경을 유지하기 위한 중·장기적인 연구과제를 수행하고 있습니다.

최근에 삼성전자 건강연구소에서 발표한 「CVD TEOS 공정 설비 내에서 생성된 부산물 특성 연구」논문이 세계적으로 권위 있는 산업환경보건학술지 JOEH(Journal of Occupational and Environmental Hygiene)에 게재되었습니다.

JOEH에 게재된 이번 논문 역시 TEOS(tetraethyl orthosilicate) 물질을 사용하는 CVD(Chemical Vapor Deposition, 화학기상증착) 공정에서 발생하는 파우더의 성분, 크기, 결정 구조 등을 분석하여 잠재적 위험 요소(Unknown Risk Factor)를 규명했습니다.

삼성전자 건강연구소는 작업환경 내 확인되지 않은 위험성을 파악하고 이를 학술적인 방법으로 검증받는 활동을 지속해 나가겠습니다.

■ CVD TEOS 공정 설비 내에서 생성된 부산물 특성 연구

1. 연구 배경
 반도체 제조공정에서 CVD(Chemical Vapor Deposition, 화학기상증착) 공정은 웨이퍼 표면에 기체 상태의 혼합물을 얇은 절연막으로 입혀 전기적인 특성을 갖게하는 방법입니다.TEOS(Tetraethyl orthosilicate) 물질은 이 공정에 적합한 특성을 가지고 있어 절연막(SiO₂film) 형성을 위해 가장 널리 사용하고 있는 물질입니다.

이번 연구에서는 반도체 CVD TEOS 공정에서 생성되는 파우더의 성분, 크기, 결정성 등의 분석을 통해 근무 환경의 잠재적 위험 요소(Unknown Risk Factor)를 규명했습니다.

2. 연구방법
AP CVD(Atmospheric Pressure CVD) 설비에서 유지보수 작업 시 배기 단에서 확인되는 파우더를 채취했습니다. 채취한 파우더는 전자현미경(SEM-EDS, TEM-EELS) 및 X-선 회절(XRD) 분석을 통해 화학적 조성, 크기, 형상 및 결정구조 등을 규명했습니다.

3. 연구결과

CVD 공정에서 생성된 파우더는 실리콘과 산소로 구성된 실리카(SiO₂)로 확인되었고, 그 외 다른 물질은 없는 것으로 확인되었습니다. 실리카(SiO₂)는 결정구조에 따라 독성이 다른데 본 공정에서 생성된 실리카(SiO₂)는 비결정성으로 확인되었습니다. 결정성 실리카는 발암성 물질로 만성적 폐질환을 일으킬 수 있으나, 비결정성 실리카는 폐에 거의 영향을 일으키지 않는 물질로 알려져 있습니다.

※ JOEH (Journal of Occupational and Environmental Hygiene, 10:1, D1-D5, 2013)에 게재된 건강연구소 연구 논문은 아래 링크에서 확인할 수 있습니다.
 JOEH_CVD TEOS 공정 설비 내에서 생성된 부산물 특성 연구.pdf

The post 건강연구소 「CVD TEOS 공정 설비 내에서 생성된 부산물 특성 연구」 JOEH 게재 first appeared on 삼성전자 반도체 뉴스룸.