스마트폰, 노트북, 컴퓨터 등의 전자 기기를 구매할 때 중요한 요소 중 하나는 용량이다. 128GB, 512GB, 1TB 등의 숫자는 메모리의 용량을 의미한다.

최근 전자 기기가 고성능화, 경량화됨에 따라 메모리 반도체 역시 고용량은 물론이고 소형화, 저전력 기술을 요구받고 있다. 이번 에피소드에서는 이러한 메모리 트렌드를 대표하는 솔루션, ‘UFS’를 소개한다.

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MAP 1. 전자 기기에서 필수 불가결한 존재

UFS를 자세히 이해하려면 먼저 플래시 메모리에 대해 알아야 한다. 플래시 메모리란, 비휘발성 메모리로, 전원이 꺼지면 정보를 모두 잃어버리는 D램이나 S램과 달리 전원이 끊겨도 데이터를 전기적으로 보존하는 것이 특징이다. 플래시 메모리는 반도체 칩 내부의 전자회로 형태에 따라 직렬로 연결된 낸드(NAND) 플래시와 병렬로 연결된 노어(NOR) 플래시로 구분된다.

낸드 플래시와 노어 플래시는 각 특성에 따라 다양한 반도체와 결합되어 서버, 모바일 기기, PC, 자동차 등에서 고성능 스토리지(저장 장치)로 활용된다.

그렇다면 플래시 메모리를 활용한 스토리지(저장 장치) 솔루션에는 어떤 것이 있을까? 먼저, 모터와 같은 기계적인 장치 없이 낸드 플래시에 데이터를 저장하는 SSD(Solid State Drive)가 있다. SSD는 빠른 데이터 접근 속도와 내구성으로 서버, 데이터센터, PC, 자동차 등에서 활용된다. 또한 고속 컨트롤러와 고성능 낸드 플래시를 결합해 작은 크기와 저전력을 갖춘 UFS(Universal Flash Storage)와 eMMC(embedded Multi Media Card)는 모바일, 웨어러블, 자동차 등에서 주로 사용된다. 더불어 스마트폰, 카메라, PC 등 여러 장치에서 고사양 콘텐츠의 원활한 작업을 돕는 SD카드와 마이크로 SD카드도 있다.

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MAP 2. eMMC와 UFS, 무엇이 다를까?

eMMC와 UFS 모두 고속 컨트롤러와 낸드 플래시를 결합한 솔루션이지만, 작동 원리에 차이가 있다. eMMC는 두 장치 간 데이터를 교대로 교환하는 ‘병렬식 통신’을 사용한다. 데이터를 한 번에 하나씩 읽거나 쓰는 방식이다. 반면, UFS는 데이터를 동시에 읽고 쓰면서 양방향으로 소통할 수 있는 ‘직렬식 통신’을 사용한다. eMMC는 단방향 도로, UFS는 양방향 도로에 비유할 수 있다.

eMMC는 병렬식 인터페이스로 만약 많은 양의 데이터를 더 빠르게 보내야 한다면 선 개수를 늘려야 하고, 선 하나라도 문제가 생기면 신호 노이즈가 생겨 전체 데이터를 주고받는 데 영향을 미칠 수 있다. 반면, UFS는 읽기와 쓰기 작업에 별도의 전용 경로가 있는 LVDS(Low-Voltage Differential Signaling) 직렬 인터페이스를 사용하기에, 동시에 읽고 쓰는 멀티태스킹이 가능하다. 이에 따라 eMMC보다 더 빠른 데이터 전송 속도를 제공한다.

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MAP 3. 점점 작고 강력해지는 UFS 세상

2015년, 삼성전자는 세계 최초로 스마트폰용 128GB UFS를 양산하며 초고속 UFS 시대를 열었다. 뒤이어, 2017년에는 업계 최초로 512GB UFS를 출시했다. 256GB UFS보다 용량을 2배 늘리면서, 손톱만 한 패키지의 크기(11.5 X 13 X 1.0mm)는 그대로 유지한 것이 특징이다. 이에 더하여 2022년에는 무려 1TB의 용량을 지닌 UFS 4.0 구현에 이르렀다.

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MAP 4. 모바일 경험을 확장하는 차세대 스토리지! UFS 4.0

UFS 4.0 메모리는 차세대 UFS 4.0 규격에 맞춰 더욱 대역폭이 향상된 솔루션이다. 가장 큰 장점은 연속 읽기/쓰기 속도다. 업계 최고 수준의 연속 읽기 속도 4,200MB/s, 연속 쓰기 속도 2,800MB/s를 제공하며, 데이터 전송 대역폭은 이전 세대(모바일용 UFS 3.1)의 2배인 23.2Gbps에 달한다.

이를 통해 대량의 고화질 사진을 한 번에 빠르게 확인하거나, 초고해상도 디스플레이에서 다양하고 복잡한 작업을 동시에 실행하더라도 빠르고 원활하게 처리할 수 있다. 이 모든 기능을 11 x 13 x 1.0mm의 작은 크기에 담았으며, 무려 1TB에 달하는 대용량을 지원한다. 또한 이전 세대 대비 약 45% 이상 개선된 전력 효율로 제공한다. 여기에 삼성전자는 세계 최초로 ‘UFS 4.0용 인터페이스 IP’ 기술을 개발해 UFS 4.0 규격을 지원하는 컨트롤러 칩에 적용했다. 해당 기술을 통해 고속 데이터 전송 시에도 오류가 발생하지 않는 에러 프리(error-free) 전송을 보장해 사용자의 모바일 경험을 더욱 향상시켰다.

* 인터페이스 IP: 효율적인 고속 네트워크 통신을 통해 원활한 데이터 이동을 돕는 기술

모바일 기기에선 보안 기능 역시 무척 중요하다. 많은 사용자들이 편리한 일상을 위해 모바일 기기에 은행 정보나 생체 인증 정보를 저장하여 사용하기 때문이다.

이에 따라 삼성전자 UFS에는 사용자 개인 정보와 중요 데이터를 보호하는 보안 기술이 포함되어 있다. 바로, RPMB(Replay Protected Memory Block)이다. RPMB는 중요한 데이터를 메모리의 특정 블록에 안전하게 저장하여 보호한다. UFS 4.0에는 Advanced RPMB 기술이 적용되어 이전 세대 대비 보안 데이터에 대해 약 1.8배 빠른 읽기, 쓰기가 가능하다.

이렇게 초소형, 저전력, 대용량, 높은 보안 기능까지 고루 갖춘 UFS 4.0은 스마트폰 등 모바일 기기뿐 아니라 AR·VR 기기, 자동차 등 광범위하게 확산될 것으로 예상된다.

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MAP 5. 인포테인먼트(IVI) 최적의 솔루션! 차량용 UFS 3.1

플래시 메모리는 모바일뿐 아니라 자동차에서도 필수적이다. 음악, 비디오, 내비게이션 등의 인포테인먼트 데이터를 저장하고, 차량 제어 시스템의 효율적인 운영 등에 사용되기 때문이다. 따라서 자동차에서 사용자 경험이 향상될수록 차량용 UFS의 성능 역시 중요해진다.

삼성전자는 2017년 업계 최초로 차량용 128GB UFS를 선보였으며, 2023년에는 업계 최저 소비 전력을 자랑하는 차량 인포테인먼트용 UFS 3.1 메모리를 양산했다. 해당 솔루션은 128GB, 256GB, 512GB 등의 다양한 제품군을 갖추었다. 특히 256GB 제품은 이전 세대보다 소비전력이 약 33% 개선되었으며, 연속 읽기 속도 2,000MB/s, 연속 쓰기 속도 700MB/s를 자랑한다. 이를 통해 자동차 배터리 전력을 효율적으로 운용할 수 있다.

차량용 반도체 시장에서는 제품의 성능뿐 아니라 안정성과 신뢰성도 중요하다. 삼성전자의 차량용 UFS 3.1은 영하 40℃에서 영상 105℃까지 폭넓은 온도 범위에서 안정적인 성능을 보장함으로써 차량용 반도체 품질 기준인 *AEC-Q100 Grade2를 달성한 바 있다. UFS 3.1은 차세대 자동차 시장 트렌드에 걸맞은 최적의 솔루션으로 기대를 모으고 있다.

* AEC-Q100(Automotive Electronic Council): 자동차 부품 협회에서 자동차 전자 부품에 대한 신뢰성 평가 절차 및 기준을 규정한 것으로, 전 세계에서 통용되는 기준. Auto Grade는 온도 기준에 따라 0~3단계로 나뉜다

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MAP 6. 삼성전자 메모리 기술로 나아갈 미래

ChatGPT와 같은 생성형 AI는 사용자의 요구에 따라 텍스트, 이미지, 동영상, 음악 등의 콘텐츠를 생성하는 데 많은 데이터를 필요로 한다. AI의 급격한 성장은 급진적인 메모리 발전을 요구하고 있으며, 이를 위해서는 DDR6, HBM4, GDDR7, UFS 5.0 등의 차세대 고대역폭, 저전력 메모리와 새로운 인터페이스, 첨단 패키지 등의 기술이 필요하다.

삼성전자는 이러한 요구를 반영하기 위해 미래 솔루션과 신사업 발굴을 지속 진행하고 있으며, 이를 통해 우리 일상 속 다양한 기기에서 더욱 편리하고 풍부한 사용자 경험을 제공할 예정이다.

모바일, 자동차 어디든 OK! 손바닥만 한 전자 기기에도 쏙 들어가는 작은 몸집으로 초고성능, 대용량을 지원하는 UFS에 대해 더 알아보고 싶다면 삼교시 탐구생활 ‘UFS’ 편을 참고해 보자.

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‘더 얇게, 더 가볍게’가 당연시되는 요즘이다. 대부분의 제품이 그러하지만, 특히나 PC나 노트북과 같은 IT 기기 시장에서는 이러한 요소가 큰 경쟁력 중 하나다. 이를 위한 솔루션으로 등장한 것이 바로 차세대 D램, ‘LPCAMM2(Low Power Compression Attached Memory Module)’다.

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MAP 1. 차세대 메모리를 위한 진전의 기록

얇고 가벼운 노트북을 만들기 위해 그동안 많은 시도가 이루어졌고, 온보드형 메모리와 SO-DIMM(Small Outline Dual In-line Memory Module) 메모리를 사용해 왔다.

SO-DIMM은 노트북이나 태블릿 PC에서 사용하는 메모리다. 탈부착이 가능하기 때문에 손쉽게 D램 용량을 늘릴 수 있지만, 공간을 많이 차지하고 열 관리가 어렵다는 단점이 있다.

반면, 온보드형 메모리는 메인보드에 붙어 있는 제품으로, SO-DIMM보다 전력과 공간 효율 면에서 우수하다는 특징이 있다. 다만, SO-DIMM과는 다르게 탈부착이 불가하고, 고장이 나면 메인보드를 통째로 교체해야 하여 SO-DIMM보다 많은 교체 비용이 든다. 이처럼 SO-DIMM과 온보드형 메모리는 각자의 장·단점이 뚜렷하다.

SO-DIMM과 온보드형 메모리의 단점을 보완하고 고성능·고용량 메모리 개발이 필요한 상황 속에서 게임 체인저로 등장한 것이 바로 LPCAMM2다.

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MAP 2. 모바일 D램의 새로운 역사, LPDDR

LPCAMM2를 알기 위해선 ‘LPDDR(Low Power Double Data Rate)’에 대한 이해가 우선이다. LPCAMM2 자체가 LPDDR 패키지 기반의 모듈 제품이기 때문이다. LPDDR은 저전력 특화 D램으로 스마트폰, 태블릿 PC 등 모바일 기기에 사용되는 메모리다.

삼성전자 반도체는 우수한 소비전력이 돋보이는 LPDDR을 개발하고, 세대에 따라 LPDDR2, LPDDR3, LPDDR4, LPDDR5, LPDDR5X 등을 연이어 양산했다. 그리고 지난해 9월, 삼성전자 반도체는 업계 최초로 LPDDR5X 기반 LPCAMM2를 개발하며, 새로운 폼팩터 시장을 개척했다.

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MAP 3. LPCAMM2으로 D램의 패러다임을 바꾸다

LPCAMM2는 LPDDR 패키지를 여러 개 묶은 차세대 고용량 모듈로, 뛰어난 성능과 공간 절약, 효율적인 전력 관리를 자랑한다.

앞서 언급한 SO-DIMM과 비교해 보면, LPCAMM2의 장점이 더 확연히 드러난다. LPCAMM2에 비해 금속 커넥터가 차지하는 비중이 적은 SO-DIMM은 커넥터에 소켓이 있어야 보드에 연결이 가능하며, 소켓을 거칠 때마다 데이터 손실이 발생할 수 있어 블루스크린과 같은 현상이 나타날 수 있다. 반면에, LPCAMM2의 경우, 커넥터가 바로 밑에 위치해 있어 소켓을 통하지 않고 바로 꽂기만 하면 데이터 전송이 가능하다. 즉, 데이터 손실은 감소하고 속도는 증가하는 격이다.

현재 다양한 분야에서 고성능, 저전력, 제조 유연성에 대한 요구가 증가함에 따라 LPCAMM2가 기존 제품들을 대체할 차세대 폼팩터로 자리하고 있다.

삼성전자 반도체의 LPCAMM2는 작고 얇은 폼팩터에 강력한 성능을 담음으로써 제조사에게는 제조의 유연성을, 사용자에게는 교체나 업그레이드 등의 편의성을 증대시켰다.

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MAP 4. LPCAMM2, 디지털 노마드 시대의 해법

공간의 제약 없이 자유롭게 디지털 기기를 이용하는 ‘디지털 노마드(Digital nomad) 시대’인 지금, LPCAMM2는 PC·노트북 D램 시장의 판도를 바꿀 솔루션으로 각광받고 있다.

삼성전자 반도체는 현재 인공지능(AI)·고성능 컴퓨팅(HPC)·서버·데이터센터 등 LPCAMM2의 응용처 확대를 위해 주요 고객과 논의 중에 있으며, LPCAMM2의 성능은 7.5Gbps로 인텔 플랫폼에서 동작 검증을 마쳤고, 2024년 상반기에 양산할 예정이다.

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MAP 5. 온디바이스 AI의 미래를 바꾸다

한편 LPCAMM2는 초거대 AI 시장에 대응하는 최첨단 메모리 솔루션으로도 활약한다. 단말기 내부에서 정보를 수집하고 연산하는 온디바이스 AI(On-device AI)에 있어 가장 중요한 것은 속도·전력 효율이다. 특히 컴퓨팅 시스템에서 D램의 전력 소모량을 줄이는 것이 핵심이라고 할 수 있다.

삼성전자의 LPCAMM2는 온디바이스 AI 시대에 최적화된 메모리 제품으로 각광받고 있다. 기존 D램 모듈(SO-DIMM) 대비 탑재 면적이 최대 60% 이상 줄어, 내부 공간을 보다 효율적으로 사용할 수 있고, 성능은 최대 50%, 전력효율은 최대 70%까지 개선되었다.

메모리 산업의 혁신적인 미래를 선도할 LPCAMM2의 무궁무진한 가능성은 어디까지일까? 보다 자세하게 알고 싶다면, 삼교시 탐구생활 ‘LPCAMM’ 편을 참고하길 바란다.

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최근 빅데이터 기반의 서비스가 확장되면서 메모리 성능에 대한 요구가 끝없이 늘어나고 있다. ‘반도Chat’ 시리즈 다섯 번째 이야기의 주제는 기존 메모리의 한계를 극복하고, 미래 메모리 기술 개발에 핵심이 될 새로운 인터페이스, ‘CXL’이다.

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MAP 1. 빅데이터 시대 속 데이터 처리의 새로운 길

인공 지능, 머신 러닝 등의 기술 발전으로 처리해야 할 데이터양이 폭증하면서, 고성능 CPU는 빠른 데이터 처리를 위해 단일 칩에 점점 더 많은 코어(Core)를 통합하고 있다. 특히 AI 서비스를 위한 고성능 CPU에는 100개가 넘는 코어가 존재한다. 코어 수가 증가할수록 각 코어를 담당할 충분한 메모리가 필요한데, 현재 위와 같은 상황으로 인해 고속 인터페이스를 사용하고 용량 확장이 용이한 메모리 제품에 대한 수요가 급증하고 있다.

그러나 기존에 사용되어 온 DDR 인터페이스 기반의 D램은 한정된 범위 내에서만 용량을 확장할 수 있어 AI 서비스에 필요한 성능을 충족시키지 못했다.

이로 인해 기존 메모리 성능과 고성능 CPU 간에 격차가 생기면서 병목 현상이 발생하게 되었고, 이 한계를 넘어서기 위해서는 완전히 새로운 인터페이스가 필요했다. 그렇게 삼성전자 반도체는 ‘CXL’이라는 차세대 인터페이스를 메모리 설계에 도입하기 시작했다.

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MAP 2. CXL이란 무엇인가?

빠르게 연결해서 연산한다’는 의미를 지닌 CXL(Compute Express Link)은 CPU, GPU, 스토리지 등의 다양한 장치를 효율적으로 묶어, 보다 빠른 연산 처리를 가능하게 하는 차세대 인터페이스다.

기존에는 각 장치마다 별도의 인터페이스가 존재해 서로 다른 인터페이스 간의 효율적인 연결이 어려웠으며, 각 장치 간 통신 시 다수의 인터페이스를 통과하는 과정에서 지연 현상이 발생했다.

반면 CXL은 다수의 장치를 하나의 인터페이스로 통합해 여러 장치가 한 번에 연결되게 함으로써 데이터 처리 속도를 높이고, 시스템 용량과 대역폭을 확장할 수 있는 기반을 제공한다. 이러한 획기적인 기술은 무수히 많은 양의 데이터가 막힘없이 효율적으로 오갈 수 있는 고속도로가 되어주고 있다.

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MAP 3. CXL 기반 D램의 탄생

2021년, 삼성전자 반도체는 업계 최초로 CXL 기반 D램인 CMM-D를 개발했다. CMM-D에는 여러 가지 특성이 있는데, 가장 괄목할 특징 중 하나는 유연한 확장성이다. 기존의 데이터센터나 서버에서 외장형 저장 장치인 SSD(Solid State Drive)를 꽂던 자리에 그대로 꽂아 사용 가능하며, 이때 시스템 내 D램 용량을 TB급까지 확장할 수 있다. 서버를 교체하거나 서버 구조를 변경하지 않고도 용량을 손쉽게 확장할 수 있는 것이다.

또한, CMM-D는 다양한 대역폭에 대응할 수 있어 고속 데이터 처리가 가능하다. 이는 CXL이 PCIe(Peripheral Component Interconnect Express)를 기반으로 하는 인터페이스이기 때문이다. PCIe는 주로 컴퓨터의 다양한 하드웨어와 디바이스 간에 데이터를 전송하기 위한 연결 표준으로, 여러 개의 데이터 비트를 한 번에 전송하는 병렬 통신(Parallel Communication) 대신 한 번에 하나의 비트씩 데이터를 순차적으로 전송하는 직렬 통신(Serial Communication)을 사용한다.

한 번에 하나의 데이터 비트만 전송하지만, 높은 주파수의 신호를 사용하기 때문에 빠른 전송 속도를 자랑하며, 다양한 대역폭에도 효율적으로 대응한다. 또한 적은 수의 선으로 데이터를 전송하므로 신호 간 간섭이 적어 비교적 데이터 처리 과정이 매끄러우며 이로써 지연 현상도 최소화할 수 있다. 새로운 장치를 추가할 때 하나의 선만 연결하면 되기에 상대적으로 시스템을 확장하거나 변경하기에도 용이하다. CMM-D는 이러한 특성을 통해 메모리 관리의 유연성을 제공한다.

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MAP 4. 유연성을 한층 더 높인 차세대 메모리 CMM-D

삼성전자 반도체는 CXL 기반 메모리 기술 개발의 첫 결과물인 CXL 1.1에 이어 2023년 5월에는 CXL 2.0을 지원하는 CMM-D를 선보였다. CXL 2.0은 이전 버전인 CXL 1.1에서 메모리 관리의 유연성을 획기적으로 향상한 것으로, 필요에 따라 메모리를 효과적으로 공유하고 확장할 수 있는 기능을 제공한다. 더불어 강력한 보안 기능까지 갖춘 D램으로, 이를 데이터센터에 적용하면 보다 효율적인 메모리 사용이 가능해져 결과적으로 서버 운영비 절감에도 기여할 수 있다.

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MAP 5. 메모리 용량 확장에 숨은 기술

CXL 2.0만의 특성 구현에는 여러 기술이 기반이 되었는데, 특히 두 가지 기술이 용량 확장의 직접적인 토대가 되었다. 바로 메모리 풀링과 스위칭이다. CXL 2.0은 특히 메모리 풀링 기능을 세계 최초로 지원한다.

‘메모리 풀링(Pooling)’은 서버 플랫폼에서 여러 개의 CXL 메모리를 묶어 풀(Pool)을 만들고, 여러 호스트가 풀(Pool)을 공유하며 필요에 따라 메모리를 효과적으로 할당하고 해제하는 기술이다. 이를 통해 프로그램이나 작업에 필요한 메모리양에 따라 리소스를 효율적으로 관리할 수 있다.

예를 들면, 5명의 인원이 각각 1L의 물을 갖는 대신, 5명의 인원이 5L의 물을 공유함으로써 누군가 1L 이상의 물이 필요하더라도 옆 사람에게 별도로 요청하지 않고 바로 물을 사용할 수 있게 되는 것이다. 이로써 CXL 메모리의 전 용량을 유휴 영역 없이 사용할 수 있게 한다. 더불어 CXL 2.0은 스위칭 기능을 통해 프로세서, 가속기, 스토리지 등의 다양한 디바이스 간에 데이터를 효율적으로 전송하고 공유함으로써 메모리 리소스를 확장할 수 있다.

또한, CXL 2.0은 메모리 풀링과 스위칭 기능 외에도, 전원이 켜진 상태에서 장치를 연결하거나 분리할 수 있는 핫플러그 기능을 지원한다. 해당 기술 적용으로, 시스템을 재부팅 하지 않아도 디바이스를 추가하거나 교체할 수 있게 함으로써 편리성을 더했다.

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MAP 6. CXL과 함께 만들어 갈 메모리의 미래

삼성전자 반도체는 CMM-D, CMM-DC, CMM-H, CMM-HC 등 CXL 인터페이스를 기반으로 한 다양한 메모리 제품군을 연이어 공개하며 CXL 기반 메모리 제품의 범용성을 높여가고 있다. 여기에서 한 걸음 더 나아가 고성능 컴퓨팅 플랫폼용 신규 인터페이스인 CXL을 적극 활용해, 메모리 대역폭과 용량을 원하는 만큼 확장하는 미래를 꿈꾸고 있다.

이러한 꿈을 실현하기 위해 CXL 기반 메모리 기술의 생태계 구축에도 앞장서 왔다. CXL 기반 메모리 개발 초기 단계부터 글로벌 주요 데이터센터, 서버, 칩셋(Chipset) 업체들과의 개발 협력을 진행해 왔으며, CXL 소프트웨어 도구인 SMDK(Scalable Memory Development Kit)를 오픈 소스로 공개했다. 이로써 메모리 업계뿐 아니라 대학교, 연구기관 등을 대상으로 차세대 메모리 기술 연구·개발에 대한 관심도를 높임으로써 차세대 메모리 기술의 탄생을 가속화하고 있다.

빅데이터 시대에서, 메모리의 한계점을 없앨 새로운 인터페이스 ‘CXL’에 대해 보다 자세하게 알고 싶다면 반썰어 ‘CXL’편을 참고하길 바란다.

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지난 10월 20일(현지 시각), 미국 캘리포니아 실리콘밸리가 들썩이기 시작했다. 메모리 반도체 시장 트렌드와 최신 기술력이 모여있는 ‘삼성 메모리 테크 데이 2023’ 현장을 방문하기 위함이다.

‘메모리 역할의 재정의(Memory Reimagined)’라는 주제로 진행된 이번 행사에서는 최초로 공개되는 HBM3E D램 ‘샤인볼트’ 제품을 포함, 다양한 응용처별 차세대 메모리 기술력을 선보였다. 초거대 AI 시대를 대비하는 삼성전자 반도체만의 차별화된 메모리 솔루션은 무엇일까? 영상을 통해 그 무한한 가능성을 확인해보자.

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삼성전자가 20일(현지시간) 미국 실리콘밸리에 위치한 맥에너리 컨벤션 센터(McEnery Convention Center)에서 ‘삼성 메모리 테크 데이(Samsung Memory Tech Day) 2023’을 개최하고, 초거대 AI 시대를 주도할 차세대 메모리 솔루션을 대거 공개했다.

‘메모리 역할의 재정의(Memory Reimagined)’라는 주제로 열린 이번 행사는 글로벌 IT 고객과 파트너, 애널리스트 등 600여 명이 참석한 가운데 삼성전자 메모리사업부 이정배 사장, 미주총괄 짐 엘리엇(Jim Elliott) 부사장, 업계 주요 인사 등이 반도체 시장의 트렌드와 주요 제품을 소개했다.

삼성전자는 이날 클라우드(Cloud), 에지 디바이스(Edge Devices), 차량(Automotive) 등 응용처별 기술 트렌드를 공유하고 ▲ AI 기술 혁신을 이끌 초고성능 HBM3E D램 ‘샤인볼트(Shinebolt)’ ▲차세대 PC·노트북 D램 시장의 판도를 바꿀 ‘LPDDR5X CAMM2’ ▲스토리지 가상화를 통해 분할 사용이 가능한 ‘Detachable AutoSSD(탈부착 가능한 차량용 SSD)’ 등 차별화된 메모리 솔루션을 공개했다.

* 에지 디바이스: 데이터를 생성, 활용, 소비하는 모든 기기를 뜻함(스마트폰을 포함한 모바일 기기, 웨어러블, 센서를 활용한 사물인터넷 기기, 생활 가전, 사무용 전자기기 등을 포함)
* HBM3E: 삼성전자의 5세대 HBM D램 제품
* CAMM: LPDDR 패키지 기반 모듈 제품

삼성전자 메모리사업부 이정배 사장은 “초거대 AI 시대는 기술 혁신과 성장의 기회가 교차하는 지점으로, 업계에 더 큰 도약과 함께 도전의 시간이 될 것”이라며, “무한한 상상력과 담대한 도전을 통해 혁신을 이끌고, 고객·파트너와의 밀접한 협력으로 한계를 뛰어넘는 확장된 솔루션을 제공해 메모리 시장을 지속 선도해 나갈 것”이라고 밝혔다.

또한 이정배 사장은 이날 행사에서 새로운 구조와 소재 도입을 통해 초거대 AI 시대에서 직면한 난제를 극복해 나가겠다고 강조했다.

지난 5월 12나노급 D램 양산을 시작한 삼성전자는 차세대 11나노급 D램도 업계 최대 수준의 집적도를 목표로 개발 중이라고 밝혔다.

삼성전자는 10나노 이하 D램에서 3D 신구조 도입을 준비하고 있으며, 이를 통해 단일 칩에서 100Gb(기가비트) 이상으로 용량을 확장할 계획이다.

삼성전자는 9세대 V낸드에서 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수를 개발 중이며, 내년 초 양산을 위한 동작 칩을 성공적으로 확보했다고 밝혔다.

삼성전자는 셀의 평면적과 높이를 감소시켜 체적을 줄이고, 단수를 높이는 핵심 기술인 채널 홀 에칭으로 1,000단 V낸드 시대를 준비해 나가겠다고 강조했다.

* 채널 홀 에칭(Channel Hole Etching): 적층된 셀층에 미세한 원통형 구멍을 뚫어 전자가 이동할 수 있는 채널 홀을 형성하는 건식 식각(드라이 에칭) 기술
* 더블 스택(Double Stack): ‘채널 홀’ 공정을 두 번 진행해 만든 구조

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☐ AI 기술 혁신을 이끌 초고성능 HBM3E D램 ‘샤인볼트(Shinebolt)’

클라우드 시스템은 컴퓨팅 자원을 최적화해 사용할 수 있는 구조로 변화하고 있다. 이에 따라 시스템의 고성능화를 지원할 수 있는 고대역폭, 저전력 메모리와 다중 접속을 위한 스토리지 가상화 등이 요구되고 있다.

2016년 업계 최초로 고성능 컴퓨팅(HPC)용 HBM2를 상용화하며 HBM 시대를 연 삼성전자는 이번에 차세대 HBM3E D램 ‘샤인볼트(Shinebolt)’를 처음 공개했다.

‘샤인볼트’는 데이터 입출력 핀 1개당 최대 9.8Gbps의 고성능을 제공하며, 이는 초당 최대 1.2TB 이상의 데이터를 처리할 수 있는 속도이다.

* 1.2TB는 30GB 용량의 UHD 영화 40편을 1초 만에 처리할 수 있는 속도

삼성전자는 NCF(Non-conductive Film) 기술 최적화를 통해 칩 사이를 빈틈없이 채워 고단 적층을 구현했으며, 열전도를 극대화해 열 특성을 또한 개선했다.

* NCF(Non-conductive Film, 비전도성 접착 필름): 적층된 칩 사이를 절연시키고 충격으로부터 연결 부위를 보호하기 위해 사용하는 고분자 물질

삼성전자는 현재 HBM3 8단, 12단 제품을 양산 중이며, 차세대 제품인 HBM3E도 고객들에게 샘플을 전달하고 있다고 밝혔다.

또한 차세대 HBM D램과 최첨단 패키지 기술, 파운드리까지 결합된 맞춤형 턴키 서비스도 제공할 예정이다.

이외에도 ▲현존 최대 용량 ’32Gb DDR5(Double Data Rate) D램’▲업계 최초 ’32Gbps GDDR7(Graphics Double Data Rate) D램’ ▲저장 용량을 획기적으로 향상시켜 최소한의 서버로 방대한 데이터를 처리할 수 있는 ‘PBSSD(Petabyte Storage)’ 등을 소개했다.

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☐ 고성능·저전력과 다양한 폼팩터로 에지 디바이스 혁신 주도

최근 AI 기술은 폭증하는 데이터를 원활하게 처리하기 위해 클라우드와 에지 디바이스 간에 워크로드를 분산, 조정하는 하이브리드 형태로 발전하고 있다.

삼성전자는 사용자 기기단에서 고성능·고용량·저전력·작은 폼팩터 등을 지원하는 솔루션을 공개했다.

특히 업계 최초로 개발한 7.5Gbps LPDDR5X CAMM2(Compression Attached Memory Module)은 차세대 PC·노트북 D램 시장의 판도를 바꿀 제품으로 참석자들의 이목을 집중시켰다.

이외에도 ▲9.6Gbps LPDDR5X D램 ▲온디바이스 AI(On-Device AI)에 특화된 LLW(Low Latency Wide I/O) D램 ▲차세대 UFS 제품 ▲PC용 고용량 QLC SSD BM9C1 등을 공개했다.

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☐ 2025년 전장 메모리 시장 1위 달성을 위한 차량용 핵심 솔루션 공개

자율 주행 시스템의 고도화에 따라 차량용 메모리 시장에서는 고대역폭, 고용량 D램과 여러 개의 SoC(System on Chip)와 데이터를 공유할 수 있는 Shared SSD 등이 요구되고 있다.

삼성전자는 스토리지 가상화를 통해 하나의 SSD를 분할해 여러 개의 SoC가 사용할 수 있는 ‘Detachable AutoSSD(탈부착 가능한 차량용 SSD)’를 공개했다.

이 제품은 최대 6,500MB/s의 연속 읽기 속도를 지원하며, 4TB 용량을 제공한다. 또한 탈부착이 가능한 폼팩터로 구현돼 손쉽게 SSD를 교체할 수 있어 성능 업그레이드 등이 용이한 제품이다.

삼성전자는 이외에도 차량용 ▲고대역폭 GDDR7 ▲패키지 크기를 줄인 LPDDR5X 등을 선보였으며, 최적의 메모리 솔루션을 통해 모빌리티 혁신에 기여하겠다고 밝혔다.

한편 삼성전자는 데이터센터 내 에너지 효율성을 높여 환경 영향을 최소화하려는 시장 트렌드에 맞춰 다양한 혁신 기술을 발표했다.

삼성전자는 초저전력 기술 확보를 통해 데이터센터, PC/모바일 기기 등에서 사용되는 메모리의 전력 소비량을 절감하고, 포터블 SSD 내 재활용 소재 적용 등을 통해 탄소를 저감할 계획이다.

또한 PBSSD 등 차세대 솔루션으로 서버 시스템의 공간 효율성과 랙 용량을 증대시켜 고객의 에너지 절감에 기여하겠다고 밝혔다.

* 랙(Rack): 서버, 통신 장비 등 시스템을 구성하는 장비들을 보관하는 프레임

삼성전자는 전 반도체 공급망 내에서 고객, 협력사 등 이해관계자와의 협력을 강조하며, 기술을 지속 가능하게 하는 기술을 통해 글로벌 기후위기 극복에 적극 동참하겠다고 밝혔다.

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기술의 발전은 세상의 변화 속에서 기회를 포착하고, 성공을 향한 의지와 끈기를 가진 사람들이 만들어 낸 혁신의 산물이라 할 수 있습니다.

삼성전자 메모리의 지난 시간 역시 집념을 담은 기술 혁신의 여정이었으며, 그 가운데 1993년부터 30년간 ‘Global No.1 메모리 솔루션 Provider’ 자리를 지켜오고 있습니다.

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패러다임의 전환, 새롭게 펼쳐질 메모리의 미래

메모리의 주요 응용처는 PC와 모바일에서 데이터센터로 이동했습니다. 그리고 최근 초거대 AI는 메모리의 새로운 응용처로 급부상하고 있습니다. 특히 PC와 스마트폰과 같이 사용자의 기기에서 AI를 구현할 수 있는 온디바이스 AI(On-device AI)가 확산되면서, 메모리 응용처는 더욱 확대될 것입니다.

이러한 흐름 속에서 메모리 반도체에 대한 요구사항도 변화하고 있습니다. 하이퍼스케일러^*가 제공하는 AI 서비스 종류가 다양해지고 그에 걸맞은 서비스를 제공하기 위해, 방대한 데이터를 빠르게 처리하면서 총소유 비용(Total Cost of Ownership)도 절감할 수 있는 고성능·고용량·저전력 메모리가 요구되고 있습니다. 동시에 하이퍼스케일러의 요구에 맞춘 차별화된 메모리가 필요해졌습니다.

*하이퍼스케일러(Hyperscaler): 대규모 데이터센터를 운영하는 기업

또한 데이터가 급격히 증가함에 따라, 메모리 본연의 기능인 데이터 저장뿐 아니라 연산 기능까지 추가로 요구되면서 메모리의 역할이 확장되고 있습니다. 즉, CPU와 GPU의 데이터 처리를 분담하는 새로운 메모리 솔루션이 필요한 시점입니다.

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내일을 향한 혁신, 한계를 뛰어넘는 메모리

메모리 사업은 같은 면적의 웨이퍼 내에서 더 큰 용량의 칩을 더 많이 만들 수 있도록 집적도를 향상하고, 첨단 생산 시설을 통해 규모의 경제를 달성하여 원가경쟁력을 확보하는 것이 굉장히 중요합니다. 과거 PC와 모바일 시대에서의 메모리 수요는 세트 제품의 ‘부품 비용(BOM Cost)’에 많은 영향을 받았고, 이러한 ‘부품 비용’ 중심의 수요 결정 구조가 지금까지 이어져 왔기 때문입니다.

변화하는 환경 속에서 삼성전자는 고부가 제품 공급과 원가경쟁력 확보라는 상반된 두 요구사항을 모두 만족시키기 위한 메모리 사업의 방향성을 꾸준히 모색했습니다.

답은 의외로 간단합니다. 삼성전자는 지난 30년간 고객이 원하는 제품을 공급해야 한다는 책임감으로 업계를 리드해 왔고, 이 원칙은 지금도 유효합니다. 즉 우선순위의 차이는 있지만, 고객은 기본적으로 고성능, 고용량, 저전력, 고객 맞춤형 그리고 원가경쟁력을 갖춘 제품을 원하기에, 우리는 이 요소를 모두 충족시킬 수 있는 제품을 개발해야 합니다.

물론, 쉽지만은 않습니다. 하지만 삼성전자는 ▲한계에 도전하는 기술 혁신 ▲선단 공정 및 고부가 제품 생산 비중 확대와 R&D 투자 강화 ▲고객, 파트너와의 강력한 협력 관계라는 세 가지 축을 기반으로 사업을 지속해 왔고, 앞으로도 이를 더욱 강화하여 업계를 선도해 나갈 것입니다.

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첫째, D램과 낸드플래시의 집적도를 극한의 수준으로 높여 나가고, 고객 맞춤형 제품을 포함한 차별화된 솔루션을 제안해 새로운 시장을 열어 갈 것입니다.

압도적 기술력으로 최고 수준의 집적도 구현

앞으로 다가올 10나노 이하 D램과 1,000단 V낸드 시대에는 새로운 구조와 소재의 혁신이 매우 중요합니다. D램은 3D 적층 구조와 신물질을 연구개발하고 있으며, V낸드는 단수를 지속 늘리면서도 높이는 줄이고, 셀 간 간섭을 최소화해 업계에서 가장 작은 셀 크기를 구현하는 당사의 강점을 지속 고도화해 나갈 것입니다. 또한, V낸드의 입출력(I/O) 스피드를 극대화하기 위해 신구조 도입을 준비하는 등 새로운 가치 창출을 위한 차세대 혁신 기술을 착실히 개발 중입니다.

이와 더불어, 현재 개발 중인 11나노급 D램은 업계 최대 수준의 집적도를 달성할 것입니다. 9세대 V낸드는 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수를 개발 중으로, 내년 초 양산을 위한 동작 칩을 성공적으로 확보하였습니다.

차원이 다른 고성능, 고용량, 저전력 기술을 모두 담은 주력 제품군

최근 삼성전자는 업계 최고 용량인 32Gb DDR5 D램 개발에 성공했습니다. 향후 고용량 D램 라인업을 지속 확대하여 1TB 용량의 모듈까지 구현할 수 있는 솔루션으로 확장해 나갈 것입니다. 여기에 한 걸음 더 나아가, CMM(CXL Memory Module) 등의 새로운 인터페이스를 적극 활용해, 메모리 대역폭과 용량을 원하는 만큼 확장하는 미래를 꿈꾸고 있습니다.

HBM은 AI 시대에 고객에게 새로운 가치를 제공할 수 있는 핵심 제품 중 하나입니다. 2016년 삼성전자는 HPC 향 HBM2를 업계 최초로 상용화하며 HBM 시장을 본격적으로 개척했고, 이는 오늘날 AI 향 HBM 시장의 초석이 되었습니다. 그리고 현재는 HBM3을 양산 중이고, 차세대 제품인 HBM3E도 정상 개발하고 있습니다. 삼성전자는 앞으로도 다년간의 양산 경험을 통해 검증된 기술력과 다양한 고객과의 파트너십을 적극 활용하여, 최고 성능의 HBM을 제공하고 향후 고객 맞춤형 HBM 제품까지 확장하는 등 최상의 솔루션을 공급할 것입니다.

저전력 특화 제품인 LPDDR D램은 하이케이 메탈 게이트(High-K Metal Gate)^* 공정을 적용하여 고성능을 구현하는 동시에, 모듈 형태로 구현한 LPDDR5X CAMM^*2 솔루션으로 PC 시장은 물론 향후 데이터센터로 응용처를 확대할 계획입니다.

*하이케이 메탈 게이트: 누설전류를 최소화하기 위해 금속 소재 신물질을 게이트단에 적용하는 기술
*CAMM(Compression Attached Memory Module): LPDDR 패키지 기반 모듈 제품

신규 솔루션 발굴을 통한 메모리의 무한한 가능성 확장

메모리 병목현상 개선을 위해 데이터 연산 기능을 메모리 칩 내부 혹은 모듈 레벨에서 구현하는 PIM(Processing-in-Memory), PNM(Processing-near-Memory) 기술을 HBM, CMM 등의 제품에 적용하여, 데이터 연산 능력을 획기적으로 개선하는 동시에 전력 효율을 높이는 데 집중할 것입니다.

서버 스토리지 역시 응용처에 따라 용량을 변화시키고, 페타바이트급으로 확장할 수 있는 PB(Petabyte) SSD를 곧 선보일 예정입니다.

둘째, 미래 준비를 위해 고부가 제품과 선단 공정 생산 비중을 확대하고, R&D 투자를 강화하겠습니다.

삼성전자는 고부가 제품과 선단 공정의 생산 비중을 높이고, 초거대 AI 등 신규 응용처에 대한 메모리 수요에 적기 대응해 사업의 가치를 높이는 데 집중하고 있습니다. 이와 동시에 투자는 지속하면서, 수요 변동성과 메모리 제품의 긴 생산 리드 타임(Lead time)을 극복하기 위해 메모리 라인 운영을 고도화해 나갈 것입니다.

또한, 삼성전자 메모리 사업을 시작한 기흥캠퍼스에 첨단 반도체 R&D 라인을 구축하는 등 미래를 위한 투자를 이어 가도록 하겠습니다.

셋째, 고객과 파트너사와의 강력한 협력 관계를 구축할 것입니다.

고객, 파트너사와의 협력을 확대해 상품기획, 기술개발, 품질 전반에 걸쳐 새로운 제품과 시장을 개척할 것입니다. 예를 들어, 클라우드 서비스 및 세트, 칩셋, 소프트웨어 업체와 함께 제품 사양 정의 단계부터 시작해 데이터 전송 속도 지연 최소화, 대역폭 극대화 구현과 획기적인 전력 효율 향상 등 차세대 시스템과 응용에 최적화된 메모리 솔루션의 공동 개발을 확대해 나갈 것입니다.

동시에 D램과 낸드플래시의 혁신적(Disruptive) 기술 준비를 위해 소재, 장비 등 전 세계 파트너사와의 협력도 강화할 것입니다.

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다가올 미래를 위한 삼성전자 메모리의 도전

그간 삼성전자가 만들어 왔던 성과와 업적들은 실패를 두려워하지 않는 담대함과 반드시 이루고자 하는 간절함, 그리고 과감한 도전이 있었기에 가능했다고 생각합니다.

앞으로의 미래 사회는 더욱 복잡해질 것이며, IT 산업 발전에 따라 보다 다양한 제품과 새로운 서비스가 등장할 것입니다. 이에 삼성전자는 초일류 기술을 기반으로 지속적인 도전과 혁신을 통해 고객들과 함께 성장하며 더 나은 미래를 열어 갈 것입니다.

오는 10월 20일, 미국 실리콘밸리에서 개최되는 ‘삼성 메모리 테크 데이(Samsung Memory Tech Day) 2023’에서 삼성전자는 최신 메모리 반도체 기술과 제품, 그리고 미래 전략을 소개할 예정입니다. 삼성전자 메모리의 기술력으로 펼쳐질 우리 미래는 어떤 모습일지, 이번 행사를 통해 지켜봐 주시길 바랍니다.

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삼성전자가 풀HD급 4GB(기가바이트) 영화 1편을 2초 만에 저장할 수 있는 초고속 포터블 SSD(Solid State Drive) ‘T9’을 출시하며 소비자용 SSD 시장을 선도해 나간다.

이 제품은 최신 데이터전송 인터페이스 ‘USB 3.2 Gen 2×2’를 지원해 4TB(테라바이트) 모델 기준 업계 최고 수준인 최대 초당 2,000MB의 연속 읽기∙쓰기 속도를 지원한다.

※연속 읽기 속도: 스토리지 메모리에 이미 저장된 데이터를 연속적으로 불러오는 속도(MB/s)
연속 쓰기 속도: 스토리지 메모리에 데이터를 연속적으로 저장하는 속도(MB/s)

이전 세대 제품인 ‘T7’ 대비 연속 읽기∙쓰기 속도가 약 2배 증가하여 고용량 데이터를 다루는 전문 크리에이터, 포토그래퍼 등에게 최적의 솔루션을 제공한다.

※T7 2TB: USB 3.2 Gen 2 적용, 연속읽기 초당 1,050MB, 연속쓰기 초당 1,000MB

이 제품은 USB C타입 표준 전력사용 규격(USB Type-C Power Spec)에 맞춰 설계하여 안드로이드(Android), 윈도우(Windows), 맥(Mac) 운영체제(OS)를 기반으로 하는 제품, 게임 콘솔, 방송용 카메라까지 다양한 기기에 연결해 사용 가능하다.

또한, TIM(Thermal Interface Material) 소재를 적용하여 대용량 파일을 고속 데이터로 전송할 때 발생하는 내부 열을 분산시킬 수 있어 제품 내부 온도 제어가 용이하다.

※ TIM(Thermal Interface Material): 장치의 열 전달을 분산시키고 개선하는데 사용되는 재료

제품 표면 온도가 최대 60℃가 넘지 않게 설계하여 국제 안전 표준 IEC 62368-1 기준을 충족한 것도 특징이다.

※ IEC 62368-1: 재질과 접촉 시간에 따른 저온 화상 국제 안전 표준

이번 ‘T9’은 이전 제품 대비 디자인 경쟁력도 한층 강화됐다.

삼성전자는 ‘T9’을 신용카드와 비슷한 크기로 구현하고, 부드러운 촉감의 외관 재질로 포터블 SSD 사용자의 사용 편의성을 높였다. 또한 비대칭 사선의 굴곡과 카본 패턴을 적용해 고급 지갑을 연상하게 했다.

이 외에도 삼성전자는 메모리 제품 관리 소프트웨어 ‘삼성 매지션(Samsung Magician) 8.0’으로 실시간 제품 상태 확인, 성능 벤치마크, 보안 기능 강화, 펌웨어 업데이트, 정품 인증 등의 설정을 통하여 제품의 관리 및 사용성을 증대시켰다.

삼성전자 메모리사업부 브랜드제품 Biz팀 손한구 상무는 “고화질 이미지와 4K 동영상이 보편화 되면서 소비자들이 고용량 데이터를 전송 및 저장할 일이 빈번해졌다”며 “포터블 SSD T9는 이런 수요를 반영해 사용자가 온전히 작업에만 집중할 수 있도록 만든 제품으로 삼성전자는 앞으로도 고객의 경험을 향상시키는 최적의 메모리 솔루션을 제공하기 위한 노력을 지속할 것”이라고 말했다.

‘T9’은 1TB, 2TB, 4TB 3가지 용량으로 10월 3일부터 전세계에 순차적으로 출시되며, 국내는 10월 4일부터 판매를 시작한다. 이 제품의 가격은 1TB, 2TB, 4TB 모델 각각 165,000원, 291,000원, 530,000원이며, 보증기간은 최대 5년이다.

‘T9’에 대한 자세한 내용은 삼성전자 웹사이트(https://samsung.com/PORTABLE-SSD)에서 확인 가능하다.

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삼성전자는 8일(현지 시간) 미국 캘리포니아주 산타클라라 컨벤션 센터에서 열린 세계 최대 메모리 행사 <플래시 메모리 서밋 2023 (Flash Memory Summit 2023)>에 참가했습니다. 행사의 하이라이트인 기조연설을 통해 고객 성공을 최고 가치로 두고, 제품 기획부터 개발, 서비스, 후속 관리에 이르기까지 신뢰할 수 있는 파트너로서 고객 성공을 이끌기 위한 삼성전자의 비전을 밝혔습니다.

기하급수적으로 폭증하는 데이터와 다양한 응용처 확대로 인해 서버 및 데이터센터를 운영하는 고객들의 요구사항도 다변화되는 추세입니다. 이에 따라 서버 스토리지 시장은 전력, 공간, 성능에서 끊임없는 혁신이 요구됩니다. 특히 고성능 수요에 대응하기 위한 최신 기술 및 솔루션 개발 이외에도, 물리적 공간의 한계로 인해 무한대 확장이 어려운 데이터센터의 환경 제약에 따라 랙의 전력 한도 내에서 최대한의 용량을 구현해야 하는 과제가 있습니다.

즉, 서버 스토리지 기술 한계를 뛰어넘어 혁신을 이뤄내는 과정은 세 명의 육상 선수가 호흡을 맞춰 전력을 다해 최고 속도로 질주하면서도, 결승선을 동시에 통과해야 하는 초고난도 스포츠 경기와 닮았습니다. 삼성전자가 어떠한 솔루션으로 서버 스토리지 시장의 한계를 극복해 나가며 고객 경험을 향상시키는지 확인해 보기로 하겠습니다.

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고객 경험 향상을 중심으로 기조연설과 16개의 테크 세션 진행

지난 8월 8일부터 10일까지 3일 동안 개최된 이번 행사에서는 삼성전자 미주총괄장인 한진만 부사장이 ‘AI 시대에서의 메모리 혁신’을 주제로 오프닝 연설을 진행한 후, 이어 메모리사업부 솔루션개발실 송용호 부사장이 ‘고객 경험을 향상시키는 혁신적인 메모리 솔루션’(Enhancing Customer Experiences: How Memory Innovation Shape Products and Services)’을 주제로 기조연설을 진행했습니다.

☐ 서버 스토리지 시장의 세 가지 영역의 한계를 극복할 제품 및 기술 솔루션

삼성전자는 서두에 제시한 바와 같이 현재 서버 스토리지 시장이 당면한 문제를 전력, 공간, 성능 세 가지로 구분하고 이를 해결할 핵심 제품과 기술을 소개했습니다.

생성형 AI 서버에 적용되어 활용 중인 높은 전력 효율의 ‘PM1743’ SSD, 업계 최고 성능의 PCIe 5.0 SSD인 ‘PM9D3a’, 유례없는 집적도를 구현한 ‘256TB SSD’가 이에 해당합니다.

또한, 응용처에 따라 용량을 가변함으로써 높은 확장성을 제공하는 페타바이트급 초고용량 솔루션 PBSSD 아키텍처, 트래픽 격리 구현을 통해 단일 SSD를 다중 사용자가 이용하더라도 각 가상 시스템이 사전에 할당된 대역폭만을 점유하고, 이와 동시에 상호 간의 동작 간섭을 일으키지 않게 하여 스토리지 성능을 유지할 수 있는 삼성전자 고유의 멀티 테넌트 아키텍처 기술도 공개했습니다.

☐ 고객 경험의 향상: A부터 Z까지 고객과의 전 과정 협업

가장 주목할 부분은 고객과의 전 과정 협업입니다. 삼성전자는 고객의 성공을 이루기 위해 제품 기획 단계부터 개발, 양산, 운영 및 사후 관리에 이르기까지 제품의 생애주기 전 과정을 고객과 함께 합니다.

제품 개발 완료 전 단계에서 삼성전자와 고객의 시스템상에서 원활하게 동작하는지를 검증하기 위한 사전평가를 거치며, 양산 이후에는 원격 분석 도구인 텔레메트리 솔루션을 통해 발생할 수 있는 이슈를 사전 탐지해 고객에게 알려 문제 상황에 기민하고 실질적으로 대응합니다. 이날 행사에는 삼성의 텔레메트리 서비스를 이용하는 마이크로소프트 애저(Azure)의 General Manager인 Pablo Ziperovich가 화상 찬조 연설을 통해 이에 대한 만족도와 앞으로의 파트너십에 대한 기대 등을 생생하게 전했습니다.

송용호 부사장은 “앞으로도 고객 경험 향상을 최우선 가치로 두고, 고객과의 전방위 협력을 통해 최적화된 메모리 솔루션 제공을 위해 지속해서 노력할 것”이라고 강조했습니다.

이외에도 국내외 연사자가 진행한 클라우드, AI, 오픈 소스, 보안기술 등 다양한 주제의 테크세션에 참가해 삼성전자의 스토리지 기술력을 알리고, 업계 관계자들과의 기술 교류를 활발히 진행했습니다.

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AI 및 데이터 중심 시대에 최적화된 다양한 응용처별 스토리지 솔루션 및 차세대 응용 기술 전시

삼성전자는 이번 FMS 전시를 통해 서버, PC, 오토모티브의 다양한 응용별 최신 스토리지 솔루션과 기술을 선보였습니다.

☐ ‘약 2배의 전력 효율 서버용 SSD’ PM1743

PM1743은 작년 FMS에서 첫 공개된 제품으로 업계 최초로 PCIe 5.0 인터페이스를 적용해, 이전 모델 대비 약 2배의 전력 효율을 달성했습니다. 챗GPT와 같은 생성형 AI 분야에서 본격적으로 활용될 예정입니다.

☐ ‘업계 최고 성능 및 전력 효율과 한층 강화된 신뢰성을 제공하는 데이터센터향 PCIe 5.0 SSD’ PM9D3a

PM9D3a는 8채널 컨트롤러 기반 PCIe 5.0 규격을 지원해 연속 읽기 성능을 이전 세대 제품 PM9A3 대비 최대 2.3배 개선하였습니다. 임의 쓰기 성능도 2배 이상 개선하여 8TB 용량에서 400K IOPS를 제공합니다. 또한, 60% 개선된 업계 최고의 전력 효율을 제공하며, 데이터센터 내 유지·보수에 필수적인 텔레메트리 및 디버그 기능도 대폭 강화했습니다. 기존 세대 대비 25% 개선된 평균 무고장 시간(MTBF) 250만 시간을 달성하여, 고객들이 더욱 안정적인 서비스 운영을 할 수 있도록 돕습니다.

※ 채널: NAND 플래시와 SSD 컨트롤러간 데이터 입출력을 병렬 처리할 수 있는 기본 단위
※ PCIe 5.0: 기존 PCIe 4.0 대비 대역폭이 2배로 커진 32GT/s를 지원하는 차세대 PCIe 통신규격

PM9D3a는 고용량 7.68/15.36TB 2.5인치 규격 제품 개발을 완료하였으며, 내년 상반기 중 3.84TB 이하의 저용량 제품부터 최대 30.72TB 제품까지 고객 요구에 맞춰 다양한 폼팩터와 라인업을 선보일 계획입니다.

※ MTBF(Mean Time Between Failure): 평균 무고장 시간
※ IOPS(Input/Output Operations Per Second)

☐ ‘QLC NAND 기반 고용량 SSD’ 256TB SSD

싱글 서버랙의 전력 한도와 물리적 공간의 한계 내 최대 데이터 저장을 위한 솔루션인 QLC NAND 기반의 256TB SSD는 업계 최고 수준의 집적도를 달성한 제품입니다. 한 개의 256TB SSD는 32TB SSD를 8개 쌓아 올리는 것 대비 총 전력 소모량을 약 7분의 1로 감소시키는 효과가 있는 것이 특징입니다.

※ QLC: Quad Level Cell

☐ ‘페타바이트급 확장성’ PBSSD 아키텍처와 단일 SSD상 다중 사용자 사용 위한 트래픽 격리 기술

또한, 이번 전시에서는 응용처에 따라 용량을 가변하여 높은 확장성을 제공하는 페타바이트급 초고용량 솔루션 PBSSD 아키텍처, 다수 사용자가 하나의 SSD를 사용해도 성능이나 응답 지연의 간섭을 없앨 수 있는 삼성전자 고유의 트래픽 격리 기술도 새롭게 공개했습니다. 이러한 기술 한계를 뛰어넘는 솔루션을 통해 초거대 AI시대에 폭증하는 데이터를 유연하게 처리하는 등 데이터센터 고객들을 위한 차별화된 서비스를 지원할 수 있을 것으로 기대됩니다.

한편 삼성은 메타와 협력하여 개발중인 오픈소스기반의 사용자 워크로드 제어 솔루션 및 표준 NVMe spec기반 FDP (Flexible Data Placement) 솔루션을 데모부스에서 공개했습니다. FDP는 다중사용자 환경에서 사용자 그룹별 데이터를 분리시켜 저장함으로써 WAF (Write Amplification Factor)가 감소하고 이로 인해 스토리지 수명을 증가시켜 TCO를 절감할 수 있는 기술입니다.

이번 FMS 2023는 메모리 선진 기술 및 차세대 제품과 기술뿐 아니라, 오랜 제품 기술 노하우를 바탕으로 다양한 고객들의 경험 향상을 위해 지속적으로 노력하는 삼성의 의지를 엿볼 수 있습니다.

데이터 중심 시대에 펼쳐질 눈부신 기회의 바다를 고객 및 파트너들과 함께 항해할 삼성전자의 모습이 기대됩니다.

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OCP(Open Compute Project)는 전 세계 최대 규모의 개방형 데이터센터 기술 협력 협회로, 매년 하드웨어와 소프트웨어 분야에서 오픈 소스와 개방형 협업의 이점을 상호 공유하고, 데이터센터 관련 기술 혁신 속도를 빠르게 향상시키기 위해 만들어졌습니다.

현지 시간으로 18일 오전에는 메모리사업부 S/W개발팀 조상연 부사장이 기조연설자로 나섰습니다. 조 부사장은 삼성전자의 오픈소스에 기반한 기술 개발 노력과 기여에 대해 공유하고, 지속 가능한 기술 생태계 구축을 위한 업계의 공동 협력을 강조했습니다. 그는 “데이터가 기하급수적으로 폭증하는 현 시대에 지속 가능한 미래를 만들기 위해서는 모든 업계 파트너와 경계를 넘나드는 긴밀한 협력이 요구된다”고 말하며, “삼성전자는 전방위적인 노력으로 기술 생태계 조성과 발전에 앞장서 나갈 것”이라고 밝혔습니다.

□ 차세대 기술 개발을 위한 노력, 삼성전자의 OCP 오픈소스 기여 현황

삼성전자는 2015년 첫 OCP 참여를 시작으로 매년 주도적으로 참여 범위를 넓혀왔습니다. 특히 올해는 최고 등급인 플래티넘 회원으로 참여해, 데이터센터 스토리지 서버 시스템인 ‘포세이돈(Poseidon) V1’의 개방형 서버 스펙을 OCP 커뮤니티에 공개했고, ‘포세이돈 V2’의 개발도 완료하여 차세대 데이터센터용 SSD 폼펙터인 EDSFF 풀 라인업을 지원하는 성과를 이뤘습니다. 한편, 작년에 스토리지 시스템 소프트웨어인 ‘포세이돈 OS’를 오픈소스로 첫 공개한 이래 꾸준히 업데이트해오고 있으며, 하이퍼스케일(Hyperscale) 데이터센터용 NVMe SSD의 스펙 호환성 인증을 완료하고 해당 제품들을 양산 중입니다.

삼성전자는 여기에서 한 걸음 더 나아가, 미국, 덴마크 등 전 세계 6개국에서 100명 이상이 참여하는 글로벌 오픈소스 팀을 설립해 개방형 메모리 소프트웨어 기술 개발을 위한 협력 활동을 활발히 진행하고 있습니다.

□ 지속 가능한 미래를 위한 올바른 이정표

이번 행사에서 삼성전자는 지속 가능성을 높이기 위한 제품 혁신 기술뿐 아니라 제품의 생산부터 폐기까지 전 과정에 걸친 종합적인 친환경 노력을 소개했습니다. 데이터 처리 효율 극대화를 통해 에너지를 절약할 수 있는 스마트SSD (SmartSSD), 데이터 전송 효율 및 성능을 최대 20배 향상시킨 메모리 시맨틱 SSD (Memory-Semantic SSD), 기존 대비 최대 2배까지 D램 용량 확장이 가능한 CXL D램, 초고용량 스토리지 박스 솔루션인 페타바이트 스토리지 (Petabyte storage) 등의 혁신 기술을 소개하며, 빅데이터 시대에서의 데이터센터가 나아갈 길을 제시했습니다.

또한, *RCS(Regenerative Catalytic System)를 통한 공정가스 처리, 재생 에너지 사용 등 제조 공정에서 불가피하게 발생하는 온실가스를 획기적으로 저감하기 위한 활동을 언급했는데요. 이와 함께 수자원 절감, 폐기물 관리, 오염 물질 저감 등 다양한 친환경 성과도 공개해 주목을 받았습니다.

*RCS: 촉매를 사용해 공정가스를 옥상에서 통합 처리하는 시설로 현재 삼성전자 반도체가 유일하게 사용하고 있다.

이처럼 삼성전자는 혁신적인 친환경 기술을 바탕으로 반도체 제품의 개발부터 폐기까지 전 과정에서 자연에 미치는 영향을 최소화하고 지속 가능한 미래를 구현해나가기 위한 노력과 성과를 전달했습니다. 나아가 ‘OCP 지속 가능성 이니셔티브’ 참여를 통해 반도체 업계 전반의 친환경 경영 확산을 주도하는 한편, 고객과 환경에 기여하는 지속 가능한 제품을 만들고, 오픈소스를 공유해 함께 발전해 나갈 것을 다짐했습니다.

□ 차별화된 기술력을 선보인 제품 전시 부스

이번 ‘OCP 글로벌 서밋 2022’에서 삼성전자는 페타바이트 스토리지 (Petabyte storage), 스마트SSD (SmartSSD), CXL D램 등 제품 5종을 전시했는데요. 기조연설에서 언급된 핵심 솔루션을 포세이돈 서버 등에 장착해 직접 성능을 시연해 보이며, 관람객들의 이목을 끌었습니다.

한편, 제품 전시와 함께 글로벌 반도체 업계 최초로 영국 카본 트러스트사로부터 수여 받은 ‘제품 탄소 발자국 인증’과 ‘탄소 저감 인증’ 관련 내용도 빼놓지 않았는데요. 지속 가능한 미래를 위한 삼성전자의 노력을 엿볼 수 있었던 순간이었습니다.

지속 가능한 미래를 위해 오늘도 기술 개발에 부단한 노력을 기울이고 있는 삼성전자. 앞으로 어떤 혁신적인 기술로 우리의 일상을 특별하게 만들지 많은 관심 부탁드립니다!

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최근 인공지능(AI) 분야에서 화두가 되고 있는 중요한 트렌드 중 하나는 ‘초거대 AI(Hyperscale Artificial Intelligence, 이하 초거대 AI)’입니다. 초거대 AI는 기존 AI에서 한 단계 진화한 AI로, 인간의 뇌처럼 여러 상황에 대해 스스로 학습하여 사고하고 판단할 수 있습니다. 예컨대, 인공지능의 활용 사례로 많이 알려진 이미지 분석과 같은 작업에서 한발 더 나아가 사람의 언어를 이해하고 이를 바탕으로 이미지를 만들어낼 수도 있습니다. 이러한 수준의 AI를 구현하기 위해서는 훨씬 더 대용량의 데이터에 대한 학습과 연산이 필요하며, 이를 수행할 수 있는 컴퓨팅 인프라가 갖춰져야만 합니다.

최근 활발하게 연구, 도입되고 있는 대용량 추천 시스템과 언어 모델 등을 살펴보면, 모델의 크기가 커질수록 정확도가 증가하는 추세입니다. 그런데 이러한 모델을 구현할 수 있는 충분한 D램 용량과 대역폭이 지원되지 않으면 컴퓨팅 성능이 제한될 수 있습니다. 이에, 삼성전자는 이를 극복할 수 있는 메모리 기술을 선제적으로 개발하고 있습니다.

앞서 설명한 초거대 AI 모델을 지원하기 위해, 삼성전자가 제시하는 솔루션은 PIM(Processing-in-Memory)과 PNM(Processing-near-Memory) 기술입니다. 삼성전자는 이미 해당 기술을 활용한 메모리 솔루션을 확보하였으며, 이를 구현하는데 필요한 소프트웨어에 대한 표준화도 완료했습니다.

HBM-PIM과 GPU를 함께 탑재한 AI용 가속기 구현

PIM(Processing-in-Memory)은 프로세서가 수행하는 데이터 연산 기능을 메모리 내부에 구현한 기술입니다. PIM이 없는 시스템에서는 프로세서가 메모리로부터 명령어를 불러오고 실행하며 그 결과를 다시 메모리(기억장치)에 저장합니다. 이로 인해 다량의 데이터 이동이 필요합니다. PIM을 활용하면, 메모리 내부에서 연산 처리가 가능해 CPU와 메모리 간 데이터 이동이 줄어들기 때문에 AI 가속기 시스템의 성능과 에너지 효율을 높일 수 있습니다. 이 개념을 활용한 솔루션이 바로 HBM-PIM입니다.

*삼성전자 HBM-PIM 기술 설명 바로가기: https://bit.ly/3yHA9SW

삼성전자는 AMD와의 협력을 통해, 이미 상용화된 AMD의 GPU ‘MI-100’ 가속기 카드에 HBM-PIM 메모리를 탑재하였습니다. 이를 바탕으로 HBM-PIM Cluster를 구현한 다음, 각종 대규모 AI 및 HPC(High-Performance Computing) 어플리케이션에 적용했습니다.

그 결과, HBM-PIM을 활용하지 않은 기존 GPU 가속기 대비, 평균적으로 성능은 약 2배 증가하고 에너지 소모는 약 50%가 감소했음을 확인하였습니다. 삼성전자가 8개의 GPU 가속기로 시스템을 구성하고 대용량 AI 언어 모델을 학습시킨 결과, HBM-PIM을 탑재한 GPU 가속기를 사용했을 때 HBM을 탑재한 GPU 가속기보다 1년 동안 사용하는 에너지를 약 2,100GWh 절감할 수 있을 것으로 확인되었습니다. 2,100GWh의 에너지 사용을 절감하면 탄소 배출량을 약 96만 톤 가량 줄일 수 있으며, 이는 약 1억 그루의 소나무가 1년 동안 흡수하는 탄소보다 많은 양입니다.

*환산 기준: 국내 강원·중부 지방의 소나무의 경우, 한 그루당 1년 동안 8.6kg의 온실가스를 흡수 (국립산림과학원이 2019년 7월 발표한 ’19년 주요산림수종의 표준 탄소 흡수량 기준)

이로서 현재 데이터센터들이 초거대 AI와 관련해 직면하고 있는 메모리 용량과 대역폭 한계로 인한 병목현상을 효율적으로 개선하고 전력량 절감에도 기여할 수 있을 것으로 기대됩니다. 특히, 이는 이미 상용화된 GPU와 HBM-PIM을 이용해 구현할 수 있는 솔루션입니다.

또한, 삼성전자는 이를 지원할 수 있는 소프트웨어에 대한 준비도 병행하고 있습니다. 개방형 소프트웨어 표준인 SYCL을 활용해 금번에 구현한 GPU 가속기를 사용할 수 있는 소프트웨어 사양을 정의하였으며, 이를 바탕으로 한 소프트웨어도 11월 공개할 예정입니다. 이에 따라 향후 고객들은 통합된 소프트웨어 환경에서 PIM 메모리 솔루션을 사용할 수 있을 것으로 기대됩니다.

해당 소프트웨어 표준화를 위해 협력 중인 Codeplay Software의 최고사업책임자(Chief Business Officer) Charles Macfarlane는 “Codeplay는 SYCL 표준 정의에 함께 참여하여 HBM-PIM을 활용한 GPU 가속기에 적합한 첫 소프트웨어 솔루션을 구현했다”며, “삼성전자와 함께 소프트웨어 표준화를 지속 진행함으로써 라이브러리와 툴 생태계를 더욱 확장하고 알고리즘 개발에 집중할 수 있는 환경을 제공하겠다”고 밝혔습니다.

고용량 AI 모델을 위한 CXL 기반의 PNM 솔루션 개발

CXL은 컴퓨팅 시스템에서 사용되는 인터페이스로, 프로세서와 함께 사용되는 가속기와 메모리를 보다 효율적으로 사용하고 메모리 용량의 확장을 용이하게 해줍니다.

*삼성전자 CXL 메모리 기술 설명 바로가기: https://bit.ly/34pYiQj

PNM(Processing-near-Memory)도 PIM처럼 메모리를 데이터 연산 기능에 활용해 CPU와 메모리 간 데이터 이동을 줄여주는 기술입니다. 연산 기능을 메모리 옆에 위치시켜 CPU-메모리 간 발생하는 병목현상을 줄이고 시스템 성능을 개선할 수 있습니다.

삼성전자가 금번에 개발한 CXL 인터페이스 기반의 PNM 기술은 고용량 AI 모델의 처리에 적합한 솔루션입니다. 높은 메모리 대역폭을 요구하는 추천 시스템이나 인-메모리 데이터베이스 등의 응용에서 약 2배 이상 성능이 향상되는 것을 확인하였습니다. 삼성전자는 해당 기술을 최근 미국에서 개최된 ‘삼성 테크 데이’행사에서 업계 최초로 공개한 바 있습니다.

AI 모델별 특성에 적합한 메모리 솔루션 제공

AI 모델에 활용되는 데이터는 특성에 따라 밀집데이터와 희소데이터로 분류됩니다. 밀집데이터는 전체 데이터 군집 안에서 유효한 데이터의 비율이 높아 밀집되고 연결된 경우이며, 희소데이터는 유효한 데이터의 비율이 낮게 존재합니다.

자율주행, 음성인식 등의 AI 응용은 밀집데이터에 해당되며, 사용자 기반 추천 알고리즘(페이스북 친구 추천)등은 희소데이터에 해당됩니다. 삼성전자는 밀집데이터를 기반으로 하는 AI 모델에는 PIM 기술을 적용하고, 희소데이터 기반 AI 모델은 PNM 기술을 적용하여 고객의 다양한 요구에 대응할 예정입니다.

삼성전자 메모리사업부 신사업기획팀장 박철민 상무는 “HBM-PIM Cluster 기술은 업계 최초의 거대 규모 인공지능 분야 맞춤형 메모리 솔루션”이라며, “통합 소프트웨어 표준화 과정을 거쳐 CXL-PNM 솔루션과 도 접목하여, 에너지 절감 및 탄소 배출 저감 효과를 극대화함으로써 친환경 경영에 기여할 것이다”라고 밝혔습니다.

AMD의 Accelerated Data Center Business 담당 Josh Friedrich 부사장(Corporate Vice President)은 “AMD는 업계와의 협력을 바탕으로 고객을 위한 새롭고 혁신적인 기술을 지속적으로 찾아나가고 있다”며, “컴퓨팅 집약적 시스템 성능을 향상시킬 수 있는 PIM과 같은 혁신적인 메모리 기술을 연구하고 제시하는 삼성전자의 노력에 박수를 보낸다”고 밝혔습니다.

미국 에너지부(U.S. Department of Energy) 산하 연구소인 Oak Ridge National Laboratory의 Corporate Fellow이자 Computer Science와 Math Division을 이끌고 있는 Jeffrey Vetter는 “고성능 컴퓨팅과 AI 어플리케이션에서 흔히 발생하는 메모리 대역폭과 전력 효율 문제를 해결하는 데에 있어 PIM과 같은 컴퓨팅 메모리 기술의 구현이 필요하다”며, “삼성전자와의 협력을 통해 이러한 메모리 기술의 적용 가능성과 효율성을 연구할 수 있을 것으로 기대한다”고 밝혔습니다.

삼성전자는 향후 HBM-PIM과 CXL 기반 PNM 기술의 확산을 위해 IT 업계 및 학계와 적극적으로 소통할 계획입니다. HBM-PIM과 CXL 기반의 PNM 솔루션을 지원하는 통합 소프트웨어를 공개할 예정이며, 업계 최대 슈퍼 컴퓨팅 학회인 SC22에도 참가하여 해당 솔루션을 전시하고 시연할 예정입니다.

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*델 테크놀로지스 포럼 2022(Dell Technologies Forum): 매년 델 테크놀로지스에서 주최하며, IT 솔루션과 최신 기술 동향을 소개하는 기술 포럼이다.

이번 행사는 팬데믹 이후 3년 만에 대면으로 개최되어 삼성전자, 인텔, 마이크로소프트 등 세계 시장을 선도하는 60여 개의 기업이 참가해 클라우드, 구독형 서비스, 하이브리드 업무 환경, 데이터센터와 엣지 등 다양한 주제를 담은 25개의 세션으로 전시 부스를 운영했습니다.

친환경 혁신 기술로 이루어 온 삼성전자 반도체의 성취와 비전

이날 기조연설을 위해 무대에 오른 이는 삼성전자 DS지속가능경영사무국 서현정 상무였는데요, ‘기술을 지속가능하게 하는 기술’이라는 주제로 델 테크놀로지스 김성준 부사장과 함께 대담 형식으로 발표를 진행했습니다. 삼성전자가 주요 IT 기업들의 공급망 파트너로서, 혁신적인 친환경 기술을 통해 반도체 제품의 개발부터 폐기까지 전 과정에서 자연에 미치는 영향을 최소화하고, 지속 가능한 미래 가치를 창출하기 위해 기울여 온 노력과 그 성과에 대한 내용이 주를 이뤘습니다.

‘고성능, 고효율, 고용량’, 데이터 폭증 시대에 최적화된 차세대 메모리 솔루션

뒤이어 브레이크아웃 세션에서는 메모리사업부 상품기획팀 김경륜 상무가 ‘삼성 메모리 솔루션과 함께 미래로 한 걸음 나아가자’라는 주제로 발표를 진행했습니다. 데이터 폭증 시대의 현황과 문제점을 짚고, 그에 따른 솔루션을 제시해 눈길을 끌었습니다.

김경륜 상무는 앞으로 도래할 전례 없는 초연결(hyper Connectivity) 사회의 모습을 제시했습니다. 인공지능, 메타버스, 사물인터넷, 자율주행, 5G·6G 통신 서비스 등의 기술이 발전하면서, 2030년에는 760억 개의 기기들이 상호 연결될 것으로 전망했는데요. 그에 따라 폭발적인 데이터 증가가 필연적으로 수반되어 비용과 환경 측면에서도 많은 이슈가 발생할 것으로 예상했습니다. 막대한 데이터 처리를 위한 데이터 센터 증설 및 용지 확보, 급격한 전력 소모, 다량의 이산화탄소(CO2) 발생에 따른 지구 온난화 가속화 등의 문제점이 뒤따라오기 때문입니다. 김경륜 상무는 이를 해결하기 위한 방안으로 삼성전자 반도체의 혁신 기술이 집약된 다양한 고성능·고효율·고용량·고지능 메모리 솔루션을 소개했습니다.

이번 포럼에서 플래티넘 스폰서로 참가한 삼성전자 반도체는 다수의 차세대 메모리 제품을 전시해 주목을 받았습니다. 부스에서 선보인 메모리 제품들은 데이터센터, 인공지능 및 머신러닝, 자율주행 등 응용 분야의 확장에 따라 성능, 용량, 저전력 특성 등 다양한 측면에서 개별화된 요구를 충족할 수 있는 솔루션들로 구성됐습니다.

그 중에서도 특히 주목할 제품은 ‘DDR5 D램’, ‘PM1743 SSD’, ‘2세대 스마트SSD’였는데요. ‘DDR5 D램’은 차세대 D램 규격으로 이전 버전인 DDR4 대비 워크로드 기반 성능이 98% 이상 향상됐습니다. 차세대 PCIe 5.0 규격 기반의 ‘PM1743 SSD’는 엔터프라이즈 서버에 채용되는 고성능 SSD로, 이전 PCIe 4.0 대비 대역폭이 2배 커지고, 전력 효율은 약 40% 개선되었습니다. ‘2세대 스마트SSD’는 CPU 연산 동작을 스토리지 레벨로 오프로드(offload)하여 SSD 내 데이터 처리 시간을 기존보다 50% 수준으로 단축하고, 에너지 소모를 70%가량 낮췄습니다. 삼성전자 반도체는 현장에서 실시간으로 DDR5 모듈과 PCIe 5.0 SSD를 장착한 서버와 DDR4 모듈과 PCIe 4.0 SSD를 장착한 서버의 성능을 직접 비교할 수 있도록 시연해 관람객들의 발길을 사로잡았습니다.

한편, 삼성전자 반도체는 글로벌 반도체 업체 최초로 영국 카본 트러스트사로부터 수여 받은 ‘제품 탄소 발자국 인증’과 ‘탄소 저감 인증’ 관련 내용도 함께 소개했는데요. 이는 삼성전자 반도체의 대표적인 환경친화적 경영 활동의 사례로, 우리 사회의 지속 가능한 미래를 위한 노력을 엿볼 수 있었습니다.

*카본 트러스트(The Carbon Trust): 2001년 영국 정부가 설립한 비영리 기관으로, 탄소 배출 절감을 위한 신기술, 혁신 등에 대한 지원과 정보 공유, 인증을 담당
*제품 탄소 발자국 인증: 제품의 생산부터 폐기까지 발생하는 탄소를 탄소 발자국 산정 표준에 맞추어 산정한 제품에 부여하는 인증

그동안 이루어 온 친환경 혁신 기술에 대한 성과를 소개하고, 다가올 미래에 대비한 차세대 메모리 솔루션을 제시하며 관람객들과 다채로운 소통을 진행한 삼성전자 반도체. 앞으로도 지속가능한 미래를 위해 노력을 거듭하는 삼성전자 반도체에 더욱 많은 관심 부탁드립니다.

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